第三代半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

今年在國(guó)家發(fā)布的新基建中，5G通訊電源、新能源逆變器和電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，SiC和GaN器件將得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，這給工程師進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品設(shè)計(jì)帶來(lái)...

2020-11-18 標(biāo)簽：電路半導(dǎo)體SiC 3.3k 0

SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì)，2019 年以來(lái)發(fā)生了什么變化？

11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》，在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動(dòng)下，碳化硅（...

2020-11-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 2.8k 0

晶盛機(jī)電:12英寸加工設(shè)備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化正在加速推進(jìn)

近日，晶盛機(jī)電接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司通過(guò)承擔(dān)國(guó)家科技重大02專項(xiàng)“300mm硅單晶直拉生長(zhǎng)裝備的開(kāi)發(fā)”和“8英寸區(qū)熔硅單晶爐國(guó)產(chǎn)設(shè)備研制”兩項(xiàng)課題為基...

2020-11-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC硅片 2.7k 0

未來(lái)用于電動(dòng)汽車的SiC元器件市場(chǎng)將呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)

眾多電源系統(tǒng)正在從硅 （Si） 技術(shù)向碳化硅 （SiC） 技術(shù)轉(zhuǎn)變。這將是自 20 世紀(jì) 80 年代雙極型半導(dǎo)體向絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 轉(zhuǎn)變...

2020-11-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 1.4k 0

SiC的發(fā)展與未來(lái)

隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時(shí)代，行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。 事實(shí)上，從特性上來(lái)講，SiC和GaN的優(yōu)勢(shì)是互補(bǔ)的，應(yīng)用覆蓋了電...

2020-11-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體射頻 3.5k 0

五家半導(dǎo)體公司今年凈利潤(rùn)增長(zhǎng)超50%

近一個(gè)月來(lái)，伴隨三季報(bào)的陸續(xù)披露，機(jī)構(gòu)扎堆調(diào)研半導(dǎo)體企業(yè)的現(xiàn)象重現(xiàn)。據(jù)wind統(tǒng)計(jì)，十月共計(jì)12家半導(dǎo)體公司獲機(jī)構(gòu)調(diào)研，其中卓勝微、晶豐明源、思瑞浦、新...

2020-11-09 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體WIFI 1.9k 0

華潤(rùn)微:8吋晶圓產(chǎn)線滿載,產(chǎn)能利用率在90%以上

華潤(rùn)微在接受投資者提問(wèn)時(shí)表示，公司募投項(xiàng)目8英寸高端傳感器和功率半導(dǎo)體建設(shè)項(xiàng)目在無(wú)錫現(xiàn)有的公司子公司無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司8英寸晶圓廠區(qū)和廠房?jī)?nèi)進(jìn)行擴(kuò)...

2020-11-08 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 4k 0

安森美半導(dǎo)體看中了SiC的哪些應(yīng)用市場(chǎng)

1999年從摩托羅拉分拆出來(lái)，分拆初時(shí)，它只擁有一大堆4英寸的小廠，兩座6英寸工廠。此后20年間，它經(jīng)過(guò)一系列并購(gòu)不斷發(fā)展壯大，漸漸成為如今位列前20名...

2020-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美SiC 2.5k 0

安森美半導(dǎo)體CEO：整個(gè)行業(yè)必須專注于開(kāi)放貿(mào)易和創(chuàng)新

全球疫情給經(jīng)濟(jì)和社會(huì)造成了巨大的動(dòng)蕩，在此期間，全球各行業(yè)在一定程度上都調(diào)整了各自的經(jīng)營(yíng)模式。 雖然人們?cè)谒伎家咔闀r(shí)，首先想到的肯定不是半導(dǎo)體，但在幫助...

2020-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美SiC 1.5k 0

SiC集成功率模塊NXH40B120MNQ，高集成度應(yīng)用廣泛

碳化硅是現(xiàn)在比較火的一種半導(dǎo)體材料，近幾年碳化硅的發(fā)展特別快，在很多方面都有應(yīng)用，滲透在人們生活的方方面面。用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅材料應(yīng)用于逆變器，作用更...

2020-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 1.9k 0

英飛凌新品：采用D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC? MOSFET

英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服...

2020-11-03 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC 3.7k 0

SiC IGBT的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)分析

SiC IGBT的發(fā)展至少也有30年了，大眾視野中很少會(huì)提及到SiC IGBT產(chǎn)品，并不是沒(méi)有，只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言，SiC器件的制...

2020-10-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT晶體管 7k 0

致工程師系列之四：寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計(jì)優(yōu)化驗(yàn)證

第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn)，推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開(kāi)關(guān)器件既能實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉(zhuǎn)換，...

2020-10-30 標(biāo)簽：SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 1k 0

GaN射頻技術(shù)將如何發(fā)展

以5G為代表的Sub 6G通信射頻系統(tǒng)非常復(fù)雜，尤其是那些需要使用高載波頻率和寬頻帶的新技術(shù)，包括載波聚合、Massive MIMO等。為此，很多半導(dǎo)體...

2020-10-26 標(biāo)簽：射頻SiCGaN 4.1k 0

為第三代寬禁帶制造工藝提供支持，泰克新推S530系列參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強(qiáng)功能。

2020-10-23 標(biāo)簽：泰克混合信號(hào)測(cè)試系統(tǒng) 1.2k 0

收購(gòu)日本先鋒微技術(shù)后，英唐智控發(fā)力第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品

近日，英唐智控完成對(duì)日本先鋒微技術(shù)的股權(quán)交割，正式標(biāo)志著其主營(yíng)業(yè)務(wù)由電子元器件分銷，向半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的轉(zhuǎn)型升級(jí)。

2020-10-22 標(biāo)簽：SiC英唐智控 5.3k 0

Cree出售照明業(yè)務(wù),將重點(diǎn)布局第三代半導(dǎo)體

碳化硅被用作5G無(wú)線和電動(dòng)汽車等重要技術(shù)的半導(dǎo)體，這兩個(gè)領(lǐng)域?qū)⒊蔀槲磥?lái)幾年需求增長(zhǎng)的重點(diǎn)。Lowe去年告訴《 N＆O》雜志，Cree已經(jīng)是德國(guó)汽車制造商...

2020-10-20 標(biāo)簽：led半導(dǎo)體SiC 3.7k 0

碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展史及未來(lái)展望

碳化硅襯底生產(chǎn)的國(guó)外核心企業(yè)，主要是美國(guó)CREE，美國(guó) II-VI，和日本昭和電工，三者合計(jì)占據(jù)75%以上的市場(chǎng)。技術(shù)上，正在從 4 英寸襯底向 6 英...

2020-10-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體SiC 1.1萬(wàn) 0