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      sic

      sic

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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      sic資訊

      SiC功率器件有望為新能源汽車行業(yè)帶來新的變革

      近年來，功率器件逐漸成為眾人矚目的“焦點(diǎn)”。比亞迪功率器件產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀告訴《中國電子報》記者，功率器件是電力電子的“CPU”，是特高壓電網(wǎng)、高速列車、...

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      半導(dǎo)體材料：Si、SiC和GaN

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      2020-08-27 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.3萬 0

      長沙三安第三代半導(dǎo)體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行

      根據(jù)此前的公告披露，三安光電擬在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶...

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      為何使用SCALE門極驅(qū)動器來驅(qū)動SiC MOSFET？

      PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無...

      2020-08-13 標(biāo)簽：驅(qū)動器SCALESiC 3.2k 0

      雪崩下SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)的魯棒性評估

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      本文將探討如何在雪崩工作條件下評估 SiC MOSFET 的魯棒性。MOSFET 功率變換器，特別是電動汽車驅(qū)動電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條...

      2020-08-09 標(biāo)簽：變換器SiC魯棒性 2.4k 0

      泰科天潤碳化硅高電壓產(chǎn)品率先突破車規(guī)級可靠性認(rèn)證

      SiC功率器件在新能源汽車應(yīng)用中的關(guān)注度越來越高，電機(jī)驅(qū)動、車載充電機(jī)（OBC）、DC-DC等應(yīng)用都需要高品質(zhì)的SiC功率器件，也因此眾多SiC功率器件...

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      PI汽車IC家族擴(kuò)容，新IC適合電動汽車應(yīng)用

      PI于近期推出了專門適合此應(yīng)用的一款反激式開關(guān)芯片InnoSwitch3-AQ，該芯片支持400V或者800V的母線供電。

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      SiC前景火爆，國產(chǎn)功率器件廠商能否搶占市場先機(jī)？

      由于材料限制，傳統(tǒng)硅基功率器件在許多方面已逼近甚至達(dá)到了其材料的本征極限，如電壓阻斷能力、正向?qū)▔航?、器件開關(guān)速度等，尤其在高頻和高功率領(lǐng)域更顯示出其局限性。

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      2020-06-29 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 909 0

      產(chǎn)能翻番，安森美半導(dǎo)體碳化硅為何“必不可少”？

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      同被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵（GaN）因其特性，多被用于650V以下的中低壓功率器件及射頻和光電領(lǐng)域，而碳化硅（SiC）則主要用在650V以上的高壓...

      2020-06-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 3.5k 0

      解讀我司全新SiC MOSFET方案！

      NTHL020N120SC1的設(shè)計旨在在1200V的阻斷電壓(VDSS)下提供極低的導(dǎo)通損耗。此外，它被設(shè)計為以低內(nèi)部門極電阻（Rg =1.81Ω）和低...

      2020-06-23 標(biāo)簽：驅(qū)動器安森美半導(dǎo)體SiC 3.7k 0

      ROHM開發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

      對于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時...

      2020-06-22 標(biāo)簽：MOSFETSiCRohm 1.2k 0

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      在這種背景下，ROHM于2010年在全球率先開始了SiC MOSFET的量產(chǎn)。ROHM很早就開始加強(qiáng)符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容...

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      通過使用SiC功率元器件，大陸集團(tuán)旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。

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      國內(nèi)首家！陽光推出車用全SiC電機(jī)控制器；美光上調(diào)第三季營收預(yù)期…

      德州儀器公司已經(jīng)取消了一些最受歡迎的計算器運(yùn)行匯編或C語言編寫的程序的能力，根據(jù)TI-Planet上發(fā)布的客戶支持電子郵件（通過Linus Tech T...

      2020-05-29 標(biāo)簽：美光SiC新聞 1.0萬 0

      英飛凌推出650V SiC MOSFET，低壓SiC市場競爭激烈

      英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。

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      為何一個小改變就可以讓電源的整體系統(tǒng)效率提升至98%？

      任何電子產(chǎn)品都離不開電源，隨著各個國家和地區(qū)能源標(biāo)準(zhǔn)的提升和用戶環(huán)保意識的增強(qiáng)，對電源效率的要求越來越高。產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的公司和工程師們?yōu)榱颂嵘娫葱剩瑴p少...

      2020-05-02 標(biāo)簽：英飛凌數(shù)據(jù)中心SiC 1.7萬 0

      Cissoid公司最新推出了三相SiC智能功率模塊

      據(jù)外媒報道，比利時Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動出行。

      2020-04-22 標(biāo)簽：CISSOIDSiC 4.4k 0

      SiC技術(shù)走入數(shù)據(jù)中心UPS

      SiC技術(shù)走入數(shù)據(jù)中心UPS

      數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施需要以盡可能低的成本提供高效、可靠的電力，這可能會驅(qū)動不間斷電源（UPS）市場在未來幾年蓬勃發(fā)展。隨著全球經(jīng)濟(jì)向數(shù)字化不斷邁進(jìn)，基于云平...

      2020-04-17 標(biāo)簽：UPS數(shù)據(jù)中心SiC 3.3k 0

      第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN研究

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      第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、...

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        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        納微半導(dǎo)體
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      • LT8705
        LT8705
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