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標(biāo)簽 > sk海力士
SK海力士(Hynix)是一家源自韓國的半導(dǎo)體芯片制造商,主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導(dǎo)體公司之一,也是全球DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)者之一。
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天璣9300完成LPDDR5T性能驗證9.6Gbps,下代旗艦手機(jī)標(biāo)準(zhǔn)有了
近日,SK海力士宣布其LPDDR5T移動DRAM在聯(lián)發(fā)科下一代的天璣旗艦移動平臺上已成功驗證,實現(xiàn)了高達(dá)9.6Gbps的傳輸速率。 其實,早在今年2月S...
2023-08-12 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科DRAMSK海力士 2204 0
SK海力士LPDDR5T高速內(nèi)存將應(yīng)用于聯(lián)發(fā)科下一代天璣旗艦平臺
2023年1月上市的sk海力士LPDDR5T的帶寬為9.6gbps,超過了lpddr5x的8.5gbps,在目前的移動平臺中速度最快。隨著2026年左右...
2023-08-11 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科內(nèi)存存儲芯片 1316 0
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND...
三星正與英偉達(dá)開展GPU HBM3驗證及先進(jìn)封裝服務(wù)
在此之前,英偉達(dá)將大部分gpu的高級成套產(chǎn)品委托給tsmc。半導(dǎo)體方面,將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上,生產(chǎn)英偉達(dá)h100。但是...
HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴(kuò)產(chǎn)
據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增...
半導(dǎo)體存儲器改革 HBM技術(shù)從幕后走向臺前
從技術(shù)上先來看,SK海力士是目前唯一實現(xiàn)HBM3量產(chǎn)的廠商,并向英偉達(dá)大量供貨,配置在英偉達(dá)高性能GPU H100之中,持續(xù)鞏固其市場領(lǐng)先地位。
SK海力士將為蘋果Vision Pro MR設(shè)備提供專用DRAM
為了實現(xiàn)這一功能,還必須適合用于輔助計算的dram?,F(xiàn)有智能手機(jī)使用的移動dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋果公司的要求,提供了最適合操作r1芯片...
據(jù)路透社報道,Refinitiv SmartEstimate對27位分析師進(jìn)行的一項調(diào)查顯示,這家全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機(jī)和電視制造商今年第二季度的...
HBM技術(shù)之下,DRAM芯片從2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D,可以在很小的物理空間里實現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時與低功耗,因而HBM被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
sk海力士27日表示,勞資雙方在前一天的工資談判中就上述內(nèi)容暫時達(dá)成了協(xié)議。政府決定將上調(diào)4.5%,但今年1月以后上調(diào)的部分,如果季度營業(yè)利潤轉(zhuǎn)為順差,...
據(jù)彭博社報道,三星電子為了留住喜歡不定時工作制的人才,將每月1日的星期五作為休息日。三星有關(guān)負(fù)責(zé)人表示:“從下周開始,非公司職員每個月都可以帶薪休假一天...
SK海力士2022年創(chuàng)造近7.6萬億韓元社會價值
sk海力士此次在sk集團(tuán)子公司中首次進(jìn)行了包括合作伙伴公司在內(nèi)的社會價值測定。公司方面認(rèn)為,不僅是公司,整個半導(dǎo)體生態(tài)界的社會價值創(chuàng)造和esg管理能力...
2023-06-12 標(biāo)簽:SK海力士 1200 0
在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 ...
明年存儲芯片恐缺貨 三星、SK海力士齊力能否扭轉(zhuǎn)乾坤
業(yè)界認(rèn)為,三星雖維持資本支出計劃,但主要是強(qiáng)化DDR5等新世代高階存儲芯片生產(chǎn)。 隨著三星將焦點聚焦高階新世代產(chǎn)品,并釋出大幅減產(chǎn)信息,意味主流DDR4...
SK海力士如何將NAND4技術(shù)應(yīng)用于未來的UFS
作為新一代突破性閃存1技術(shù)(Flash Memory),通用閃存存儲(UFS)擁有獨立的數(shù)據(jù)讀寫通道,可雙向同時傳輸數(shù)據(jù)。UFS是適用于嵌入式系統(tǒng)(Em...
三星、SK 加快AI半導(dǎo)體開發(fā)以響應(yīng)ChatGPT
這種新產(chǎn)品允許服務(wù)器平臺將多個 CXL 內(nèi)存組合成一個內(nèi)存池,多個主機(jī)可以根據(jù)需要共享每個內(nèi)存池的內(nèi)存,從而使得 CXL 內(nèi)存都可以被充分利用,避免出現(xiàn)...
受困于消費(fèi)電子低迷和存儲芯片價格下跌 三星2023年Q1凈利潤暴跌95%
4月26日,三星電子發(fā)布2023年第一季財報,營業(yè)利潤暴減 95%,其中芯片部門出現(xiàn)史上最嚴(yán)重虧損。第一季度,三星實現(xiàn)營業(yè)收入63.75萬億韓元(約合4...
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