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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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關(guān)于SRAM存儲(chǔ)容量及基本特點(diǎn)
通常我們將存儲(chǔ)容量表示為:字?jǐn)?shù)X位數(shù),比如64KX8位,其含義為,以8位構(gòu)成一個(gè)字,一共有64個(gè)字。這個(gè)概念要相當(dāng)熟悉,后面理解題目很有用。
1.與非總線復(fù)用的16位SRAM接口 FSMC配置 SRAM存儲(chǔ)器和NOR閃存存儲(chǔ)器共用相同的FSMC存儲(chǔ)塊,所用的協(xié)議依不同的存儲(chǔ)器類型而...
2019-01-14 標(biāo)簽:sramstm32單片機(jī)fsmc模塊 3.6k 0
Altera ACEX 1K系列CPLD器件的三種配置方法的比較
ACEX 1K系列器件是Altera公司推出的新型CPLD產(chǎn)品。該器件基于SRAM,結(jié)合查找表(LUT)和嵌入式陣列塊(EAB)提供了高密度結(jié)構(gòu),可提供...
FPGA的功耗由4部分組成:上電功耗、配置功耗、靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。一般的FPGA都具有這4種功耗,但是Actel Flash FPGA由于掉電數(shù)據(jù)不丟...
關(guān)于程序在執(zhí)行時(shí),從哪里讀取指令,哪里讀取數(shù)據(jù),也曾因?yàn)闆]有弄清楚系統(tǒng)上的程序和裸機(jī)程序之間的區(qū)別,而疑惑了很久。
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
本應(yīng)用筆記將重點(diǎn)介紹 MB86276 執(zhí)行位圖淡入淡出特效的能力。這對(duì)于呈現(xiàn)好看的動(dòng)畫非常有用。通過使用位圖繪制、blt(塊傳輸)填充、alpha 混合...
EC SRAM映射到CPU Memory空間的共享內(nèi)存設(shè)計(jì)
ShareMemory,顧名思義就是共享內(nèi)存。這個(gè)概念在很多計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中都存在,本文特指 EC SRAM 映射到 CPU Memory 空間的共享內(nèi)存設(shè)計(jì)。
基于非易失性存儲(chǔ)器的高可靠性存儲(chǔ)游戲數(shù)據(jù)方案
處理財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)的電子系統(tǒng)需要高度的可靠性,賭場(chǎng)游戲機(jī)也不例外。這些機(jī)器存儲(chǔ)和/或訪問敏感的個(gè)人和財(cái)務(wù)信息,包括玩家數(shù)據(jù)和金額。玩家還可以調(diào)取補(bǔ)償資金和存儲(chǔ)...
2021-01-12 標(biāo)簽:mcu存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng) 3.4k 0
深入淺出玩轉(zhuǎn)FPGA視頻:SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)
SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,功耗較DRAM大,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大...
PY32F030 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+內(nèi)核,寬電壓工作范圍的 MCU。
實(shí)現(xiàn)可編程邏輯電路的三種主要技術(shù)
實(shí)現(xiàn)可編程邏輯電路可以選擇三種主要的技術(shù),它們有兩種主要的特性:是否可重新編程以及是否易失。我們將介紹三種主要的器件,它們是支持可編程電路的技術(shù)基礎(chǔ): ...
關(guān)于靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的簡(jiǎn)單介紹
SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來,SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 標(biāo)簽:CMOSsram靜態(tài)存儲(chǔ)器 3.1k 0
BJ-EPM240學(xué)習(xí)板:SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)
SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)方式,以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元,SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新,而且工作速度較快,但由于存儲(chǔ)單元器件較多,集成度不太高,功耗也較大。
M3、M4等內(nèi)核的單片機(jī),直接修改中斷向量的偏移地址(VECT_TAB_OFFSET)就行。但在M0內(nèi)核的庫(kù)中,根本就沒有這個(gè)定義。
CWQ2P690T型現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路產(chǎn)品概述
CWQ2P690T是基于 SRAM 配置的高密度可編程邏輯陣列電路。其中,6輸入查找表數(shù)量433200個(gè),嵌入式存儲(chǔ)器容量為52920Kbit,用戶I/...
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