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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

未來十年：邏輯電路的發(fā)展趨勢(shì)與前景展望

實(shí)際測(cè)量的 SRAM 內(nèi)存面積比筆者通常聽到人們談?wù)摰钠舷到y(tǒng) (SOC) 產(chǎn)品的百分比要小得多。

2024-02-20 標(biāo)簽：amd 邏輯電路 sram 1517 0

一文了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是從功耗測(cè)試角度了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制。

2023-07-07 標(biāo)簽：mcu 存儲(chǔ)器恩智浦 1487 0

SRAM CLA和SRAM有什么區(qū)別

每個(gè)SRAM單元的核心由兩個(gè)CMOS反相器構(gòu)成，這兩個(gè)反相器相互連接，每個(gè)反相器的輸出電位被用作另一個(gè)反相器的輸入。這種結(jié)構(gòu)使得每個(gè)SRAM單元都可以保...

2024-02-19 標(biāo)簽：CMOS 存儲(chǔ)器 sram 1462 0

論基于電壓域的SRAM存內(nèi)計(jì)算技術(shù)的嶄新前景

這篇文章總結(jié)了馮·諾伊曼架構(gòu)及其在處理數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中所面臨的性能和能耗問題。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，文章介紹了存內(nèi)計(jì)算技術(shù)，其中重點(diǎn)討論了基于電壓域的SRA...

2024-05-17 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸 sram 1438 0

你知道在5nm節(jié)點(diǎn)上， STT－MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果？

研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點(diǎn)上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢(shì)比非易失性和較小的空間占用...

2019-04-22 標(biāo)簽：sram RM 1436 0

為什么GD32F303代碼運(yùn)行在flash比sram更快？

我們知道一般MCU的flash有等待周期，隨主頻提升需要插入flash讀取的等待周期，以stm32f103為例，主頻在72M時(shí)需要插入2個(gè)等待周期，故而...

2024-01-31 標(biāo)簽：單片機(jī)嵌入式 sram 1428 0

DMA傳輸不經(jīng)過CPU處理的地址空間復(fù)制解決方案

DMA傳輸將數(shù)據(jù)從一個(gè)地址空間復(fù)制到另一個(gè)地址空間，提供在外設(shè)和存儲(chǔ)器之間或者存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸。

2023-10-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 cpu 數(shù)據(jù)傳輸 1428 0

FPGA芯片結(jié)構(gòu)介紹及工作原理解析

由于FPGA需要被反復(fù)燒寫，它實(shí)現(xiàn)組合邏輯的基本結(jié)構(gòu)不可能像ASIC那樣通過固定的與非門來完成，而只能采用一種易于反復(fù)配置的結(jié)構(gòu)。

2022-12-27 標(biāo)簽：fpga asic sram 1399 0

怎樣設(shè)計(jì)一個(gè)同步FIFO？（2）

開始往下讀之前，老李先問一個(gè)問題，假如現(xiàn)在讓你設(shè)計(jì)一個(gè)深度為N的基于2port SRAM的同步FIFO，請(qǐng)問至少需要多大的SRAM？假設(shè)SRAM的位寬...

2023-05-04 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)sram fifo 1381 0

了解FPGA比特流結(jié)構(gòu)

比特流是一個(gè)常用詞匯，用于描述包含F(xiàn)PGA完整內(nèi)部配置狀態(tài)的文件，包括布線、邏輯資源和IO設(shè)置。大多數(shù)現(xiàn)代FPGA都是基于SRAM的，包括Xilinx ...

2022-11-30 標(biāo)簽：fpga sram Xilinx 1372 0

DRAM選擇為何突然變得更加復(fù)雜？

芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也...

2023-11-22 標(biāo)簽：DRAM SRAM 數(shù)據(jù)中心 1363 0

EMI7512NTMI串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器概述及特點(diǎn)

安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責(zé)任公司是一家以市場(chǎng)為導(dǎo)向的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司。專注SRAM存儲(chǔ)、顯示驅(qū)動(dòng)，接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售。公司擁有國(guó)際知名設(shè) 計(jì)專家...

2022-04-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 偉凌創(chuàng)芯 1358 0

非易失性SRAM DS1747

　　DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬

2010-09-28 標(biāo)簽：SRAM 非易失性 1345 0

存算一體芯片的技術(shù)壁壘

作為后摩爾時(shí)代發(fā)展的必然趨勢(shì)之一，存算一體越來越受到行業(yè)的關(guān)注。在存算十問的前六問中，我們梳理了存算一體的技術(shù)路線、挑戰(zhàn)和通用性等問題，這一次我們從技術(shù)...

2023-09-22 標(biāo)簽：芯片 sram AI 1343 0

STM32G071從standby模式退出后的SRAM數(shù)據(jù)保留

某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數(shù)據(jù)在退出 standby模式后得以保持。根據(jù)手冊(cè)的描述，配置了相...

2023-12-20 標(biāo)簽：芯片接口 sram 1311 0

fpga是什么架構(gòu)

FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）的架構(gòu)主要由可配置邏輯模塊（CLB）、輸入/輸出模塊（IOB）以及可編程互連資源組成。

2024-03-14 標(biāo)簽：FPGA 存儲(chǔ)器 sram 1281 0

介紹關(guān)于SRAM兩大問題挑戰(zhàn)

平面到FinFET的過渡對(duì)SRAM單元的布局效率有重大影響。使用FinFET逐漸縮小關(guān)鍵節(jié)距已導(dǎo)致SRAM單元尺寸的迅速減小。鑒于對(duì)更大的片上SRAM容...

2022-11-24 標(biāo)簽：CMOS 存儲(chǔ)器 sram 1279 0

如何區(qū)分SRAM與DRAM

今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。

2023-03-30 標(biāo)簽：cpu sram RAM 1267 0

芯片封裝：向上堆疊，翻越內(nèi)存墻

AMD 在代號(hào) Milan-X 的 EPYC 7003X 系列處理器上應(yīng)用了第一代 3D V-Cache 技術(shù)。這些處理器采用 Zen 3 架構(gòu)核心，每...

2023-10-27 標(biāo)簽：處理器 amd gpu 1266 0

一種基于SRAM型FPGA的實(shí)時(shí)容錯(cuò)自修復(fù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)概述

隨著航天技術(shù)的發(fā)展，空間任務(wù)日益復(fù)雜化、多樣化，未來航天系統(tǒng)對(duì)處理器的性能要求越來越高。在一些航天設(shè)備如星載 ATP 等系統(tǒng)的電子模塊設(shè)計(jì)中，基于 SR...

2019-11-19 標(biāo)簽：fpga sram 1256 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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