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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

基于TMS320的高速系統(tǒng)的示例數(shù)據(jù)集

本應(yīng)用筆記描述了通過IDT雙端口靜態(tài)RAM在IBM PC型背板和TMS320C30 DSP芯片之間的“無麻煩”接口。該接口提供了一種非常簡單的方法，可以...

2021-04-22 標(biāo)簽：TMS320 連接器 sram 5.3k 0

基于ARM?Cortex?-M7內(nèi)核的高性能微控制器STM32F7系列特色分析

對(duì)于微處理界第一顆基于ARMCortex-M7內(nèi)核的高性能微控制器STM32F7系列，相信很多人對(duì)它都不陌生了。比如STM32F7系列微控制器采用90n...

2017-11-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram stm32f7 5.2k 0

探索存內(nèi)計(jì)算—基于 SRAM 的存內(nèi)計(jì)算與基于 MRAM 的存算一體的探究

本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先，介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計(jì)算技術(shù)，包括其原理、優(yōu)勢以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...

2024-05-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 5.2k 0

FPGA配置模式選擇 FPGA上電加載時(shí)序介紹

常見的配置芯片有EPCS 芯片（EPCS4、EPCS8、EPCS16、EPCS64、EPCS128），還有通用的串行 SPI FLASH 芯片如 M2...

2020-04-06 標(biāo)簽：sram FPGA芯片 5.2k 0

理解FPGA中的單粒子翻轉(zhuǎn)

現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA，F(xiàn)ield-Programmable Gate Array)是當(dāng)今電子領(lǐng)域不可或缺的一部分，具有出色的靈活性和可配置性。不過...

2023-11-23 標(biāo)簽：fpga sram 可編程門陣列 4.9k 0

易失性存儲(chǔ)器(VM)

在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲(chǔ)器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫，RAM通常...

2022-11-29 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 4.9k 0

基于SRAM技術(shù)的Xilinx FPGA

現(xiàn)代PLD的核電源為內(nèi)部多數(shù)電路供電，所消耗的功率也最高。每一次新工藝的出現(xiàn)，都會(huì)產(chǎn)生新的核電源要求。支持PLD輔助電路的核電電源用于配置邏輯電路、時(shí)鐘...

2022-06-21 標(biāo)簽：收發(fā)器 sram Xilinx 4.9k 0

SRAM存算一體芯片的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢

人工智能時(shí)代對(duì)計(jì)算芯片的算力和能效都提出了極高要求。存算一體芯片技術(shù)被認(rèn)為是有望解決處理器芯片“存儲(chǔ)墻”瓶頸，大幅提升人工智能算力能效和算力密度的關(guān)鍵技...

2024-01-02 標(biāo)簽：處理器芯片 cpu 4.9k 0

淺析SRAM的性能及其結(jié)構(gòu)

SRAM它也由晶體管組成。接通代表1，斷開表示0，并且狀態(tài)會(huì)保持到接收了一個(gè)改變信號(hào)為止。這些晶體管不需要刷新，但停機(jī)或斷電時(shí)，它們同DRAM一樣，會(huì)丟掉信息。

2022-11-18 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 4.8k 0

sram讀寫電路設(shè)計(jì)

SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。...

2023-12-18 標(biāo)簽：電路存儲(chǔ)器數(shù)據(jù) 4.8k 0

AVR掉電保護(hù)電路設(shè)計(jì)圖剖析 —電路圖天天讀（221）

AVR自帶的BOD電路，作用是在電壓過低（低于設(shè)定值）時(shí)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，防止CPU意外動(dòng)作。對(duì)EEPROM的保護(hù)作用是當(dāng)電壓過低時(shí)保持RESET信號(hào)為低，...

2015-08-11 標(biāo)簽：AVR單片機(jī)保護(hù)電路 SRAM 4.7k 0

IS61LV25616AL異步SRAM存儲(chǔ)器功能簡介

IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量為256Kx 16bits的且引腳功能完全兼容的4Mb的異步SRAM。也是一款大容量且存儲(chǔ)時(shí)間相對(duì)較短...

2022-11-25 標(biāo)簽：CMOS 存儲(chǔ)器 sram 4.7k 0

SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?

SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么? RAM 結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。它主要由存儲(chǔ)矩陣（又稱存儲(chǔ)體）、地址譯碼器和讀/寫電路 3 部分組成。存儲(chǔ)矩陣是存儲(chǔ)

2010-03-24 標(biāo)簽：SRAM 4.6k 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)

計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。二者相比，DRAM的存儲(chǔ)密度更高，而SRAM則具有最快的片上緩存。這兩類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器都已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。

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FPGA中常用的存儲(chǔ)器資源

本文主要介紹FPGA中常用的RAM、ROM、CAM、SRAM、DRAM、FLASH等資源，包括特性、工作原理、應(yīng)用場景等。

2023-08-15 標(biāo)簽：fpga DRAM FlaSh 4.5k 0

【BBuf的CUDA筆記】OpenAI Triton入門筆記一

這里來看官方的介紹：https://openai.com/research/triton ，從官方的介紹中我們可以看到OpenAI Triton的產(chǎn)生動(dòng)...

2024-01-23 標(biāo)簽：sram 多處理器 Cache 4.4k 0

如何不使用AMBA的構(gòu)建典型的 SRAM 存儲(chǔ)器系統(tǒng)

一個(gè)詳細(xì)的例子，展示了如何設(shè)計(jì)一個(gè)典型的內(nèi)存系統(tǒng)。該示例假設(shè)一個(gè)小端系統(tǒng)，僅使用 SRAM 和 ROM。

2021-06-18 標(biāo)簽：arm 存儲(chǔ)器 sram 4.3k 0

DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問題匯總

問題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？答：名詞解釋如下 DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)...

2012-11-13 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 存儲(chǔ)器 4.3k 2

一文教你如何破解MCU

中央處理器CPU，包括運(yùn)算器、控制器和寄存器組。是MCU內(nèi)部的核心部件，由運(yùn)算部件和控制部件兩大部分組成。前者能完成數(shù)據(jù)的算術(shù)邏輯運(yùn)算、位變量處理和數(shù)據(jù)...

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如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測試

本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有高速讀取和寫入的特點(diǎn)。在FPGA中實(shí)現(xiàn)...

2025-10-22 標(biāo)簽：FPGA 存儲(chǔ)器 sram 4.3k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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長鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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