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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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OTA更新的設(shè)計權(quán)衡和經(jīng)驗教訓

這些結(jié)果表明，設(shè)計決策將對軟件性能產(chǎn)生切實的影響。沒有放之四海而皆準的解決方案——每個系統(tǒng)都有不同的要求和約束，OTA更新軟件需要進行調(diào)整才能解決這些問...

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電力線通信技術(shù)應(yīng)用時需要注意的問題

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深度嵌入式應(yīng)用程序的多核微控制器驅(qū)動性能

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FPGA的設(shè)計原理 FPGA和CPLD的區(qū)別

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2022-08-10 標簽：fpga cpld sram 2078 0

Intel的FPGA和SoCs FPGA進行設(shè)計和開發(fā)

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通過FPGA和芯片實現(xiàn)視頻處理的電路設(shè)計

圖像是用各種觀測系統(tǒng)以不同形式和手段觀測客觀世界而獲得的，可以直接或間接作用于人眼進而產(chǎn)生視知覺的實體。

2022-07-22 標簽：fpga 芯片 sram 869 0

ADS-NPU芯片內(nèi)存計算之設(shè)計挑戰(zhàn)

模擬內(nèi)存計算IMC對打破傳統(tǒng)的Von Neumann計算機架構(gòu)內(nèi)存墻和能耗墻應(yīng)該更有優(yōu)勢，但需要同時打破設(shè)計中的模擬墻問題，這也是當前數(shù)字設(shè)計IMC-S...

2022-07-13 標簽：傳感器 sram 自動駕駛 1527 0

一文解析四種機制的1T-DRAM技術(shù)

隧穿電流的機理圖如圖七所示，EVB和HVB分別代表的是來自N+多晶硅柵到硅襯底的電子隧穿電流和硅襯底價帶到P+多晶硅柵的空穴隧穿電流。

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淺析ESP8266定時器的計算周期與內(nèi)存分布

輪詢就是CPU挨個問這些外設(shè)，你需要我服務(wù)嗎？然后沒人用的話，一會兒再來問一圈，但是這個處理的速度是很快的，所以這個實時性倒是還行。

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基于SRAM技術(shù)的Xilinx FPGA

現(xiàn)代PLD的核電源為內(nèi)部多數(shù)電路供電，所消耗的功率也最高。每一次新工藝的出現(xiàn)，都會產(chǎn)生新的核電源要求。支持PLD輔助電路的核電電源用于配置邏輯電路、時鐘...

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關(guān)于在Bootloader模式下的應(yīng)用程序下載

STM32 MCU 在 bootloader 模式下，可以通過多種可用外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C、SPI等）將程序下載到內(nèi)部存儲器中,詳細...

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EMI7512NTMI串行靜態(tài)隨機存取存儲器概述及特點

安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責任公司是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM存儲、顯示驅(qū)動，接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計、生產(chǎn)及銷售。公司擁有國際知名設(shè) 計專家...

2022-04-28 標簽：存儲器 sram 偉凌創(chuàng)芯 1350 0

半導體存儲器的發(fā)展歷程與當前挑戰(zhàn)

計算機內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。二者相比，DRAM的存儲密度更高，而SRAM則具有最快的片上緩存。這兩類半導體存儲器都已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。

2021-10-13 標簽：DRAM sram 半導體存儲器 4252 0

基于FPGA+SRAM實現(xiàn)超聲視頻圖像采集系統(tǒng)的設(shè)計

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本文介紹了SRAM PUF（物理不可克隆功能）是什么以及如何工作的基礎(chǔ)知識，以及它在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）安全性中提供的功能（作為任何設(shè)備的信任錨）。在任何...

2021-03-27 標簽：sram 物聯(lián)網(wǎng)晶體管 7147 0

基于TMS320的高速系統(tǒng)的示例數(shù)據(jù)集

本應(yīng)用筆記描述了通過IDT雙端口靜態(tài)RAM在IBM PC型背板和TMS320C30 DSP芯片之間的“無麻煩”接口。該接口提供了一種非常簡單的方法，可以...

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一個詳細的例子，展示了如何設(shè)計一個典型的內(nèi)存系統(tǒng)。該示例假設(shè)一個小端系統(tǒng)，僅使用 SRAM 和 ROM。

2021-06-18 標簽：arm 存儲器 sram 4164 0

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