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標(biāo)簽 > tsv封裝
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先進(jìn)封裝技術(shù)以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發(fā)展重點(diǎn)。先進(jìn)封裝核心技術(shù)包括Bumping凸點(diǎn)、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等,依托這些技術(shù)的...
2023-09-28 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計(jì)SiP技術(shù) 4223 0
半導(dǎo)體技術(shù)的許多進(jìn)步都取決于減小封裝尺寸,同時(shí)結(jié)合附加功能和更高效的供電方法。目前的供電方法會(huì)占用晶圓上的大量空間,導(dǎo)致成本增加、芯片尺寸增大和晶體管減少。
2023-08-16 標(biāo)簽:處理器半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 1256 0
用于Chiplet 3D系統(tǒng)的硅光Interposer工藝架構(gòu)介紹
這篇文章簡(jiǎn)要介紹CEA-Leti發(fā)布用于Chiplet 3D系統(tǒng)的硅光Interposer工藝架構(gòu),包括硅光前端工藝 (FEOL)、TSV middle...
2023-08-02 標(biāo)簽:耦合器光刻機(jī)硅光子技術(shù) 7079 0
3D封裝結(jié)構(gòu)與2.5D封裝有何不同?3D IC封裝主流產(chǎn)品介紹
2.5D封裝和3D IC封裝都是新興的半導(dǎo)體封裝技術(shù),它們都可以實(shí)現(xiàn)芯片間的高速、高密度互連,從而提高系統(tǒng)的性能和集成度。
2023-08-01 標(biāo)簽:SoC芯片半導(dǎo)體封裝IC封裝 4718 0
淺析TSV硅轉(zhuǎn)接基板的可靠性評(píng)價(jià)方法
硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅轉(zhuǎn)接基板技術(shù)作為先進(jìn)封裝的一種工藝方式,是實(shí)現(xiàn)千級(jí)IO芯片高密度組裝的有效途徑,近年來(lái)在系統(tǒng)集成領(lǐng)域得...
芯片三維互連技術(shù)及異質(zhì)集成研究進(jìn)展
芯片是推動(dòng)信息社會(huì)蓬勃發(fā)展的基石,掌握高端 芯片的制造技術(shù)關(guān)乎國(guó)家未來(lái)在人工智能、高性能計(jì) 算、5G/6G 通信和萬(wàn)物互聯(lián)等關(guān)鍵領(lǐng)域的全球競(jìng)爭(zhēng)力。
另外一個(gè)將TGV填實(shí)的方案是將金屬導(dǎo)電膠進(jìn)行TGV填實(shí)。利用金屬導(dǎo)電膠的優(yōu)點(diǎn)是固化后導(dǎo)電通孔的熱膨脹系數(shù)可以調(diào)節(jié),使其接近基材,避免了因CTE不匹配造成的失效。
硅通孔技術(shù)(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)是一項(xiàng)高密度封裝技術(shù),正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認(rèn)為是第四代封裝技...
2016-10-12 標(biāo)簽:硅通孔技術(shù)TSV封裝 1.8萬(wàn) 1
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