這項(xiàng)新技術(shù)允許使用超過(guò)60,000個(gè)TSV孔堆疊12個(gè)DRAM芯片,同時(shí)保持與當(dāng)前8層芯片相同的厚度。 全球先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者三星電子今天宣布,它已開(kāi)發(fā)出業(yè)界首個(gè)12層3D-TSV(直通硅通孔
2019-10-08 16:32:23
6863 本文報(bào)道了硅通孔三維互連技術(shù)的核心工藝以及基于TSV形成的眾多先進(jìn)封裝集成技術(shù)。形成TSV主要有Via-First、Via-Middle、Via-Last 3大技術(shù)路線。TSV 硅刻蝕、TSV 側(cè)壁
2024-11-01 11:08:07
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2.5D/3D封裝技術(shù)作為當(dāng)前前沿的先進(jìn)封裝工藝,實(shí)現(xiàn)方案豐富多樣,會(huì)根據(jù)不同應(yīng)用需求和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)調(diào)整,涵蓋芯片減薄、芯片鍵合、引線鍵合、倒裝鍵合、TSV、塑封、基板、引線框架、載帶、晶圓級(jí)薄膜
2025-08-05 15:03:08
2815 
本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化。 硅晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術(shù)的核心環(huán)節(jié),主要應(yīng)用于含銅 TSV 互連的減薄芯片制造流程,為該技術(shù)實(shí)現(xiàn)短互連長(zhǎng)度、小尺寸、高集成度等特性提供了重要支撐。
2025-08-12 10:35:00
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在“NEPCON日本2013”的技術(shù)研討會(huì)上,英特爾和高通分別就有望在新一代移動(dòng)SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)實(shí)用的 TSV(硅通孔)三維封裝技術(shù)發(fā)表了演講。兩家公司均認(rèn)為,“三維封裝是將來(lái)的技術(shù)方向”。
2013-01-22 09:06:01
1822 本文介紹了一種新型的高縱橫比TSV電鍍添加劑系統(tǒng),利用深層反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)技術(shù)對(duì)晶片形成圖案,并利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積種子層。通過(guò)陽(yáng)極位置優(yōu)化、多步驟TSV填充過(guò)程、添加劑濃度
2021-12-27 16:00:41
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引言 隨著對(duì)多功能移動(dòng)消費(fèi)電子設(shè)備需求的增加,半導(dǎo)體芯片互連密度的復(fù)雜性不斷增加。傳統(tǒng)的芯片到封裝集成(CPI)使用引線鍵合將鍵合焊盤(pán)互連到封裝引線。隨著芯片規(guī)模向原子級(jí)發(fā)展,采用硅通孔(TSV
2022-06-15 17:22:22
5508 
華林科納對(duì)包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲(chǔ)器在內(nèi)的消費(fèi)產(chǎn)品相關(guān)設(shè)備的需求正在推動(dòng)使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進(jìn)封裝。 TSV 處理的各種工藝流程(先通孔、中間通孔和最后通孔
2022-07-19 14:51:42
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1. BGA和CSP封裝技術(shù)詳解 2.?干貨分享丨BGA開(kāi)路金相切片分析 (BGA Open Cross-Section) ? ? ? 審核編輯:彭靜
2022-07-26 14:43:18
7462 在集成電路的制造階段延續(xù)摩爾定律變得越發(fā)困難,而在封裝階段利用三維空間可以視作 對(duì)摩爾定律的拓展。硅通孔是利用三維空間實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝的常用技術(shù)手段,現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于應(yīng)用于 CMOS 圖像傳感器件封裝
2023-04-12 14:35:41
2896 硅通孔(TSV) 是當(dāng)前技術(shù)先進(jìn)性最高的封裝互連技術(shù)之一?;?TSV 封裝的核心工藝包括 TSV 制造、RDL/微凸點(diǎn)加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持等。
2023-05-08 10:35:24
5731 
主要的技術(shù)路徑。2.5D/3D封裝正在加速3D互連密度的技術(shù)突破,TSV及TGV的技術(shù)作為2.5D/3D封裝的核心技術(shù),越來(lái)越受到重視。
2023-05-23 12:29:11
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來(lái)源:半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo) 從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的,TSV是首字母縮寫(xiě),意為“通過(guò)硅通孔”并翻譯為via硅的事實(shí),它們垂直地穿過(guò)
2023-07-26 10:06:15
2219 )、凸塊制作(Bumping)及硅通孔(TSV)等工藝技術(shù),涉及與晶圓制造相似的光刻、顯影、刻蝕、剝離等工序步驟。
2023-08-07 10:59:46
3328 
在上篇文章中介紹了扇入型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝,這篇文章著重介紹硅通孔(TSV)封裝工藝。
2023-11-08 10:05:53
7069 
硅通孔技術(shù)(TSV,Through Silicon Via)是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù),是2.5D/3D 封裝的關(guān)鍵工藝之一。通過(guò)垂直互連減小互連長(zhǎng)度、信號(hào)延遲,降低電容、電感,實(shí)現(xiàn)芯片間低功耗、高速通訊,增加帶寬和實(shí)現(xiàn)小型化。
2024-01-09 09:44:13
23017 
以硅通孔(TSV)為核心的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號(hào)傳輸。
2024-02-25 16:51:10
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匹配), 多芯片模塊封裝 (MCM, 可集成異質(zhì)芯片), 晶圓級(jí)封裝 (WLP,包括扇出型晶圓級(jí)封裝(FOWLP)、 微型表面貼裝元器件 (microSMD)等),三維封裝(微凸塊互連封裝、TSV 互連封裝等),系統(tǒng)封裝(SIP), 芯片系統(tǒng) (
2024-10-14 13:31:24
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3D-IC通過(guò)采用TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了不同層芯片之間的垂直互連。這種設(shè)計(jì)顯著提升了系統(tǒng)集成度,同時(shí)有效地縮短了互連線的長(zhǎng)度。這樣的改進(jìn)不僅降低了信號(hào)傳輸?shù)难訒r(shí),還減少了功耗,從而全面提升了系統(tǒng)的整體性能。
2025-02-21 15:57:02
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本文主要講述什么是系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)。 從封裝內(nèi)部的互連方式來(lái)看,主要包含引線鍵合、倒裝、硅通孔(TSV)、引線框架外引腳堆疊互連、封裝基板與上層封裝的凸點(diǎn)互連,以及扇出型封裝和埋入式封裝中的重布線等
2025-08-05 15:09:04
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。然而,當(dāng)系統(tǒng)級(jí)集成需求把 3D 封裝/3D IC 技術(shù)推向 WLCSP 時(shí),傳統(tǒng)方案——引線鍵合堆疊、PoP、TSV 硅通孔——因工藝窗口、CTE 失配及成本敏感性而顯著受限。
2025-08-28 13:46:34
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硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技術(shù)是一種通過(guò)在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填充導(dǎo)電材料來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片間垂直互連的先進(jìn)封裝技術(shù)。
2025-10-13 10:41:46
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具有代表性的技術(shù)包括晶圓級(jí)封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)接板等,潛藏著新的商機(jī)。
2011-08-28 12:17:46
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,支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長(zhǎng)的需求。 三星DDR5芯片采用新型的硅通孔(TSV) 8 層技術(shù),與DDR4相比,該技術(shù)使得DDR5的單個(gè)芯片能夠包含兩倍的堆棧數(shù)量。每個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊(DIMM)還提供高達(dá)512GB的存儲(chǔ)空間。其數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)4800 MT/s,專門(mén)用于
2020-02-16 07:34:00
1980 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)TSV(Through Silicon Via)即硅通孔技術(shù),是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù),是2.5D/3D封裝的關(guān)鍵
2025-04-14 01:15:00
2555 硅通孔(TSV)技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔,達(dá)成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線鍵合等互連方案,TSV 技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)在于顯著縮短互連路徑(較引線鍵合縮短 60%~90%)與提升互連密度
2025-10-14 08:30:00
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實(shí)現(xiàn)利用硅光電路和微光學(xué)元件的創(chuàng)新解決方案,同時(shí)可實(shí)現(xiàn)控制電子元件和系統(tǒng)封裝的最優(yōu)集成。MACOM始終關(guān)注采用細(xì)線光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度功能的硅微光子綜合技術(shù)。這些技術(shù)將高性能低功率光學(xué)器件與最佳功能及最大封裝
2017-11-02 10:25:07
硅通孔(TSV)電鍍的高可靠性是高密度集成電路封裝應(yīng)用中的一個(gè)有吸引力的熱點(diǎn)。本文介紹了通過(guò)優(yōu)化濺射和電鍍條件對(duì)完全填充TSV的改進(jìn)。特別注意具有不同種子層結(jié)構(gòu)的樣品。這些樣品是通過(guò)不同的濺射和處理
2021-01-09 10:19:52
其導(dǎo)通角,就可以改變其輸出電壓有效值,從而實(shí)現(xiàn)調(diào)光功能。除了可控硅以外,還有晶體管前沿、后沿調(diào)光技術(shù)等,基本原理都差不多。2、可控硅調(diào)光的缺點(diǎn)和問(wèn)題 在用可控硅調(diào)光時(shí),還是會(huì)存在如下的一系列問(wèn)題
2016-12-16 18:42:52
詳解面向TDD系統(tǒng)手機(jī)的SAW濾波器的技術(shù)動(dòng)向
2021-05-10 06:18:34
DIP封裝(Dual In-line Package),也叫雙列直插式封裝技術(shù),指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片,絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路均采用這種封裝形式,其引腳數(shù)一般不超過(guò)100。DIP封裝
2018-08-23 09:33:08
所謂“CPU封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例,我們實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌,而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過(guò)封裝后的產(chǎn)品
2018-08-29 10:20:46
誰(shuí)來(lái)闡述一下cof封裝技術(shù)是什么?
2019-12-25 15:24:48
,我們將采用穿硅通孔(TSV)用于晶圓級(jí)堆疊器件的互連。該技術(shù)基本工藝為高密度鎢填充穿硅通孔,通孔尺寸從1μm到3μm。用金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積(MOCVD)淀積一層TiN薄膜作為籽晶層,隨后同樣也采用
2011-12-02 11:55:33
是2.5D封裝,將光芯片和電芯片都和一個(gè)中介板相連(通過(guò)TSV和bump),中介板可以實(shí)現(xiàn)芯片間高速互聯(lián),這個(gè)中介板稱為interposer?!?b class="flag-6" style="color: red">TSV是硅通孔,可以實(shí)現(xiàn)硅芯片內(nèi)部的互聯(lián);bump是金屬
2023-03-29 10:48:47
;?引腳數(shù)。引腳數(shù)越多,越高級(jí),但是工藝難度也相應(yīng)增加;其中,CSP由于采用了FlipChip技術(shù)和裸片封裝,達(dá)到了 芯片面積/封裝面積=1:1,為目前最高級(jí)的技術(shù);芯片封裝測(cè)試流程詳解ppt[hide]暫時(shí)不能上傳附件 等下補(bǔ)上[/hide]
2012-01-13 11:46:32
芯片堆疊技術(shù)在SiP中應(yīng)用的非常普遍,通過(guò)芯片堆疊可以有效降低SiP基板的面積,縮小封裝體積?! ⌒酒询B的主要形式有四種: 金字塔型堆疊 懸臂型堆疊 并排型堆疊 硅通孔TSV型堆疊
2020-11-27 16:39:05
研究院(先進(jìn)電子封裝材料廣東省創(chuàng)新團(tuán)隊(duì))、上海張江創(chuàng)新學(xué)院、深圳集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地管理中心、桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院承辦的 “第二期集成電路封裝技術(shù) (IC Packaging
2016-03-21 10:39:20
集成電路芯片封裝技術(shù)知識(shí)詳解本電子書(shū)對(duì)封裝介紹的非常詳細(xì),所以和大家分享。因?yàn)樘?,沒(méi)有上傳。請(qǐng)點(diǎn)擊下載。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-12 22:45:41編輯過(guò)]
2008-05-12 22:44:28
集成電路封裝技術(shù)詳解包括了概述,陶瓷封裝,塑料封裝,金屬封裝,其它封裝等。
2008-05-12 22:41:56
705 硅通孔互連技術(shù)的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用封國(guó)強(qiáng) 蔡堅(jiān) 王水弟(清華大學(xué)微電子學(xué)研究所,北京,100084,中國(guó))摘要:隨著三維疊層封裝、MEMS 封裝、垂直集成傳感器陣列以及臺(tái)面MOS 功
2009-12-14 11:35:44
9 被稱之為“堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)”的3D封裝方法采用無(wú)源芯片中介層、微凸塊和硅通孔 (TSV)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了多芯
2010-10-29 17:54:25
1168 3D-IC設(shè)計(jì)者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),從而設(shè)計(jì)出更小尺寸的通孔,以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間,最終改進(jìn)信號(hào)的完整性。事實(shí)上,當(dāng)前傳統(tǒng)的TSV生產(chǎn)供應(yīng)鏈已落后于ITRS對(duì)其的預(yù)測(cè)。
2011-01-14 16:10:40
2333 
高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前,這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場(chǎng)。他同時(shí)指出,業(yè)界對(duì)該技術(shù)價(jià)格和
2011-10-14 09:16:36
2748 意法半導(dǎo)體率先將硅通孔技術(shù)(TSV)引入MEMS芯片量產(chǎn)。在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內(nèi),硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳統(tǒng)的芯片互連線方法,在尺寸更小
2011-10-19 09:15:31
1113 重點(diǎn)討論了垂直互連的硅通孔(TSV)互連工藝的關(guān)鍵技術(shù)及其加工設(shè)備面臨的挑戰(zhàn).提出了工藝和設(shè)備開(kāi)發(fā)商的應(yīng)對(duì)措施并探討了3DTSV封裝技術(shù)的應(yīng)用前景。
2011-12-07 10:59:23
89 對(duì)3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類及其常見(jiàn)鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對(duì)過(guò)去幾年國(guó)際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52
153 2011年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界的熱門(mén)話題是采用TSV(硅通孔)的三維封裝技術(shù)。雖然TSV技術(shù)此前已在CMOS圖像傳感器等產(chǎn)品上實(shí)用化,但始終未在存儲(chǔ)器及邏輯LSI等用途中普及。最近,存儲(chǔ)器及邏
2011-12-23 09:34:58
5386 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微”)推出了8英寸硅通孔(TSV)刻蝕設(shè)備Primo TSV200E?
2012-03-15 09:39:40
1776 在日本,硅通孔(TSV:Through Silicon Via)技術(shù)從10多年前開(kāi)始就備受業(yè)界關(guān)注。比如,日本超尖端電子技術(shù)開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(ASET)從1999年度起就在通過(guò)名為“超高密度電子SI”的研究項(xiàng)目推
2012-04-18 09:43:11
1757 Invensas Corporation 為半導(dǎo)體技術(shù)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,同時(shí)也是 Tessera Technologies的全資子公司,今日推出了焊孔陣列 (BVA) 技術(shù)。BVA 是替代寬幅輸入/輸出硅通孔 (TSV) 的超高速輸入
2012-05-25 14:54:59
1184 硅通孔TSV發(fā)生開(kāi)路故障和泄漏故障會(huì)降低三維集成電路的可靠性和良率,因此對(duì)綁定前的TSV測(cè)試尤為重要。現(xiàn)有CAFWAS測(cè)試方法對(duì)泄漏故障的測(cè)試優(yōu)于其他方法(環(huán)形振蕩器等),缺點(diǎn)是該方法不能測(cè)試
2017-11-22 10:56:29
17 要實(shí)現(xiàn)三維集成,需要用到幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù),如硅通孔(TSV),晶圓減薄處理,以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是三維集成的核心技術(shù)。
2017-11-24 16:23:48
66425 
硅通孔技術(shù)(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)是一項(xiàng)高密度封裝技術(shù),正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)
2018-08-14 15:39:10
92829 被稱之為“堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)”的3D封裝方法采用無(wú)源芯片中介層、微凸塊和硅通孔 (TSV)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了多芯片可編程平臺(tái)。
2019-01-03 13:20:59
3796 從英特爾所揭露的技術(shù)資料可看出,F(xiàn)overos本身就是一種3D IC技術(shù),透過(guò)硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV)技術(shù)與微凸塊(micro-bumps)搭配,把不同的邏輯芯片堆疊起來(lái)。
2019-08-14 11:18:42
4607 
從低密度的后通孔TSV 硅3D集成技術(shù),到高密度的引線混合鍵合或3D VSLI CoolCubeTM解決方案,研究人員發(fā)現(xiàn)許多開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品的機(jī)會(huì)。本文概述了當(dāng)前新興的硅3D集成技術(shù),討論了圖像傳感器
2020-01-16 09:53:00
1550 直到最近,如果你希望將異構(gòu)die放在單個(gè)封裝上以實(shí)現(xiàn)最佳性能,則可以將這些die放置在一塊稱為中介層的硅片上,并通過(guò)中介層進(jìn)行布線以進(jìn)行通信。硅通孔(TSV)(電連接)穿過(guò)中介層并進(jìn)入基板,該基板形成了封裝的底部。
2020-09-17 16:22:38
2420 直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關(guān)鍵推動(dòng)者,可提高封裝密度和器件性能。要實(shí)現(xiàn)3DIC對(duì)下一代器件的優(yōu)勢(shì),TSV縮放至關(guān)重要。
2022-04-12 15:32:46
1788 
硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技術(shù)是一項(xiàng)高密度封裝技術(shù),它正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。在2.5D/3D IC中TSV被大規(guī)模應(yīng)用于
2022-05-31 15:24:39
3876 ;通過(guò)硅通道(TSV)提供與封裝凸點(diǎn)的連接。硅插入器技術(shù)提供了改進(jìn)的互連密度,這對(duì)高信號(hào)計(jì)數(shù)HBM接口至關(guān)重要。最近,臺(tái)積電提供了一種有機(jī)干擾器(CoWos-R),在互連密度和成本之間進(jìn)行權(quán)衡。
2022-07-05 11:37:03
4023 2.5D封裝是傳統(tǒng)2D IC封裝技術(shù)的進(jìn)展,可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線路與空間利用。在2.5D封裝中,裸晶堆?;虿⑴欧胖迷诰哂?b class="flag-6" style="color: red">硅通孔(TSV)的中介層(interposer)頂部。其底座,即中介層,可提供芯片之間的連接性。
2022-11-14 10:14:53
2151 一文詳解精密封裝技術(shù)
2022-12-30 15:41:12
2358 硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅轉(zhuǎn)接基板技術(shù)作為先進(jìn)封裝的一種工藝方式,是實(shí)現(xiàn)千級(jí)IO芯片高密度組裝的有效途徑,近年來(lái)在系統(tǒng)集成領(lǐng)域得到快速應(yīng)用。
2023-06-16 16:11:33
1614 
本文要點(diǎn):3D集成電路需要一種方法來(lái)連接封裝中垂直堆疊的多個(gè)裸片由此,與制造工藝相匹配的硅通孔(Through-SiliconVias,TSV)設(shè)計(jì)應(yīng)運(yùn)而生硅通孔設(shè)計(jì)有助于實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的封裝能力,可以
2022-11-17 17:58:04
2260 
隨著晶體管尺寸不斷向原子尺度靠近,摩爾定律正在放緩,面對(duì)工藝技術(shù)持續(xù)微縮所增加的成本及復(fù)雜性,市場(chǎng)亟需另辟蹊徑以實(shí)現(xiàn)低成本前提下的芯片高性能,以TSV(Through Silicon Via,硅通孔)技術(shù)為代表的先進(jìn)封裝成為芯片集成的重要途徑。
2023-06-30 16:39:34
2413 
編者注:TSV是通過(guò)在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù),是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:34
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TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力,而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭,半導(dǎo)體器件的微型化也越來(lái)越依賴于集成TSV的先進(jìn)封裝。
2023-07-25 10:09:36
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硅通孔(TSV)有望成為電子器件三維芯片堆疊技術(shù)的未來(lái)。TSV互連的結(jié)構(gòu)是通過(guò)首先在晶片表面蝕刻深過(guò)孔,然后用所需金屬填充這些過(guò)孔來(lái)形成的。目前,銅基TSV是最具成本效益的大規(guī)模生產(chǎn)TSV。一旦過(guò)孔
2023-08-30 17:19:11
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先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展
2023-09-06 11:16:42
2280 
主要以實(shí)現(xiàn)多層的高密度互連,高精 細(xì)化則關(guān)注在精細(xì)的線和微小的孔,之前提升的方 向以線路能力提升為主,隨著線路能力提升的速度減緩以及生產(chǎn)成本激增,發(fā)展的方向?qū)⒅鸩睫D(zhuǎn)化為 孔的提升,因此,封裝基板微盲孔
2023-09-15 10:37:33
3627 
BGA和CSP封裝技術(shù)詳解
2023-09-20 09:20:14
4693 
先進(jìn)封裝技術(shù)以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發(fā)展重點(diǎn)。先進(jìn)封裝核心技術(shù)包括Bumping凸點(diǎn)、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等,依托這些技術(shù)的組合各廠商發(fā)展出了滿足多樣化需求的封裝解決方案,SiP系統(tǒng)級(jí)封裝、WLP晶圓級(jí)封裝、2.5D/3D封裝為三大發(fā)展重點(diǎn)。
2023-09-28 15:29:37
4970 
半導(dǎo)體產(chǎn)品在由二維向三維發(fā)展,從技術(shù)發(fā)展方向半導(dǎo)體產(chǎn)品出現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)等新的封裝方式,從技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法出現(xiàn)了倒裝(FlipChip),凸塊(Bumping),晶圓級(jí)封裝(Waferlevelpackage),2.5D封裝(interposer,RDL等),3D封裝(TSV)等先進(jìn)封裝技術(shù)。
2023-10-31 09:16:29
3859 
瓜分全部的市場(chǎng)份額,在新應(yīng)用催化下,也為后端封測(cè)廠和TSV設(shè)備公司帶來(lái)了市場(chǎng)機(jī)會(huì)。 硅通孔 /? TSV(Through-Silicon Via) 硅通孔TSV是一種能讓3D封裝遵循摩爾定律演進(jìn)的互連
2023-11-09 13:41:21
7320 
TSV 指 Through Silicon Via,硅通孔技術(shù),是通過(guò)硅通道垂直穿過(guò)組成堆棧的不同芯片或不同層實(shí)現(xiàn)不同功能芯片集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。TSV 主要通過(guò)銅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充完成硅通孔的垂直
2023-11-19 16:11:06
4110 
硅通孔(TVS)技術(shù)相關(guān)知識(shí)
2023-11-20 11:15:46
1562 
3D-IC 中 硅通孔TSV 的設(shè)計(jì)與制造
2023-11-30 15:27:28
2237 
共讀好書(shū) 魏紅軍 段晉勝 (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所) 摘要: 論述了 TSV 技術(shù)發(fā)展面臨的設(shè)備問(wèn)題,并重點(diǎn)介紹了深硅刻蝕、 CVD/PVD 沉積、電鍍銅填充、晶圓減薄、晶圓鍵合等幾種制約
2024-03-12 08:43:59
2370 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的二維平面集成方式已經(jīng)逐漸接近其物理極限。為了滿足日益增長(zhǎng)的性能需求,同時(shí)克服二維集成的瓶頸,三維集成技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。其中,穿透硅通孔(Through-Silicon
2024-04-03 09:42:34
6386 
TSV(Through-Silicon Via)是一種先進(jìn)的三維集成電路封裝技術(shù)。它通過(guò)在芯片上穿孔并填充導(dǎo)電材料,實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)、芯片間以及芯片與封裝之間的垂直連接。
2024-04-11 16:36:36
9819 
Via, TSV )成為了半導(dǎo)體封裝核心技術(shù)之一,解決芯片垂直方向上的電氣和物理互連,減小器件集成尺寸,實(shí)現(xiàn)封裝小型化。本文介紹了硅通孔技術(shù)的可靠性,包括熱應(yīng)力可靠性和工藝技術(shù)可靠性兩方面。過(guò)大熱應(yīng)力可能會(huì)導(dǎo)致通孔側(cè)壁粗糙,并影響內(nèi)部載流子遷移率,從而使器
2024-04-12 08:47:43
909 上圖是TSV工藝的一般流程。TSV,全名Through-Silicon Via,又叫硅通孔工藝。
2024-04-17 09:37:56
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TGV(Through-Glass Via),玻璃通孔,即是一種在玻璃基板上制造貫穿通孔的技術(shù),與硅通孔(TSV)都是先進(jìn)封裝中不可或缺的。
2024-10-18 15:06:51
2780 
摘要:在最近的半導(dǎo)體封裝中,采用硅通孔 (TSV) 技術(shù)已成為集成 2.5 和 3D Si芯片以及中介層的關(guān)鍵。TSV 具有顯著的優(yōu)勢(shì),包括高互連密度、縮短信號(hào)路徑和提高電氣性能。然而,TSV 實(shí)施
2024-12-06 09:19:36
4743 
Hello,大家好,今天我們來(lái)分享下什么是先進(jìn)封裝中的TSV/硅通孔技術(shù)。 TSV:Through Silicon Via, 硅通孔技術(shù)。指的是在晶圓的硅部分形成一個(gè)垂直的通道,利用這個(gè)垂直的通道
2024-12-17 14:17:51
3345 
先進(jìn)封裝簡(jiǎn)介 先進(jìn)封裝技術(shù)已成為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的主要推動(dòng)力之一,為突破傳統(tǒng)摩爾定律限制提供了新的技術(shù)手段。本文探討先進(jìn)封裝的核心概念、技術(shù)和發(fā)展趨勢(shì)[1]。 圖1展示了硅通孔(TSV)技術(shù)
2024-12-18 09:59:38
2451 
Advanced Packaging) - 4 Chiplet 異構(gòu)集成(下) 先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor Advanced Packaging) - 5 TSV 異構(gòu)集成與等效熱仿真 先進(jìn)封裝技術(shù)
2024-12-24 10:57:32
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Advanced Packaging) - 4 Chiplet 異構(gòu)集成(下) 先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor Advanced Packaging) - 5 TSV 異構(gòu)集成與等效熱仿真 先進(jìn)封裝技術(shù)
2024-12-24 10:59:43
3078 
TSV 三維封裝技術(shù)特點(diǎn)鮮明、性能好、前景廣闊, 是未來(lái)發(fā)展方向,但是 TSV 堆疊芯片這種結(jié)構(gòu)和工 藝復(fù)雜性的提高,為三維封裝的可靠性控制帶來(lái)了 挑戰(zhàn)。主要體現(xiàn)在以下 4 個(gè)方面 :(1) TSV
2024-12-30 17:37:06
2629 玻璃通孔(TGV,Through-Glass Via)技術(shù)是一種在玻璃基板上制造貫穿通孔的技術(shù),它與先進(jìn)封裝中的硅通孔(TSV)功能類似,被視為下一代三維集成的關(guān)鍵技術(shù)。TGV技術(shù)不僅提升了電子設(shè)備
2025-02-02 14:52:00
6697 高性能計(jì)算機(jī)中日益廣泛采用“處理器+存儲(chǔ)器”體系架構(gòu),近兩年來(lái)Intel、AMD、 Nvidia都相繼推出了基于該構(gòu)架的計(jì)算處理單元產(chǎn)品,將多個(gè)存儲(chǔ)器與處理器集成在一個(gè)TSV硅轉(zhuǎn)接基板上,以提高計(jì)算
2025-01-27 10:13:00
3792 
在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)不斷邁向高性能、小型化與多功能異構(gòu)集成的背景下,硅通孔(TSV,Through-SiliconVia)工藝作為實(shí)現(xiàn)芯片垂直互連與三維集成(3DIC)的核心技術(shù),正日益成為先進(jìn)封裝
2025-04-17 08:21:29
2508 
日月光半導(dǎo)體最新推出FOCoS-Bridge TSV技術(shù),利用硅通孔提供更短供電路徑,實(shí)現(xiàn)更高 I/O 密度與更好散熱性能,滿足AI/HPC對(duì)高帶寬與高效能的需求。
2025-05-30 15:30:42
1120 TGV(Through Glass Via)和TSV(Through Silicon Via)是兩種用于實(shí)現(xiàn)不同層面之間電氣連接的技術(shù)。
2025-06-16 15:52:23
1608 
在半導(dǎo)體三維集成(3D IC)技術(shù)中,硅通孔(TSV)是實(shí)現(xiàn)芯片垂直堆疊的核心,但受深寬比限制,傳統(tǒng)厚硅片(700-800μm)難以制造直徑更小(5-20μm)的TSV,導(dǎo)致芯片面積占比過(guò)高,且多層堆疊后總厚度可能達(dá)毫米級(jí),與智能手機(jī)等應(yīng)用對(duì)芯片厚度的嚴(yán)苛限制(通常<1mm)沖突。
2025-07-29 16:48:59
1367 
相較于傳統(tǒng)CMOS工藝,TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn),從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開(kāi)始,經(jīng)等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子層的多層沉積,到銅電鍍填充及改進(jìn)型化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理厚銅層,每一步均需對(duì)既有設(shè)備與材料進(jìn)行適應(yīng)性革新,最終構(gòu)成三維集成的主要工藝成本來(lái)源。
2025-08-01 09:13:51
1977 在TSV制造技術(shù)中,既包含TSV制造技術(shù)中通孔刻蝕與絕緣層的相關(guān)內(nèi)容。
2025-08-01 09:24:23
1781 
HBM通過(guò)使用3D堆疊技術(shù),將多個(gè)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片堆疊在一起,并通過(guò)硅通孔(TSV,Through-Silicon Via)進(jìn)行連接,從而實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中,CowoS(Chip on Wafer on Substrate)封裝技術(shù)是其中一個(gè)關(guān)鍵的實(shí)現(xiàn)手段。
2025-09-22 10:47:47
1618 技術(shù)區(qū)別TSV硅通孔(ThroughSiliconVia),指連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結(jié)構(gòu)。硅中介層有TSV的集成是最常見(jiàn)的一種2.5D集成技術(shù),芯片通常通過(guò)MicroBump
2025-10-11 16:39:24
746 
評(píng)論