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      標簽　>　vds

      vds

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      vds技術

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      EE工程師都會面臨MOSFET的選型問題，無論是功率級別應用的Power MOS還是信號級別的Signal MOSFET，他們的Datasheet中，一...

      2023-12-05 標簽：MOSFETMOS管PN結 2.6萬 0

      NMOS管的特性曲線（一）— 輸出特性曲線詳解

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      輸出特性曲線：固定VGS值，且數(shù)值大于閾值電壓時，MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線。

      2023-12-01 標簽：MOS晶體管VDS電流電壓 1.9萬 0

      一文詳解MOS管的基本知識

      MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor ...

      2022-12-26 標簽：MOS管可變電阻VDS 1.7萬 0

      為什么要用gmId設計方法呢？什么是gmid設計方法呢？

      假設知道了Id,Vgs-vth，但發(fā)現(xiàn)，廠家給的工藝文件里，并沒有直接給出un和Cox的值，還是沒有辦法計算出管子的W和L值。

      2022-09-05 標簽：MOS管PSPICEVDS 1.5萬 0

      ADS導入導出數(shù)據(jù)的方法介紹

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      直接導出是不行的，圖形可以直接copy出去復制，但數(shù)據(jù)要采用Palette里的List，不是Rectangular Plot，生成后可以選中然后右鍵，就...

      2023-12-01 標簽：dacIDSVDS 1.5萬 0

      主要介紹MOSFET電性能相關的參數(shù)

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      BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發(fā)大量的電流在源極和漏極之間流動的電壓。

      2023-05-29 標簽：MOSFET電壓源VDS 1.4萬 1

      mosfet里vgs和vds的關系

      在MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）中，Vgs（柵極-源極電壓）和Vds（漏極-源極電壓）之間的關系是理解MOSFET工作特性的關鍵。 一、基...

      2024-09-29 標簽：MOSFET源極場效應晶體管 1.1萬 0

      介紹MOSFET絕對最大額定值相關的參數(shù)

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      VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對最大值電壓，在管子工作時，這兩端的電壓應力不能超過最大值。在MOSFET選型時，VDS電壓都要降額80%選用。

      2023-05-29 標簽：MOSFET示波器IGBT 1.1萬 0

      Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關系？

      在上一篇文章中我們聊了“Rdson對應MOS管的哪個工作區(qū)？”這個問題，并得出Rdson對應的是可變電阻區(qū)的結論。在討論的過程中，提到了Vgs對MOS管...

      2023-01-05 標簽：MOS管可變電阻VDS 1.1萬 0

      溝道反型層閾值電壓Vth介紹

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      如圖，電流分擴散電流和漂移電流，工作時的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴散電流的成分。

      2023-05-30 標簽：電容器MOSFET場效應管 1.1萬 0

      pmos飽和條件vgs與vds關系

      PMOS（P型金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。它具有許多優(yōu)點，如低功耗、高輸入阻抗、易于集成等。本文我們將討論PM...

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      我們給大家介紹了EKV模型的基本概念以及在大信號和小信號分析中的應用。尤其在大信號分析中，EKV圖形化的方法簡單直觀，有著得天獨厚的優(yōu)勢。

      2023-07-07 標簽：MOS管VDS偏置電壓 3919 0

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