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開關(guān)電源調(diào)試時(shí)常見的十種問題及解決辦法
在高壓或低壓輸入下開機(jī)(包含輕載,重載,容性負(fù)載),輸出短路,動(dòng)態(tài)負(fù)載,高溫等情況下,通過變壓器(和開關(guān)管)的電流呈非線性增長(zhǎng)
2023-05-25 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源VDS 2926 0
計(jì)算場(chǎng)效應(yīng)管的直流轉(zhuǎn)移特性曲線,并將特性曲線描繪在方格紙上,在曲線上確定出 MOS 管的飽和區(qū),確定輸入電壓、輸出電壓的范圍。
2023-07-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管VDS直流偏置電源 2909 0
MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多,以MOS管VBZM7N60為例,下面一起來看一看,MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。
使用高壓MOS作為開關(guān),例如下圖(來自于ADI官網(wǎng))LTC2949的典型應(yīng)用電路中,使用高壓MOS作為絕緣檢測(cè)的橋臂開關(guān);選用高壓MOS的原因是成本相對(duì)...
本文是探索如何為超小型快充適配器設(shè)計(jì)副邊同步整流器的系列文章的第二部分。 第一部分討論了同步整流器的拓?fù)湓O(shè)計(jì)和電源。 第二部分將回顧同步整流器如何打開和...
2023-08-02 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管VDS 2133 0
SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法
首先,計(jì)算開通和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計(jì)算。由于計(jì)算公式會(huì)因波形的形狀而...
往往內(nèi)核添加了一個(gè)功能,glibc要花很久才會(huì)用上。本來linux那邊為這個(gè)功能是否進(jìn)入內(nèi)核已經(jīng)吵半天了,glibc這邊又要為是否使用這個(gè)內(nèi)核新特性再次...
MOS管基礎(chǔ)知識(shí):輕松理解MOS管工作原理
MOS管基礎(chǔ)知識(shí):輕松理解MOS管工作原理。MOS管是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制其電流大小的半導(dǎo)體三端器件,很多特性和應(yīng)用方向都與三極管類似。這種器件不僅體...
最近在公司做電動(dòng)車控制器壞機(jī)解析的工作中碰到了一些MOS損壞的機(jī)子。在以前的工作中雖然對(duì)MOS有一些應(yīng)用,但是其中的工作原理還沒有仔細(xì)的學(xué)習(xí)過,希望能通...
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動(dòng)作中,SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
超結(jié)MOSFET開關(guān)特性2-理想二極管模型
寄生電容和開關(guān)時(shí)間:功率MOS具有極快的開關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時(shí)間
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作
上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOS...
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