SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì)，在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而，SiC MOSFET面臨的一個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)是降低特征導(dǎo)通電阻（RON,SP）與提升短路耐受時(shí)間(tSC)之間的權(quán)衡。
2025-08-04 16:31:12
3055 
隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護(hù)技術(shù)，本章節(jié)主要介紹三菱電機(jī)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，包括模塊及芯片。
2025-08-08 16:14:213192 
本文將介紹一種門極驅(qū)動(dòng)器利用SiC-MOSFET的檢測(cè)端子為其提供全面保護(hù)的先進(jìn)方法。所提供的測(cè)試結(jié)果包括了可調(diào)整過流和短路檢測(cè)以及軟關(guān)斷和有源鉗位（可在關(guān)斷時(shí)主動(dòng)降低過壓尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:5714252 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。
2022-07-30 09:42:124693 過程中SiC MOSFET的高短路電流會(huì)產(chǎn)生極高的熱量，因此SiC MOSFET需要快速的短路檢測(cè)與保護(hù)。同時(shí)，電流關(guān)斷速率也需要控制在一定范圍內(nèi)，防止關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過高的電壓尖峰。
2023-06-01 10:12:073173 
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:0719900 
談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:133282 
下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:193288 
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時(shí)間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內(nèi)。
2023-12-13 11:40:565346 
SiC MOSFET的開關(guān)尖峰問題，并介紹使用瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）進(jìn)行保護(hù)的優(yōu)勢(shì)和上海雷卯電子提供的解決方案。 1. SiC MOSFET開關(guān)過程中的電壓尖峰 SiC MOSFET在快速開關(guān)時(shí)，由于其內(nèi)部寄生電容和電路寄生電感的作用，會(huì)在器件兩端產(chǎn)生電壓尖峰。這些尖峰可能遠(yuǎn)
2024-08-15 17:17:275785 
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。
2025-03-12 10:35:582471 
羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。
2022-03-09 09:33:583805 
的技術(shù)、項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)積累，著筆SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章，希望能給到大家一定的參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 作為系列文章的第四篇，本文主要針對(duì)SiC MOSFET 短路Desat 保護(hù)設(shè)計(jì)做一些探討。 1.???? 什么是Desat Desat保護(hù)是功率MOSFET和IGBT保護(hù)中很重要的概念, 下面我
2022-08-01 14:39:003733 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
產(chǎn)品）的內(nèi)部柵極電阻約為6.3Ω。這不僅局限于SiC-MOSFET，MOSFET的開關(guān)時(shí)間依賴于外置柵極電阻和上面介紹的內(nèi)部柵極電阻合在一起的綜合柵極電阻值。SiC-MOSFET的內(nèi)部柵極電阻比
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性MOSFET體二極管的另一個(gè)重要特性是反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。trr是二極管開關(guān)特性相關(guān)的重要參數(shù)這一點(diǎn)在SiC肖特基勢(shì)壘二極管一文中也已說明過。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓?！ ∫虼耍谙嗤哪蛪褐登闆r下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件?！ ±?00V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
對(duì)體二極管進(jìn)行1000小時(shí)的直流8A通電測(cè)試，結(jié)果如下。試驗(yàn)證明，所有特性如導(dǎo)通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例1：移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機(jī)，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
吸收電路參數(shù)之間的關(guān)系，并求解出緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化區(qū)間，最后通過仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證該方法的正確性。1.? SiC-MOSFET 半橋主電路拓?fù)浼捌涞刃щ娐?
雙脈沖電路主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（圖 1）包含
2025-04-23 11:25:54
，其重要性在以后的部分中得到了保存。在這里，我們證實(shí)了今天的SiC MOSFET質(zhì)量，包括長(zhǎng)期可靠性，參數(shù)穩(wěn)定性和器件耐用性?！ ∈褂眉铀俚?b class="flag-6" style="color: red">時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿（TDDB）技術(shù)，NIST的研究人員預(yù)測(cè)
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
什么樣的現(xiàn)象。綠色曲線表示高邊SiC-MOSFET的柵極電壓VgsH，紅色曲線表示低邊的柵極電壓VgsL，藍(lán)色曲線表示Vds。這三個(gè)波形都存在振鈴或振蕩現(xiàn)象，都不容樂觀。比如一旦在低邊必須關(guān)斷的時(shí)間點(diǎn)
2018-11-30 11:31:17
` 首先萬(wàn)分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機(jī)會(huì)。 第一次試用體驗(yàn)，先利用晚上時(shí)間做單管SiC Mos的測(cè)試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時(shí)時(shí)間、上升時(shí)間
2020-05-21 15:24:22
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開展，實(shí)施，結(jié)果過程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
項(xiàng)目名稱：三相繼電保護(hù)電源試用計(jì)劃：.根據(jù)此方案研發(fā)電力繼保上使用的電源模塊，根據(jù)此方案進(jìn)行分解，改進(jìn)，2.學(xué)習(xí)使用羅姆的Sic和驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品，和目前使用的一些電源進(jìn)行比較，然后就此研發(fā)新產(chǎn)品
2020-04-24 18:08:59
`收到評(píng)估板已經(jīng)一段時(shí)間了，但是忙于其他事情，更新得晚了些。為了搭建這個(gè)平臺(tái)，自制了一個(gè)LC濾波板，請(qǐng)看下圖：圖1原理圖圖2 實(shí)物圖開始搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái)（接線），12V輔助電源提供給驅(qū)動(dòng)板，48V接到
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關(guān)管以提高開關(guān)頻率，縮小設(shè)備體積，提高效率，所以急需該評(píng)估版以測(cè)試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng)，望批準(zhǔn)！項(xiàng)目計(jì)劃1
2020-04-24 18:08:05
對(duì)比仿真結(jié)果，測(cè)試SiC功率管的實(shí)際工作狀態(tài)。本次報(bào)告主要是開箱拍的一些圖和介紹對(duì)于板子的學(xué)習(xí)情況。 包裝堅(jiān)固嚴(yán)實(shí)的紙箱在海綿中保護(hù)的測(cè)試板和隨板附帶的安全注意事項(xiàng) 測(cè)試板的正面圖背面圖，高壓區(qū)域劃分
2020-05-19 16:03:51
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動(dòng)板Sic Mosfet驅(qū)動(dòng)電路要求1. 對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路來講，最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
1700V耐壓的SiC MOSFET，使設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單采用表貼型封裝（TO263-7L），可自動(dòng)安裝在電路板上與分立結(jié)構(gòu)相比，可大大減少元器件數(shù)量（將12個(gè)元器件和1個(gè)散熱器縮減為1個(gè)器件）與Si
2022-07-27 11:00:52
短路保護(hù)時(shí)間設(shè)置在200μS至1000μS,這要求功率MOSFET在高的短路電流下，能夠在此時(shí)間內(nèi)安全的工作，這也提高了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)難度?！ ?b class="flag-6" style="color: red">短路保護(hù) 當(dāng)短路保護(hù)工作時(shí)，功率MOSFET一般經(jīng)過三個(gè)
2018-09-30 16:14:38
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT，開關(guān)頻率高達(dá) 500kHz緊湊高效的內(nèi)置隔離式偏置電源（具有 15V 和 –4V 輸出）分立式兩級(jí)關(guān)斷功能可實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)，具有可調(diào)的電流限制和延遲（消隱）時(shí)間提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增強(qiáng)的 8kV 峰值電壓和 5.7kV RMS 電壓隔離
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
，使得電路能夠達(dá)到±3%以內(nèi)的恒流精度，具有優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，并且通過RADJ引腳外接電阻可以方便地控制LED開路保護(hù)電壓。■SIC9654內(nèi)部集成了650V功率MOSFET，采用雙繞組原邊
2022-02-17 15:42:55
精度，并且能夠?qū)崿F(xiàn)輸出電流對(duì)電感與輸出電壓的自適應(yīng)，從而取得優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率。SIC9554內(nèi)部集成了500V功率MOSFET，無(wú)需次級(jí)反饋電路，也無(wú)需補(bǔ)償電路，加之精準(zhǔn)穩(wěn)定的自適應(yīng)技術(shù)
2022-08-04 14:21:46
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
條件：（1）短路保護(hù)的時(shí)間要快。（2）功率MOSFET可以在一定的時(shí)間內(nèi)承受大的沖擊電流。熟悉IGBT的工程師大多知道在電機(jī)控制應(yīng)用中，IGBT專門有一個(gè)參數(shù)TSC來評(píng)估這個(gè)性能。對(duì)于MOSFET
2016-08-24 16:02:27
輸入欠壓保護(hù)功能（掉電）SiC-MOSFET用柵極鉗位電路＜重要特性＞工作電源電壓范圍（VCC）：15.0V～27.5V正常工作電流： 0.80mA（typ.）猝發(fā)模式時(shí)工作電流： 0.50mA
2018-11-27 16:54:24
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
CMRR低（典型值<60dB），易受SiC MOSFET高速開關(guān)產(chǎn)生的高頻EMI影響，造成波形畸變，嚴(yán)重者會(huì)導(dǎo)致炸管。光隔離探頭的改進(jìn)：
1.低寄生參數(shù)設(shè)計(jì)：
1pF寄生電容幾乎不
2025-04-08 16:00:57
通常采用MOSFET飽和的短路電流，使用單脈沖持續(xù)的時(shí)間來評(píng)估功率MOSFET抗短路沖擊的性能。從圖3的應(yīng)用測(cè)試波形可以看到，在短路過程中，發(fā)生了連續(xù)多個(gè)短脈沖的沖擊，每個(gè)短脈沖持續(xù)時(shí)間為2uS，滿足器件單脈沖測(cè)試規(guī)范，但是器件最后還是發(fā)生損壞。
2018-04-25 09:00:377974 SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。可以利用器件本身的這一特性，在驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中考慮短路保護(hù)功能，提高系統(tǒng)可靠性。
2018-06-15 10:09:3826420 
鑒幅方式短路保護(hù).這種短路保護(hù)方式，通過字面就可以直觀的理解——當(dāng)被保護(hù)的對(duì)象中實(shí)際電流值超過所設(shè)置的目標(biāo)值后，保護(hù)器就認(rèn)為線路發(fā)生了短路故障，隨即（有部分保護(hù)器還可以設(shè)定動(dòng)作時(shí)間）動(dòng)作切斷電源。
2018-10-25 16:37:598879 對(duì)于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:121262 雖然如今設(shè)計(jì)的典型工業(yè)級(jí)IGBT可以應(yīng)付大約10μs的短路時(shí)間，但SiC MOSFET幾乎沒有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOSFET的一個(gè)基本缺陷。但通過更為詳細(xì)的背景分析
2021-01-26 16:07:335884 
嵌入式系統(tǒng)方向學(xué)習(xí)筆記第一二次上課記錄學(xué)習(xí)的目標(biāo)學(xué)習(xí)的內(nèi)容：學(xué)習(xí)的時(shí)間：學(xué)習(xí)的產(chǎn)出：學(xué)習(xí)的指令學(xué)習(xí)的目標(biāo)初步認(rèn)識(shí)Linux學(xué)習(xí)的內(nèi)容：兩天學(xué)習(xí)1、 初步認(rèn)識(shí)Linux2、 搭建 Linux開發(fā)環(huán)境3
2021-10-20 17:06:25
1 STM32學(xué)習(xí)筆記--------day1
2021-12-05 20:36:098 SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來
2022-05-19 11:58:137471 
和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關(guān)。這里的重點(diǎn)是如何有效地測(cè)量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:452722 
我們都知道，IGBT發(fā)生短路時(shí)，需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié)，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但最終都是為了保證IGBT不會(huì)因?yàn)檫^熱而失效。而SiC MOSFET的固有短路能力較小，根本原因也是因?yàn)闊幔窃谟?b class="flag-6" style="color: red">短路事件前后的溫度分布不合理！
2022-08-07 09:55:314566 由于其極低的開關(guān)損耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而，在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)用解決方案時(shí)，它們的短路魯棒性長(zhǎng)期以來一直是討論的話題。
2022-08-09 09:39:512137 
寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關(guān)速度會(huì)導(dǎo)致較高Vds尖峰和較長(zhǎng)的振鈴時(shí)間。這種尖峰會(huì)降低設(shè)備的設(shè)計(jì)裕量，并且較長(zhǎng)的振鈴時(shí)間會(huì)引入EMI。
2022-08-29 15:20:382086 SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么？
2022-12-28 09:51:202594 
SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個(gè)短而精的程度。
2023-01-21 15:54:002784 
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:201447 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:211627 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:034588 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105634 
IGBT保護(hù)的問題 現(xiàn)在只總結(jié)IGBT驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)芯片能保護(hù)到的IGBT的項(xiàng)。1.Vce過壓2.Vge過壓3.短路保護(hù)4.過高的di/dt 主要是看一下短路保護(hù)和過流保護(hù)短路的定義1.橋臂內(nèi)短路
2023-02-23 09:57:0018 EN-1230A可對(duì)各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)
2023-02-23 09:20:464 本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:571699 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:191295 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門極信號(hào)（VG）時(shí)序。
2023-02-27 13:41:582279 
（一）初識(shí)SiC科技前沿—第三代半導(dǎo)體技術(shù)—碳化硅SiC：技術(shù)和市場(chǎng)數(shù)據(jù)來源：知乎、英飛凌官網(wǎng)、ST官網(wǎng) 一、硅的瓶頸與寬禁帶半導(dǎo)體的興起上世紀(jì)五十年代以來，以硅（Si）材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料
2023-02-27 14:39:544 3.1 驅(qū)動(dòng)電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低，但只有驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到18V～20V時(shí)才能完全開通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對(duì)比 Cree的產(chǎn)品手冊(cè)中單管
2023-02-27 14:41:0910 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:029 想象一個(gè)場(chǎng)景：一輛高端新能源車行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關(guān)我開，你開我關(guān)
2023-05-30 11:35:078386 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 
怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:521411 MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導(dǎo)類型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應(yīng)用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個(gè)主要的作用： 1. 電源開關(guān)
2023-12-21 11:27:132621 短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用，其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。
2024-04-17 12:22:194984 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《了解用于碳化硅MOSFET的短路保護(hù)方法.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-02 09:10:032 SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏﹄娮宇I(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的，在耐受時(shí)間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書標(biāo)稱的短路時(shí)間是供應(yīng)商在評(píng)估器件初期，使用單管封裝測(cè)試的，2-3μs;到模塊
2025-09-02 14:56:561106 
基本半導(dǎo)體SiC功率模塊在固態(tài)變壓器（SST）中的驅(qū)動(dòng)匹配-短路保護(hù)兩級(jí)關(guān)斷 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2025-12-13 16:17:03669 
SiC碳化硅MOSFET短路保護(hù)中兩級(jí)關(guān)斷（2LTO）機(jī)制的決定性地位及其物理本源深度解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)
2025-12-16 08:49:46556 
SiC碳化硅MOSFET短路過流耐受時(shí)間較短的根本性物理分析與兩級(jí)關(guān)斷（2LTO）保護(hù)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的研究報(bào)告：兩級(jí)關(guān)斷（Two-Level Turn-Off, 2LTO）技術(shù)逐漸確立為平衡SiC
2026-01-01 13:48:1024 
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