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前道是指晶圓制造廠(chǎng)的加工過(guò)程，在空白的硅片完成電路的加工，出廠(chǎng)產(chǎn)品依然是完整的圓形硅片。 后道是指封裝和測(cè)試的過(guò)程，在封測(cè)廠(chǎng)中將圓形的硅片切割成單獨(dú)的芯片顆粒，完成外殼的封裝，最后完成終端測(cè)試，出廠(chǎng)為芯片成品。...
光學(xué)模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學(xué)成像理論，預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的光源，通過(guò)光刻機(jī)的照明系統(tǒng)，照射在掩模上。如果在實(shí)際光刻中，入射光的波長(zhǎng)大于掩模線(xiàn)寬，成像效果由衍射效應(yīng)主導(dǎo)，一些衍射級(jí)次通過(guò)了一定數(shù)值孔徑的投影系統(tǒng)入射光瞳，再...
刻蝕的機(jī)制，按發(fā)生順序可概分為「反應(yīng)物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應(yīng)」、「生成物離開(kāi)表面」等過(guò)程。所以整個(gè)刻蝕，包含反應(yīng)物接近、生成物離開(kāi)的擴(kuò)散效應(yīng)，以及化學(xué)反應(yīng)兩部分。...
焊球斷裂是BGA焊接過(guò)程中常見(jiàn)的問(wèn)題，主要原因是焊接溫度的不適當(dāng)控制或設(shè)備振動(dòng)。如果焊接溫度過(guò)高，焊球可能會(huì)過(guò)度膨脹，導(dǎo)致焊球斷裂；如果設(shè)備振動(dòng)過(guò)大，也可能導(dǎo)致焊球的機(jī)械應(yīng)力增大，從而引發(fā)斷裂。...
沿著從 SoC 到高級(jí)封裝技術(shù)（如 InFo/Feveros/X-Cube）的路徑，需要一種整體方法來(lái)同時(shí)解決項(xiàng)目的規(guī)劃、編輯和優(yōu)化環(huán)境問(wèn)題。以及向后考慮決策路徑的影響。例如，通過(guò)在工藝早期迭代放置凸塊（bump ）、PAD 和macros，可以縮短周轉(zhuǎn)時(shí)間。...
晶體管雖然很神奇，但比較脆弱，需要保護(hù)，因此在晶體管發(fā)明的同一年，電子封裝也出現(xiàn)了，其首要任務(wù)就是對(duì)晶體管進(jìn)行保護(hù)，并通過(guò)引線(xiàn)進(jìn)行晶體管內(nèi)部和外部的電氣連接，晶體管的發(fā)明同時(shí)也開(kāi)創(chuàng)了微電子封裝的歷史。...
雙極性晶體管，英語(yǔ)名稱(chēng)為BipolarTransistor，是雙極性結(jié)型晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng)，由于其具有三個(gè)終端，因此通常將其稱(chēng)為三極管。三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，兩個(gè)PN結(jié)將其分為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，相應(yīng)的產(chǎn)生三個(gè)電極：發(fā)射極、基極和集電極。...
從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體的FinFET結(jié)構(gòu)，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。...
在“通孔插裝軸向元器件引線(xiàn)在印制電路板焊盤(pán)上的搭接焊接工藝技術(shù)要求”一節(jié)里，詳細(xì)介紹了搭接焊接的前提，元器件引線(xiàn)搭接焊接成形要求，不同形狀引線(xiàn)的搭接要求，通孔插裝元器件穿孔搭接焊接要求和插裝元器件貼裝焊接缺陷案例。...
直接成像（DI）是指計(jì)算機(jī)將電路設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)換為機(jī)器可識(shí)別的圖形數(shù)據(jù)，并由計(jì)算機(jī)控制光束調(diào)制器實(shí)現(xiàn)圖形的實(shí)時(shí)顯示，再通過(guò)光學(xué)成像系統(tǒng)將圖形光束聚焦成像至已涂覆感光材料的基板表面上，完成圖形的直接成像和曝光。...
在晶圓生產(chǎn)工藝的結(jié)尾，有些晶圓需要被減?。ňA減薄）才能裝進(jìn)特定的封裝體重，以及去除背面損傷或結(jié)；對(duì)于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金（背面金屬化，簡(jiǎn)稱(chēng)背金）；...
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。...
在芯片制造中，單純的物理研磨是不行的。因?yàn)閱渭兊奈锢硌心?huì)引入顯著的機(jī)械損傷，如劃痕和位錯(cuò)，且無(wú)法達(dá)到所需的平整度，因此不適用于芯片制造。...
封裝工序 （Packaging）：是指 生產(chǎn)加工后的晶圓進(jìn)行 切割、焊線(xiàn)塑封，使電路與外部器件實(shí)現(xiàn)鏈接，并為半導(dǎo)體產(chǎn)品提供機(jī)械保護(hù)，免受物理、化學(xué)等外界環(huán)境影響產(chǎn)品的使用。...
TSV是2.5D和3D集成電路封裝技術(shù)中的關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)技術(shù)。半導(dǎo)體行業(yè)一直在使用HBM技術(shù)將DRAM封裝在3DIC中。...
整個(gè)芯片都有一個(gè)溫度，所以分辨率是厘米大小的，用于觀察電路板上或外殼內(nèi)部的散熱情況。然后是 IC 團(tuán)隊(duì)，他們現(xiàn)在不再只有一張 IC。有一堆IC粘在一起。這個(gè) IC 團(tuán)隊(duì)以微米的分辨率來(lái)研究事物。...
雕刻電路圖案的核心制造設(shè)備是光刻機(jī)，它的精度決定了制程的精度。光刻機(jī)的運(yùn)作原理是先把設(shè)計(jì)好的芯片圖案印在掩膜上，用激光穿過(guò)掩膜和光學(xué)鏡片，將芯片圖案曝光在帶有光刻膠涂層的硅片上，涂層被激光照到之處則溶解，沒(méi)有被照到之處保持不變，掩膜上的圖案就被雕刻到芯片光刻膠涂層上。...
引線(xiàn)鍵合看似舊技術(shù)，但它仍然是廣泛應(yīng)用的首選鍵合方法。這在汽車(chē)、工業(yè)和許多消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用中尤為明顯，在這些應(yīng)用中，大多數(shù)芯片都不是以最先進(jìn)的工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)的，也不適用于各種存儲(chǔ)器。...
互連技術(shù)是封裝的關(guān)鍵和必要部分。芯片通過(guò)封裝互連，以接收功率、交換信號(hào)并最終進(jìn)行操作。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度、密度和功能隨互連方式的不同而不同，互連方法也在不斷變化和發(fā)展。...
要了解混合鍵合，需要了解先進(jìn)封裝行業(yè)的簡(jiǎn)要?dú)v史。當(dāng)電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時(shí)，微凸塊通過(guò)使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級(jí)封裝的一種形式，在芯片之間提供垂直互連。凸塊的尺寸范圍很廣，從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。...
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