chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫為您提供最新技術(shù)文章，最實(shí)用的電子技術(shù)文章，是您了解電子技術(shù)動態(tài)的最佳平臺。

• 三極管開關(guān)電路設(shè)計(jì)圖原理

  TTL晶體管開關(guān)電路按驅(qū)動能力分為小信號開關(guān)電路和功率開關(guān)電路；按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地（PNP晶體管發(fā)射極接電源）和射級跟隨開關(guān)電路。...

  4722次閱讀 · 0評論 三極管開關(guān)電路晶體管信號放大器NPN
  

• 半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破？

  基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中，但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開關(guān)速度更佳且在低電壓下效率更高，所以MOSFET占據(jù)了市場主導(dǎo)地位，并廣泛用于各類電力電子應(yīng)用。...

  595次閱讀 · 0評論 電動汽車MOSFET逆變器IGBT功率器件
  

• 晶體管和集成電路是什么關(guān)系？

  集成電路是通過一系列特定的平面制造工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無源器件，按照一定的電路互連關(guān)系，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上，并封裝在一個(gè)保護(hù)外殼內(nèi)，能執(zhí)行特定的功能復(fù)雜電子系統(tǒng)。...

  3508次閱讀 · 0評論 集成電路二極管晶體管無源器件半導(dǎo)體器件
  

• 碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

  碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。...

  2043次閱讀 · 0評論 功率器件SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體

• 上拉電阻和下拉電阻是什么

  上拉就是將不確定的信號通過一個(gè)電阻鉗位在高電平，電阻同時(shí)起限流作用。而下拉電阻是直接接到地上，接二極管的時(shí)候電阻末端是低電平，將不確定的信號通過一個(gè)電阻鉗位在低電平。...

  5487次閱讀 · 0評論 二極管電阻上拉電阻下拉電阻輸出電流
  

• 為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料？

  擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢，但有一個(gè)主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。...

  666次閱讀 · 0評論 CMOSNMOS半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN

• 什么是NTC熱敏電阻、原理及作用

  NTC熱敏電阻是以Negative Temperature Coefficient的首字母縮寫命名的熱敏電阻。通常，“熱敏電阻”一詞指代的就是NTC熱敏電阻。1833年，當(dāng)時(shí)正在研究硫化銀半導(dǎo)體的邁克爾·法拉第將其發(fā)現(xiàn)，塞繆爾·魯本于20世紀(jì)30年代實(shí)現(xiàn)其商業(yè)化。...

  15962次閱讀 · 0評論 電阻熱敏電阻NTC輸出電壓負(fù)載電阻
  

• 如何定義MOSFET數(shù)據(jù)表

  作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營銷工程師，在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中，除了電流額定值之外，我被問到的最多的問題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。...

  555次閱讀 · 0評論 MOSFET電感器函數(shù)數(shù)據(jù)表脈沖電流
  

• 繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

  繼電器光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端，當(dāng)輸入電流通過時(shí)，會發(fā)出特定波長的光。...

  843次閱讀 · 0評論 繼電器發(fā)光二極管光耦功率器件碳化硅
  

• 功率MOSFET的UIS(UIL)特性深度解析

  選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括：選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn)，或者出于營銷或客戶目的以指示某些所需的能量水平。...

  2304次閱讀 · 0評論 MOSFET晶體管體二極管
  

• MOSFET柵極電路的常見作用 PNP加速關(guān)斷驅(qū)動電路

  首先說一下電源IC直接驅(qū)動，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動電路未做過多處理，因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。...

  3468次閱讀 · 0評論 變壓器二極管電流MOSFETMOS
  

• 圖解解析單點(diǎn)接地的重要性

  紅色的為三極管放大器放大時(shí)候的波形，綠色為振蕩器波形，有人可能要問紅色的為什么前一段波形不行？那是因?yàn)樵贠RCAD中模擬實(shí)際的電源，從沒電到有電，是有一段時(shí)間的，所以前面一段波形很小。...

  1243次閱讀 · 0評論 電路圖模擬電路數(shù)字電路三極管放大器單點(diǎn)接地
  

• GeSiSPAD器件的基準(zhǔn)和概念

  作者報(bào)告了采用CMOS兼容制造工藝制造的15 μm直徑的鍺硅(GeSi)SPAD，并在室溫下對其進(jìn)行表征，以證明其高性能。作者定義了噪聲等效功率(NEP)以對文獻(xiàn)中報(bào)道的SPAD進(jìn)行基準(zhǔn)測試。...

  734次閱讀 · 0評論 CMOS二極管接觸電阻激光雷達(dá)系統(tǒng)
  

• 電感過熱排查方法與步驟

  由于設(shè)計(jì)的習(xí)慣性，輸入電容Cin和輸出電容Cout都用了貼片電解電容，某寶買的。47uF/50V，輸入和輸出各放了一顆，再加幾顆小電容。...

  854次閱讀 · 0評論 負(fù)載電流開關(guān)電源電感電解電容電源芯片
  

• 二極管鉗位是什么意思？二極管的鉗位保護(hù)電路應(yīng)用

  在不同的電路系統(tǒng)中，如A電路系統(tǒng)是5V邏輯電平，B電路系統(tǒng)是3.3V邏輯電平，那么AB兩個(gè)電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)通信則需要邏輯電平轉(zhuǎn)換，否則5V會損壞3.3V電源器件...

  3603次閱讀 · 0評論 二極管電容保護(hù)電路GPIO鉗位二極管
  

• 反相輸入放大器，小心這些隱藏的坑！

  根據(jù)運(yùn)放“虛短虛斷”的特點(diǎn)來分析下，上圖同相輸入端接地，電位為0，根據(jù)運(yùn)放虛短的特點(diǎn)，運(yùn)放的3腳同相輸入端和4腳反相輸入端的電位相等，所以4腳反相輸入端的電位也為0電位。...

  696次閱讀 · 2評論 放大器反相放大器電壓源
  

• IGBT模塊理論研究：IGBT三相逆變電路分析

  芯片結(jié)溫計(jì)算，需要獲取芯片的損耗，損耗的準(zhǔn)確性，決定了計(jì)算芯片結(jié)溫的準(zhǔn)確性。...

  4437次閱讀 · 0評論 IGBTSPWM三相逆變導(dǎo)通損耗
  

• 硬件工程師電路設(shè)計(jì)的九大模塊電路

  硬件電路設(shè)計(jì)總結(jié)主要包括以下幾個(gè)主要的模塊：電源模塊，存儲模塊，顯示模塊，和對外接口模塊。...

  2130次閱讀 · 0評論 pcb電源系統(tǒng)去耦電容模塊電路存儲模塊
  

• 晶體制備技術(shù)：碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

  液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器，通過在熔融純硅中加入助溶劑，提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域，碳溶解于熔融硅中...

  1114次閱讀 · 0評論 SiC半導(dǎo)體器件碳化硅
  

• 電源各元器件降額使用參考

  因?yàn)槿绻骷墓ぷ鳡顟B(tài)不超過供應(yīng)商提供的規(guī)格書上的指標(biāo)。那么可以實(shí)現(xiàn)全壽命工作。降額使用，可以提高產(chǎn)品的可靠性。...

  1781次閱讀 · 0評論 二極管電阻元器件磁性元件瓷片電容
  
首頁上一頁678910下一頁末頁