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• 量化ADC動態(tài)性能的六個技術(shù)指標介紹

  各點之間的間隔為fs/M，整個頻率覆蓋范圍為dc至fs/2，其中fs為采樣率。利用Analog Devices 公司的ADIsimADC程序?qū)硐氲?2位ADC進行FFT分析后。...

  5402次閱讀 · 0評論 adc信噪比頻譜分析儀頻譜SNR

• 三極管核心結(jié)構(gòu)及工作原理詳解

  晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開關(guān)功能控制電流。...

  1191次閱讀 · 0評論 三極管晶體三極管限流電阻
  

• 艾為推出AWS790X2系列低噪聲CMOS運算放大器

  該運算放大器的單位增益穩(wěn)定，并具有超低的輸入偏置電流，非常適合傳感器接口、有源濾波器、工業(yè)和便攜式應(yīng)用。...

  365次閱讀 · 0評論 CMOS運算放大器有源濾波器偏置電流艾為電子
  

• 為什么不建議肖特基并聯(lián)使用

  正向穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通壓降低肖特基二極管正向壓降非常小，一般為0.2~0.45V，比快恢復(fù)二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小。...

  3623次閱讀 · 0評論 二極管整流二極管肖特基二極管快恢復(fù)二極管續(xù)流二極管
  

• 電流檢測電阻器很容易嗎？

  總體電流檢測精度誤差的預(yù)算需要考慮三個因素：初始電阻容差、環(huán)境溫度變化引起的TCR誤差以及自發(fā)熱引起的TCR誤差。幸運的是，供應(yīng)商會提供具有極低TCR的專用精密金屬箔電阻器。...

  391次閱讀 · 0評論 電流電阻器TCR
  

• 如何讓運算放大器輸出振蕩

  這種現(xiàn)象是由于環(huán)路不穩(wěn)定，相位裕度不足導(dǎo)致的；我們可以按照TI文檔中的方法進行相位裕度的仿真。TI的文檔如下，我們先仿真一下不并聯(lián)電容情況下的相位裕度。...

  2098次閱讀 · 0評論 放大器運算放大器方波并聯(lián)電容負載電容
  

• 晶體管極性識別：實用技巧與方法

  晶體管的極性區(qū)別可通過圖形、黑點等標記來進行。該種識別技巧要牢記掌握，常見晶極管電極引腳有橢圓形和直線形排列。...

  1762次閱讀 · 0評論 電極晶體管
  

• 車企降價20%要求引發(fā)行業(yè)震動：SiC產(chǎn)業(yè)將面臨怎樣的影響？

  電動汽車最大的成本為動力電池（占比約38%），電控占比約為6%。據(jù)英飛凌估算，電控成本中，功率半導(dǎo)體（IGBT/SiC等）約占40%，其次是DC-Link電容，成本占比約為16%。...

  402次閱讀 · 0評論 電動汽車新能源汽車車載電源薄膜電容薄膜電容器

• 碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)

  SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。...

  2117次閱讀 · 0評論 功率器件SiC碳化硅
  

• 關(guān)于差分放大器這些弊端你都知道嗎

  差分放大器最完美的狀態(tài)是圖1電路中的兩個R1完全相等、兩個R2完全相等，然而，我們無法找到兩個阻值一模一樣的電阻，常見的電阻也有1%的誤差。這會使得電阻失配，將大大降低共模抑制比CMRR。...

  831次閱讀 · 0評論 運算放大器差分放大器儀表放大器差分放大電路輸入阻抗
  

• 一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

  和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。...

  1807次閱讀 · 0評論 MOSFET功率器件互連技術(shù)SiC碳化硅
  

• 關(guān)于電容電抗的三個實例分享

  隨著施加到電容器的頻率增加，其效果是降低其電抗（以歐姆為單位測量）。同樣，當(dāng)電容器兩端的頻率降低時，其電抗值也會增加。這種變化稱為電容器的復(fù)阻抗。...

  1066次閱讀 · 0評論 電容器阻抗交流電路直流電壓電容電抗
  

• 功率MOSFET的正反向?qū)ǖ刃щ娐穲D

  功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。...

  1338次閱讀 · 0評論 二極管MOSFET等效電路驅(qū)動電壓
  

• 揭秘測溫型NTC熱敏電阻器的工作原理

  NTC熱敏電阻器的阻值與溫度的關(guān)系是近似符合指數(shù)函數(shù)規(guī)律的，并可做出電阻-溫度特性曲線，阻值與溫度成一一對應(yīng)的關(guān)系，利用NTC熱敏電阻器的這一阻溫特性，可由測量電阻值而推算出溫度的高低，它是NTC熱敏電阻器測溫的基礎(chǔ)。...

  1082次閱讀 · 0評論 電阻單片機熱敏電阻NTC電橋
  

• 快速掌握運算的4個經(jīng)典電路分析

  由于運放的電壓放大倍數(shù)很大，一般通用型運算放大器的開環(huán)電壓放大倍數(shù)都在 80dB 以上。而運放的輸出電壓是有限的，一般在 10 V～14 V。因此運放的差模輸入電壓不足 1 mV，兩輸入端近似等電位，相當(dāng)于 “短路”。開環(huán)電壓放大倍數(shù)越大，兩輸入端的電位越接近相等。...

  1249次閱讀 · 0評論 放大器pcb運放電路運算放大器

• IGBT導(dǎo)熱機理及導(dǎo)熱材料的作用

  根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示，芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座，再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去（以對流和輻射的形式），而大部分熱量通過底座經(jīng)絕緣墊片直接傳到散熱器，最后由散熱器傳入空氣中。...

  1411次閱讀 · 0評論 散熱器散熱片IGBT功率器件
  

• BUCK電路為何電感成為難點，而非簡單的MOS管與三元件組合？

  什么是BUCK電路？BUCK電路就是降壓斬波電路,是基本的DC-DC電路，用于直流到直流的降壓變換；與之相對的是BOOST電路（BOOST電路...

  763次閱讀 · 0評論 BUCKMOS管電感buck電路
  

• 模擬開關(guān)的作用、模擬開關(guān)的選擇方法

  模擬開關(guān)由于其應(yīng)用的信號鏈路為電子板低壓工作環(huán)境，耐壓值一般在15v以內(nèi)，常見的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐壓值。選擇時必須注意信號鏈路的最大電壓與器件最大耐壓值。...

  4388次閱讀 · 0評論 導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)等效電容RC濾波電路耦合電阻
  

• 如何從不同角度分析電容去耦原理

  從儲能角度理解電容容易造成一種錯覺，認為電容越大越好。而且容易誤導(dǎo)大家認為儲能作用發(fā)生在低頻段，不容易向高頻擴展。實際上，從儲能角度理解，可以解釋任何電容的功能。...

  612次閱讀 · 1評論 電容電源系統(tǒng)寄生電感電容去耦
  

• 淺談SiC晶體材料的主流生長技術(shù)

  在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。...

  1051次閱讀 · 0評論 晶體SiC碳化硅
  
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