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隨著對(duì)人工智能 (AI) 和內(nèi)存計(jì)算的興趣顯著增加，電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (ReRAM) 可能成為解鎖其模仿人腦能力的關(guān)鍵——但挑戰(zhàn)依然存在。...
模擬內(nèi)存計(jì)算IMC對(duì)打破傳統(tǒng)的Von Neumann計(jì)算機(jī)架構(gòu)內(nèi)存墻和能耗墻應(yīng)該更有優(yōu)勢(shì)，但需要同時(shí)打破設(shè)計(jì)中的模擬墻問(wèn)題，這也是當(dāng)前數(shù)字設(shè)計(jì)IMC-SRAM或者IMC-MRAM占多數(shù)的原因。...
熱管理問(wèn)題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)也在不斷發(fā)展，并可能影響為耐用性和性能而構(gòu)建的設(shè)計(jì)。值得信賴(lài)的系統(tǒng)級(jí)和板級(jí)合作伙伴關(guān)系以及對(duì)與 DRAM 內(nèi)存模塊相關(guān)的當(dāng)前熱概念的更深入了解可以使最終產(chǎn)品取得成功。...
隧穿電流的機(jī)理圖如圖七所示，EVB和HVB分別代表的是來(lái)自N+多晶硅柵到硅襯底的電子隧穿電流和硅襯底價(jià)帶到P+多晶硅柵的空穴隧穿電流。...
索尼CineAltaV 2可以記錄X-OCN和4K ProRes格式。對(duì)于劇組或電視臺(tái)，每種格式的碼率大小，AXS存儲(chǔ)卡的記錄時(shí)長(zhǎng)，不僅與拍攝部門(mén)的使用便捷性有關(guān)，也與技術(shù)部門(mén)的采購(gòu)成本有關(guān)。 針對(duì)國(guó)內(nèi)廣播電視行業(yè)的應(yīng)用場(chǎng)景，我們將系統(tǒng)幀頻設(shè)為50P，將其它所有參數(shù)固定，拍攝以下畫(huà)面，對(duì)不同格式的碼...
開(kāi)啟異步線程，將MQ服務(wù)的消息同步到MongoDB服務(wù)中，以達(dá)到持久化的目的。...
本文介紹的每種方案實(shí)際上只僅僅解決了部分的問(wèn)題。傳統(tǒng)的經(jīng)典結(jié)構(gòu)，貌似解決了所有的問(wèn)題，但是其代價(jià)是非常高的。所以我們需要的一個(gè)最佳跟蹤系統(tǒng)存儲(chǔ)方案，除了典型的三個(gè)特點(diǎn)之外，還需要加上性?xún)r(jià)比這個(gè)非技術(shù)特性。只有高性?xún)r(jià)比的跟蹤系統(tǒng)方案才能在生產(chǎn)實(shí)踐中得到廣泛的使用。...
采用存儲(chǔ)磁盤(pán)設(shè)備的卷鏡像技術(shù)實(shí)現(xiàn)兩站點(diǎn)間的數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)同步。兩臺(tái)存儲(chǔ)設(shè)備上的LUN被虛擬化為一個(gè)虛擬的卷，主機(jī)寫(xiě)操作通過(guò)卷虛擬化鏡像技術(shù)同時(shí)寫(xiě)入這兩個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備，保持?jǐn)?shù)據(jù)實(shí)時(shí)一致。...
探索未來(lái)三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案...
移動(dòng)存儲(chǔ)器就是一種外接式的存儲(chǔ)設(shè)備，常見(jiàn)的有U盤(pán)、磁盤(pán)、硬盤(pán)、光盤(pán)、內(nèi)存卡以及軟盤(pán)。...
磁盤(pán)存儲(chǔ)器是以磁盤(pán)為存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)器，它具備數(shù)據(jù)傳輸率高、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可以長(zhǎng)期保存以及存儲(chǔ)容量大的優(yōu)點(diǎn)，那么一個(gè)磁盤(pán)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量應(yīng)該怎么去計(jì)算它的大小呢？...
云計(jì)算時(shí)代存儲(chǔ)技術(shù)的新熱點(diǎn)——對(duì)象存儲(chǔ)，也叫做“面向?qū)ο蟮拇鎯?chǔ)”，也有人把它稱(chēng)作云存儲(chǔ)。...
隨著串口屏硬件平臺(tái)的發(fā)展，串口屏Flash內(nèi)存芯片由大容量并口Nand型、全面進(jìn)化到了小容量SPI Nor型存儲(chǔ)介質(zhì)，而存儲(chǔ)容量也由1Gbit（128M字節(jié)）變成了主流的64M/128Mbit（8/16M字節(jié)）。如存儲(chǔ)數(shù)據(jù)過(guò)多，一定會(huì)出現(xiàn)串口屏內(nèi)存不夠用的情況。那么，串口屏儲(chǔ)存器不夠，自己該如何擴(kuò)展...
計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。二者相比，DRAM的存儲(chǔ)密度更高，而SRAM則具有最快的片上緩存。這兩類(lèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器都已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。...
云存儲(chǔ)的加密非常重要。如果沒(méi)有加密，云計(jì)算提供商的所有員工可能都可以看到數(shù)據(jù)。如果云存儲(chǔ)提供商遭受破壞，加密對(duì)于保持?jǐn)?shù)據(jù)保護(hù)也至關(guān)重要。...
具體有哪些變化？DDR5與DDR4差別很大，實(shí)際上更像LPDDR4，DDR5帶來(lái)9個(gè)變化。...
獨(dú)立顯卡和集成顯卡的原理、特點(diǎn)應(yīng)用及區(qū)別...
存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)始終需要在三個(gè)參數(shù)間進(jìn)行權(quán)衡：容量、吞吐量和IOPS。不幸的是，對(duì)于系統(tǒng)工程師而言，存儲(chǔ)組件的物理限制不允許獨(dú)立設(shè)置這三個(gè)參數(shù)-至少不能在硬件中設(shè)置。...
閃存單元由修改的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）組成，在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。 通過(guò)施加高壓將電荷注入到浮柵上（或從浮柵上去除）。 這會(huì)改變打開(kāi)晶體管所需的柵極電壓，該電壓代表存儲(chǔ)在單元中的值。...
在接口協(xié)議方面，隨著SSD的發(fā)明，NVMe協(xié)議應(yīng)運(yùn)而生。相較于SAS、SATA的單隊(duì)列機(jī)制，NVMe最多可以有65535個(gè)隊(duì)列，并且直接采用PCIe接口，消除了鏈路和協(xié)議瓶頸。...
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