RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案
2012-09-27 09:17:24
5432 本文針對LTE引入后多模多頻段選擇對終端產(chǎn)品體積、成本、性能等方面所帶來的挑戰(zhàn)進(jìn)行了深入分析和研究，并給出了現(xiàn)階段解決上述挑戰(zhàn)的射頻芯片和射頻前端參考設(shè)計(jì)架構(gòu)。##為了提高多模多頻段終端產(chǎn)品的接收
2015-03-31 11:48:3419659 
4G到5G的升級(jí)，給射頻前端帶來了怎樣的挑戰(zhàn)射頻前端(RFFE) 是移動(dòng)電話的射頻收發(fā)器和天線之間的功能區(qū)域，主要由功率放大器 (PAs) 、低噪聲放大器 (LNAs) 、開關(guān)、雙工器、濾波器和其他
2017-07-20 13:08:34
調(diào)諧器尤為明顯。射頻器件制造商及其代工合作伙伴繼續(xù)推出基于RF SOI工藝技術(shù)的傳統(tǒng)射頻開關(guān)芯片和調(diào)諧器，用于當(dāng)今的4G無線網(wǎng)絡(luò)。最近，GlobalFoundries為未來的5G網(wǎng)絡(luò)推出了45nm
2017-07-13 08:50:15
功率檢測器兼容低電壓（1.2V）CMOS控制邏輯或VDD級(jí)所有端口上的ESD保護(hù)電路直流去耦射頻端口所有VDD偏壓管腳上的內(nèi)部射頻去耦接收通道的低噪聲系數(shù)接收信號(hào)的高功率能力極低的直流功耗全片匹配去耦電路所需的最小外部組件50歐姆輸入/輸出匹配市場認(rèn)可的CMOS技術(shù)
2019-11-08 17:07:27
CMOS是一個(gè)簡單的前道工藝，大家能說說具體process嗎
2024-01-12 14:55:10
近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2021-07-29 07:00:00
傳統(tǒng)設(shè)計(jì)模式所應(yīng)對的挑戰(zhàn)是什么嵌入式系統(tǒng)開發(fā)工具的發(fā)展趨勢是什么
2021-04-27 06:08:56
`2.4 GHz CMOS工藝 高效單芯片射頻前端集成芯片 產(chǎn)品介紹 AT2401C 是一款面向Zigbee，無線傳感網(wǎng)絡(luò)以及其他2.4GHz 頻段無線系統(tǒng)的全集成射頻功能的射頻前端單芯片
2018-07-28 15:18:34
目前射頻前端元器件基本均由半導(dǎo)體工藝制備，如手機(jī)端的功率放大器（PA）和低噪聲放大器（LNA）主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻（RF）開關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs
2019-12-20 16:51:12
)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補(bǔ)了中國TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
產(chǎn)品介紹AT2401C 是一款面向Zigbee，無線傳感網(wǎng)絡(luò)以及其他2.4GHz 頻段無線系統(tǒng)的全集成射頻功能的射頻前端單芯片。AT2401C 是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成
2019-07-17 12:22:28
/家庭自動(dòng)化等市場批量生產(chǎn)七種新的CMOS射頻前端集成電路RFaxis董事長兼首席執(zhí)行官M(fèi)ike Neshat表示：“RFaxis已經(jīng)打破了所有的技術(shù)障礙，這些障礙一度使得純CMOS無法超越GaAs
2018-07-09 15:16:33
AT2402E 是一款應(yīng)用于無線通信的集成收發(fā)功能的射頻前端單芯片，芯片內(nèi)部集成了所需要的射頻電路模塊，集成度非常高，主要包括功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，收發(fā)模式切換的開關(guān)控制電路等
2020-08-03 11:22:26
高速模擬IO、甚至一些射頻電路集成在一起，只要它不會(huì)太復(fù)雜。 由于工藝技術(shù)的不兼容性，RF集成通常被認(rèn)為是一種基本上尚未解決的SoC挑戰(zhàn)。在數(shù)字裸片上集成RF電路會(huì)限制良品率或?qū)е赂甙旱臏y試成本，從而
2019-07-05 08:04:37
我們都知道處理器芯片， 是依靠不斷縮小制程實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級(jí)，而作為模擬電路中應(yīng)用于高頻領(lǐng)域的一個(gè)重要分支，射頻電路的技術(shù)升級(jí)主要依靠新設(shè)計(jì)、新工藝和新材料的結(jié)合。大家都知道現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入了5G時(shí)代，而射頻
2019-11-09 10:29:19
AT2402E 采用 CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)，具有非常低的成本并且具有非 常好的射頻性能，比如發(fā)射模式時(shí)高的功率增益，發(fā)射線性度和發(fā)射效率，以及 接收模式下極低的噪聲系數(shù)。得益于 AT2402E 優(yōu)秀的性價(jià)比
2023-02-22 18:39:55
。射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開關(guān)控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。集成度超高，使用方便
2018-10-19 11:45:00
。射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開關(guān)控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。集成度超高，使用方便
2018-10-22 13:59:54
【非常牛逼資料分享】深入理解MOSFET規(guī)格書datasheet需要原版穩(wěn)定的朋友，請自行回帖下載。 [hide]https://pan.baidu.com/s/1o85LQWE[/hide] 文章比較長，截了一部分資料的圖片如下
2017-10-24 16:45:30
對樣品的測試結(jié)果作了簡單分析。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，射頻微波器件和功能模塊的小型化需求日益迫切。本文介紹的L波段收發(fā)射頻前端采用LTCC工藝，利用無源電路的三維疊層結(jié)構(gòu)，大大縮小了電路尺寸。在
2019-06-24 07:40:47
，同時(shí)此結(jié)構(gòu)
射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與
CMOS控制器、
射頻開關(guān)集成至一個(gè)芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段
射頻前端模塊，如圖1所示。 圖1 GSM/DCS雙頻段
射頻前端模塊示意圖?！ ?/div>
2019-07-08 08:21:18
完全解決的。這些挑戰(zhàn)包括：多于10萬個(gè)器件的設(shè)計(jì)復(fù)雜度、大于幾GHz的時(shí)鐘主頻、納米級(jí)的CMOS工藝技術(shù)、低功耗、工藝變化、非常明顯的非線性效應(yīng)、極度復(fù)雜的噪聲環(huán)境以及無線/有線通訊協(xié)議的支持問題。
2019-10-11 06:39:24
隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動(dòng)通訊技術(shù)的進(jìn)步，射頻微波器件的性能與速度成為人們關(guān)注的重點(diǎn)，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，有哪些選擇途徑？為什么要選擇標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管？
2019-08-01 08:18:10
進(jìn)入3G/4G/Pre-5G時(shí)代，射頻前端，一個(gè)手機(jī)SoC里不起眼的小角色，開始在高端智能手機(jī)市場挑大梁。一旦連上移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)，任何一臺(tái)智能手機(jī)都能輕松刷朋友圈、看高清視頻、下載圖片、在線購物，這完全是
2019-07-30 08:24:01
什么是量子點(diǎn)技術(shù)？量子點(diǎn)技術(shù)如何應(yīng)用于液晶面板的？量子點(diǎn)技術(shù)牛在哪？量子點(diǎn)技術(shù)的有什么特點(diǎn)？
2021-06-02 06:20:39
本文提出一種具有射頻監(jiān)測能力的雷達(dá)接收前端技術(shù)，解決了現(xiàn)有雷達(dá)及雷達(dá)測試系統(tǒng)無法在接收過程中對復(fù)雜電磁環(huán)境的影響效應(yīng)進(jìn)行有效分析和測量的問題。該技術(shù)用于對多干擾源及多要素疊加的電磁環(huán)境作用下的接收機(jī)
2020-12-21 07:29:50
查詢了一些資料，知道了分頻器是鎖相環(huán)電路中的基本單元．是鎖相環(huán)中工作在最高頻率的單元電路。傳統(tǒng)分頻器常用先進(jìn)的高速工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)。如雙極、GaAs、SiGe工藝等。隨著CMOS器件的尺寸越來越小，可用
2021-04-07 06:17:39
產(chǎn)生的原理和固態(tài)射頻能量產(chǎn)生原理圖例，從中可以看出，傳統(tǒng)的射頻能量一般由磁控管產(chǎn)生，作用于物品或者工藝需要，固態(tài)射頻能量由射頻合成器產(chǎn)生，受控于射頻功率放大器的閉環(huán)控制調(diào)節(jié)，作用于物品或者工序需要
2018-08-21 10:57:30
模式下有非常低的噪聲系數(shù)和非常強(qiáng)的功率處理能力· 非常低的直流靜態(tài)功耗· 發(fā)射模式下非常低的工作電流· 全集成射頻輸入輸出端口的阻抗匹配電路，電阻均為 50Ω· 只需要非常少的外圍器件· 僅使用了可靠的 CMOS 工藝制作· 采用 16 管腳的 QFN 封裝(3×3×0.55mm)
2023-02-02 15:16:19
大家好！疊層固態(tài)電容工藝相比傳統(tǒng)的電容工藝，在響應(yīng)速度上具體快在哪里？
2025-11-15 10:03:31
119%。高增長的背后是射頻市場的機(jī)遇，但同時(shí)也是挑戰(zhàn)。如何解決5G通信高帶寬和大功率的射頻技術(shù)挑戰(zhàn)？就成了一個(gè)非常棘手的問題。
2019-08-01 08:25:49
基本的NMOS管串聯(lián)結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，采用深N阱工藝的NMOS器件，運(yùn)用一種改進(jìn)型的體懸浮(body-floating)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了 一個(gè)寬帶射頻收發(fā)開關(guān)。與傳統(tǒng)的串并聯(lián)結(jié)構(gòu)開關(guān)電路相比，該結(jié)構(gòu)具有更高的線性度
2019-07-31 06:22:33
直接影響著接收機(jī)的性能。另一方面，LNA的設(shè)計(jì)也是無線電設(shè)備相關(guān)電路設(shè)計(jì)中最具有挑戰(zhàn)性的內(nèi)容之一。這主要表現(xiàn)在它同時(shí)需要滿足高增益、低噪聲、良好的輸入輸出匹配和在盡可能小的工作電流時(shí)的無條件穩(wěn)定性。那么，大家知道我們該如何設(shè)計(jì)CDMA射頻前端低噪聲放大器電路嗎？
2019-08-01 06:34:15
感覺這是個(gè)很牛逼的論壇 這輩子就他了， 技術(shù)宅屌絲就這樣過一生了 新人報(bào)道{:4_95:}
2014-07-14 23:30:04
嵌入式 超牛逼 的語言 C++學(xué)習(xí)寶典?。?！
2012-09-19 11:42:04
。老牌的飛利浦、FREESCALE、意法半導(dǎo)體和瑞薩仍然堅(jiān)持用傳統(tǒng)工藝，主要是SiGeBiCMOS工藝，諾基亞仍然大量使用意法半導(dǎo)體的射頻收發(fā)器。而歐美廠家對新產(chǎn)品一向保守，對RFCMOS缺乏信任
2016-09-15 11:28:41
即使是最自信的設(shè)計(jì)人員，對于射頻電路也往往望而卻步，因?yàn)樗鼤?huì)帶來巨大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，并且需要專業(yè)的設(shè)計(jì)和分析工具。怎么優(yōu)化射頻和微波設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)？來簡化任何射頻PCB 設(shè)計(jì)任務(wù)和減輕工作壓力！這個(gè)問題急需解決。
2019-08-21 06:38:27
本文介紹的L波段收發(fā)射頻前端采用LTCC工藝，利用無源電路的三維疊層結(jié)構(gòu)，大大縮小了電路尺寸。在電路設(shè)計(jì)上，使用單節(jié)λ/4短截線收發(fā)開關(guān)電路，既保證了高收發(fā)隔離和低損耗接收的電路性能，又比傳統(tǒng)的并聯(lián)式開關(guān)電路節(jié)省了一節(jié)λ/4短截線占據(jù)的空間，縮小了電路尺寸。
2021-05-24 07:03:25
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu)，使用一個(gè)射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能。同時(shí)將此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開關(guān)集成至一個(gè)芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，其中射頻開關(guān)采用高隔離開關(guān)設(shè)計(jì)，使得諧波滿足通信系統(tǒng)要求。
2021-05-28 06:28:14
近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2019-08-22 06:24:40
射頻前端模塊性能關(guān)系到整個(gè)接收機(jī)的性能。本文通過對接收機(jī)進(jìn)行研究，分析了超外差接收機(jī)的特點(diǎn)，提出了一種采用PLL技術(shù)的接收機(jī)的射頻前端方案，及對射頻前端的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了分析。并通過軟硬件平臺(tái)進(jìn)行
2019-08-22 07:38:30
–4%的重量百分比范圍內(nèi)（wt%），同時(shí)擴(kuò)散通常是在低于1%的Tb或Dy的質(zhì)量分?jǐn)?shù)范圍內(nèi)進(jìn)行的。晶界擴(kuò)散技術(shù)可以使用1/3~1/2的傳統(tǒng)工藝使用的鏑或鋱的用量達(dá)到和傳統(tǒng)工藝磁體一樣高的剩磁(Br
2018-10-17 10:33:33
。 射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開關(guān)控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。集成度超高，使用方便
2018-11-26 10:26:16
隨著數(shù)字移動(dòng)電視不斷向移動(dòng)設(shè)備的應(yīng)用轉(zhuǎn)移，應(yīng)用和系統(tǒng)工程師正面臨著各種挑戰(zhàn)，比如外形尺寸的小型化、更低的功耗以及信號(hào)完整性。對現(xiàn)有移動(dòng)電視標(biāo)準(zhǔn)的研究重點(diǎn)將放在了DVB-H上。本文將從系統(tǒng)角度討論DVB-H接收器設(shè)計(jì)所面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，并重點(diǎn)介紹射頻前端。
2019-06-03 06:28:52
LTCC技術(shù)實(shí)現(xiàn)SIP的優(yōu)勢特點(diǎn)有哪些？怎樣去設(shè)計(jì)一種射頻接收前端SIP？
2021-04-26 06:05:40
高速ADC前端設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)和權(quán)衡因素
2021-04-06 07:18:55
在研究移動(dòng)電視技術(shù)發(fā)展趨勢時(shí)需要區(qū)分產(chǎn)品功能組合、封裝、性能、采用的半導(dǎo)體工藝和最重要的射頻接收器性能。目前大多數(shù)單制式解調(diào)器都采用130納米至65納米CMOS工藝制造。多數(shù)情況下，它們與射頻接收器
2019-07-29 06:49:39
硅鍺技術(shù)改善射頻前端性能
2006-05-07 13:20:01
36 多重標(biāo)準(zhǔn)射頻前端可能是獨(dú)立的集成電路，或是一個(gè)較大、且整合了射頻及調(diào)制解調(diào)器之芯片系統(tǒng)(SoC)解決方案的一部份。在這兩種情況中，射頻電路系統(tǒng)的關(guān)鍵設(shè)計(jì)需求基本上相同
2011-04-22 11:19:44829 片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點(diǎn)，電路采用SMIC0.35-m CMOS工藝設(shè)計(jì)2.4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用
2011-04-28 10:42:2368 專注于為無線連接和蜂窩移動(dòng)市場提供創(chuàng)新、下一代射頻解決方案的無廠半導(dǎo)體公司RFaxis宣布，該公司將在2012年臺(tái)北國際電腦展覽會(huì)上推出純CMOS、RFX5000射頻前端集成電路（RFeIC），該集
2012-05-14 08:49:421124 近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利
2012-05-21 10:06:192373 
為了讓大家一窺 Intel在半導(dǎo)體制造工藝上的牛逼，筆者選取數(shù)月前參加Intel新品交流會(huì)后，印象深刻的45nm以下HKMG的成型工藝來做探討。
2013-11-19 10:19:2426230 matlab牛逼函數(shù)總結(jié)，想大家會(huì)因?yàn)镸ATLAB函數(shù)不懂吧！自己看看吧！
2015-11-06 17:18:280 。 其中，通過無線網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行連接已逐漸成為主流，但射頻前端芯片作為移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)連接的關(guān)鍵部分，卻還是面臨著一些挑戰(zhàn)。目前，產(chǎn)業(yè)界在射頻前端芯片方面主要采用GaAs/SiGe技術(shù)來實(shí)現(xiàn)，但其工藝復(fù)雜，成本較高、產(chǎn)能低下，難以實(shí)現(xiàn)低成本的規(guī)
2017-11-09 16:28:0210 硅是上帝送給人類的禮物。電路板中絕大多數(shù)器件都采用體硅CMOS工藝（硅 的原材料是沙子）制造，但有一個(gè)部分卻難以實(shí)現(xiàn)，那就是射頻前端。目前射頻前端主要采用GaAs或SiGe工藝制造，但由于材料
2017-11-14 10:06:384 近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2017-11-25 11:07:015635 
加州歐文--(美國商業(yè)資訊)--專注于為無線連接和蜂窩移動(dòng)市場提供創(chuàng)新型新一代射頻解決方案的無晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis宣布發(fā)布射頻前端技術(shù)白皮書《面向移動(dòng)手持設(shè)備應(yīng)用的CMOS Wi-Fi射頻前端
2019-03-18 12:30:071024 射頻前端隱藏在手機(jī)內(nèi)部，設(shè)計(jì)復(fù)雜但是作用關(guān)鍵，近日高通射頻前端方案被采納高通射頻前端方案被采納，高通表示做一個(gè)集成化的射頻前端解決方案。
2018-01-15 15:46:353976 簡單來說就是上面這張圖，把PA、LNA、開關(guān)和外部元件都集成到單一的CMOS工藝的芯片中去。目前該公司推出單芯片射頻前端可用于WLAN（2.4G和5G）、藍(lán)牙、802.11n/MMO、WHDI及ZigBee等無線傳輸設(shè)備上。
2018-05-11 09:16:005237 為滿足下一代蜂窩電話設(shè)計(jì)對更多特性、多模式及工作頻率的需求，工程師們必須尋找提高射頻前端集成度的途徑。通過采用CMOS工藝的最新集成方案，他們找到了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)的答案。 消費(fèi)者對更小、更便宜手機(jī)
2018-09-17 00:56:01539 射頻前端是指在通訊系統(tǒng)中，天線和中頻（或基帶）電路之間的部分。在這一段里信號(hào)以射頻形式傳輸。對于無線接收機(jī)來說，射頻前端通常包括：放大器，濾波器，變頻器以及一些射頻連接和匹配電路。
2018-10-27 09:21:3656064 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是鋰電池的傳統(tǒng)工藝詳細(xì)資料介紹主要包括了：配料，涂布，制片，極耳焊接，卷繞，短路檢驗(yàn)，入殼，滾槽，注液，封口，密封性檢驗(yàn)，化成，分容，外包裝，出廠檢驗(yàn)
2018-12-03 08:00:0031 作為程序員，身邊總是有牛逼的前輩、后輩或者同輩。牛逼的人總是讓人羨慕。比如自己苦搞一天的 BUG ，頭發(fā)快抓掉完了，人家掃上兩眼，改一行代碼，問題就解決了；比如自己干了十年開發(fā)，薪水還不到 10K
2019-01-10 14:39:592245 目前射頻前端元器件基本均由半導(dǎo)體工藝制備，如手機(jī)端的功率放大器（PA）和低噪聲放大器（LNA）主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻（RF）開關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs
2019-02-14 10:49:382043 在很多分析師和廠商看來，2019年將會(huì)是5G元年，但這個(gè)高速、低延遲和廣泛覆蓋網(wǎng)絡(luò)到來，除了在應(yīng)用方面帶來了變革的機(jī)會(huì)，給上游供應(yīng)商也帶來了不小的挑戰(zhàn)，尤其是射頻前端方面。
2019-05-02 17:32:004141 
針對射頻應(yīng)用，華虹宏力可提供硅襯底全系列工藝解決方案，包括 RF SOI、與邏輯工藝兼容的RF CMOS、SiGe BiCMOS以及IPD等技術(shù)。多家芯片廠商已在華虹宏力的RF SOI平臺(tái)量產(chǎn)。其中，0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）專為無線射頻前端優(yōu)化，頗受市場好評。
2019-10-18 08:45:365746 長期臥底各大程序員圈，總結(jié)出現(xiàn)實(shí)中那些牛逼程序員的主要表現(xiàn)癥狀，如下：
2019-12-01 11:51:223518 隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動(dòng)通訊技術(shù)的進(jìn)步，射頻的性能與速度成為人們關(guān)注的重點(diǎn)，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，選擇
2020-09-25 10:44:002 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:324667 刀剪生產(chǎn)自動(dòng)化，科技力量打磨傳統(tǒng)工藝 在刀剪制造領(lǐng)域，珞石機(jī)器人經(jīng)過多年工藝、技術(shù)積累，憑借機(jī)器人產(chǎn)品高精高速的運(yùn)動(dòng)性能，融合豐富的自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，成功的實(shí)現(xiàn)了機(jī)器人開刃、水磨等關(guān)鍵核心生產(chǎn)技術(shù)
2020-09-09 09:16:222576 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對中國本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議等。 1
2022-12-13 11:42:003165 5G作為移動(dòng)通信領(lǐng)域的重大變革點(diǎn)，是當(dāng)前新基建的領(lǐng)銜領(lǐng)域。在5G的影響下，射頻前端器件正發(fā)生什么樣的變化？近日在中國MEMS制造大會(huì)上，左藍(lán)微電子創(chuàng)始人、總經(jīng)理張博士以5G時(shí)代射頻前端的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
2020-11-11 15:33:553859 射頻前端模組之濾波器技術(shù)簡要分類
2020-12-02 16:33:102640 DB HiTek已宣布通過基于130/110納米技術(shù)的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來拓展射頻前端業(yè)務(wù)。 射頻前端是無線通信的必備器件，其負(fù)責(zé)IT設(shè)備之間的發(fā)射
2022-01-13 09:35:295292 ,構(gòu)建基于光子集成芯片技術(shù)的微波光子射頻前端微系統(tǒng)勢在必行。文章分析了集成微波光子射頻前端微系統(tǒng)目前在器件層面和系統(tǒng)集成層面面臨的挑戰(zhàn),并從高精細(xì)、可重構(gòu)的光濾波器設(shè)計(jì)、混合集成系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)和系統(tǒng)頻率漂移抑制方案三個(gè)方面重點(diǎn)介紹了作者所在課題組開展的關(guān)于混合集成可重構(gòu)微波光子射頻前端的研究現(xiàn)狀。
2023-06-14 10:22:325104 
一體成型電感工藝流程，PIM繞線代替傳統(tǒng)工藝 一體成型電感傳統(tǒng)工藝流程： 繞線：將銅線依規(guī)定要求繞至固定形狀尺寸。 點(diǎn)焊：將繞至好的線圈使用電流熔焊接到料片腳上。 成型：將點(diǎn)焊好料片放入模具使用液壓
2023-07-09 14:55:452833 
和天線技術(shù)的集成電路，主要實(shí)現(xiàn)處理射頻信號(hào)的功能。下面詳細(xì)講解射頻前端和射頻芯片的關(guān)系。 首先，射頻前端是指從天線開始到最后一級(jí)放大器之間的電路系統(tǒng)。射頻前端包括天線、跨越器、調(diào)節(jié)器、偏置器、放大器和濾波器等
2023-09-05 09:19:144432 最近十幾年中，射頻前端方案快速演進(jìn)?！澳＝M化”是射頻前端演進(jìn)的重要方向。
2023-11-08 09:24:002378 
的成本相對傳統(tǒng)的CMOS 要高很多。對于一些用途單一的LCD 和LED高壓驅(qū)動(dòng)芯片，它們的要求是驅(qū)動(dòng)商壓信號(hào)，并沒有大功率的要求，所以一種基于傳統(tǒng) CMOS 工藝制程技術(shù)的低成本的HV-CMOS 工藝
2024-07-22 09:40:326766 
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