ST推出新一代高頻功率晶體管。新產(chǎn)品可有效延長如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備的運行時間，并可提高應(yīng)用性能及降低設(shè)備成本。
2011-05-24 08:52:48
1285 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST) 推出首款完全符合衛(wèi)星和運載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。全新抗輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品的額定輸出電流為6A至80A，由5款N溝道和P溝道產(chǎn)
2011-06-15 08:49:081736 英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管?；谌碌?0V LDMOS工藝技術(shù)，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統(tǒng)設(shè)計
2012-07-15 01:23:461633 TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵（GaN）HEMT射頻功率晶體管產(chǎn)品。
2012-12-18 09:13:261621 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商意法半導體意法半導體推出了其最新的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）射頻收發(fā)器芯片，讓智能物聯(lián)網(wǎng)硬件具有極高的能效，可連續(xù)工作長達10年而無需更換電池。
2016-11-23 11:22:331555 選型手冊：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管
2025-08-27 17:51:246131 
與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2019-06-26 07:33:30
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
的硬件和(免費)注冊中國，2018年2月9日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）今天宣布，包括學生
2018-02-09 14:08:48
提升功能集成度和設(shè)計靈活性，新增STM32F413/423兩個產(chǎn)品線意法半導體(ST)先進圖像防抖陀螺儀讓下一代智能手機拍照不抖動意法半導體傳感器通過阿里IoT驗證，助力設(shè)備廠商更快推出新產(chǎn)品
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動器提供26V的最大柵極驅(qū)動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進的車載導航
2018-07-17 16:46:16
環(huán)境的嵌入式系統(tǒng)公司意法半導體推出新款STM8 Nucleo開發(fā)板，為8位項目提供開源硬件資源簡單便捷、開箱即用的IoT連接方案——意法半導體STM32蜂窩-云端探索套件經(jīng)銷商到貨
2018-10-11 13:53:03
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導體與遠創(chuàng)達的合作協(xié)議將擴大意法半導體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
? 意法半導體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡(luò)軟件，適用于各種產(chǎn)品，按照物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開發(fā)人員的需求專門設(shè)計 ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
新聞意法半導體推出直觀的固件開發(fā)工具，加快物聯(lián)網(wǎng)傳感器設(shè)計進程意法半導體推出新圖形用戶界面配置器，讓STM8微控制器設(shè)計變得更快捷意法半導體（ST）推出新款STM32微控制器，讓日用品具有像智能手機一樣的圖形用戶界面`
2018-07-13 15:52:39
和RAM）。例如，對于內(nèi)存來說太大的單個層可以分為兩個步驟。之前的MLPerf Tiny結(jié)果顯示，與標準CMSIS-NN分數(shù)相比，意法半導體的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的優(yōu)化版本）具有性能優(yōu)勢。STM32CubeAI開發(fā)云還將支持意法半導體即將推出的微控制器，包括內(nèi)部開發(fā)的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
半導體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會實現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
智能電表芯片單片集成開發(fā)智能電表所需的全部重要功能，能夠滿足多個智能電網(wǎng)市場的需求。這些電表連接消費者和供電公司，提供實時電能計量和用電數(shù)據(jù)分析功能。意法半導體亞太區(qū)功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
超高性能產(chǎn)品。新產(chǎn)品非常適合那些對高精度、重復(fù)性和耐用性要求極高的應(yīng)用?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導體副總裁，MEMS傳感器產(chǎn)品部總經(jīng)理Andrea Onetti表示，“我們將在未來幾個月持續(xù)推出新型的工業(yè)級精密傳感器
2018-05-28 10:23:37
ST意法半導體意法半導體擁有48,000名半導體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導體供應(yīng)鏈和先進的制造設(shè)備。作為一家半導體垂直整合制造商(IDM)，意法半導體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
功率管;根據(jù)半導體材料，有硅和鍺管等。放大器電路由共發(fā)射極、共基極和共集電極組成。》場效應(yīng)晶體管“場效應(yīng)”的含義是晶體管的原理是基于半導體的電場效應(yīng)。場效應(yīng)晶體管是根據(jù)場效應(yīng)原理工作的晶體管。場效應(yīng)管
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
： STM ）的射頻和微控制器技術(shù)。 光寶通訊模塊（ ICM ）事業(yè)部總經(jīng)理吳松泉表示：“在與意法半導體合作開發(fā)的項目過程中，光寶看到了 Sigfox 應(yīng)用的強勁成長勢頭。 我們相信，光寶的Sigfox
2018-07-13 11:59:12
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
對于低噪聲放大器、功率放大器與開關(guān)器等射頻前端組件的制造仍力有未逮。氮化鎵GaN氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù)，這種新興技術(shù)逐漸用于替代橫向擴散金屬氧化物硅半導體(Si LDMOS)和砷化鎵(GaAs
2016-09-15 11:28:41
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
和頻率電子應(yīng)用中實現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來自意法半導體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
意法半導體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:31
20 意法半導體推出全新車用電源管理芯片
全球領(lǐng)先的汽車電子和功率半導體廠商意法半導體發(fā)布一款新的車身電源管理芯片。當今汽車的電子產(chǎn)品數(shù)
2009-11-09 08:47:331025 什么是RF LDMOS晶體管
DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴
2010-03-05 16:22:597373 意法推出新的高效能系列功率整流二極管STPS50U100C
意法半導體(STMicroelectronics；ST)推出新的高效能系列功率整流二極管STPS50U100C，可協(xié)助產(chǎn)品制造
2010-04-02 11:47:44981 意法半導體發(fā)布超低功耗整流二極管
功率半導體供應(yīng)商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出新的高能效功率整流二極管
2010-04-06 13:29:521162 意法推出新評估平臺Cadence OrCAD PSpice
意法半導體宣布成功開發(fā)一個新的評估平臺，客戶可以仿真意法半導體先進的模擬和功率芯片。Cadence® OrCAD®, PSpice®是一項穩(wěn)健
2010-04-13 10:53:501314 恩智浦半導體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381185 意法半導體推出新一代上橋臂電流檢測芯片，引領(lǐng)電池監(jiān)控、電源管理及電機控制等控制功能向低成本高精度邁進,
2011-06-09 09:14:365234 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061462 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域半導體供應(yīng)商 意法半導體 (ST)近日推出新款高壓蕭特基二極體(Schottky diode)，有助于提高電信基地臺和熔接設(shè)備的效能和穩(wěn)健性。 意法半導體的新款200V功率蕭特基
2011-10-08 09:05:281566 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）擴大高能效移動設(shè)備解決方案陣容，推出新款白光LED驅(qū)動器芯片。新產(chǎn)
2011-10-14 09:16:111499 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出新款高壓肖特基整流二極管，有助于提高電信基站和電焊機等設(shè)備的效能和穩(wěn)健性。
2011-10-17 08:53:483477 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商及數(shù)據(jù)安全技術(shù)供應(yīng)商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款數(shù)據(jù)加密芯片，新產(chǎn)品將會大幅降低個
2011-10-27 09:13:061449 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商意法半導體推出新系列熱插拔電源管理芯片STEF05和STEF12。
2011-11-22 10:05:451801 意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:102989 
意法半導體推出新款電池剩余電量指示芯片。STC3115采用多項可改善長期監(jiān)控準確度的創(chuàng)新專利技術(shù)，適用于大量生產(chǎn)的手持電子產(chǎn)品。
2013-03-05 09:13:186786 日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產(chǎn)品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:372188 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴展產(chǎn)品。
2013-06-21 11:09:261974 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
2016-01-13 15:37:092386 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（Nasdaq： NXPI）日前宣布推出MRF1K50H射頻晶體管，與采用任何技術(shù)或在任何頻率下的產(chǎn)品相比，都具有最強大的性能
2016-05-09 11:53:051173 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1517 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21884 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08622 安譜隆半導體（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為
2018-05-02 14:44:004395 安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001878 安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004912 ） MOSFET晶體管，此系列器件采用了最新的LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）技術(shù)。MRFX1K80H運用LDMOS技術(shù)來提高寬頻應(yīng)用的輸出功率，同時維持適當?shù)妮敵鲎杩埂?
2018-05-08 18:36:001523 。MRF13750H晶體管基于50V硅技術(shù)LDMOS，突破了半導體射頻功率放大器的極限，使之成為在高功率工業(yè)系統(tǒng)中替代真空管的極具吸引力的產(chǎn)品。
2018-05-08 10:19:002066 安譜隆半導體（Ampleon）推出一款多功能20W單級射頻功率放大器驅(qū)動器晶體管。BLP9G0722-20G是一款高性價比的28V LDMOS器件，適用于0.4至2.7GHz的廣泛應(yīng)用。
2018-05-14 15:03:006244 240 W LDMOS功率晶體管封裝了用于基站應(yīng)用的不對稱多爾蒂功率晶體管，其頻率為2300 MHz至2400 MHz。
2018-08-14 08:00:0019 180 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:0012 關(guān)鍵詞：射頻功率 , LDMOS , BLC2425M10LS500P 埃賦隆半導體（Ampleon）面向工作在2400MHz至2500MHz頻率范圍內(nèi)的脈沖和連續(xù)波（CW）應(yīng)用，推出500W
2019-01-20 16:51:01994 埃賦隆半導體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%，為同類最佳，其堅固耐用型設(shè)計也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:173332 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS
2020-08-12 18:52:001 基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668 ，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。 意法半導體800V STPOWER MDmesh K6系列，為這種超級結(jié)晶體管技術(shù)樹立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉藯U。MDmesh K6 的RDS（on） x
2021-10-28 10:41:252244 意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用
2022-01-17 14:13:294628 意法半導體(簡稱ST)推出了一個新系列——氮化鎵(GaN)功率半導體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導體的STPOWER產(chǎn)品組合，能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。該系列的目標應(yīng)用包括消費類電子產(chǎn)品的內(nèi)置
2022-01-17 14:22:543358 意法半導體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機的開關(guān)式電源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:472191 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關(guān)損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。
2022-06-24 16:40:431804 意法半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比，意法半導體先進的ACEPACK SMIT 封裝能夠簡化組裝工序，提高模塊的功率密度。
2023-01-16 15:01:251612 
在電源與能源應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導體將展示一款采用MASTERGAN和ST－ONEHP的140W 智能電源適配器。其中MASTERGAN在一個單一封裝內(nèi)整合了意法半導體第三代氮化鎵（GaN）功率晶體管和改進的柵極驅(qū)動器。
2023-06-30 16:33:451393 MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規(guī)格書，這些設(shè)備被設(shè)計用于HF和VHF通信，工業(yè)、科學和醫(yī)療（ISM）以及廣播和航空航天應(yīng)用程序。這些設(shè)備非常堅固，表現(xiàn)出高性能高達250MHz。
2023-07-28 17:45:471 ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導體的集成柵極驅(qū)動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:001184 2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01691 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:431511 意法半導體近期推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應(yīng)用場
2024-12-11 14:27:00971 參考設(shè)計，旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實現(xiàn)。 MasterGaN-SiP是意法半導體的創(chuàng)新之作，它將GaN功率晶體管與經(jīng)過優(yōu)化的柵極驅(qū)動器完美整合于一個封裝內(nèi)。這一設(shè)計不僅顯著提升了電源的性能和可靠性，還通過高度集成的方式，極大地加快了設(shè)計速度，并有效節(jié)省了PCB電路板空間。 與傳統(tǒng)
2024-12-25 14:19:481143 意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。
2025-01-16 13:28:271025 為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計，意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。
2025-02-06 11:31:151134
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