本文實(shí)驗(yàn)中采用的開(kāi)關(guān)電源為BCD 半導(dǎo)體公司研發(fā)的3765序列充電器， 采用的功率雙極晶體管是BCD半導(dǎo)體公司提供的APT13003E, 它被廣泛應(yīng)用于電子鎮(zhèn)流器、電池充電器及電源適配器等功率開(kāi)
2011-11-17 13:59:56
1918 
、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)功能,只允許電流向一個(gè)方向流動(dòng),電極二極管擁有更大的動(dòng)力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:321650 
襯底:NPN雙極晶體管的基礎(chǔ)是p摻雜(硼)硅襯底，上面沉積了厚氧化層（600 nm）。
2023-12-06 18:15:258310 
傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅(qū)動(dòng)型放大器，對(duì)其信號(hào)放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時(shí)，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:032557 
絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導(dǎo)體，具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極開(kāi)關(guān)特性以及 BJT 的最小導(dǎo)通電阻（低飽和電壓）特性。
2024-02-27 16:08:496267 
如果平衡電阻與發(fā)射極串聯(lián)，則雙極晶體管（BJT）可以并聯(lián)連接。隨著溫度的升高，BJT通常會(huì)變得更具導(dǎo)電性。以下MMBT2222A數(shù)據(jù)表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內(nèi)變化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開(kāi)發(fā)
2018-11-28 14:29:28
不同的是，用于放大或?qū)?關(guān)斷的偏置電流會(huì)流經(jīng)晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時(shí)是重要的特性。但雙極晶體管中沒(méi)有“導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
您好，為了模擬ADS軟件中基于雙極晶體管的電路，我們將基板與發(fā)射器連接，還是允許空氣？謝謝 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-03-27 06:20:04
MAPRST0912-50硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MAPRST0912-50報(bào)價(jià)MAPRST0912-50代理MAPRST0912-50咨詢熱線MAPRST0912-50現(xiàn)貨,王先生
2018-08-09 09:57:23
MRF1004MB硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF1004MB報(bào)價(jià)MRF1004MB代理MRF1004MB咨詢熱線MRF1004MB現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司
2018-08-09 10:01:09
MRF317硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF317報(bào)價(jià)MRF317代理MRF317咨詢熱線MRF317現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司MRF317主要用于寬帶大信號(hào)輸出放大器級(jí)
2018-08-07 17:02:08
MRF321硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF321報(bào)價(jià)MRF321代理MRF321咨詢熱線MRF321現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司MRF321主要用于寬帶大信號(hào)驅(qū)動(dòng)器
2018-08-08 11:12:43
MRF327硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF327報(bào)價(jià)MRF327代理MRF327咨詢熱線MRF327現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司MRF327主要用于寬帶大信號(hào)輸出級(jí)
2018-08-08 11:22:49
MRF422硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF422報(bào)價(jià)MRF422代理MRF422MRF422現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司MRF422主要用于高功率線性放大器的設(shè)計(jì)，從2到30 MHz優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品
2018-10-09 12:10:05
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
(HBT)
AlgaAs/GaAs 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT) 用于頻率高達(dá) Ku 頻段的數(shù)字和模擬微波應(yīng)用。HBT 可以提供比硅雙極晶體管更快的開(kāi)關(guān)速度，主要是因?yàn)榛鶚O電阻和集電極到基板的電容降低
2023-08-02 12:26:53
光電器件相關(guān)聯(lián)，其特點(diǎn)是響應(yīng)速度快（響應(yīng)時(shí)間為數(shù)十皮秒），適合集成。這些類型的器件有望應(yīng)用于光電集成?！?雙極晶體管雙極晶體管是音頻電路中常用的一種晶體管。雙極性是由兩種半導(dǎo)體材料中的電流流動(dòng)引起的。雙極晶體管
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
必須將基端子接地，如圖6所示?！ D6.PNP晶體管的開(kāi)關(guān)電路 用于計(jì)算集電極電流、基極電阻和電壓的PNP晶體管方程與NPN計(jì)算中使用的公式相同。區(qū)別在于開(kāi)關(guān)電流。對(duì)于PNP，開(kāi)關(guān)電流是源電流
2023-02-20 16:35:09
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2012-08-20 08:57:47
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
求購(gòu)雙極晶體管BD249C，NPN，30個(gè)，要求現(xiàn)貨。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
用IBM43RF0100EV評(píng)估板評(píng)估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳的壓擺率控制和改進(jìn)的器件保護(hù)。
2020-10-27 06:43:42
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天，貝爾實(shí)驗(yàn)室中，布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導(dǎo)線，隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計(jì)和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝
2019-07-30 07:56:50
一直采用陶瓷或表面聲波(SAW)技術(shù)構(gòu)建，而RF功放器則一直使用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)或FET器件構(gòu)建。由于這些技術(shù)與RFIC使用的硅或SiGe工藝有著很大區(qū)別，因此功放器和濾波器一直作為
2019-06-25 07:04:59
應(yīng)用評(píng)估板評(píng)估IBM43RF0100 SiGe HBT晶體管在 1.9GHz CDMA驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用情況;
The IBM43RF0100 Silicon-Germanium (SiGe
2009-05-12 11:32:43
31 晶體管的基極電阻
晶體管的基區(qū)中有兩類載流子在流動(dòng)，一類是從發(fā)射區(qū)
注入到基區(qū)的少數(shù)載流子(對(duì)n-p-n晶體管來(lái)說(shuō)是電子)，另
一類是多數(shù)
2010-08-29 09:03:49113 絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識(shí)絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:397311 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極晶體管級(jí)聯(lián)視頻放大器電路圖
2009-04-15 08:48:051023 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001718 
使用雙極晶體管的發(fā)射極接地放大電路圖
2009-08-08 16:14:361001 
雙極晶體管電路經(jīng)常使用的具有溫度補(bǔ)償作用的偏置電路圖
2009-08-13 15:51:441211 
絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù)
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
2009-10-06 22:56:596998 
絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有
2009-11-05 11:40:14722
雙極晶體管
2009-11-07 10:44:021733 絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:155131 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:555649 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來(lái)控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)
Abstract— 一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū)，InP集電區(qū) DHBT I
2010-05-04 09:58:462082 
雙極晶體管屬于電流控制器件，即加入變動(dòng)的基極電流，產(chǎn)生集電極電流的變動(dòng)。
2011-03-03 11:40:34150 瑞薩電子宣布推出新款 SiGe :C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無(wú)線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開(kāi)發(fā)的硅鍺：碳
2011-09-28 09:08:461203 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊(cè)、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計(jì)、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機(jī)、晶體管測(cè)試儀）以及常見(jiàn)的晶體管（如：場(chǎng)效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬(wàn)象，希望對(duì)各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。
2017-11-29 15:39:2117185 
功率雙極晶體管的損耗是開(kāi)關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一， 采用10M eV電子輻照來(lái)降低功率雙極晶體管的下降延時(shí)， 以此來(lái)降低功率雙極晶體管的關(guān)斷損耗。在一個(gè)典型的充電器開(kāi)關(guān)電源中， 85 V 交流
2019-09-15 04:36:002673 
本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡(jiǎn)稱，在電力半導(dǎo)體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1427407 
測(cè)晶體管三個(gè)端子T1、T2和T3之間流過(guò)的各種可能電流方向的組合。電路使用兩只CD4022或CD4017計(jì)數(shù)器IC1和IC2;一只單門(mén)方波振蕩器G4;以及一個(gè)CD4011四與非門(mén)，G1至G3。每個(gè)測(cè)試端子串接一對(duì)LED，用于指示電流的方向。LED的顏色直接表示出晶體管的結(jié)端。
2018-03-20 09:06:1926046 
目前，產(chǎn)業(yè)化的高電壓大功率絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）普遍采用新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制造技術(shù)，以ABB、三菱、東芝和日立等為代表的國(guó)際領(lǐng)先研發(fā)
2018-04-24 16:12:5110 RFMD的SGA8543Z是一種高性能硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)雙極晶體管（SiGe HBT），設(shè)計(jì)用于50MHz到3.5GHz的工作范圍。該SGA854 3Z優(yōu)化3.3V操作，但可偏置在2.7V的低電壓電池操作系統(tǒng)。該裝置以較低的成本提供低NF和優(yōu)異的線性度。
2018-09-07 11:25:003 RFMD的SGA1263Z是一種硅鍺HBT異質(zhì)結(jié)構(gòu)雙極晶體管（SiGe HBT）放大器，它提供了極好的隔離和平坦的增益響應(yīng)應(yīng)用于4GHz。該RFIC是一種2級(jí)設(shè)計(jì)，在2GHz下提供高達(dá)40dB的高
2018-09-05 11:25:004 RFMD的SGA9189Z是一種高性能晶體管，工作頻率為3GHz。最佳匹配在2GHz，OIP3＝39 dBm，P1dB＝25.5dBm。該RF器件基于硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBT）工藝。SGA9189Z是成本效益高的線性度要求，即使在中等偏置水平的應(yīng)用。
2018-07-27 11:30:002 晶體管配置是NPN晶體管。我們還了解到雙極晶體管的結(jié)可以以三種不同的方式偏置 -公共基極，公共發(fā)射極和公共集電極。在本教程中，關(guān)于雙極晶體管，我們將更詳細(xì)地討論使用雙極NPN晶體管的“共發(fā)射極”配置，并舉例說(shuō)明NPN晶體管的構(gòu)造以及晶體管電流特性
2019-06-25 15:14:1611301 
本期介紹：本期ROHM君想與大家一同學(xué)習(xí)絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認(rèn)識(shí)其原理及其應(yīng)用。IGBT是一種功率開(kāi)關(guān)晶體管，它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:262780 晶體管的代表形狀 晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類 1. 按結(jié)構(gòu)分類 根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。 雙極晶體管 雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即
2021-08-11 09:51:3914964 
根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。
2022-08-23 09:37:214867 雙極晶體管（BJT）是最基礎(chǔ)的集成電路器件之一，在集成電路發(fā)展史中起著重要的作用。因?yàn)檫@種晶體管工作時(shí)，電子和空穴兩種載流子均參與導(dǎo)電，所以被稱為雙極性結(jié)型晶體管，簡(jiǎn)稱雙極晶體管。
2022-09-07 09:27:164469 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:150 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C-Q
2023-02-16 20:21:580 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210 晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
2023-02-17 16:32:493588 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101 NPN/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NPK
2023-02-17 19:35:000 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190 60 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60610PY
2023-02-21 18:19:050 40 V、15 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60415NY
2023-02-21 18:19:270 PNP/PNP匹配大功率雙雙極晶體管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:020 PNP/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030PK
2023-02-27 18:50:150 60 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60606PY
2023-02-27 18:50:560 60 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60606NY
2023-02-27 18:51:080 40 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60406PY
2023-02-27 18:52:010 40 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:170 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61006PY
2023-03-02 23:14:270 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61006NY
2023-03-02 23:14:390 40 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:141 達(dá)林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接，使用一對(duì)雙極晶體管結(jié)型晶體管（BJT），設(shè)計(jì)用于像統(tǒng)一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細(xì)信息。
2023-06-29 10:06:492672 
“晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu)，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當(dāng)然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號(hào)放大和開(kāi)關(guān)控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機(jī)制和特點(diǎn)。
2023-07-07 10:14:495308 絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:294515 
絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡(jiǎn)史
2023-11-24 14:45:342245 
【科普小貼士】什么是雙極晶體管（BJT）？
2023-12-13 14:38:562201 
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。
2024-01-09 15:38:401880 這是絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的實(shí)用指南。您將從實(shí)際的角度學(xué)習(xí)如何使用它——而無(wú)需深入研究它內(nèi)部的物理外觀。IGBT通常被描述為復(fù)雜而先進(jìn)的東西。但是，當(dāng)你剝離物理解釋并開(kāi)始練習(xí)時(shí)，將其放入電路中是很簡(jiǎn)單的。
2024-02-11 10:57:002300 
安森美 (onsemi) NSVT5551M雙極晶體管通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證，是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。這款NPN雙極晶體管具有匹配的芯片，存放溫度范圍為-55°C至
2025-11-25 10:50:45364 
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