硅 pn 結(jié)

當一塊 n 型硅與一塊 p 型硅接觸時會發(fā)生有趣的事情：擴散電流從 p 側(cè)流到 n 側(cè)，形成耗盡區(qū)，漂移電流從 n 側(cè)流到p 側(cè)。

擴散電流

空穴是 p 側(cè)的多數(shù)載流子，而自由電子是 n 側(cè)的多數(shù)載流子。這些載流子會發(fā)生擴散，即粒子從較高濃度移動到較低濃度的趨勢?？昭〝U散穿過結(jié)，從 p 到 n，電子也擴散穿過結(jié)，從 n 到 p。這些載流子運動是電流的一種形式；我們稱之為擴散電流。

擴散電流被描述為從 p 側(cè)流向 n 側(cè)，因為常規(guī)電流的流動方向與正電荷載流子相同，即使正電荷載流子實際上并不存在于電路中。

在這種情況下，空穴在移動，所以我們實際上有正電荷載流子，因此傳統(tǒng)電流在科學上比不包含二極管或晶體管的電路更連貫。

耗盡區(qū)

我們在 n 側(cè)有自由電子，在 p 側(cè)有空穴。當自由電子擴散穿過結(jié)時，它們會在另一側(cè)與空穴相遇?？梢哉f，電子“落入”空穴中，并在結(jié)附近發(fā)生復合。

這會導致 p 側(cè)結(jié)附近出現(xiàn)整體負電荷區(qū)域，因為復合消除了先前平衡 p 型半導體中的束縛負電荷的空穴。同樣的事情發(fā)生在另一邊，在 n 型半導體中，只是那里的束縛電荷是正的。

我們稱此為耗盡區(qū)，因為結(jié)兩側(cè)的總正電荷和負電荷部分是由多數(shù)電荷載流子的耗盡引起的，而這又是擴散電流和復合的結(jié)果。

漂移電流

摻雜并不是半導體中移動電荷載流子的來源。熱能導致電子-空穴對的隨機產(chǎn)生，導致少數(shù)載流子的存在，即電子在p側(cè)，空穴在n側(cè)。

如果 n 側(cè)的空穴或 p 側(cè)的自由電子進入耗盡區(qū)，耗盡區(qū)的電場將加強向結(jié)另一側(cè)的運動。這是漂移電流：少數(shù)載流子在電場的影響下穿過結(jié)。它從 n 側(cè)流向 p 側(cè)。

那么電流是否持續(xù)流過二極管，即使它完全沒有與電源和其他組件連接？當然不是。pn 結(jié)自然地保持擴散電流和漂移電流之間的平衡。它們以相同的大小以相反的方向流動，因此凈電流為零。

光敏 pn 結(jié)

當一個結(jié)暴露在光線下時，我們有一個額外的移動電荷載流子來源，即入射光子傳遞的能量。如果光子在耗盡區(qū)內(nèi)或附近產(chǎn)生電子空穴對，耗盡區(qū)的電場可以推動移動電荷載流子穿過結(jié)。

這就是我們所說的光電流：光感應載流子運動產(chǎn)生的電流。

光電流是反向電流。像漂移電流一樣，它從n側(cè)流向p側(cè)，注意它是如何在耗盡區(qū)電場的影響下穿過結(jié)的，就像漂移電流一樣。當我們討論暗電流時，我們將在本介紹的后面回到漂移電流。

光電二極管中的耗盡區(qū)

如上所述，光產(chǎn)生的電子-空穴對只有在耗盡區(qū)內(nèi)或附近時才會產(chǎn)生光電流。這表明我們可以通過增加耗盡區(qū)的寬度來使光電二極管更靈敏：耗盡區(qū)越寬，相同強度的入射光將產(chǎn)生更多的光電流，因為更多的光生電荷載流子可以到達推動它們穿過結(jié)點的電場。

耗盡區(qū)還有另一種影響光電二極管操作的方式。耗盡區(qū)的功能類似于二極管內(nèi)的電容器，而在光電二極管中，該電容限制了器件響應照度快速變化的能力。

因此，耗盡區(qū)與基于光電二極管的系統(tǒng)設計中的兩個重要考慮因素有關。