超結MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導體領域中突破傳統(tǒng)性能限制的關鍵器件。它通過在器件結構中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導通電阻的特性，顯著提升了功率轉換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:46
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太陽輻射熱效應是評估軍用車輛在極端高溫環(huán)境下適應性與可靠性的關鍵。為攻克大尺寸整車多面均勻輻照與日循環(huán)精準模擬的技術難題，紫創(chuàng)測控luminbox基于國內外試驗標準，可提供集成高精度溫度控制與大尺寸
2025-12-29 18:03:2748 
PN7462家族NFC Cortex - M0微控制器：特性、應用與設計要點 在當今數(shù)字化時代，近場通信（NFC）技術因其便捷性和高效性，在各個領域得到了廣泛應用。NXP
2025-12-29 15:55:1284 PN512：高性能NFC前端芯片的深度解析與應用指南 在當今數(shù)字化時代，近場通信（NFC）技術憑借其便捷性和安全性，在支付、門禁、數(shù)據(jù)傳輸?shù)阮I域得到了廣泛應用。PN512作為一款高度集成的NFC前端
2025-12-28 17:15:13957 深度剖析PN512：高性能NFC前端芯片的全方位解讀 在當今的電子技術領域，近場通信（NFC）技術憑借其便捷性和高效性，在支付、門禁、數(shù)據(jù)傳輸?shù)缺姸囝I域得到了廣泛應用。PN512作為一款高度集成
2025-12-25 17:10:16300 高性能單芯片NFC解決方案：PN7642的卓越魅力 在電子技術飛速發(fā)展的今天，對于高性能、集成化且安全的芯片解決方案的需求日益增長。PN7642作為一款創(chuàng)新的單芯片解決方案，憑借其強大的功能和廣泛
2025-12-24 17:05:11123 深入解析PN7462家族NFC Cortex - M0微控制器 在當今的電子世界中，NFC技術憑借其便捷性和高效性，在眾多領域得到了廣泛應用。NXP Semiconductors推出的PN
2025-12-23 16:10:02166 iPhone 17 Pro系列搭載25W無線充電技術，提升充電效率，實現(xiàn)高效快充與智能協(xié)調。
2025-12-07 08:28:001083 
電源之間必須加入一個電阻。
5、電子技術分為模擬電子技術和數(shù)字電子技術兩大部分，其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號下工作的電子電路及其技術，稱為模擬電子技術。
6、PN結反向偏置時，PN結
2025-12-05 08:21:15
半導體制冷片結露不是小問題，輕則影響精度，重則毀掉設備。華晶溫控結合多年案例經驗，本文提供一些為激光器、精密實驗設備“量身定制”的防結露解決方案。為什么“萬能”的防結露方案不存在？所有結露的本質都
2025-11-25 15:55:11281 
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業(yè)質量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的：產品質量、失效分析、可靠性分析和產品基礎應用等相關知識。常言：真知不問出處，所分享的內容
2025-11-21 08:21:49273 
論基礎知識在汽車免拆診斷技術方案開發(fā)中的重要性——以2011款大眾輝騰車燃油供給系統(tǒng)故障為例余姚東江名車專修廠葉正祥故障現(xiàn)象故障診斷故障排除一輛2011款大眾輝騰車，搭載3.6LCMV發(fā)動機（圖1
2025-11-19 17:52:402076 
? ? ? 電磁輻射通過熱效應、非熱效應和累積效應對人體造成直接和間接的傷害。研究證明鐵氧體吸波材料性能優(yōu)異，具有高吸收帶、高吸收率、匹配厚度薄的特點。這個吸波材料在電子設備中的應用，可以吸收泄漏
2025-11-12 10:55:46182 
PN 結是構成二極管、雙極型晶體管、MOS 晶體管等各類半導體器件的核心結構，其本質是 p 型半導體與 n 型半導體接觸后，在交界面形成的特殊功能薄層。PN 結的形成主要通過兩種方式：一是將獨立
2025-11-11 13:59:001268 
供應PN8200DF-A1國產X電容放電芯片兼容SC1143DG 和CAP200DG，提供放電芯片PN8200資料關鍵參數(shù) ，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2025-11-11 09:46:58
0 三結（TJ）GaInP/GaInAs/Ge太陽能電池雖是當前空間與聚光光伏應用的主流，但其鍺（Ge）底電池吸收了大量無法有效利用的近紅外光能，并導致子電池間的電流失配，限制了效率提升。理論上，通過
2025-11-07 09:02:47858 
PN8200是一款具有兩個端子的X電容放電專用芯片，其待機損耗低同時能夠滿足電源系統(tǒng)的安規(guī)標準。PN8200內置了兩個高壓VDMOS開關，可有效的保護芯片避免雷擊或浪涌的應力。芯片通過兩個放電電阻
2025-11-06 10:00:15
機制仍存在諸多未解之謎。本研究通過構建石墨烯與反鐵磁絕緣體CrOCl的異質結，并基于ECOPIA霍爾效應測試儀HMS-3000的高精度電學表征系統(tǒng)，首次觀測到一種
2025-09-29 13:46:17551 
肖特基二極管與普通硅二極管（PN結二極管）最核心的結構差異，就在于它沒有P+外延層（或P型半導體層），取而代之的是金屬-半導體結（肖特基結）。 圖表1 肖特基二極管的結構差異 1.更低的正向壓降
2025-09-22 16:40:132422 
數(shù)字模擬混合信號溫度傳感芯片的工作原理基于半導體PN結溫度特性與帶隙電壓的物理關系，通過CMOS工藝實現(xiàn)高精度溫度測量。
2025-09-19 09:54:08566 
，有沒有一種簡單且有效的器件實現(xiàn)對電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因為通過調控晶體管內建電場大小來實現(xiàn)對電壓的選擇，原理是PN結有內建電場，通過外加電場來增大或減小
2025-09-15 15:31:09
SMDJ17A單向TVS瞬態(tài)抑制二極管：3000W功率17V電壓高效瞬態(tài)電壓保護
2025-08-27 11:09:16577 
海量知識隨手查你的AI小助理為何越來越“絲滑”？三兩句文字眨眼變身美圖動畫是誰將你的奇思妙想逐一實現(xiàn)？手機拍照秒出大片行車導航精準選定最佳路線是誰在為你的假日保駕護航？輕輕一點，海量運算在你每一次
2025-08-26 09:24:19889 
焊接吊橋效應：表面貼裝技術中的立碑現(xiàn)象解析
2025-08-20 10:04:13838 哪個器件是半導體世界中非常簡單的？那一定是二極管，因為它只由一個PN結構成，而其他半導體器件都有無數(shù)個PN結！
2025-07-28 10:50:0415184 
分立元件知識與應用專題--電感知識及應用案例
2025-07-15 19:24:22353 
分立元件知識與應用專題--電容知識及應用案例
2025-07-15 19:22:33371 
)、數(shù)碼類PACK(C1)、小動力類PACK(C2)、儲能類PACK(C3)、光儲充系統(tǒng)(D1)、IPD研發(fā)流程(E1)等十個子知識體系，并以 L1 知識架構、L2 劃重點、L3 原理及經驗案例、L4 實戰(zhàn)性訓練和 Kill（知識實踐應用）的 5K 層級為系統(tǒng)方法論的新能源戰(zhàn)略助力計劃。
2025-07-15 19:17:01593 
目錄
第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合
第3章?器件制造技術
第4章?PN結和金屬半導體結
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
電子發(fā)燒友網為你提供()Hyperabrupt 結調諧變容二極管陶瓷封裝相關產品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有Hyperabrupt 結調諧變容二極管陶瓷封裝的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-11 18:30:46
電子發(fā)燒友網為你提供()突變結變容二極管陶瓷封裝相關產品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有突變結變容二極管陶瓷封裝的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，突變結變容二極管陶瓷封裝真值表，突變結變容二極管陶瓷封裝管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-10 18:29:59
新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術，為行業(yè)技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031014 
熱波系統(tǒng)通過激光誘導熱效應與晶格缺陷的關聯(lián)性實現(xiàn)摻雜濃度評估。其核心機制為：氬泵浦激光經雙面鏡聚焦于晶圓表面，通過光熱效應產生周期性熱波，導致局部晶格缺陷密度變化。
2025-07-04 11:32:212568 
的穩(wěn)定產生和有效傳輸。 超聲理療通過超聲波的熱效應、機械效應和空化效應等物理機制實現(xiàn)疾病治療。超聲波是一種高頻聲波，當其作用于人體組織時，會引起組織內部的摩擦生熱，產生熱效應；同時，超聲波的高頻振動可以產生機械
2025-07-03 15:33:18375 
對集成電路的影響，介紹高結溫帶來的挑戰(zhàn)，并提供適用于高功率的設計技術以應對這些挑戰(zhàn)。 高結溫帶來的挑戰(zhàn) 半導體器件在較高溫度下工作會降低電路性能，縮短使用壽命。對于硅基半導體而言，晶體管參數(shù)會隨著溫度的升高而下降，由
2025-06-18 17:13:08662 
現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結或肖特基勢壘結而構建的。在未來的幾年里，隨著CMOS制造技術的進步，器件的溝道長度將小于 10nm。在這么短的距離內，為使器件能夠工作，將采用非常高的摻雜濃度梯度。
2025-06-18 11:43:221011 
的，這將使不同空間位置的光所經歷的光程長度不同，即介質對入射光束的作用等價于光學透鏡，從而導致光束的自行聚焦效果。
特別地，當入射光束強度沿垂直光軸的界面內呈高斯形時，且強度足夠產生非線性效應的情況下
2025-06-17 08:52:44
NXP PN5120A0HN1 NFC前端芯片 特性參數(shù)、EDA模型與數(shù)據(jù)手冊下載
2025-06-03 17:25:541039 
進行仿真，結果不就能和測試對得上了嘛！按照燈芯效應大致建模后，仿真得到的過孔阻抗也是47歐姆的樣子，和測試出來的非常接近！
這次的確不止是粉絲們漲知識的一天，對于Chris來說同樣也是哈！當然這種效應
2025-05-26 14:10:09
瑞能G3 超結MOSFET Analyzation 瑞能超結MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴謹執(zhí)行三批次可靠性測試，確保產品品質。? ?瑞能超級結 MOSFET
2025-05-22 13:59:30490 
2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應晶體管，器件結構如圖1.15所示。從此，半導體界興起了一股研究無結場效應晶體管的熱潮，每年的國際
2025-05-19 16:08:13777 
長江連接器學堂開課啦學習無盡頭進步無極限在科技浪潮奔涌向前的今天，學習已然成為企業(yè)與個人破局成長的關鍵。長江連接器公司始終秉持著“學習無止境，進步無極限”的理念，為提升團隊專業(yè)素養(yǎng)，于5月17日
2025-05-17 23:35:05760 
當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成：雙極結型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結，MOSFET也是如此。結型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
的，這將使不同空間位置的光所經歷的光程長度不同，即介質對入射光束的作用等價于光學透鏡，從而導致光束的自行聚焦效果。
特別地，當入射光束強度沿垂直光軸的界面內呈高斯形時，且強度足夠產生非線性效應的情況下
2025-05-16 08:47:10
結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導體上制作兩個高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱為柵極（G），N型半導體兩端分別引出兩個電極，分別稱為漏極（D）和源極（S），如圖 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202621 
由于芯片結構的改變，超結MOS的結電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，超結MOS具有極低的內阻，在相同的芯片面積下，超結MOS芯片的內阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。今天
2025-05-13 11:11:14635 本篇技術文章深入探討了Allegro APS11753霍爾效應開關，分析了其復雜性并為工程師們提供了優(yōu)化設計開窗檢測解決方案所需的見解。我們將在基礎知識之上，根據(jù)霍爾效應原理，結合磁性開關的內部架構并探討為提升性能的先進設計技術。
2025-05-12 10:14:49949 
推薦超結MOS管在TV電視上的應用超結MOS管是現(xiàn)在大屏幕彩電中使用比較廣泛的功率開關管，它具有體積小、可靠性高、效率高等優(yōu)點。隨著TV電視的不斷創(chuàng)新，功率器件的設計及性能也在不斷地優(yōu)化升級。在電源
2025-05-07 14:36:38712 
超結MOS采用垂直結構設計，在漂移區(qū)內交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級結”單元，通過電荷補償技術突破傳統(tǒng)功率半導體“硅極限”的高壓器件，其核心設計通過優(yōu)化電場分布實現(xiàn)低導通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499 
電源之間必須加入一個電阻。
5、電子技術分為模擬電子技術和數(shù)字電子技術兩大部分，其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號下工作的電子電路及其技術，稱為模擬電子技術。
6、PN結反向偏置時，PN結的內
2025-04-25 15:51:11
接下來接著看 12N50 數(shù)據(jù)手冊上面這個參數(shù)是 MOSFET 的熱阻，RBJC 表示 MOS 管結溫到表面的 熱阻，這里我們知道 RBJC=0.75。熱阻的計算公式：RBJC = Tj?Tc P
2025-04-22 13:29:185 請問各位專家，我是一名學生，做的pn結器件進行電容-電壓測試時，曲線的每一部分都能說明什么問題呢？（測試時，p區(qū)從-3V變化到3V，n區(qū)為0V）感覺這個曲線和文獻中的形狀差別很大，在負偏壓區(qū)電容幾乎是定值，也沒找到類似的解釋。求教！
2025-04-22 10:51:09
，多數(shù)載子為空穴的半導體叫P型半導體。P型半導體與N型半導體接合后 便會形成P-N結。
6、PN結最主要的物理特性是什么？
答：單向導電能力和較為敏感的溫度特性。
7、PN結還有那些名稱？
答
2025-04-21 16:22:04
“趨膚效應”我們先拆開來理解
趨：可以理解為傾向的意思。
膚：可以用“表面”的意思去理解，而在電學中，這里的“趨膚”
其實就是：傾向于表面的意思，而這個表面就是導體的表面。那到底是什么傾向于導體
2025-04-21 11:37:24
大好春光，怎能宅家辜負？當你奔赴花海，手機咔咔不停，是不是常被數(shù)據(jù)存儲難題搞得心煩意亂？別愁啦，紫光閃存 UNIS PN C2 PSSD 來救場咯！
2025-04-15 16:44:44818 ，有沒有一種簡單且有效的器件實現(xiàn)對電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因為通過調控晶體管內建電場大小來實現(xiàn)對電壓的選擇，原理是PN結有內建電場，通過外加電場來增大或減小
2025-04-15 10:24:55
摻雜？
5、什么是N型半導體?什么是P型半導體?當兩種半導體制作在一起時會產生什么現(xiàn)象?
6、PN結最主要的物理特性是什么？
7、PN結還有那些名稱？
8、PN結上所加端電壓與電流是線性的嗎?它為
2025-04-07 10:21:30
您好 NXP，
PN7642 下載了固件。 INIT 中報告的錯誤，如下圖所示。
可能是什么問題？
謝謝。
2025-04-03 07:26:34
我正在開發(fā)的讀卡器使用 PN5180。
我想讀取 7 字節(jié) UID 的 Mifare Plus ev1 卡
但 PN5180數(shù)據(jù)表僅解釋了4字節(jié) UID 卡。
如何使用 PN7 制作具有 5180 字節(jié) UID 的身份驗證 mifare plus
請幫我怎么做。
2025-04-01 06:37:28
我使用設計工具設計了一個 DIY PN5180 NFC 模塊，但它沒有檢測到 NFC 卡。為了排除故障，需要檢查原理圖和元件值是否存在可能的錯誤。由于我是 NFC 設計的新手、PN5180數(shù)據(jù)表、AN11740（NFC 天線設計指南）等參考資料上傳我的原理圖，以及
2025-04-01 06:27:40
米勒效應的影響：MOSFET的柵極驅動過程，可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程；當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態(tài)；當
2025-03-25 13:37:58
LU是 Latch Up的簡寫，即閂鎖效應，也叫可控硅效應，表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車規(guī)芯片的規(guī)格書中通常都不會提供這個參數(shù)，而車規(guī)芯片的規(guī)格書中通常都會明確標注出來這個參數(shù)。這也是一個極為重要卻極容易被電子工程師忽略的參數(shù)。
2025-03-24 17:02:322735 
芯朋微集成霍爾傳感器的可編程單相無刷直流電機驅動芯片-PN7791 一、概述PN7791是一款可編程單相無刷直流電機驅動芯片，內部集成功率MOSFETs和霍爾效應傳感器，可以驅動峰值電流
2025-03-22 10:47:49
MDD整流二極管是電力電子和信號處理電路中的重要器件，其核心工作原理依賴于PN結的整流特性。PN結是由P型半導體和N型半導體構成的基本結構，通過其單向導電性，實現(xiàn)交流到直流的轉換。MDD本文將深入
2025-03-21 09:36:461410 
使用根據(jù)PN7160/PN7220 – Android 14 porting guide文件按照步驟將driver , device tree 以及Copy all NXP repositories
2025-03-21 07:31:26
是我們分析的超大型光波導激光器的截面：
二極管激光器由一個pn-結組成。用于激光模式的橫向波導是由蝕刻在結構中的兩個溝槽形成的。橫截面是由布局文件中的一些平行四邊形設置的.
熱傳導項目
為了研究溫度
2025-03-20 18:16:27
芯朋微代理商高低側柵極電機驅動芯片-PN7114 一、概述PN7114是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動芯片，其具有獨立的高低側輸出通道。PN7114浮地通道能在600V
2025-03-18 14:28:16
模擬電子基礎一--元器件介紹一、半導體（了解）1.1基礎知識1.2PN結二、二級管2.1定義與特性2.2二極管的分類三、三級管四、MOS管三、其他元器件管3.1電容3.2光耦3.3發(fā)聲器件3.4
2025-03-17 19:31:591860 
二極管是由一個PN結構成的半導體器件，即將一個PN結加一兩條電極引線做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線稱為正極或陽極，N型區(qū)的引出線稱為負極或陰極。普通二極管有硅管或鍺管兩種，它們的正向導通電壓（PN結電壓）差別較大，鍺管為0.2～0.3V，硅管為0.6～0.7V。
2025-03-14 17:31:28556 
隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術節(jié)點，原始的本征氧化隔離技術（LocOS）已不適應?！案綦x”是指利用介質材料或反向PN結隔離集成電路的有源區(qū)器件，消除寄生效應、降低工作電容。LocOS技術存在不平坦表面和“鳥嘴”現(xiàn)象，影響器件性能。
2025-03-12 14:05:442874 
RTD2523+MTV512+17寸電路原理圖
2025-03-11 15:42:000 內置650V小功率非隔離電源管理芯片-PN8008 一 概述PN8008集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外圍元器件精簡的小功率非隔離開關電源.PN
2025-03-10 10:59:05
芯朋微代理12V0.7A非隔離電源管理芯片-PN8039 一、概述 PN8039非隔離電源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡
2025-03-07 17:17:45
固定5V500mA輸出非隔離電源管理芯片-PN8009 一、概述 PN8009電源管理芯片集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功
2025-03-07 16:55:33
本書介紹了半導體，PN結，模擬集成單元電路，集成運算放大器等內容
2025-03-07 14:42:11
近期，鉍金屬市場經歷了一輪前所未有的瘋漲，這一趨勢對多個行業(yè)產生了深遠影響，其中就包括電子焊接領域。中低溫焊錫膏作為電子產品制造中不可或缺的材料，其成分中的鉍金屬正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機遇。本文將
2025-03-07 13:43:201256 
內容包括：二極管、PN結的形成及特性、三極管BJT、共射、共集電極、共基極放大電路、MOS場效應管、差分式放大電路、反饋、功率放大電路、濾波電路、RC正弦波振蕩、 LC正弦波振蕩器、電壓比較器、非正弦波振蕩電路、單相橋式整流、電容濾波電路。
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2025-03-05 17:02:00
高精度電流測試產品 電流測量可利用電流的各種效應進行測量，比如電效應、磁效應、熱效應、化學效應等都可以，其中最方便、用的最多的還是電效應和磁效應。 一常用的電流測量技術 ?常用的電流測量技術多是
2025-03-05 08:51:581276 
模電手賬筆記（17）
2025-03-05 08:17:59632 
隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
本文要點文丘里效應方程實際上意味著什么？在哪里可以觀察到文丘里效應？如何在CFD中更好地實現(xiàn)文丘里效應？人們常說，數(shù)學是通用語言。這一論斷的依據(jù)可能是：物理現(xiàn)象和理論概念可以用符號和方程來呈現(xiàn)。我們
2025-02-28 18:08:171465 
摘要
Talbot效應是一種眾所周知的近場衍射效應。當周期結構(例如，一個光柵)被準直的光照射時，在該光柵后面的特定規(guī)則間隔，可以觀察到其重建圖像。分隔這兩個平面的具體距離被稱為Talbot距離，以
2025-02-26 08:52:16
在衍射光學中，當周期性結構被準直光照射時，可以觀察到在物體后面周期性距離處形成的周期性結構的圖像。這就是眾所周知的 Talbot 效應（用所謂的 Talbot 距離來描述周期性間隔），它已經在例如
2025-02-26 08:49:53
騰訊AI圖書館來了，是時候升級英飛凌工業(yè)半導體的《微信圖書館》啦。（對于工程師零難度）近日騰訊推出了AI智能工作臺ima.copilot，本人親測，可以在微信平臺上建立方便實用的私人圖書館
2025-02-25 17:33:262299 在現(xiàn)代電子技術中，高頻二極管扮演著至關重要的角色。它們不僅在通信、雷達、衛(wèi)星等領域有著廣泛的應用，還在消費電子產品中發(fā)揮著不可或缺的作用。 1. 高頻二極管的工作原理 高頻二極管是一種利用PN結
2025-02-07 09:48:591252 二極管的核心是由P型和N型半導體材料組成的PN結。當正向偏置時（即正極連接P型材料，負極連接N型材料），PN結導通，電流可以順利通過。而當反向偏置時，PN結截止，電流幾乎無法通過。這種特性使得二極管在信號整形中非常有用。
2025-02-07 09:47:211009 幫助的。二極管由一個PN結組成，當正向偏置時（陽極電壓高于陰極電壓），PN結允許電流通過；當反向偏置時（陰極電壓高于陽極電壓），PN結阻止電流通過。 二極管的溫度特性 正向電壓降的變化 ：二極管的正向電壓降（Vf）隨溫度升高
2025-02-07 09:41:463481 一、整流二極管工作原理 整流二極管是一種具有單向導電性的半導體器件，其核心在于PN結的特殊性質。整流二極管的工作原理主要基于PN結在外加電壓作用下的導電特性。 1. PN結的形成與特性 PN結是由P
2025-01-31 10:57:002887 大模型進化論：AI產業(yè)落地將卷向何方？
2025-01-24 09:28:14546 ?隨著人工智能技術的突飛猛進，AI工程師成為了眾多求職者夢寐以求的職業(yè)。想要拿下這份工作，面試的時候得展示出你不僅技術過硬，還得能解決問題。所以，提前準備一些面試常問的問題，比如概率論與統(tǒng)計知識
2025-01-22 13:00:001467 
在現(xiàn)代光學系統(tǒng)中，超快現(xiàn)象經常被應用于各種各樣的場合。由于這種短脈沖的光譜帶寬很大，色散效應在這些系統(tǒng)的設計和分析中起著重要作用。因此，為了確保準確和合適的建模，系統(tǒng)中的所有色散效應都必須
2025-01-21 10:02:03
載流子的走向一致，不同的是起點。
2025-01-16 06:23:20
是一種半導體器件，其核心功能是只允許電流單向流動。這種特性使得整流二極管成為將交流電轉換為直流電的理想選擇。 結構與工作原理 整流二極管通常由一個PN結組成，當正向偏置時，PN結導通，允許電流通過；當反向偏置時，PN結截
2025-01-15 09:34:011617 5KP17A瞬態(tài)抑制二極管17伏電壓參數(shù)詳情
2025-01-13 15:02:061054 
電子發(fā)燒友網站提供《AN-137：使用外部PN結的精確溫度檢測.pdf》資料免費下載
2025-01-12 11:11:321 日前，深圳市博實結科技股份有限公司、惠州市博實結科技有限公司憑借“面向安全駕駛的智能車載終端關鍵技術研發(fā)及產業(yè)化”項目成功榮獲“廣東省電子信息行業(yè)科學技術獎（科技進步獎一等獎）”。
2025-01-10 09:43:04760 場效應管代換手冊
2025-01-08 13:44:213 ? 本文介紹了霍爾效應和量子霍爾效應的原理與機制。 量子霍爾效應是指在低溫和強磁場環(huán)境下的二維電子系統(tǒng)中出現(xiàn)的一種現(xiàn)象。自1980年，首次發(fā)現(xiàn)量子霍爾效應以來，它就成為凝聚態(tài)物理學中的基石，為我們
2025-01-07 10:20:442545 三極管的三種狀態(tài)分別是截止狀態(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)，這三種狀態(tài)的理解如下： 一、截止狀態(tài) 定義 ：當三極管的發(fā)射結電壓低于PN結的導通電壓時，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流也都為零。此時
2025-01-06 10:30:073582
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工商網監(jiān)
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