2.2巨量轉(zhuǎn)移技術

磊晶部分結束后，需要將已點亮的LED晶體薄膜無需封裝直接搬運到驅(qū)動背板上，這種技術叫做巨量轉(zhuǎn)移。其中技術難點有兩個部分：

1）轉(zhuǎn)移的僅僅是已經(jīng)點亮的LED晶體外延層，并不轉(zhuǎn)移原生基底，搬運厚度僅有3%，同時MicroLED尺寸極小，需要更加精細化的操作技術。

2）一次轉(zhuǎn)移需要移動幾萬乃至幾十萬顆LED，數(shù)量巨大，需要新技術滿足這一要求。

目前各大廠商在這個技術難關上各顯神通，在巨量轉(zhuǎn)移技術上各公司累計申請了十多項專利，預計這個技術門檻將會較快攻破。

Luxvue轉(zhuǎn)移技術相關專利圖 圖片來源：Patent

2.3驅(qū)動系統(tǒng)

LED晶元通過巨量轉(zhuǎn)移到電路板后，能藉由整合微透鏡陣列，提高亮度及對比度。 Micro LED陣列經(jīng)由垂直交錯的正、負柵狀電極連結每一顆Micro LED的正、負極，透過電極線的依序通電，透過掃描方式點亮Micro LED以顯示影像。

Micro LED結構圖 epoxy環(huán)氧樹脂 electrode電極 資料來源：LEDinside

2.4 Micro LED技術瓶頸

Micro LED尚有較多技術工藝問題需要解決，從實現(xiàn)路徑到成本良率都有諸多挑戰(zhàn)。

在Micro LED轉(zhuǎn)移過程中，納米級LED的轉(zhuǎn)運是核心問題之一。在藍寶石類基板上生長出來的Micro LED需要轉(zhuǎn)移到玻璃基板上，由于尺寸不匹配，因此需要進行多次轉(zhuǎn)運。對于微器件的多次轉(zhuǎn)運技術難度都是特別高，而用在追求高精度顯示器的產(chǎn)品上難度就更大。Luxvue主要是采用電學方式完成轉(zhuǎn)運過程。

晶元一致化問題也需要解決。LED從wafer切成chip后，每個LED chip并不會呈現(xiàn)完美一致的波長，不同波長呈現(xiàn)出來的色彩不同，對于傳統(tǒng)LED來說，可以靠分Bin、配Bin達到顯示的要求。但Micro LED晶元數(shù)量巨大，采用傳統(tǒng)分Bin方式效率低且設備投資成本過大，不利于規(guī)?；a(chǎn)。這個問題有兩類解決方案：一是以現(xiàn)有的晶元技術，將Micro LED應用做到小尺寸，高PPI的地方，比如可穿戴設備，并且小尺寸對精細度要求也相對較低。不過這種解決方案限制了Micro LED的市場空間。另一類解決方案就是在磊晶階段通過改善生產(chǎn)工藝或者設備直接控制均勻性。

Luxvue抓取示意圖 資料來源：Patant

Micro LED實現(xiàn)單色比較簡單，通過倒裝結構封裝和驅(qū)動IC貼合就可以實現(xiàn)，但要實現(xiàn)全彩就相對復雜，用傳統(tǒng)的RGB三色列陣R需要分次轉(zhuǎn)貼紅、藍、綠三色的晶粒，嵌入幾十萬顆LED晶粒，對于LED晶粒光效、波長的一致性、良率要求更高。為結局屏幕色彩問題目前有三種路徑實現(xiàn)： RGB三色LED法、UV/藍光LED+2發(fā)光介質(zhì)法、光學透鏡合成法。

資料來源：LEDinside

為解決各種技術瓶頸，各家廠商各顯神通： VerLASE擁有色彩轉(zhuǎn)換技術專利，能夠讓全彩MicroLED陣列適用于近眼顯示器；Leti采用量子點實現(xiàn)全彩顯示，推出了iLED matrix，其藍光EQE9.5%，亮度可達107Cd/m2;綠光EQE5.9%，亮度可達108Cd/m2，Pitch只有10um，未來目標做到1um。***Play Nitride公布以氮化鎵為基礎的PixeLEDTM display技術，公司目前透過移轉(zhuǎn)技術轉(zhuǎn)移至面板，轉(zhuǎn)移良率可達99%。預計3-5年后Micro LED或可開始商用化進程。