惠普研發(fā)具存儲和運算功能記憶電阻芯片

　　惠普今天披露了“記憶電阻”研究項目的信息。業(yè)內(nèi)分析師認為，這一技術(shù)將對計算機和個人設備產(chǎn)生極大影響。

　　盡管記憶電阻的初衷是擴大設備的存儲容量，但惠普的研究人員發(fā)現(xiàn)，這一技術(shù)也可以用于邏輯運算。這意味著，未來6至8年內(nèi)記憶電阻器芯片可以同時處理存儲 和邏輯運算任務。分析師稱，這將給計算機產(chǎn)業(yè)帶來重大變化。

　　加百利咨詢集團分析師丹·奧茲(Dan Olds)表示，記憶電阻器可能會“顛覆”計算世界，因為采用這一技術(shù)的芯片可以同時充當存儲裝置和處理器，與大腦的神經(jīng)節(jié)相似。與傳統(tǒng)計算機相比，新型計算機在執(zhí)行模式識別等任務時的速度要快得多。由于具有存儲能力，新型計算機的“學習”能力要高于當前的系統(tǒng)。

　　惠普高級研究人員斯坦·威廉斯(Stan Williams)表示，記憶電阻器技術(shù)尚處于研究階段，將被添加到芯片中。他指出，盡管今天有媒體稱記憶電阻器能夠取代晶體管，但實際情況并非如此。記憶電阻器與晶體管相輔相成。威廉斯在接受采訪時說，“記憶電阻器是晶體管電路的增壓器，我們目前開發(fā)的電路混合使用了記憶電阻器和晶體管。”

　　這種混合設計可以用于PC和智能手機等小型電子設備中，將改變芯片的基本設計。目前，設備的計算和存儲功能是在不同芯片或同一芯片的不同部分完成的，數(shù)據(jù)需要在存儲和計算功能之間傳輸，造成了計算時間和能耗的浪費。威廉斯說，記憶電阻器無需在存儲芯片和邏輯芯片之間傳輸數(shù)據(jù)，指令被發(fā)送給存儲有數(shù)據(jù)的電路，完成運算后輸出結(jié)果。

　　威廉斯預計，記憶電阻器存儲芯片將于3年后問世，與閃存芯片相比，新型存儲芯片容量更大、能耗更低、速度更快，“我們預計，記憶電阻器存儲芯片將于未來3年后問世，存儲容量是閃存芯片的逾2倍，速度快10倍”。

　　威廉斯表示，他希望同時完成運行和存儲功能的記憶電阻器芯片能于2015年之后問世。

　　市場研究公司 Enderle Group分析師羅布·恩德勒(Rob Enderle)稱，記憶電阻器可能成為游戲規(guī)則改變者，“如果惠普能以合理的價格及時推出產(chǎn)品，將改變個人電子產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)的格局”。

　　市場研究公司Gartner分析師馬丁·雷諾茲(Martin Reynolds)說，記憶電阻器將極大地改變閃存產(chǎn)業(yè)，“惠普預計記憶電阻器芯片將于2013年問世，將迅速地蠶食閃存芯片的市場。存儲成本將不斷下降。采用記憶電阻器芯片的設備尺寸將更小，功能將更強大”。

　　奧茲指出，記憶電阻器芯片有相當大的優(yōu)勢。記憶電阻器芯片比閃存芯片小7至9倍，意味著設備在更小的空間中可以提供更大的存儲容量，“記憶電阻器芯片將催生3D互聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)的問世。與目前的設備相比，采用記憶電阻器芯片的設備將有很大不同之處。首先其尺寸更小，其次可以產(chǎn)生更真實的視覺體驗。它們具有與其尺寸不相稱的處理能力，生成內(nèi)容的速度足夠快，提高虛擬體驗的逼真度。

　　威廉斯表示，由于惠普本身并非是芯片廠商，因此將與多家芯片廠商就其新芯片設計展開合作。但威廉斯沒有披露參與記憶電阻器項目的芯片廠商。