羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓)較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V，降到了以往1.2V的一半以下，低于Si制FRD(Fast Recovery Diode，快恢復(fù)二極管)的0.6V。

　　SBD盡管可通過改進(jìn)電極金屬及成膜條件來降低導(dǎo)通電壓，但卻存在漏電流變大的課題。此次在降低導(dǎo)通電壓的同時，通過挖掘溝道后在其中設(shè)置p型層，減輕了電場集中效應(yīng)，抑制了漏電流。通過這一手段，實(shí)現(xiàn)了0.5V的導(dǎo)通電壓?！芭c以往構(gòu)造的SiC制SBD相比，將漏電流減小了5位數(shù)”(解說員)。此次試制的是耐壓為600V、電流容量為10A的品種。

　　溝道型SBD目前還只是研發(fā)品，“目標(biāo)是2年后實(shí)現(xiàn)實(shí)用化”(解說員)。在以往構(gòu)造的SBD方面，羅姆也在努力降低導(dǎo)通電壓，打算陸續(xù)推出產(chǎn)品。

　　在源極正下方挖掘溝道

　　此次同時展示的溝道型SiC制MOSFET的特點(diǎn)在于耐壓600V下導(dǎo)通電阻只有1mΩcm2?！氨饶蛪合嗤腟i制超結(jié)(Super-Junction)構(gòu)造的MOSFET及IGBT小1位數(shù)”(解說員)。

　　導(dǎo)通電阻小是因為采用了不僅在柵極正下方而且還在源極正下方設(shè)置溝道的“雙溝道構(gòu)造”。在源極正下方挖掘溝道，并在該溝道中設(shè)置p型層。通過這一手段，減輕了截止時柵極部分產(chǎn)生的電場集中效應(yīng)，促進(jìn)了導(dǎo)通電阻的降低。