CC115L：一款成本優(yōu)化的亞1GHz RF發(fā)射器 在當今的無線通信領域，成本優(yōu)化和高性能是永恒的追求。德州儀器（TI）的CC115L亞1GHz RF發(fā)射器，就是這樣一款在成本和性能之間取得了出色
2026-01-05 17:50:03
47 AD8353 RF增益模塊：高性能寬帶放大器的理想選擇 在無線通信和射頻系統(tǒng)中，高性能的放大器是不可或缺的關鍵組件。今天，我們要深入探討的是Analog Devices公司的AD8353 RF增益
2026-01-05 16:35:1326 ADL5604：超寬帶RF驅動放大器的卓越之選 在當今的射頻（RF）設計領域，一款性能卓越的驅動放大器對于系統(tǒng)的整體表現起著關鍵作用。今天，我們就來深入了解一下Analog Devices推出
2026-01-05 15:55:1535 ”軍規(guī)寬帶小功率頻放大器芯片，裸 Die、TO-8、SMD 三種封裝任選，既能當發(fā)射機推動，又能做高 IP3 緩沖，是 30 MHz、50 MHz、144 MHz 三波段最常用的一顆軍工級芯片。額定指標
2025-12-22 09:11:25
）連續(xù)波功率：50 W（典型）線性度：IIP3 ≥ 65 dBm（@ 2 GHz）工作溫度：-40 °C ~ +85 °C供電：5 V，驅動電流約 50 mA封裝：16-PQFN (4 × 4 mm
2025-12-01 09:02:41
。轉換增益：-6.5 dB。本振驅動功率：17 dBm，可在低至 +15 dBm 的驅動電平下運行。三階交調截點（IIP3）：22 dBm。隔離度：LO-RF 隔離度：37 dB，有效抑制本振信號泄漏至
2025-11-28 08:45:18
XL2400T是深圳市芯嶺技術有限公司最新推出的2.4g射頻單RF芯片，腳位兼容XL2400P，軟件只需要簡單改動就能使用。XL2400T最大輸出功率可達13DBM，我們在空曠場景下實測通訊距離最遠
2025-11-21 14:32:28
LM15851器件是一種寬帶采樣和數字調諧器件。德州儀器（TI）的千兆采樣模數轉換器（ADC）技術能夠直接在RF下對大塊頻譜進行采樣。集成的DDC（數字下變頻器）提供數字濾波和下變頻。選定的頻率塊
2025-11-12 16:23:44401 
LTM4739是LINEAR推出的完整單路10A降壓開關模式電源μModule?穩(wěn)壓器，其高度集成化設計將控制器、功率器件及無源元件集成于緊湊封裝中，支持3V至15V寬輸入電壓范圍，并具備高效能
2025-11-04 09:14:53
電子發(fā)燒友網為你提供()高 IIP3 10 MHz 至 1.5 GHz 電壓控制可變衰減器相關產品參數、數據手冊，更有高 IIP3 10 MHz 至 1.5 GHz 電壓控制可變衰減器的引腳圖
2025-10-31 18:32:25
ADM-10699PSM是由Marki推出的一款寬帶低噪聲放大器，專為空間受限、低功耗設計優(yōu)化，僅需單個3?54伏電源?mA偏置電流，即可實現15.1dB增益、2.3dB典型噪聲系數。它結構簡潔，除
2025-10-30 09:43:57
場景優(yōu)化。器件集成本振（LO）緩沖放大器，支持 1GHz 至 12GHz 本振頻率，僅需 0dBm 本振功率即可驅動，在低功耗前提下實現高輸入三階交調點（IIP3）
2025-10-16 16:00:20
（RF）應用優(yōu)化。為實現最佳性能，本振（LO）頻率需落在 1.7GHz 至 2.5GHz 范圍內，典型應用場景為 LTE 或 WiMAX 接收器，適配 2.3GHz
2025-10-16 10:53:58
CMD177C3是 Qorvo（原Custom MMIC）推出的一款6–14 GHz 雙平衡無源混頻器，采用 3×3 mm QFN 無鉛表貼封裝，該器件可配合外部 90° 混合器與功分器，快速搭出
2025-10-16 09:17:28
。接收器鏈和發(fā)送器鏈的高動態(tài)范圍使無線基站能夠生成和接收3G、4G和5G信號。同時，寬帶寬能力使AFE8092器件能夠適用于多頻段4G和5G基站。
2025-09-12 14:16:55683 ）、高隔離度（8 GHz時達48 dB）及優(yōu)異的線性度（P1dB達37 dBm，IIP3達62 dBm），可廣泛應用于測試測量、衛(wèi)星通信、軍用雷達及5G基站等高頻場景，支持正電壓控制（0/+3.3 V
2025-09-12 09:18:48
IIP3 (不衰減)增益控制: 8 dB 范圍低功耗: 250 mA (總電流) CHR3894-QE
2025-08-29 16:42:17
(IIP3) | 3 | dBm直流漏極電壓 (VD, VDL) | 4.5 | V漏極電流 (Id) | 380 | mA
2025-08-29 15:10:18
Texas Instruments AFE7955 2T3R RF采樣模擬前端（AFE）是一款高性能、寬帶寬多通道收發(fā)器，集成了兩個RF采樣發(fā)送器鏈和三個RF采樣接收器鏈。該器件的工作頻率高達
2025-08-21 14:29:59767 
Texas Instruments ADC34RF55 14位RF采樣模數轉換器（ADC）是一款單核14位、3GSPS、四通道ADC，支持RF采樣，輸入頻率高達3GHz。該設計的噪聲頻譜密度為
2025-08-14 15:37:131137 
插入損耗：0.8 dB @ 2 GHz（典型值）隔離度：59 dB @ 2 GHz（典型值）線性度（IIP3）：43 dBm（典型值）轉換速度：75 ns（典型值）特性阻抗：50 Ω封裝類型：Die
2025-07-18 08:57:26
電子發(fā)燒友網為你提供()用于混合組裝的微型寬帶寬光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有用于混合組裝的微型寬帶寬光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，用于混合組裝的微型寬帶寬光耦合器真值表，用于混合組裝的微型寬帶寬光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-03 18:32:41
RFLUPA18G40GD寬帶固態(tài)功率放大器18GHz-40GHzRFLUPA18G40GD是一款由 RF-Lambda 生產的寬帶固態(tài)功率放大器，頻率范圍為18至40GHz
2025-06-09 08:49:58
dBm，PCS 頻段 IIP2 為 115 dBm（典型值）。低功耗：適合電池操作的應用。集成解碼邏輯：僅需兩條控制線即可實現開關控制。應用天線調諧應用IEEE802.11b/g無線局域網應用多模GSM/WCDMA手機CDMA主路徑手機
2025-06-06 09:19:12
90o射頻混合器DQS-30-450是一種工作在30-450 MHz頻率范圍內的超寬帶射頻混合器，具有15:1的超寬帶頻率特性。它采用貼片式金屬集成設計，適用于功放、混頻器、I &Q模塊、移相器等
2025-05-30 15:20:37
電子發(fā)燒友網為你提供()高 IIP3 2.1 至 3.1 GHz 電壓控制可變衰減器相關產品參數、數據手冊，更有高 IIP3 2.1 至 3.1 GHz 電壓控制可變衰減器的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-05-27 18:30:54
電子發(fā)燒友網為你提供()高 IIP3 1.4 至 2.4 GHz 壓控可變衰減器相關產品參數、數據手冊，更有高 IIP3 1.4 至 2.4 GHz 壓控可變衰減器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文
2025-05-27 18:30:00
Q3XG-1500R-SMA是由Electro-Photonics生產的一款 90° 四分之一波長混合耦合器，采用先進微帶線設計，工作頻率覆蓋1.5GHz核心頻段，有低插入損耗（<
2025-05-27 08:58:03
電子發(fā)燒友網為你提供()高 IIP3、2.6 至 5.0 GHz 電壓控制可變衰減器相關產品參數、數據手冊，更有高 IIP3、2.6 至 5.0 GHz 電壓控制可變衰減器的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-05-26 18:34:39
KRYTAR 3 dB 90度混合覆蓋度0.5至40 GHz90度混合器用于需要將功率平衡分配到兩條傳輸線且相分離為90度的電路中。應用包括信號分配器，組合器，平衡混頻器，鏡像抑制混頻器，移相器
2025-05-26 14:51:34
為0.5 (LSB)、1、2、4和8。衰減精度非常高，典型步長誤差為±0.3 dB，IIP3為+45 dBm?？刂平涌诩嫒軨MOS/TTL，可接受三線式串行輸入。HMC1019ALP4E具有用戶可選上電狀態(tài)和串行輸出端口，可級聯(lián)其他ADI控制組件。
2025-05-02 14:10:00768 
1.0 (LSB)、2、4、8和16。衰減精度非常高，典型步長誤差為±0.4 dB，IIP3為+43 dBm?？刂平涌诩嫒軨MOS/TTL，可接受三線式串行輸入。HMC1018ALP4E具有用戶可選上電狀態(tài)和串行輸出端口，從而級聯(lián)其他ADI控制組件。
2025-05-02 14:00:00781 
MAX9989和MAX9990 LO緩沖器可以提供足夠高的輸出(+14dBm至+20dBm)以驅動高線性度無源混頻器的LO輸入，同時，它還具有40dB的反向隔離以防止LO牽引。MAX9989在蜂窩/GSM頻段提供內部匹配，MAX9990匹配于DCS/PCS/UMTS頻段。
2025-04-29 10:58:23792 
，典型步長誤差為±0.25 dB，IIP3為+50 dBm。 六位串行控制字用于選擇各衰減狀態(tài)。 需要+5V的單個Vcc偏置。
2025-04-24 16:14:56722 
(LSB)、2和4 dB，總衰減為7 dB。 衰減精度非常高，典型步長誤差為±0.4 dB，IIP3為+55 dBm。 三個控制電壓輸入在0和+5V之間切換，用于選擇每個衰減狀態(tài)。 需要+5V的單個Vdd偏置。
2025-04-24 15:29:18708 
、2、4、8和16 dB，總衰減為31.5 dB。衰減精度非常高，典型步長誤差為± 0.5 dB，IIP3為+40 dBm。六個控制電壓輸入，在0和+3至+5V之間切換，用于選擇每個衰減狀態(tài)。需要+3至+5V的VDD單偏置。
2025-04-24 15:17:27641 
1.5至2.3 dB。 對于15.5 dB的總衰減，這些衰減器位值為0.5 (LSB)、1、2、4和8 dB。 在± 0.2 dB（典型值）時，衰減精度較佳且IIP3高達+52 dBm。 五個控制電壓輸入
2025-04-24 14:22:03699 
步長誤差為± 0.25 dB，IIP3為+54 dBm。 使用六個TTL/CMOS控制輸入來選擇每個衰減狀態(tài)。 需要+5V的單個Vdd偏置。
2025-04-24 11:31:45824 
，衰減器位值為1 (LSB)、2、4、8和16 dB。在±0.2 dB（典型值）時，精度較佳且IIP3高達+46 dBm。五位控制電壓輸入，在0和+3至+5 V之間切換，用于選擇每個衰減狀態(tài)。需通過外部5K Ohm電阻施加+3至+5 V的單Vdd偏置。
2025-04-24 10:18:06805 
插入損耗小于1.5至2 dB。 對于15.5 dB的總衰減，衰減器位值為0.5 (LSB)、1、2、4和8 dB。 在±0.25 dB（典型值）時，衰減精度最佳且IIP3高達+52 dBm。 五位串行控制字用于選擇各衰減狀態(tài)。 需通過外部5 kOhm電阻施加+3V至+5V的單Vcc偏置。
2025-04-24 10:11:10695 
、8和16 dB，總衰減為31.5 dB。衰減精度非常高，典型步長誤差為±0.5 dB，IIP3為+34 dBm。六個控制電壓輸入，在0和-5V之間切換，用于選擇每個衰減狀態(tài)。單個Vee偏置為-5V
2025-04-24 09:56:12659 
、8和16 dB，總衰減為31.5 dB。衰減精度非常高，典型步長誤差為±0.5 dB，IIP3為+34 dBm。六位控制電壓輸入在0和-5V之間切換，用于選擇每個衰減狀態(tài)（每個小于70 μA）。單個Vee偏置為-5V，允許在低至DC的頻率下運行。
2025-04-24 09:53:30684 
0.5 (LSB)、1、2、4和8。衰減精度非常高，典型步長誤差為±0.3 dB，IIP3為+45 dBm。五個控制電壓輸入在+5V和0V之間切換，用于選擇每個衰減狀態(tài)。
2025-04-24 09:16:22670 
和16。衰減精度非常高，典型步長誤差小于±1.0 dB，IIP3為+43 dBm。五個控制電壓輸入在+5V和0V之間切換，用于選擇每個衰減狀態(tài)。
2025-04-23 15:01:39660 
、4和8。衰減精度非常高，典型步長誤差小于± 0.5 dB，IIP3為+45 dBm。五個控制電壓輸入在+5V和0V之間切換，用于選擇每個衰減狀態(tài)。
2025-04-23 14:56:59838 
。衰減器位值為 0.5 (LSB)、1、2、4、8，總衰減為 15.5 dB。IIP3 為 +45 dBm 時，衰減精度非常好，典型步進誤差小于 ±0.5 dB。
2025-04-23 13:57:37725 
。衰減器位值為 1.0 (LSB)、1、2、4、8，總衰減為 31 dB。IIP3 為 +43 dBm 時，衰減精度非常好，典型步進誤差小于 ±1.0 dB。
2025-04-23 13:53:05688 
HMC8414是一款具有旁路開關的低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為0.1 GHz至10 GHz。集成旁路開關可實現具有接收路徑信號變化較大的高動態(tài)范圍系統(tǒng)。在旁路路徑中，典型插入損耗和輸入三階交調點(IIP3)分別為1.5 dB和49.4 dBm。
2025-04-22 11:10:35928 
dB 壓縮（OP1dB）、輸出三階截距（OIP3）和輸出二階截距（OIP2）的參數分別為 16 dBm、29.5 dBm 和 33 dBm，頻率范圍為 30 kHz 至 14 GHz。可調節(jié)的標稱靜態(tài)
2025-04-22 09:31:00912 
壓縮（OP1dB）、輸出三階截距（OIP3）和輸出二階截距（OIP2）的參數分別為 20 dBm、33.5 dBm 和 37 dBm，頻率范圍為 2 GHz 至 6 GHz。標稱靜態(tài)電流 (I~D~Q
2025-04-22 09:25:07986 
HMC578LC3B是一款使用GaAs PHEMT技術的x2有源寬帶倍頻器，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 由+3 dBm信號驅動時，該倍頻器在24至33 GHz范圍內提供+15 dBm的典型輸出功率。 在28 GHz頻率下，Fo和3Fo隔離分別大于20 dBc和30 dBc。
2025-04-18 13:56:37823 
HMC573LC3B是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs PHEMT技術，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 由+5 dBm信號驅動時，該倍頻器提供+12 dBm的典型輸出功率，在8至22
2025-04-18 11:13:24749 
HMC631LP3和HMC631LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調制器RFIC，可用于RF預失真和前饋消除電路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)
2025-04-09 11:22:37859 
HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調制器RFIC，可用于RF預失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)改變RF
2025-04-09 11:16:06911 
HMC500LP3(E)是一款高動態(tài)范圍的矢量調制器RFIC，用于RF預失真和前饋消除電路，以及RF消除和波束成形幅度/相位校正電路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口，持續(xù)改變RF信號
2025-04-09 10:55:15826 
AD8340矢量調制器可對RF信號執(zhí)行任意振幅與相位調制。由于RF信號路徑為線性，因此原始調制得以保留。該器件可以用作通用RF調制器、可變衰減器/移相器或再調制器。振幅可以控制在最大?2 dB至
2025-04-09 09:57:30918 
MAX9993高線性度下變頻混頻器能夠為UMTS、DCS和PCS基站系統(tǒng)提供8.5dB增益、+23.55dBm IIP3和9.5dB的噪聲系數。
MAX9993在RF和LO端口集成了非平衡
2025-03-31 16:18:28995 
MAX9995雙路、高線性度、下變頻混頻器能夠為WCDMA、TD-SCDMA、LTE、TD-LTE和GSM/EDGE基站應用提供6.1dB增益、+25.6dBm的IIP3和9.8dB的NF
2025-03-31 15:15:17845 
MAX9994是具有高線性度的下變頻混頻器，為1400MHz至2200MHz UMTS/WCDMA、DCS與PCS基站接收器提供8.3dB增益、+26dBm IIP3和9.7dB NF。利用
2025-03-31 15:00:07684 
MAX9984高線性度下變頻混頻器具有8.1dB增益、+25dBm IIP3和9.3dB NF，適用于400MHz至1000MHz基站接收機應用?。該款特殊的混頻器優(yōu)化在570MHz至850MHz
2025-03-31 13:53:00894 
MAX2031高線性度、無源上變頻或下變頻混頻器在650MHz至1000MHz的RF頻段具有+36dBm IIP3, 7dB NF和7dB變頻損耗，支持GSM/蜂窩基站發(fā)射器或接收器應用。該混頻器LO頻率范圍為650MHz至1250MHz，適用于高端LO注入結構。
2025-03-31 13:49:15735 
MAX9986A高線性度下變頻混頻器具有8.2dB增益、+25dBm IIP3和10dB NF，適用于815MHz至1000MHz基站接收機。在960MHz至1180MHz LO頻率范圍內，這款特殊的混頻器非常適合高邊LO注入接收架構。MAX9984支持低邊LO注入，并與MAX9986A引腳和功能兼容。
2025-03-31 11:54:28981 
發(fā)射器或接收器應用。下變頻和上變頻轉換器的IIP3典型值均為+33.5dBm。該混頻器的LO頻率范圍為1900MHz至3000MHz，非常適合高端LO注入結構(對于引腳兼容的低端LO注入混頻器，請參考MAX2039)。
2025-03-31 11:47:52754 
MAX9985高線性度、雙通道下變頻混頻器具有約6dB增益、+28.5dBm IIP3和10.5dB噪聲系數(NF)，可理想用于分集接收機應用。該混頻器具有700MHz至1000MHz RF頻率范圍
2025-03-31 10:22:33783 
MAX2029高線性度、無源上變頻/下變頻混頻器在815MHz至1000MHz的RF頻率范圍內提供+36.5dBm IIP3、 6.7dB NF以及6.5dB變換損耗，支持GSM/蜂窩基站發(fā)送器或
2025-03-31 10:09:33898 
MAX19985A高線性度、雙通道、下變頻混頻器可為700MHz至1000MHz接收機應用提供8.7dB增益、+25.5dBm IIP3和9.0dB噪聲系數。該混頻器具有900MHz至1300MHz
2025-03-31 09:49:11840 
MAX19996單路、高線性度下變頻混頻器可為2000MHz至3000MHz的WCS、LTE、WiMAX?以及MMDS無線基礎設施應用提供8.7dB轉換增益、+24.5dBm IIP3和9.6dB
2025-03-31 09:43:11750 
200MHz 至 3.5GHz 的 LO 頻率范圍。LTC5551 具有非常高的 IIP3 和 P1dB 及低功耗特性。該器件的一種典型應用是涵蓋 700MHz 至 2.7GHz 頻率范圍的基站接收機。RF 輸入能夠與眾多頻率相匹配，而且 IF 可在高達 1GHz 的頻率條件下使用。
2025-03-28 11:16:461028 
LTC5577 有源混頻器專為要求高輸入信號處理能力和寬帶寬的 RF下變頻應用而優(yōu)化。寬帶IF 輸出采用外部電阻器來設定輸出阻抗，從而提供了與差分IF 負載(例如：濾波器和放大器)直接匹配的靈活性
2025-03-28 11:10:32899 
集成型 LO 緩沖放大器可支持 1GHz 至 12GHz 的 LO 頻率，且僅需 0dBm 的 LO 功率。LTC5549 能夠以低功耗提供高 IIP3 和輸入 P1dB。
2025-03-28 10:46:431023 
700 MHz至3800 MHz RF帶寬應用，包括蜂窩/3G、LTE/WiMAX/4G。 與傳統(tǒng)的窄帶下變頻器不同，HMC1190ALP6NE在RF頻率范圍同時支持高端和低端LO注入。 RF和LO輸入端口內部匹配50 Ω。
2025-03-28 10:13:58867 
Q3XP-10000R-SMA混合耦合器Electro-PhotonicsQ3XP-10000R-SMA混合耦合器是一款專為應對嚴苛信號處理環(huán)境而設計的高性能射頻/微波器件
2025-03-28 09:52:10
和一個90度混合器件，均采用GaAs MESFET工藝制造。 低頻正交混合器件用于產生100 MHz IF輸出。 該產品為混合型鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的小型替代器件。 HMC524ALC3B無需線焊，可以使用表貼制造技術。
2025-03-27 11:18:04766 
和 ±3dB 非線性條件下的輸入動態(tài)范圍為 90dB (從 -76dBm 至 14dBm，單端 50Ω 輸入)。 該檢波器的標稱輸出電壓斜率為 20mV/dB，而典型溫度系數為 0.01dB/℃ (在 200MHz 頻率條件下)。
2025-03-25 16:04:251106 
LT5538 是一款 40MHz 至 3800MHz 的單片式對數 RF 功率檢波器，能夠在一個很寬的動態(tài)范圍內 (從 -75dBm 至 10dBm) 測量 RF 信號。 采用等效分貝標度值來表示
2025-03-25 10:09:45975 
LTC5564 是一款精準的 RF 功率檢波器，適合于頻率范圍為 600MHz 至 15GHz 的應用。LTC5564 可在 -24dBm 至 16dBm 的輸入功率級范圍內運作。
一個溫度
2025-03-24 16:55:55860 
和5G收發(fā)器等領域的理想選擇。
參數
頻率范圍：2GHz至40GHz，覆蓋廣泛的頻段，適合多種高頻應用。
輸出功率：在35GHz時，輸出功率可達+22dBm，確保系統(tǒng)在高負載條件下仍能保持穩(wěn)定的信號輸出
2025-03-14 08:58:54
ADL5611是一款單端RF/IF增益模塊放大器，可在30 MHz至6 GHz范圍內提供寬帶操作。ADL5611在極高OIP3 （高于40.0 dBm）時具有低噪聲系數2.1 dB，可提供高動態(tài)范圍。
2025-03-13 10:54:441190 
ADL5545是一款單端RF/IF增益模塊放大器，可在30 MHz至6 GHz范圍內提供寬帶操作。采用5 V電源供電時，ADL5545功耗僅為56 mA，OIP3超過36dBm。
2025-03-13 10:13:311004 
HMC8500PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 30 dBm 的輸入功率下，在 0.01 GHz 至 2.8 GHz 瞬時帶寬上實現 10 W (40 dBm) 輸出（典型值），功率附加效率 (PAE) 高達 55%。在小信號電平下，典型增益平坦度為 3 dB。
2025-03-11 10:40:531039 
和 1.9 dB。輸出 1 dB 壓縮功率 （OP1dB），輸出三階交調截點 （OIP3） 和輸出二階截距 （OIP2） 為 分別為 16 dBm、29.5 dBm 和 33 dBm，從 30 kHz 到
2025-03-10 09:19:03889 
壓縮（OP1dB）、輸出三階截距（OIP3）和輸出二階截距（OIP2）的參數分別為 20 dBm、33.5 dBm 和 37 dBm，頻率范圍為 2 GHz 至 6 GHz。標稱靜態(tài)電流 (I~D~Q
2025-03-10 09:13:16888 
- 2100 MHz*的信號，非常適合TD-SCDMA/3G中繼器、PMR、汽車遠程信息處理和衛(wèi)星用戶終端應用。 該設計可在發(fā)射(Tx)端口提供出色的+46 dBm P0.1 dB和+74 dBm IIP3性能。 當DC電源不可用時，故障安全拓撲提供Tx到RFC的低損耗路徑。
2025-03-07 17:11:08898 
*信號，尤其適合蜂窩放大器、PMR和汽車遠程信息處理應用。 該設計在發(fā)射(Tx)端口提供出色的+40 dBm P0.1 dB和+65 dBm IIP3性能。 此故障安全拓撲結構使開關在未施加直流電源時，提供RFC至Tx低損耗路徑。
2025-03-07 16:04:45857 
*信號，尤其適合WiMAX和WiBro中繼器、PMR和汽車遠程信息處理應用。 該設計在發(fā)射(Tx)端口提供出色的+40 dBm P0.1 dB和+65 dBm IIP3性能。 此故障安全拓撲結構使開關在未施加直流電源時，提供RFC至Tx低損耗路徑。
2025-03-07 15:58:53877 
SPDT 開關。
在 3.6 GHz 的接收過程中，LNA 提供 1.3 dB 的低噪聲指數 (NF) 和 35.5 dB 的高增益，并且具有 ?4 dBm 的三階交調截點 (IIP3)。
2025-03-04 13:48:06984 
輸出功率、低噪聲系數、正增益斜率、緊湊的尺寸以及卓越的超寬帶性能。CMD192作為高性能替代品，有效降低了混合放大器的成本，同時提升了系統(tǒng)效能。CMD192在電子對抗、衛(wèi)星通信、測試測量、雷達系統(tǒng)
2025-03-04 10:01:25
(IIP3)為32 dBm；具有出色的動態(tài)范圍，適合要求苛刻的基礎設施直接變頻應用。差分RF/IF輸入提供良好的50 Ω寬帶輸入阻抗，并且為獲得較佳性能，應采用1:1巴倫驅動。
2025-03-02 09:49:55790 
(IIP3)為33.5 dBm；具有出色的動態(tài)范圍，適合要求苛刻的基礎設施直接變頻應用。差分RF輸入提供功能良好的50 Ω寬帶輸入阻抗，最好采用1:1巴倫驅動以實現較佳性能。
2025-03-01 11:47:41961 
(IIP3)為29.7 dBm；具有出色的動態(tài)范圍，適合要求苛刻的基礎設施直接變頻應用。差分RF輸入提供功能良好的50 Ω寬帶輸入阻抗，最好采用1:1巴倫驅動以實現較佳性能。
2025-03-01 11:34:11991 
基帶信號的通信接收機。 LTC5585 內置平衡 I 和 Q 混頻器、LO 緩沖放大器和一個精準的高頻正交移相器。 集成型片內寬帶變壓器可利用簡單的片外 L-C 匹配處理在 RF 輸入端上提供一個單
2025-03-01 10:18:28897 
LTM4707 μModule穩(wěn)壓器LINEAR
LTM4707是一款由LINEAR提供的 16A 降壓 Silent Switcher 3 μModule穩(wěn)壓器，具有超低噪聲和低電磁干擾（EMI
2025-02-27 09:41:35
(LSB)和4 dB。 衰減精度非常高，典型步長誤差為±0.2 dB，IIP3為+50 dBm。 兩個控制電壓輸入，在0和+5V之間切換，用于選擇每個衰減狀態(tài)。 需+
2025-02-12 15:05:17
RF3932D寬帶放大器現貨庫存RF-LAMBDARF3932D專門為商業(yè)基礎設施建設、蜂窩網絡和WiMAX基礎設施及其通用型寬帶放大器應用需求設計。使用最先進的高功率密度氮化鎵（GaN）半導體
2025-01-22 09:03:00
，如：射頻晶體管、MMIC功率放大器、混合放大器模塊、寬帶放大器、高功率放大器模塊、帶RF和DC連接器的高功率放大器模塊和低噪聲放大器，功率放大器，開關，衰減器，移相器以及上/下邊變頻器的定制，歡迎
2025-01-22 09:00:46
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572634 
值為0.5 (LSB)、1、2、4和8。 衰減精度非常高，典型步長誤差為±0.3 dB，IIP3為+45 dBm。 控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三線式串行
2025-01-17 10:35:23
1.0 (LSB)、2、4、8和16。衰減精度非常高，典型步長誤差為±0.4 dB，IIP3為+43 dBm?？刂平涌诩嫒軨MOS/TTL，可接受三線式串行輸入。H
2025-01-16 15:52:17
第九篇：視頻混合器插件（第四部分） 視頻混合器（Video Mixer）插件可以輕松進行主體鍵控，不受拍攝地點的局限，同時便于將多種視頻素材進行合成。 關于MPS媒體制作平臺的視頻混合器插件，我們
2025-01-16 11:30:271202 
? 歡迎?????大家觀看松下操作教程 MPS媒體制作平臺????? 第八篇：視頻混合器插件（第三部分） 視頻混合器（Video Mixer）插件可以輕松進行主體鍵控，不受拍攝地點的局限，同時便于將
2025-01-08 10:10:01997 
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