一、內(nèi)存分布 ? U-Boot 由前級 Loader 加載到 CONFIG_SYS_TEXT_BASE 地址，初始化時會探明當(dāng)前系統(tǒng)的總內(nèi)存容 量， 32 位平臺上認為最大 4GB 可用（但是不影響
2025-12-15 10:42:00
101 
旺宏MX35LF2GE4AD-Z4I 2Gb Serial NAND Flash具備-40℃~85℃工業(yè)級寬溫、60,000次擦寫壽命及10年數(shù)據(jù)保存能力，支持133MHz高速讀取與x4總線傳輸，以高可靠性、高耐久性與靈活適配性，為工業(yè)PLC提供穩(wěn)定、高效的存儲解決方案，滿足嚴苛工業(yè)環(huán)境長期運行需求。
2025-12-15 09:54:00237 
2025 年 12 月 3日，中國蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產(chǎn)品采用華邦自有先進 16nm 制程技術(shù)，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28708 
旺宏電子MX35LF2GE4AD-Z4I是一款2Gb串行NAND Flash芯片，采用Quad SPI接口，支持104MHz高速讀寫與-40℃~85℃工業(yè)級工作溫度，為工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供可靠的數(shù)據(jù)存儲解決方案。
2025-11-28 09:26:00507 
K4B8G0846D-MCMA 8Gb DDR3 78K；
H9TCNNN4GDALJR-NGM LPDDR2 4Gb 134球 137K；
MT53B128M32D1NP-062 WT:A LPDDR4 4Gb
2025-11-27 15:58:19
本章的實驗任務(wù)是在 PL 端自定義一個 AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進行讀寫測試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423467 
利用32位地址總線來尋址內(nèi)存。這意味著它能夠直接訪問的內(nèi)存空間高達4GB(2^32字節(jié))。相比之下，8位或16位單片機的尋址能力要小得多，這使得32位單片機在需要大內(nèi)存的應(yīng)用中更具優(yōu)勢。
3
2025-11-21 06:32:22
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Banana Pi 香蕉派BPI - R4 Pro 聯(lián)發(fā)科MT7988A Wi-Fi 7開源路由器主板公開發(fā)售。支持4GB/8GB DDR4內(nèi)存，板載8GB eMMC、256MB SPI
2025-11-18 16:14:05
Banana Pi 香蕉派BPI - R4 Pro 聯(lián)發(fā)科MT7988A Wi-Fi 7開源路由器主板公開發(fā)售。支持4GB/8GB DDR4內(nèi)存，板載8GB eMMC、256MB SPI
2025-11-18 16:12:291429 
瀾起科技今日正式推出新一代DDR5時鐘驅(qū)動器(CKD)芯片，該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，可有效優(yōu)化客戶端內(nèi)存子系統(tǒng)性能，為下一代高性能PC、筆記本電腦及工作站提供關(guān)鍵技術(shù)支撐
2025-11-10 10:01:3567936 在當(dāng)今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術(shù)優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28280 的極致需求，倒逼 PCB 技術(shù)升級與產(chǎn)能傾斜，而這一切的源頭，始終是國內(nèi)存儲芯片供需格局的重構(gòu)。? AI 服務(wù)器的 “吞芯量” 直接改寫 PCB 需求邏輯。不同于普通服務(wù)器單臺僅需 8-16GB DDR5 內(nèi)存，AI 服務(wù)器為支撐大模型訓(xùn)練，單臺需搭載 64-128GB DDR5，部分高端機型甚至配備
2025-11-05 10:29:56564 空間（僅作測試用，可以正常訪問）。
最后在頂層system.v文件中例化block design，并添加DDR訪問接口：
添加DDR內(nèi)存擴展前，原來的蜂鳥v2在Nexys Video上
2025-10-31 06:07:38
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 “早知道就多囤幾根內(nèi)存條了！”——這是2025年10月電商促銷季里，無數(shù)DIY玩家與渠道商發(fā)出的共同感嘆。如今，DDR4 16GB內(nèi)存價格突破500元，一年內(nèi)漲幅超兩倍，賺錢
2025-10-22 09:19:3710302 
“ddr3_dq[3]”LOC = “F3”|IOSTANDARD = SSTL15;
NET “ddr3_dq[4]”LOC = “B2”|IOSTANDARD = SSTL15;
NET “ddr3
2025-10-21 11:19:08
涉及多款 8GB、16GB DDR4 SODIMM 及 UDIMM 模組，標志著 DDR4 內(nèi)存時代進入收尾階段。
2025-10-14 17:11:371033 回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3 DDR4 DDR5長期現(xiàn)金高價回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達DDR，回收美光DDR，回收DDR2
2025-10-09 14:15:34
我希望程序中的漢字字串“歡迎光臨”取出來的字節(jié)數(shù)組是GB2312碼：“BB B6 D3 AD B9 E2 C1 D9 00”，
而實際出來的是UTF-8碼：“E6 AC A2 E8 BF 8E E5
2025-09-29 07:14:16
TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標準。該TPS65295集成了兩個同步降壓轉(zhuǎn)換器
2025-09-09 14:16:041731 
不正確呀。
咨詢
1、開源免費的軟件，能夠繪制符合國家標準GB/T 4728.12-2022的邏輯門電路，繪制和驗證簡單的邏輯電路，最好提供74LS系列等常用的芯片，以及基本門電路芯片連接、組合等功能
2025-09-09 09:46:28
如何使用GB2312字體編碼？
2025-09-04 07:42:15
BPI-R4 Lite 產(chǎn)品介紹
Banana Pi BPI-R4 Lite 智能路由器板采用聯(lián)發(fā)科MT7987A四核Arm Cortex-A53芯片設(shè)計，板載支持2GB DDR4和8G eMMC
2025-08-26 17:26:08
等）、HDR 顯示和常見多媒體加速，適合流媒體播放、智能網(wǎng)關(guān)和嵌入式多媒體應(yīng)用。
內(nèi)存是來自SAMSUNG的K4F6E3S4HM-MGCJ，是一顆LPDDR4 SDRAM，容量有16Gb,即2GB
2025-08-16 14:43:58
GB-M/GB-T 型磁致伸縮位移傳感器不僅在受限空間內(nèi)安裝便捷，還具備自由旋轉(zhuǎn)的電氣插頭和可更換的傳感器元件，大大提升了維護效率和靈活性?！ ?傳感器元件和電子元件可以更換 -扁平緊湊型傳感器
2025-08-14 15:26:11
、 擴展接口 l 2GB/4GB/8GB（LPDDR4X） l 電子硬盤8GB EMMC l 2*千兆網(wǎng)口（YT8531C) l 2*PCIe2.5G以太網(wǎng)口（RTL8125BG) l 1*USB2.0
2025-08-05 10:56:44505 
MediaTek AI 圖像畫質(zhì)（AI-PQ）和 MiraVision 圖像顯示增強等先進技術(shù)，賦能投影呈現(xiàn)更清晰細膩的畫面和更流暢的視覺效果，讓沉浸感撲面而來。此外，峰米 X5 Pro 還配備 4GB + 128GB 的超大存儲空間，超大應(yīng)用也能輕松應(yīng)對、隨心下載，怎么用都絲滑。
2025-07-31 16:44:221148 安卓主板搭載聯(lián)發(fā)科八核處理器，主頻高達2.2GHz，采用先進的6nm制程工藝，性能表現(xiàn)出色。內(nèi)置Android 13.0操作系統(tǒng)，標配4GB DDR4內(nèi)存和64GB UFS高速存儲，硬件配置強勁高效
2025-07-11 19:56:17460 
GPU 和Grace CPU 組成，并配備了128GB LPDDR5X 內(nèi)存和1TB/4TB NVMe SSD，能夠運行超過2,000億個參數(shù)的大型語言模型。 ? GB10 Grace
2025-07-09 01:21:003870 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，TrendForce報告顯示，6月初，DDR4和DDR5芯片在現(xiàn)貨市場上的價格已基本持平，有些DDR4芯片的價格甚至高于DDR5芯片，呈現(xiàn)“價格倒掛”現(xiàn)象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004538 @ 1.5GHz
GPU
無獨立 GPU
Imagination PowerVR GPU
AI 加速
無
0.5 TOPS NPU
內(nèi)存
2GB/4GB LPDDR4
2GB/4GB/8GB LPDDR4
2025-06-26 18:20:40
回收美光IC，收購美光IC，回收美光內(nèi)存芯片，回收美光閃存芯片，回收美光DDR，回收鎂光DDR
深圳帝歐電子收購鎂光內(nèi)存芯片，收購鎂光DDR閃存顆粒，回收鎂光顆粒，回收庫存電子料，回收flash內(nèi)存
2025-06-26 09:52:33
DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152009 
。同時，采用了12nm先進制程工藝，兼具高性能與低功耗表現(xiàn)。預(yù)裝Android 11.0操作系統(tǒng)，標配2GB內(nèi)存與16GB存儲，用戶還可選擇4GB+64GB的增強
2025-06-24 20:13:24685 
隨著數(shù)據(jù)中心對AI訓(xùn)練與推理工作負載需求的持續(xù)增長，高性能內(nèi)存的重要性達到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存。
2025-06-18 09:41:531321 還擁有 4GB + 32GB 超大內(nèi)存，并支持 SWITCH、XBOX、PS 三大游戲主機自適應(yīng)，從此無論追劇或是暢玩 3A 大作，都能輕松 hold 住。
2025-06-17 16:06:131608 迅為RK3562開發(fā)板ARM四核A53核心板多種系統(tǒng)適配全開源
RK3562開發(fā)板(2GB內(nèi)存+16GB存儲)
2025-06-17 10:50:15
隨著計算密集型任務(wù)的日益增長，DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急，但真正推動內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD（Serial Presence Detect）芯片。
2025-06-11 10:07:301913 
LPDD3 或 LPDDR4,最大支持容量為 2GB。
K230D 有 1 路 USB 2.0 OTG,K230 有兩路 USB 2.0 OTG
K230D 最多 3 路 ADC, K230 最多有 6
2025-06-11 06:46:07
。 核心性能突破 ·國產(chǎn)八核引擎：搭載飛騰D2000處理器（2.3GHz主頻）+X100芯片組，4GB顯存支持多屏4K輸出 ·軍工級穩(wěn)定性：八層PCB設(shè)計，支持-40℃~85℃寬溫運行，12V-19V寬壓
2025-06-10 16:12:281065 
降噪、六軸防抖及多種圖像增強和矯正算法 三、 擴展接口 l RAM：板載 DDR4 1GB*2，可選配2GB*2； l l ROM：板載 32MB SPI FLASH l 支持 2 路千兆網(wǎng)口 l 支持HDMI2.0接口，最大可支持4Kx2K(4096x2160)@6
2025-06-03 15:40:09446 
PC處理器對DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR5中內(nèi)存模組搭載PMIC，PMIC是實現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵，能夠為先進的計算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。Rambus最近推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組，包含兩款用于客戶端計算的全新電源
2025-05-29 09:11:208127 
Banana Pi BPI-R4 Pro 路由器板采用聯(lián)發(fā)科 MT7988A（Filogic 880）四核 ARM Corex-A73 設(shè)計，板載 4GB/8GB DDR4 RAM、8GB eMMC
2025-05-28 16:33:081793 
DDR4 RAM、8GB eMMC、128MB SPI-NAND 閃存。支持4個2.G網(wǎng)口，支持2個10G光電口，支持4G/5G擴展。它是 BPI-R4 的升級版本。功能更加強大。
?編輯
聯(lián)發(fā)科
2025-05-28 16:20:17
深圳帝歐電子求購內(nèi)存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡，舊卡，拆機卡都有收，價高同行回收三星內(nèi)存TF卡、金士頓TF卡、閃迪TF卡、東芝TF卡
2025-05-21 17:48:25
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價20%? 存儲器價格跌勢結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價，在本月
2025-05-13 15:20:111204 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006843 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足
2025-05-09 16:37:44905 TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-28 11:09:05663 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準 （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
NPU
電源管理芯片
PMIC: AXP717D
(MYC-LT536ME)PMIC: AXP717D、AXP323（MYC-LT536MN2）
內(nèi)存
1GB LPDDR4/2GB LPDDR4
2025-04-23 11:35:35
：LS2K0300-I
主頻：1GHZ
3、512MB DDR4、4GB pSLC EMMC FLASH
4、1個調(diào)試串口、9個通用串口
5、4個CAN FD
6、2個1000Mbps以太網(wǎng)
7、LCD
2025-04-19 18:10:47
E3.S 2T CMM (Compute Express Link? 內(nèi)存模塊) 已正式列入 CXL 聯(lián)盟整合商名單。此次SMART再度取得成功認證，結(jié)合先前已列入整合商清單的4
2025-04-16 10:54:04757 ，滿足專業(yè)級多媒體需求，最多支持雙MIPI DSI屏幕+HDMI屏幕+全功能Type-C DP輸出，多場景顯示隨心切換。
接口豐富，擴展無憂QuarkPi-CA2卡片電腦板載LPDDR4X內(nèi)存（4GB
2025-04-11 16:03:36
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
每個畫面都生動鮮活。此外，堅果投影 N3 Pro 擁有 4GB + 64GB 超大內(nèi)存，海量應(yīng)用隨心下載，助你輕松暢享無限可能！
2025-03-24 09:10:202300 燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 香蕉派BPI-R4路由器板采用聯(lián)發(fā)科MT7988A (Filogic 880)四核ARM Corex-A73方案設(shè)計，板載4GB DDR4內(nèi)存,8GB eMMC存儲,128MB SPI-NAND閃存
2025-03-21 16:02:411644 ：NT5CC256M16EP-EKI DDR3(L) 4Gb SDRAM CL-TRCD-TRP｛13-13-13｝
手冊要求 933MHz Clock但是STM32MP13x 最高給 DDRC 頻率
2025-03-11 07:11:03
MRK3568主板采用了四核64位A55處理器，最大主頻2.0GHZ并自帶0.8T算力的NPU,擁有2GB/4GB DDRX和8G/16G/32G/64GB eMMC，支持USB3.0，雙頻
2025-03-10 19:19:29
1 MRK3568主板采用了四核64位A55處理器，最大主頻2.0GHZ并自帶0.8T算力的NPU,擁有2GB/4GB DDRX和8G/16G/32G/64GB eMMC，支持USB3.0，雙頻
2025-03-10 19:15:520 DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
11.0智能操作系統(tǒng)，用戶可以選擇不同存儲配置，包括4GB或8GB的LPDDR4內(nèi)存，以及64GB或128GB的eMMC存儲選項，最大支持128GB的TF卡擴展，滿足多
2025-03-03 20:10:35707 
本文詳細介紹了 SK hynix 公司生產(chǎn)的 LPDDR4 16Gb（x16，2 Channel，1 CS）內(nèi)存芯片 H9HCNNNBKUMLXR 的技術(shù)規(guī)格書。該文檔提供了芯片的詳細參數(shù)、功能描述
2025-03-03 14:07:05
和1080P視頻編碼。相較于前代產(chǎn)品，RK3562在性能上有了顯著提升，同時保持了較低的功耗，堪稱ARM中量級處理器中的多面手。MYC-YR3562核心板存儲配置存儲器1GB/2GB LPDDR4
2025-02-28 15:32:10
醫(yī)療PDA手持機配備了強大的聯(lián)發(fā)科2.0GHz八核處理器，標配4GB運行內(nèi)存和64GB存儲空間，用戶可選配6GB內(nèi)存和128GB存儲。搭載的Android 13操作系統(tǒng)確保了設(shè)備的快速響應(yīng)和流暢的操作體驗，使醫(yī)護人員能夠迅速訪問關(guān)鍵信息。
2025-02-24 20:02:02657 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002803 特點4Gb雙數(shù)據(jù)速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它內(nèi)部配置為八進制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體
2025-02-20 11:44:07
據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 為2GB，存儲空間為16GB，同時提供4GB內(nèi)存和64GB存儲的升級選項，并預(yù)留TF卡插槽，支持最大128GB的外部存儲擴展。這些配置在運行Android 11.0
2025-02-18 19:57:12598 
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備優(yōu)秀的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:41:56
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的高速內(nèi)存需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:41:19
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于
2025-02-14 07:40:35
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:39:58
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于
2025-02-14 07:39:11
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于
2025-02-14 07:38:28
MT41K64M16TW-107 AUT:J是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:37:41
HMCG78AEBRA是一款高性能的16GB DDR5 4800 RDIMM內(nèi)存條，專為需要高帶寬和高效能的應(yīng)用而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用288-Pin RDIMM封裝，支持1.1V低電壓運行，能夠有效
2025-02-14 07:17:55
999AVV/NMA1XXD128GPSU4是一款高性能的128GB PC4-21300 DDR4-2666 Optane DC持久性內(nèi)存，專為需要大容量和高效能的應(yīng)用而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用
2025-02-14 07:16:05
HMCG88AEBRA和M321R4GA3BB6-CQK是兩款高性能的32GB DDR5 4800 EC8 RDIMM內(nèi)存條，專為需要高可靠性和高性能的應(yīng)用而設(shè)計。這些內(nèi)存條采用288-Pin
2025-02-14 07:02:20
HMAA2GU7CJR8N-XN和MTA9ASF2G72AZ-3G2F1是兩款高性能的16GB 1Rx8 PC4-25600E DDR4-3200MHz UDIMM內(nèi)存條，專為需要高可靠性和高性能
2025-02-14 06:58:55
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 16GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 16GB DDR4 ECC
2025-02-10 20:05:15
M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:49
M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:16
M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各類
2025-02-10 07:48:41
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
高性能的 DDR5 SDRAM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，工作頻率為 PC4800。這款內(nèi)存條由三星（Samsung）生產(chǎn)，專為滿足現(xiàn)代計算需求而設(shè)計，適用
2025-02-10 07:44:13
全球工業(yè)級嵌入式存儲領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌ADATA威剛科技，近期正式推出了其最新的工業(yè)級DDR5 6400 CU-DIMM與CSO-DIMM內(nèi)存產(chǎn)品，為高性能運算(HPC)領(lǐng)域注入了新的活力。 這兩款內(nèi)存
2025-02-08 10:20:131039 智能安全帽采用了基于聯(lián)發(fā)科12nm低功耗高性能處理器的硬件方案，主頻高達2.0GHz，標配2GB運行內(nèi)存和16GB存儲空間，且支持擴展至128GB，運行Android 9.0操作系統(tǒng)。如此配置不僅能滿足復(fù)雜工況下的性能需求，還能確保高清視頻通話的流暢性和穩(wěn)定性。
2025-02-07 20:12:10948 
。
具體參數(shù)：
方案框圖：
PCB尺寸：
接口介紹：
基本功能列表
主要硬件指標
CPU 瑞芯微 RK3566
GPU G52 GPU
內(nèi)存標配2GB （4GB 可選）
內(nèi)置存儲器標配
2025-02-05 15:44:47
創(chuàng)見（Transcend）近日宣布面向消費領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條，為硬件市場注入新活力。 該系列最先面世的型號為16GB容量單條模組，專為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計算機DIY
2025-01-24 11:16:181754 側(cè)應(yīng)用落地高率、大容量、低延遲與高帶德明利最新推出針對AIPC的DDR5SO-DIMM和U-DIMM內(nèi)存模組系列產(chǎn)品，單條內(nèi)存容量高達48GB，理論帶寬32GB/
2025-01-21 16:34:412426 
UltraScale+?XCKU15P-2FFVE1517E3991?； 支持2通道72bit-DDR4，每通道容量4GB，總?cè)萘?GB； 2x100G QSFP28 光口； PCIex16 Gen?3.0 ； 主芯片 ? XCKU15P-2FFVE1517E3991 ? 產(chǎn)品實物圖 ? ? 主要
2025-01-15 10:11:541110 
中，英偉達推出了全新的硬件產(chǎn)品——GB200 NVL4超級芯片。該芯片展現(xiàn)出了較為出色的性能表現(xiàn)，在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注，并預(yù)計于2025年下半年正式進入市場。 ▲英偉達GB200 NVL4超級芯片 回溯至 2024 年 3 月，GB200 NVL4的初次亮相便成為了高速銅纜發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動力，開啟了技術(shù)聯(lián)
2025-01-10 16:58:332002 
1GB DDR3
8GB eMMC
-40℃~+85℃
開發(fā)板配置型號
產(chǎn)品型號主芯片內(nèi)存存儲器工作溫度
MYD-YM90G -8E1D-100-I
DR1M90GEG484
1GB DDR3
8GB
2025-01-10 14:32:38
，使其在復(fù)雜圖像處理任務(wù)中表現(xiàn)優(yōu)異。針對不同用戶需求，設(shè)備提供2GB、4GB和6GB等多種運行內(nèi)存選擇，存儲空間則可供16GB、32GB和64GB等多種容量進行選擇
2025-01-08 20:11:56816 
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