富士通高級(jí)產(chǎn)品工程師伍宏杰先生表示，“恰恰是
FRAM高速讀寫(xiě)的特性，決定了
FRAM可以實(shí)現(xiàn)在無(wú)電池或是突然斷電的情況下實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)，避免數(shù)據(jù)的丟失?！?/div>
2014-07-29 16:59:27
1699 64－Kbit FRAM是什么？為什么要開(kāi)發(fā)一種64－Kbit FRAM？64－Kbit FRAM到底有什么用途？
2021-06-17 08:27:24
FRAM RFID與傳統(tǒng)EEPROM相比，有哪些亮點(diǎn)？FRAM RFID有哪些創(chuàng)新應(yīng)用案例？
2021-05-21 06:53:14
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1/3，而FRAM的待機(jī)/睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機(jī)/睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對(duì)功耗產(chǎn)生巨大影響，特別是當(dāng)應(yīng)用程（如:智能電子式電表
2020-10-09 14:27:35
FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫(xiě)入功能，無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車(chē)EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
你好，我正在設(shè)計(jì)一個(gè)16或32個(gè)FRAM（SPI）設(shè)備的存儲(chǔ)器陣列，用于電池操作的數(shù)據(jù)表，用于遠(yuǎn)程戶(hù)外位置。我已經(jīng)查閱了CY15B104Q（512K×8）數(shù)據(jù)表中的直流特性，特別是I/O電壓閾值
2019-10-10 09:57:35
FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢(shì)所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和幾乎無(wú)限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
FRAM的特點(diǎn)是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫(xiě)功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫(xiě)入次數(shù)的問(wèn)題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪(fǎng)問(wèn)（讀）次數(shù)的限制。
2019-09-11 11:30:59
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產(chǎn)品線(xiàn)——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb邁進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢(shì)解決系列應(yīng)用瓶頸創(chuàng)新的FRAM 認(rèn)證芯片促進(jìn)應(yīng)用創(chuàng)新
2021-03-04 07:54:14
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在醫(yī)療電子設(shè)備的種類(lèi)、數(shù)量和功能也越來(lái)越多、越來(lái)越完善，而這些設(shè)備都離不開(kāi)電源，因此電源的性能對(duì)產(chǎn)品的性能起到關(guān)鍵性的作用，在這些電源中分為AC-DC級(jí)
2010-03-09 14:19:04
ROHS豁免產(chǎn)品，所以電源產(chǎn)品也需滿(mǎn)足ROHS要求。四：要滿(mǎn)足電磁輻射的要求 EMI傳導(dǎo)和輻射滿(mǎn)足EN55011，限值和EN55022 ITE設(shè)備相同，但是只有MDD（醫(yī)療器械指令）認(rèn)可的測(cè)試機(jī)構(gòu)出
2009-12-17 11:04:41
摘要：介紹鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫(xiě)操作過(guò)程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808為例說(shuō)明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
當(dāng)我發(fā)送讀取請(qǐng)求或 RDID 請(qǐng)求時(shí)，我沒(méi)有收到從 FRAM 芯片返回的數(shù)據(jù)。
我不確定自己做錯(cuò)了什么。
我已經(jīng)將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數(shù)據(jù)、串行數(shù)據(jù)附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
MRAM與FRAM技術(shù)比較
2021-01-25 07:33:07
操作是通過(guò)在MTJ兩端施加非常低的電壓來(lái)完成的，從而在部件使用壽命內(nèi)支持無(wú)限的操作。圖3：MRAM讀寫(xiě)周期FRAM技術(shù)FRAM或鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用1個(gè)晶體管–1個(gè)鐵電電容器（1T-1FC）架構(gòu)，該
2022-11-17 15:05:44
和 SPI）提供的 FRAM 內(nèi)容在系統(tǒng)即便未加電的情況下用于讀取日志消息（例如，通過(guò)溫度或壓力發(fā)送器讀?。４送?，在系統(tǒng)完成安裝并加電之前（或之后），也可在試運(yùn)行時(shí)對(duì)配置參數(shù)進(jìn)行編程。通過(guò)此類(lèi)功能，無(wú)需為
2015-05-05 15:13:56
SRAM和FRAM之間的相似之處 SRAM和FRAM在許多設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出許多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存儲(chǔ)密度，可以支持完全隨機(jī)的讀寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)，并且可以獲得所有結(jié)果而沒(méi)有額外的延遲
2020-12-17 16:18:54
MEMORY FRAM FOR TOWER SYSTEM
2023-03-22 19:57:21
提供Ⅰ類(lèi)Ⅱ類(lèi)及Ⅲ類(lèi)有源醫(yī)療器械產(chǎn)品EMC預(yù)測(cè)試，提前發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品的EMC輻射發(fā)射、傳導(dǎo)發(fā)射、EFT高壓脈沖群干擾、ESD靜電抗擾度、CS傳導(dǎo)抗擾度、Surge雷擊、RS輻射抗擾度相關(guān)弱項(xiàng)，進(jìn)行提前分析
2023-04-11 10:05:12
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
輻射劑量?jī)x可以用在核電在，物理實(shí)驗(yàn)室，醫(yī)療機(jī)構(gòu)作為電子劑量計(jì)指示器。和ASPDC-21裝置配合可以組成自動(dòng)劑量控制系統(tǒng)。
2020-03-16 09:00:12
，醫(yī)療垃圾必須進(jìn)行焚燒處理，以確保殺菌和避免環(huán)境污染，不允許以任何形式回收和再利用。醫(yī)療垃圾的處置不僅是醫(yī)院管理難題，而且是一個(gè)重要的公共衛(wèi)生問(wèn)題。
2019-09-16 06:47:57
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-25 16:51 編輯
雖然EEPROM和FLASH通常都被用于非易失性存儲(chǔ)器(NVM)的最佳選擇，在大多數(shù)應(yīng)用中，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)為
2016-02-25 16:25:49
之前在論壇里面發(fā)帖問(wèn)了關(guān)于如何延長(zhǎng)EEPROM壽命的問(wèn)題，后面經(jīng)大神推薦選擇了用FRAM來(lái)替代。前兩天在某公司申請(qǐng)的FRAM樣片到了，今天就拿來(lái)做測(cè)試。我原本的測(cè)試方案就是跟以前測(cè)試EEPROM一樣
2013-09-03 10:52:35
目前使用的quartus版本為12.1 FPGA為cyclone5系列 5CEBA4U15C8NFRAM為 Cypress: FM21LD16-60(2Mbit)附上FRAM datasheet
2014-12-15 20:06:08
可穿戴醫(yī)療是最被業(yè)內(nèi)人士看好的可穿戴設(shè)備應(yīng)用，隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的應(yīng)用擴(kuò)大，智能醫(yī)療也將逐漸走向人們身邊。然而，對(duì)于可穿戴醫(yī)療設(shè)備的設(shè)計(jì)依然存在眾多技術(shù)難題，如何實(shí)現(xiàn)設(shè)備的低功耗特性、便攜性以及穩(wěn)定性仍然是技術(shù)人員需要解決的首要問(wèn)題。
2019-09-29 07:57:00
單元數(shù)據(jù)的方法做到。相比之下，FRAM的極化狀態(tài)只有在電路完整時(shí)才能檢測(cè)到?！耠娫捶治觯侯l譜電源分析(SPA)和動(dòng)態(tài)電源分析(DPA)是測(cè)量MCU電磁輻射或電源使用的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，其可創(chuàng)建用來(lái)確定MCU內(nèi)部
2014-09-01 17:44:09
Ephesus 系統(tǒng)中，Anaren Air 模塊（基于 TI 的低于 1 GHz CC1101 射頻收發(fā)器）與一個(gè)超低功耗 MSP430FRxx FRAM 微控制器配對(duì)使用，旨在確保低功耗無(wú)線(xiàn)照明
2018-09-10 11:57:29
對(duì)于電子設(shè)備的安全在復(fù)雜和更多的環(huán)境，比如潮濕、雷電等情況，這種設(shè)計(jì)存在巨大的風(fēng)險(xiǎn)性。選擇絕緣耐高電壓屏蔽性灌封膠不僅僅解決醫(yī)療設(shè)備復(fù)雜抗干擾難題，同時(shí)對(duì)設(shè)備的安全，壽命，抗干擾等難題得到有效解決。該產(chǎn)品的導(dǎo)熱性能和防潮防水，甚至于放曬，紫外線(xiàn)等多種不確定因素得到有效解決！`
2016-05-23 10:54:45
大型醫(yī)療產(chǎn)品確定有輻射？輻射發(fā)射該怎么測(cè)試？
2021-05-07 06:02:16
寫(xiě)入FRAM的零時(shí)鐘周期延遲 一個(gè)典型的EEPROM需要5毫秒的寫(xiě)周期時(shí)間，以將其頁(yè)面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到非易失性EEPROM內(nèi)。當(dāng)需要寫(xiě)入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時(shí)，會(huì)導(dǎo)致寫(xiě)入時(shí)間較長(zhǎng)。相比之下的FRAM不會(huì)使這種寫(xiě)
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
如今，有多種存儲(chǔ)技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而，迄今為止還沒(méi)有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術(shù)的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
薄膜偏振，因此 α 射線(xiàn)的沖擊難以迫使偏振更改給定單元的狀態(tài)，我們甚至測(cè)量不到 FRAM 的 SER。 FRAM 的這種“抗輻射”特性使其在若干種新興醫(yī)療應(yīng)用中備受矚目。 10.TI 在 FRAM
2018-08-20 09:11:18
`最近學(xué)習(xí)RFID搜集了不少資料，發(fā)出來(lái)供有興趣了解物聯(lián)網(wǎng)RFID相關(guān)應(yīng)用的朋友們學(xué)習(xí)，也希望拋磚引玉啊，大家都上傳手上的寶貝吧，一起打造個(gè)RFID技術(shù)學(xué)習(xí)的分享站。資料中有幾個(gè)是與富士通FRAM
2013-10-24 15:16:41
有人有使用 SPI-FRAM 的示例代碼或 IDF 組件嗎？我閱讀了帶有 QSPI 總線(xiàn)的 SPI-PSRAM 的文檔，但這不是我們所擁有的。Adafruit 有一個(gè)用于 Arduino
2023-03-01 07:09:17
你好，你有任何測(cè)試數(shù)據(jù)可用于輻射和SEU/SELN框架嗎？我特別關(guān)注FM22LD16部件，但一切都會(huì)好的。希望在輻射惡劣的環(huán)境中獲得這些部件的信心。干杯席子 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文Hi
2019-06-26 08:06:42
調(diào)試FRAM經(jīng)驗(yàn)總結(jié)：1、跑完FRAM讀寫(xiě)代碼之后，邏分儀發(fā)現(xiàn)總線(xiàn)上只有簡(jiǎn)單、短暫的電平變化，明顯不是SPI的通信數(shù)據(jù)。（經(jīng)提醒發(fā)現(xiàn)連片選拉高拉低都沒(méi)有執(zhí)行到位）后來(lái)發(fā)現(xiàn)是因?yàn)槠x引腳沒(méi)有初始化
2022-03-02 06:51:48
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢(shì)呢?舉例說(shuō)明:TI做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，如果要寫(xiě)13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時(shí)間，大約要用2200uA的功耗去做寫(xiě)的功能，但如果用FRAM來(lái)做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪(fǎng)問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)
2008-01-30 09:13:505083 
MB89R112芯片用于高頻RFID標(biāo)簽，帶9 KB的FRAM內(nèi)存。FerVID家族產(chǎn)品使用鐵電存儲(chǔ)器（FRAM），具有寫(xiě)入速度快，高頻可重寫(xiě)，耐輻射，低功耗操作等特點(diǎn)。
2012-07-31 13:31:194883 
鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。
2012-10-08 15:34:552264 
飛利浦電子日本公司從上月底就開(kāi)始銷(xiāo)售用于醫(yī)療現(xiàn)場(chǎng)、可實(shí)時(shí)顯示X射線(xiàn)輻射劑量的小型輻射劑量?jī)xDoseAware。建議零售價(jià)為600萬(wàn)日元起，在日本的銷(xiāo)售目標(biāo)是在第一年度達(dá)到約30套。
2012-11-02 09:58:123407 在最近熱映的影片《環(huán)太平洋》中，面對(duì)怪獸的沖擊波，采用數(shù)字電路控制的機(jī)甲戰(zhàn)士瞬間就癱瘓了，而只有模擬電路扛了下來(lái)。這可以形象地用來(lái)說(shuō)明，電子元器件能否抗輻射有時(shí)候是人命關(guān)天的事兒！回到現(xiàn)實(shí)，在醫(yī)療
2013-08-13 12:21:586923 如今，當(dāng)您在一些醫(yī)院就診時(shí)，您可能會(huì)看到醫(yī)生正拿著平板電腦診療、查房。##在RFID標(biāo)簽上使用FRAM——助力RFID IC進(jìn)入醫(yī)療領(lǐng)域##寬泛的FRAM產(chǎn)品線(xiàn)——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向8Mb邁進(jìn)
2014-08-25 17:08:013884 
MSP430FRAM microcontrollers with CapTIvate
2016-06-06 14:50:53
15 近幾年，FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）比較火，特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對(duì)FRAM技術(shù)的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得，發(fā)布在這里供正在使用和將來(lái)要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:172235 最近在小編的大力科普下，相信筒子們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)身邊的FRAM是個(gè)神奇的小東東。確實(shí)，今天的世界，已經(jīng)不能沒(méi)有FRAM了?？纯窗?，即使是醫(yī)療器械這樣高冷的領(lǐng)域一樣哦！
2017-03-27 11:18:103755 的人經(jīng)常會(huì)看到，配置有電子標(biāo)簽的注射器具。手術(shù)器具要用伽瑪射線(xiàn)進(jìn)行消毒，能夠抵抗照射劑量高達(dá)50kGy伽瑪射線(xiàn)消毒的只有內(nèi)置FRAM（非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器）的電子標(biāo)簽。我們可以肯定高可靠性的FRAM是適用于高端醫(yī)療領(lǐng)域的為數(shù)不多的電子產(chǎn)品。
2017-03-28 15:26:182783 
在醫(yī)院里，都有哪些設(shè)備用到了富士通半導(dǎo)體的FRAM？并且為什么FRAM會(huì)與我們的醫(yī)療保健息息相關(guān)？我們一起來(lái)盤(pán)點(diǎn)盤(pán)點(diǎn)。
2017-03-28 15:29:504482 富士通半導(dǎo)體內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品相比其單體FRAM產(chǎn)品是比較新的，而市場(chǎng)上常用的RFID產(chǎn)品嵌入的是EEPROM。與內(nèi)嵌EEPROM的RFID產(chǎn)品相比，內(nèi)嵌FRAM的RFID讀寫(xiě)速度快很多，并且其抗輻射性比EEPROM高出不止一個(gè)數(shù)量級(jí)。
2017-03-28 17:56:151306 
上一篇文章我們介紹了嵌入了FRAM的RFID相比傳統(tǒng)嵌入EEPROM的RFID的優(yōu)勢(shì)。這篇文章我們將介紹FRAM RFID的具體應(yīng)用。
2017-03-28 18:00:432061 
近年來(lái)隨著智能三表、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車(chē)后裝設(shè)備、以及工業(yè)傳感網(wǎng)絡(luò)的快速增長(zhǎng)，FRAM存儲(chǔ)器以及FRAM微控制器的應(yīng)用越來(lái)越多。似乎幾年前電子工程專(zhuān)輯的報(bào)道還傾向于把FRAM（那時(shí)候
2017-03-28 18:41:571588 富士通半導(dǎo)體因FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表中的解決方案及應(yīng)用而備受業(yè)界矚目。FRAM在這兩個(gè)領(lǐng)域備受關(guān)注，這與它在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表行業(yè)內(nèi)的有著巨大的優(yōu)勢(shì)是分不開(kāi)的。
2017-03-29 11:12:121456 本視頻主要內(nèi)容：介紹了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品特性：低功耗，快速讀寫(xiě)，高讀寫(xiě)次數(shù)和防輻射特性。
2017-03-29 11:34:271530 與傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫(xiě)入速度更快。對(duì)于類(lèi)似的寫(xiě)入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫(xiě)入時(shí)間是EEPROM的1/40000，達(dá)到SRAM
2017-03-29 11:46:292173 
在全球醫(yī)療健康服務(wù)領(lǐng)域，遠(yuǎn)程醫(yī)療的發(fā)展獲得越來(lái)越廣泛的重視，其必要性已得到不少?lài)?guó)家或地區(qū)的充分認(rèn)可。不過(guò)，在現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中，遠(yuǎn)程醫(yī)療仍面臨技術(shù)、管理、法律等各方面的難題，還需相關(guān)各方共同解決。
2017-08-17 14:27:314 聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)開(kāi)拓，利用FRAM的低功耗，高速寫(xiě)入，放射線(xiàn)耐性等特點(diǎn)研發(fā)獨(dú)具特色的FRAMRFID的芯片，面向物聯(lián)網(wǎng)，F(xiàn)A，生化，醫(yī)療電子設(shè)備等領(lǐng)域提供創(chuàng)新的應(yīng)用解決方案。
2017-09-20 12:43:0815 在前不久落下帷幕的深圳國(guó)際電子展現(xiàn)場(chǎng)，聚集了大量專(zhuān)業(yè)觀眾的富士通展臺(tái)格外亮眼，而引發(fā)這場(chǎng)圍觀的黑科技之一就是已上天入地的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM）。據(jù)富士通展臺(tái)工程師介紹，從要抗宇宙輻射的衛(wèi)星裝置
2017-10-15 12:11:312 輻射特性，非常適合許多工業(yè)類(lèi)和醫(yī)療類(lèi)應(yīng)用。 在前不久的工業(yè)計(jì)算機(jī)與嵌入式系統(tǒng)展上，富士通半導(dǎo)體公司(Fujitsu)市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品工程師伍宏杰告訴記者，FRAM是嵌入式領(lǐng)域一個(gè)比較有優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，對(duì)設(shè)計(jì)有幫助，很多工程師都有興趣使用這樣一款存儲(chǔ)器。
2018-06-02 02:46:0015188 FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的首字母縮寫(xiě)，它是非易失性存儲(chǔ)器，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱(chēng)上說(shuō)，FRAM是鐵電存儲(chǔ)器，但它不受磁場(chǎng)的影響，因?yàn)樾酒胁缓F基材料（鐵）。鐵電材料可在電場(chǎng)中切換極性，但是它們不受磁場(chǎng)的影響。
2018-04-04 09:07:309 FRAM 應(yīng)用介紹
2018-08-15 08:28:006911 MSP430 (4) FRAM 家族
2018-08-02 01:10:007271 MSP430 (5) FRAM家族成員具體特性
2018-08-02 01:04:007168 關(guān)鍵詞：FRAM , 存儲(chǔ)器 引言： FRAM存儲(chǔ)器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來(lái)低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文： 鐵電RAM(FRAM)存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間
2018-09-28 15:56:01611 獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM 是存儲(chǔ)界的實(shí)力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢(shì)：高讀寫(xiě)入耐久性、高速寫(xiě)入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類(lèi)型存儲(chǔ)器無(wú)法比擬的。
2021-03-11 09:23:314787 本應(yīng)用筆記介紹了如何用EERAM代替FRAM，以及如何通過(guò)跳線(xiàn)和修改代碼來(lái)創(chuàng)建一個(gè)集成EERAM 和FRAM（第二個(gè)源）的設(shè)計(jì)。
2021-04-16 10:04:567 FRAM鐵電存儲(chǔ)器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)
2021-05-04 10:17:002823 
富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM， 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開(kāi)始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器，FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:161155 
FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，其的特點(diǎn)是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫(xiě)功耗極低，不存在 如EEPROM的最大寫(xiě)入次數(shù)的問(wèn)題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM
2021-04-30 17:10:171698 FRAM是一種新型存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫(xiě)更快、壽命更長(zhǎng)，FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計(jì)未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn)，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒(méi)有從事該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
2021-05-11 17:32:202726 FRAM是電力計(jì)量系統(tǒng)中使用的主要存儲(chǔ)器，由于具有高耐用性、快速寫(xiě)入和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，FRAM在此領(lǐng)域迅速占領(lǐng)了市場(chǎng)；隨著電子設(shè)備和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求的增多使得FRAM受到廣泛應(yīng)用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見(jiàn)的計(jì)量系統(tǒng)中。
2021-05-12 16:52:491146 不進(jìn)行擦除或重寫(xiě)，數(shù)據(jù)就不會(huì)改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲(chǔ)器。 經(jīng)過(guò)市場(chǎng)的長(zhǎng)期廣泛驗(yàn)證以及技術(shù)的不斷突破，富士通FRAM產(chǎn)品已成功應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等工業(yè)領(lǐng)域，醫(yī)療設(shè)備及醫(yī)療RFID標(biāo)
2021-06-08 16:51:17770 超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設(shè)集，面向各種感應(yīng)和測(cè)量應(yīng)用。該架構(gòu)、FRAM和外設(shè)，結(jié)合大量低功耗模式，可以延長(zhǎng)
2021-10-28 19:21:046 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的特性，具有寫(xiě)入速度更快、讀/寫(xiě)
2022-03-02 17:18:361780 鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性，更快的寫(xiě)入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:441283 醫(yī)療廢物在線(xiàn)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)突破醫(yī)廢管理難題 醫(yī)療廢物處置一直是監(jiān)管部門(mén)管理的痛點(diǎn)，由于其自身的特殊性，在處置醫(yī)廢時(shí)需要對(duì)醫(yī)廢的全程進(jìn)行跟蹤管理，這對(duì)于醫(yī)院和監(jiān)管部門(mén)來(lái)說(shuō)要耗費(fèi)巨大的精力。在過(guò)去，醫(yī)療廢物
2022-11-30 16:20:091023 
醫(yī)療廢物在線(xiàn)監(jiān)管系統(tǒng)解決醫(yī)廢處置監(jiān)管難題 醫(yī)療廢物處置和監(jiān)管現(xiàn)狀： 1、醫(yī)療廢物的監(jiān)管分為醫(yī)院內(nèi)部和醫(yī)院外部，目前醫(yī)院內(nèi)部的醫(yī)療廢物監(jiān)管屬于衛(wèi)生監(jiān)督管轄，醫(yī)院外部的部分屬于環(huán)保監(jiān)管，這也給醫(yī)療廢物
2023-03-21 15:45:271086 
醫(yī)療廢物在線(xiàn)監(jiān)管系統(tǒng)醫(yī)院再也不怕醫(yī)廢丟失了 《醫(yī)療廢物分類(lèi)目錄》將醫(yī)療廢物分為六類(lèi)：感染性廢物、病理性廢物、損傷性廢物、藥物性廢物和化學(xué)性廢物。醫(yī)療機(jī)構(gòu)和醫(yī)療廢物集中處置單位在收集和處置醫(yī)療廢物
2023-06-01 17:09:301017 
隨著醫(yī)療技術(shù)的疾速發(fā)展，醫(yī)療輻射的應(yīng)用范圍愈發(fā)廣泛。然而，由此而生的輻射安全問(wèn)題也如影隨形，不容忽視。為確保輻射安全，醫(yī)療輻射安全監(jiān)控系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文將從以下各個(gè)方面對(duì)醫(yī)療輻射安全監(jiān)控系統(tǒng)進(jìn)行詳細(xì)
2023-09-28 11:16:441063 
泡腳桶的線(xiàn)路板，不怕水，不怕壞，你信嗎？
2023-11-21 09:51:061161 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《解決醫(yī)療成像應(yīng)用中的電源設(shè)計(jì)難題.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-04 10:26:121 溫補(bǔ)晶振對(duì)醫(yī)療內(nèi)窺鏡圖像處理與輻射控制的關(guān)鍵作用
2025-01-14 09:56:33692 
賽普拉斯2 Mbit FRAM FM25V20A-DG以40 MHz SPI總線(xiàn)、1012次擦寫(xiě)壽命和100 krad(Si)抗輻射能力，取代呼吸機(jī)中EEPROM與SRAM加電池的傳統(tǒng)方案，為智能生命支持系統(tǒng)提供原子級(jí)可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)基石。
2025-07-24 11:25:44525 
？其實(shí)，解決輻射問(wèn)題并沒(méi)有想象中的復(fù)雜，關(guān)鍵在于掌握一套系統(tǒng)化的方法。為了幫助各位工程師解決這些難題，賽盛技術(shù)“輻射問(wèn)題整改實(shí)戰(zhàn)”特訓(xùn)營(yíng)2期隆重推出，專(zhuān)為工程師設(shè)計(jì)，
2025-10-02 09:03:25184 
設(shè)備電磁兼容整改：硬軟件雙維度破解輻射超標(biāo)難題｜深圳南柯電子
2025-12-23 10:05:08142 
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