富士通半導體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:23
6719 在我們的項目中，時常會有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲器的驅動設計、實現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:553213 
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:591885 
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:519734 
“今天的發(fā)布會上，我將給大家介紹最新一顆鐵電（FRAM）MSP430產(chǎn)品。截至目前為止，TI是唯一一家在市場上提供FRAM MCU的公司”，德州儀器半導體事業(yè)部嵌入式產(chǎn)品業(yè)務拓展經(jīng)理吳健鴻（Paul
2014-07-03 10:15:013662 64－Kbit FRAM是什么？為什么要開發(fā)一種64－Kbit FRAM？64－Kbit FRAM到底有什么用途？
2021-06-17 08:27:24
FRAM RFID與傳統(tǒng)EEPROM相比，有哪些亮點？FRAM RFID有哪些創(chuàng)新應用案例？
2021-05-21 06:53:14
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。
2019-09-11 11:30:59
），可以將其讀取以表示邏輯1或0。圖1：FRAM通過鐵電材料PZT的極化存儲數(shù)據(jù)。（來源：賽普拉斯半導體）鐵電存儲器的操作與浮柵技術衍生的傳統(tǒng)可寫非易失性存儲器的操作完全不同，后者通過將電荷存儲在位單元
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產(chǎn)品線——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb邁進技術優(yōu)勢解決系列應用瓶頸創(chuàng)新的FRAM 認證芯片促進應用創(chuàng)新
2021-03-04 07:54:14
之前在論壇里面發(fā)帖問了關于如何延長EEPROM壽命的問題，后面經(jīng)大神推薦選擇了用FRAM來替代。前兩天在某公司申請的FRAM樣片到了，今天就拿來做測試。我原本的測試方案就是跟以前測試EEPROM一樣
2013-09-03 10:52:35
電渦流式傳感器可測鐵磁和非鐵磁所有金屬材料？
2015-12-02 09:52:33
我想買一個電絡鐵，但不知道那個好。上次在京東花了二十多買了一個，用了3次就壞了。我想買一個耐用的，價格50左右。求推薦。
2015-01-06 20:27:41
盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標準接口的出現(xiàn)，這些技術在功能上有很大的重疊。本篇詳細介紹了用FRAM替換SRAM時需要考慮的因素 FRAM注意事項FRAM與SRAM
2020-10-16 14:34:37
flash存儲轉換成鐵電存儲,應該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
）。 富士通的FRAM里使用了PZT（鋯鈦酸鉛）的鐵電物質，其結晶結構如下圖所示。 圖1鐵電存儲器的結晶結構 方格中的Zr （鋯）或Ti （鈦）離子有兩個穩(wěn)定點，其性質是在外部電場作用下會改
2020-05-07 15:56:37
一． 概述：FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為
2019-07-11 06:08:19
數(shù)據(jù)存儲方案有靜態(tài)存儲器SRAM加電池的組合、FLASH閃存芯片、EEPROM和鐵電存儲器FRAM (Ferroelectric Random Accessmemory)等。SRAM加電池的組合容易因
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
朋友要測量鐵電膜的電滯回線，需要自己設計測量電路，準備初步用示波器顯示。是基于Sawyer-tower電路的，但是有些時候出不了電滯回線，是怎么回事啊？相關的朋友請幫幫忙啊！鐵電膜是好的，電路就是Sawyer-tower電路。
2013-04-07 18:35:16
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內(nèi)支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術FRAM或鐵電隨機存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器（1T-1FC）架構，該
2022-11-17 15:05:44
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-25 16:51 編輯
雖然EEPROM和FLASH通常都被用于非易失性存儲器(NVM)的最佳選擇，在大多數(shù)應用中，鐵電存儲器(FRAM)為
2016-02-25 16:25:49
使用鐵電存儲器FM25CL64B，通過SPI接口讀寫數(shù)據(jù)，memset(send_buff,0x00,sizeof(send_buff));memset(recv_buff,0x00,sizeof
2022-06-07 09:18:12
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
我有個應用設計，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
我們公司是代理富士通鐵電存儲器FRAM，單片機和華邦的FLASH。因為剛開始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類型的客戶，都普遍很少用，只是有一些對產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
如今，有多種存儲技術均具備改變嵌入式處理領域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術的強勁競爭者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
帶FRAM存儲器MSP430常見問題及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是
2018-08-20 09:11:18
富士通半導體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。
2019-07-26 07:31:26
剛剛找的比較全的RAMTRON鐵電的選型資料希望對工程師有幫助！
2012-05-07 15:20:14
有用multisim模擬過 鐵電電容 的大神嗎關于鐵電電容的等效模型的搭建 能指點一二嗎謝謝
2015-02-04 03:00:06
1、方的磷酸鐵鋰電池會和其它鋰電池一樣鼓包嗎？2、方的和圓的每wh的單價哪個更低？3、國內(nèi)做成品電芯的企業(yè)有哪些？或者在什么網(wǎng)站能找到全一點的。4、關注磷酸鐵鋰電池價格看原材料看不出來每wh的波動，沒成品電芯價格波動有其它途徑嗎？
2022-07-23 16:00:32
最近抽空參加了2013富士通半導體的MCU/FRAM鐵電存儲器技術研討會，演講的是一個華裔日本人，趕腳講的還是比較中肯滴，他說：“由于FRAM產(chǎn)品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
誰有這本書的PDF或者是MSP430的鐵電程序，分享一下，感激不盡
2016-06-30 17:28:18
EEWORLD有了富士通FRAM的活動，真心的感覺非常好，讓我有機會圓了鐵電的夢，以前還真不知道富士通原來這么牛X，連鐵電都出了這么多型號。因為最近的工作重點不在鐵電，申請到樣品MB85RC256V后簡單做了
2014-12-01 17:47:20
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設計。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:505083 
鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:051194 FRAM 是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器，它的核心技術是鐵電晶體材料，擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為256KBIT存貯器，
2011-07-18 17:13:3093 MB89R112芯片用于高頻RFID標簽，帶9 KB的FRAM內(nèi)存。FerVID家族產(chǎn)品使用鐵電存儲器（FRAM），具有寫入速度快，高頻可重寫，耐輻射，低功耗操作等特點。
2012-07-31 13:31:194877 
鐵電隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術，本文將論述FRAM的主要技術屬性，同時探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:552264 
一夢三五年——我的電子研發(fā)路，感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-08-05 16:09:3516 FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。
2016-12-26 17:27:010 FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
2017-03-28 18:05:301791 是時候來科普下威武的鐵電（FRAM）技術了！望文生義對于工程師可不行，例如曾有客戶在設計一級三相智能電表的時候，對是否選擇鐵電存儲器（FRAM）之前，向我們提出了一個問題：“工業(yè)環(huán)境中那么多電磁干擾，甚至磁鐵，它會不會易于被雜散磁場擾亂？”看來“鐵電”這個術語多少起到了一點誤導作用。
2017-03-28 18:28:221210 
。 鐵電存儲技術早在1921年提出，直到1993年美國Ramtron國際公司成功開發(fā)出第一個4K位的鐵電存儲器FRAM產(chǎn)品，目前所有的FRAM產(chǎn)品均由Ramtron公司制造或授權。最近幾年，FRAM又有新的發(fā)展，采用了0.35 um工藝，推出了3V產(chǎn)品，開發(fā)出單管單容存儲單元的FRAM，最大密度可達25
2017-05-05 16:59:3215 這是一個256bit的非易失性存儲器FM25L256采用先進的鐵電的過程。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性和執(zhí)行讀取和寫入內(nèi)存一樣。它提供了可靠的數(shù)據(jù)保持10年，同時消除了復雜性，開銷和系統(tǒng)級的可靠性問題所造成的EEPROM和其他非易失性存儲器。
2017-11-03 17:15:34124 FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱上說，FRAM是鐵電存儲器，但它不受磁場的影響，因為芯片中不含鐵基材料（鐵）。鐵電材料可在電場中切換極性，但是它們不受磁場的影響。
2018-04-04 09:07:309 關鍵詞：FRAM , 存儲器 引言： FRAM存儲器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文： 鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動化、關鍵任務空間
2018-09-28 15:56:01611 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載。
2019-01-23 16:41:2533 鐵電存儲器是美國Ramtran公司推出的一種非易失性存儲器件，簡稱FRAM。
2019-08-12 17:06:124190 和FLASH非易失性內(nèi)存相比，FRAM在EDR應用上有三大關鍵優(yōu)勢。對于那些有精確時間要求的應用來說，FRAM會立即具備非易失性。這些應用在系統(tǒng)發(fā)生故障時，最重要的數(shù)據(jù)，如數(shù)據(jù)記錄器通常會面臨風險。FRAM擦寫周期為10E+14，而EEROM為10E+6，F(xiàn)LASH為10E+5，。因此FRAM是數(shù)據(jù)記錄
2020-05-26 11:03:431571 
鐵電存儲器（FRAM）是一種隨機存取存儲器，是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，它將DRAM的快速讀取和寫入訪問，它是個人電腦存儲中最常用的類型，與在電源關掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣
2020-08-18 15:22:321189 
SPI-FRAM之前，有幾個參數(shù)需要進行一些系統(tǒng)級分析，包括輸出負載，啟動時間以及加電和斷電斜坡。 比較的可靠性考慮 CY15B104QN FRAM架構采用鐵電材料作為存儲設備。這些材料的固有電偶極子
2020-09-19 10:07:312408 FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:312219 盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標準接口的出現(xiàn)，這些技術在功能上有很大的重疊。
2020-10-16 11:02:134090 盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標準接口的出現(xiàn)，這些技術在功能上有很大的重疊。本篇文章宇芯電子詳細介紹了SRAM和FRAM的共同屬性，這為設計中替換串行SRAM提供了
2020-10-20 14:34:531264 對于特定的產(chǎn)品設計，關于鐵電RAM為何比串行SRAM更好，有幾個原因值得一提。以下各節(jié)將介紹其中的一些注意事項。 優(yōu)越的頻率和帶寬 傳統(tǒng)和ULE FRAM都比串行SRAM支持更高的SPI時鐘頻率
2020-10-20 14:37:461061 鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結合起來。
2020-12-03 11:53:168369 FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢
2021-05-04 10:17:002823 
不進行擦除或重寫，數(shù)據(jù)就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 富士通FRAM技術和工作原理 FRAM是運用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲又可以像RAM一樣操作。 ?當一個電場被加到鐵電晶體時，
2021-05-04 10:16:001119 
FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。那么
2021-04-26 14:31:281037 富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM， 富士通半導體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲器，FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設備等產(chǎn)業(yè)領域，以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:161154 
FRAM的學術名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，其的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在 如EEPROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM
2021-04-30 17:10:171698 開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡單介紹一下為何可以說FRAM車規(guī)級是滿足汽車電子可靠性和無延遲要求的優(yōu)先存儲器選擇。 為什么這么說？這就要從FRAM的產(chǎn)品特性開始說起。FRAM的學術名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，
2021-05-11 17:17:091148 
FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長，FRAM已經(jīng)應用于IC卡和MCU中，預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術特點，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202726 FRAM（鐵電RAM）是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如 EEPROM、閃存）相比，鐵電存儲器不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低
2021-11-11 16:24:092080 鐵電隨機存儲器FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM主要結合了ROM和RAM的...
2022-01-26 18:43:450 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快、讀/寫
2022-03-02 17:18:361780 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:441283 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質，利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:143282 
綜合布線中電子配線架的應用可以說給布線工程及后期維護帶來了巨大的改變，關于電子配線架我有話說，希望更多的人get到它的優(yōu)勢，下面就一起來看看吧。 電子配線架優(yōu)勢： 利用電子配線架，能大大減少工作人員
2023-05-29 10:22:01848 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電
2023-06-20 14:19:251320 
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:464890 FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力，或在許多開關周期后維持鐵電開關電荷的非易失性部分的能力。
2024-02-19 10:21:171226 
FRAM SF25C20晶圓合封MCU，滿足小尺寸和高性能需求
2024-04-22 09:49:211574 
鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一種結合了RAM的快速讀寫能力和非易失性存儲特性的存儲技術。其結構特點主要體現(xiàn)在其獨特的材料構成、工作原理、物理結構以及所展現(xiàn)出的優(yōu)越性能上。
2024-09-29 15:18:541757 鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲器技術，憑借其獨特的優(yōu)勢在存儲市場中占據(jù)了一席之地。然而，與任何技術一樣，鐵電存儲器也有其優(yōu)點和缺點。
2024-09-29 15:21:003410 鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲器，它們在工作原理、性能特點、應用場景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324375 相比，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性，因此受到很大關注。今天Aigtek安泰電子就給大家介紹一下和鐵電材料密切相關的鐵電存儲器（FRAM），以及功率放大器在鐵電存儲器（FRAM）鐵電疇的高壓極化測試中的應用。 一、鐵電存儲器的定義 鐵電存儲
2024-11-27 11:57:08992 
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。
2024-12-04 09:11:211821 
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