FRAM的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
FRAM是由美國 Ramtron公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫存儲器。 其核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存貯產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存儲器（RAM） 和非易失性存儲器的特性。
原理：鐵電晶體材料的工作原理是： 當(dāng)我們把電場加載到鐵電晶體材料上，晶陣中的中心原子會沿著電場方向運(yùn)動，到達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)。晶陣中的每個(gè)自由浮動的中心原子只有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，一個(gè)我們記作邏輯 0，另一個(gè)記作邏輯 1。中心原子能在常溫﹑沒有電場的情況下停留在此狀態(tài)達(dá)一百年以上。 由于在整個(gè)物理過程中沒有任何原子碰撞，鐵電存儲器（FRAM）擁有高速讀寫，超低功耗和無限次寫入等特性。
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