ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。

ROHM于2012年3月份于全球首家開(kāi)始量產(chǎn)內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)大，并擁有達(dá)1200V、300A的產(chǎn)品，各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著新封裝的開(kāi)發(fā)， ROHM繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品陣容，如今已經(jīng)擁有覆蓋IGBT模塊市場(chǎng)主要額定電流范圍100A～600A的全SiC模塊產(chǎn)品。利用這些模塊，可大幅提升普通同等額定電流IGBT模塊應(yīng)用的效率，并可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。

開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，可進(jìn)一步提升大功率應(yīng)用的效率

ROHM利用獨(dú)有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出新型封裝，從而開(kāi)發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，Tj＝150℃時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗降低了64%（與市面上銷(xiāo)售的IGBT模塊產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格書(shū)中的數(shù)據(jù)比較）。

高頻驅(qū)動(dòng)，有利于外圍元器件的小型化

在PWM逆變器驅(qū)動(dòng)時(shí)的損耗仿真中，與同等額定電流的IGBT模塊相比，相同開(kāi)關(guān)頻率的損耗在5kHz時(shí)減少30%、20kHz時(shí)減少55%，總體損耗顯著降低。在20kHz時(shí)，散熱器所需尺寸可比預(yù)期小88%。另外，通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)，可使用更小體積的外圍無(wú)源器件，可進(jìn)步一實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化。

全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容

BSM080D12P2C008	1200	-6 ~22	80	175	-40 ~125	2500	25	C type 45.6 × 122 × 17mm	–
BSM120D12P2C005	120
BSM180D12P3C007	-4 ~22	180
BSM180D12P2E002	-6 ~22	180	13	E Type 62 × 152 × 17mm	○
BSM300D12P2E001	300
BSM400D12P3G002	-4 ~22	400	10	G Type 62 × 152 × 17mm
BSM600D12P3G001	600
產(chǎn)品名稱(chēng)	絕對(duì)最大額定值	電感值 (nH)	封裝	熱敏電阻	內(nèi)部電路圖※
VDSS (V)	VGS (V)	ID(V) [Tc=60°C]	Tj max (°C)	Tstg (°C)	Visol(V) [AC?1min.]

※產(chǎn)品陣容中還包括斬波型產(chǎn)品。

審核編輯?黃宇

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