美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 在這篇文章里，我們首先會列出宇航和國防戶最關(guān)鍵的需求，然后詳細(xì)闡述Teledyne e2v的微處理器是如何完美地滿足這些高可性的需求，接著深入介紹這些高可靠性微處理器的質(zhì)量認(rèn)證。
2020-01-06 18:58:242477 電源模塊發(fā)熱問題會嚴(yán)重危害模塊的可靠性，使產(chǎn)品的失效率將呈指數(shù)規(guī)律增加，電源模塊發(fā)熱嚴(yán)重怎么辦？本文從模塊的熱設(shè)計角度出發(fā)，為你介紹各類低溫升、高可靠性的電源設(shè)計及應(yīng)用解決方案。
2018-08-03 09:19:568235 
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴(kuò)大了設(shè)計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031990 
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※產(chǎn)品陣容中還包括斬波型產(chǎn)品。關(guān)于新產(chǎn)品的詳細(xì)信息，請聯(lián)系ROHM銷售部門或點(diǎn)擊這里。ROHM還提供可輕松評估全SiC功率模塊柵極驅(qū)動器評估板。
2018-12-04 10:20:43
3G核心網(wǎng)網(wǎng)元是什么？為什么要提高3G核心網(wǎng)高的可靠性設(shè)計？3G核心網(wǎng)高可靠性設(shè)計方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
進(jìn)行半導(dǎo)體元器件的評估時，電氣/機(jī)械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
率為一個平穩(wěn)值，意味著產(chǎn)品進(jìn)入了一個穩(wěn)定的使用期。耗損失效期的失效率為遞增形式，即產(chǎn)品進(jìn)入老年期，失效率呈遞增狀態(tài)，產(chǎn)品需要更新。提高可靠性的措施可以是：對元器件進(jìn)行篩選;對元器件降額使用，使用容錯法
2015-08-04 11:04:27
高可靠性的線路板具有什么特點(diǎn)？
2021-04-25 08:16:53
EFR32介紹EFR32 Mighty Gecko ZigBee 和 Thread 的 SoC 系列是無線 Gecko 產(chǎn)品系列的組成部分。 Mighty Gecko SoC 是實(shí)現(xiàn) IoT 設(shè)備
2021-07-23 06:21:18
采用IR51H420構(gòu)成的高可靠性節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器電路圖
2019-10-31 09:10:48
MGDS-150系列是GAIA電源致力于航空、航天、軍事及高端工業(yè)應(yīng)用研發(fā)的高可靠性DC-DC轉(zhuǎn)換器，其核心設(shè)計主要包括超薄型化結(jié)構(gòu)、超高功率密度、超寬頻率范圍、多功能保護(hù)系統(tǒng)四大性能，能夠滿足極端
2025-07-29 09:35:07
IGBT2/IGBT3的功率周次曲線 圖8 1200V/1700V IGBT4的功率周次曲線3. PrimePACK針對封裝技術(shù)做了改進(jìn)來提高模塊的溫度周次能力：采用了增強(qiáng)型Al2O3，從而減小了襯底和銅
2018-12-04 09:59:11
愿景，以企業(yè)文化“革新觀念、凝聚智慧、點(diǎn)燃斗志、激發(fā)潛能”。2)經(jīng)營理念：追求卓越品質(zhì)，打造極致用戶體驗(yàn)高可靠性是廣大客戶賴以生存和發(fā)展的命脈！“華秋”把“卓越品質(zhì)、極致體驗(yàn)”當(dāng)做行動指南滲透至日
2020-07-09 11:54:01
，美國50%的電子設(shè)備在儲存期間就失效、60%的機(jī)載電子設(shè)備運(yùn)到遠(yuǎn)東后不能使用。美國發(fā)現(xiàn)不可靠電子設(shè)備影響戰(zhàn)爭的進(jìn)行，而且年均維修費(fèi)是設(shè)備采購費(fèi)用的2倍。1949年，美國無線電工程師學(xué)會成立了第一個可靠性
2020-07-03 11:09:11
秋”把“打造高可靠PCB、履行社會責(zé)任”當(dāng)做全體成員為之奮斗的共同愿景，以企業(yè)文化“革新觀念、凝聚智慧、點(diǎn)燃斗志、激發(fā)潛能”。2)經(jīng)營理念：追求卓越品質(zhì)，打造極致用戶體驗(yàn)高可靠性是廣大客戶賴以生存
2020-07-08 17:10:00
采購費(fèi)用的2倍。949年，美國無線電工程師學(xué)會成立了第一個可靠性專業(yè)學(xué)術(shù)組織——可靠性技術(shù)組。1950年12月，美國成立了“電子設(shè)備可靠性專門委員會”，軍方、武器制造公司及學(xué)術(shù)界開始介入可靠性研究，到
2020-07-03 11:18:02
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率轉(zhuǎn)換效率可提升高達(dá)5%采用準(zhǔn)諧振方式，可實(shí)現(xiàn)更低EMI通過減少元器件數(shù)量，可實(shí)現(xiàn)顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩(wěn)定供應(yīng)，很適合工業(yè)設(shè)備應(yīng)用產(chǎn)品陣容新增4款保護(hù)功能
2022-07-27 11:00:52
擊穿電壓仿真工具中實(shí)現(xiàn)，因此假定電荷為零。采用深P-區(qū)域可減少軸向壽命殺傷器（如氦氣或質(zhì)子）的泄漏電流，并使器件在硬開關(guān)條件下具有魯棒性。圖 1：1700V 器件的平面結(jié) VLD 端接的橫截面。圖 2
2023-02-27 09:32:57
分享一款不錯的高可靠性CAN-bus以太網(wǎng)冗余組網(wǎng)方案
2021-05-26 06:37:56
高可靠性永遠(yuǎn)是計算機(jī)系統(tǒng)中必不可少的重要需求，尤其是對于整個系統(tǒng)中用來產(chǎn)生統(tǒng)一時間信號的專用設(shè)備來說，其可靠性和精準(zhǔn)性非常重要。時統(tǒng)模塊的功能就是保證整個系統(tǒng)處在統(tǒng)一時間的基準(zhǔn)上，它接收時統(tǒng)站發(fā)來
2019-08-26 06:27:46
Proteus仿真-基于ICL7107的±2V電壓表頭ICL7107介紹管腳說明元器件選擇說明200mv的參考圖Proteus仿真ICL7107介紹ICL7107是3位半位雙積分型A/D轉(zhuǎn)換器，屬于
2022-01-25 08:12:52
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計包括使用容錯設(shè)計方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計包括使用容錯設(shè)計方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文擬從印制板下游用戶安裝后質(zhì)量、直接用戶調(diào)試質(zhì)量和產(chǎn)品使用質(zhì)量三方面研究印制板的可靠性，從而表征出印制板加工質(zhì)量的優(yōu)劣并提供生產(chǎn)高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何采用功率集成模塊設(shè)計出高能效、高可靠性的太陽能逆變器？
2021-06-17 06:22:27
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※產(chǎn)品陣容中還包括斬波型產(chǎn)品。關(guān)于新產(chǎn)品的詳細(xì)信息，請聯(lián)系ROHM銷售部門或點(diǎn)擊這里。ROHM還提供可輕松評估全SiC功率模塊柵極驅(qū)動器評估板。
2018-12-04 10:19:59
。右圖為SiC-MOSFET＋SiC-SBD組成的全SiC模塊BSM300D12P2E001（1200V/300A）與IGBT＋FRD的模塊在同一環(huán)境下實(shí)測的開關(guān)損耗結(jié)果比較。Eon是開關(guān)導(dǎo)通時的損耗
2018-12-04 10:14:32
的感覺，但僅僅因?yàn)檐浖谑芸貤l件下的那一刻運(yùn)行正常并不意味著明天或一年后還會運(yùn)行正常。從規(guī)范完善的開發(fā)周期到嚴(yán)格執(zhí)行和系統(tǒng)檢查，開發(fā)高可靠性嵌入式系統(tǒng)的技術(shù)有許多種。本文介紹了7個易操作且可以長久使用的技巧，它們對于確保系統(tǒng)更加可靠地運(yùn)行并捕獲異常行為大有幫助。
2019-09-29 08:10:15
甲烷傳感器的特點(diǎn)甲烷傳感器的工作原理新型高可靠性甲烷傳感器的原理與設(shè)計
2021-04-09 06:41:47
用于高可靠性醫(yī)療應(yīng)用的混合信號解決方案
2019-09-16 06:34:54
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計演示板。該設(shè)計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
用于額溫計的信號調(diào)理芯片NSA2300/NSA2302介紹
2021-06-16 08:18:14
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
G.DMOS)18010Etype有BSM300D12P2E001(2G. DMOS)3007.3由ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”功率模塊 重點(diǎn)必看開關(guān)損耗更低，頻率更高，應(yīng)用設(shè)備體積更?。?相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞全SiC功率模塊SiC-MOSFETSiC-SBD
2018-12-04 10:11:50
集成電路為高可靠性電源提供增強(qiáng)的保護(hù)和改進(jìn)的安全功能
2019-06-11 16:25:31
驅(qū)動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設(shè)計:通過對幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動專用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析，對M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進(jìn)行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:52
40 E2PROM 是較常用的存儲器件。但在特殊的場合，其可靠性或其使用壽命對系統(tǒng)的正常運(yùn)行有很大影響。為此介紹了I2C 總線及E2PROM 的工作原理，提出了一種具有較高可靠性的E2PROM 控制
2010-01-13 15:14:5315 周 品牌：PICO產(chǎn)品詳情介紹70565是一款高可靠性的Pico音頻變壓器。音頻變壓器是音頻范圍內(nèi)使用的變壓器，它可以提供電流隔離、信號增益
2024-03-20 20:05:32
UACHV225S高壓AC-DC電源模塊高可靠性重要參數(shù) 輸入電壓：85~265Vac輸出電壓： 225Vdc電源精度：1%功率： 250w訂貨周期：6-8周品牌：PICO產(chǎn)品詳情介紹
2024-03-20 20:36:19
高可靠性微控制器設(shè)計研究
摘要：本文目標(biāo)是根據(jù)航天電子設(shè)計的需要，提出一種高可靠性微處理器設(shè)計的設(shè)計方案。在分析了單粒子效應(yīng)的和總結(jié)了高可靠性設(shè)計
2010-01-08 10:44:48835 
Mouser Electronics供貨帶防偽驗(yàn)證系統(tǒng)的TDK LGJ系列高可靠性功率電感器。
2013-07-15 17:26:511512 日前，全球高可靠性半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商e2v宣布推出P2041和P3041處理器，這兩款處理器均為高可靠性Freescale四核QorIQ處理器版本，適用于航空航天與國防等功率敏感與計算密集型應(yīng)用。
2013-07-16 16:29:352595 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:441022 功率計量芯片HLW8012介紹及應(yīng)用 簡單易用 使用方便 程序簡單
2015-11-20 16:28:12127 主要研究了紅外熱像儀可靠性的設(shè)計技術(shù)。分析了紅外熱像儀的常見故障，建立了紅外熱像儀 典型的可靠性模型。理論分析了可靠性的主要限制因素及其影響程度，提出了高可靠性紅外熱像儀的 設(shè)計方法，并給出了試驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果。最后對比介紹了國內(nèi)外典型紅外熱像儀可靠性的增長情況。
2015-12-31 11:17:267 學(xué)習(xí)完本課程，您應(yīng)該能夠：了解什么是高可靠性技術(shù)，了解高可靠性技術(shù)包含哪些技術(shù)類別。
2016-04-12 17:38:5815 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1314691 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:174502 功率模塊封裝目前有幾項關(guān)鍵技術(shù)，如塑封成型、高溫芯片粘接與連接等。模塊必須擁有良好的熱效率和電效率，同時保持小質(zhì)量和小體積。此外，為了保持競爭力，功率模塊制造商需要保證產(chǎn)品高可靠性的同時，具有成本效益。
2019-03-11 16:46:397774 ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:523238 對BSM250D17P2E004和同等IGBT模塊實(shí)施了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗(yàn)，試驗(yàn)條件為在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下，施加1360V。試驗(yàn)結(jié)果是IGBT模塊比較早期出現(xiàn)絕緣劣化或絕緣擊穿導(dǎo)致的漏電流增加現(xiàn)象，在1,000小時內(nèi)發(fā)生了故障。
2019-08-22 09:05:594643 E2V是醫(yī)療、科學(xué)、航空、國防和工業(yè)領(lǐng)域創(chuàng)新解決方案專用部件和子系統(tǒng)的全球領(lǐng)先企業(yè)。提供高性能和高可靠性的半導(dǎo)體解決方案。 E2V提供了許多標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的一系列特別合格的版本。定制解決方案也是為了滿足
2020-08-11 10:05:544751 金升陽緊跟功率半導(dǎo)體市場動向，推出QAxx3D-2GR3（下文稱：QA-R3系列驅(qū)動電源），可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上。
2021-05-07 11:49:581827 。 該板有三個輸出：+15V、-15V和+24V，輸出功率高達(dá)62.5W。 該板使用TO-263 7L表面貼裝器件（SMD）封裝的1700V CoolSiC MOSFET作為主開關(guān)，非常適合高輸入電壓
2021-09-07 14:11:033834 
?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 半導(dǎo)體于2021年推出SiC MOSFET產(chǎn)品，不僅一如既往的追求高可靠性，同時也擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的高性能和競爭力。
2022-02-18 16:44:105625 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:584654 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計
2022-08-28 11:17:069 SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實(shí)際使用業(yè)績還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認(rèn)識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18985 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:211335 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:231760 
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:051819 
轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05617 ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動模塊使用手冊 （采用100%國產(chǎn)化元器件設(shè)計） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動模塊是特別為100%國產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動模塊
2023-02-16 15:01:5514 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234 
前幾天，三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄（.點(diǎn)這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:552105 新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊1700V電機(jī)驅(qū)動功率半導(dǎo)體解決方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊
2023-01-29 17:41:443272 
功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:534 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:311230 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:492169 
電源中，由于母線電壓和功率不同，一般會選用單管反激或雙管反激拓?fù)?，無論那種拓?fù)涠茧x不開核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:052882 
了許多電子產(chǎn)品的基本要求。接下來深圳PCB板廠就為大家介紹下高可靠性PCB的重要特征。 高可靠性PCB的重要特征 1、做到25μm的孔壁銅厚可以增強(qiáng)可靠性，包括改進(jìn)Z軸的耐膨脹能力; 2、完美的電路可確保可靠性和安全性，高可靠性的PCB一般都無焊接修理或斷
2023-11-20 10:14:081109 11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:183074 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5V轉(zhuǎn)220V新一代無變壓器大功率升壓模塊XKT203-08介紹.docx》資料免費(fèi)下載
2024-02-26 09:12:44159 的功率密度和更長的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產(chǎn)品組合新增了1700V電壓等級的900A模塊。產(chǎn)品型號：FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431056 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《針對高可靠性應(yīng)用的電壓轉(zhuǎn)換.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-18 14:46:140 近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:581001 由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴(kuò)展至2000V，新的可能性隨之而來。以前需要
2025-03-14 11:01:15793 
深度分析：從IGBT模塊可靠性問題看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導(dǎo)致國內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元，這一案例凸顯了功率半導(dǎo)體模塊可靠性測試的極端重要性。國產(chǎn)SiC
2025-03-31 07:04:501318 質(zhì)量亂象：未通過可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的國產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果 國產(chǎn)SiC（碳化硅）功率模塊在APF（有源電力濾波器）和PCS（儲能變流器）等電力電子設(shè)備中的應(yīng)用趨勢日益顯著，主要受益于技術(shù)性
2025-04-02 18:24:49826 
兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061031 
傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設(shè)計 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-11-03 11:26:47447 
5V2A 充電器憑借高可靠性與低成本的雙重優(yōu)勢，可廣泛適配手機(jī)、音響、交換機(jī)、攝像頭等多類設(shè)備。采用了U7711 同步整流 IC與SZ2525 電源管理 IC的組合。其中，U7711是高性能同步整流
2025-11-03 15:52:251
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論