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聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

聞泰科技 ? 來源:聞泰科技 ? 2025-05-14 17:55 ? 次閱讀
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在全球新能源汽車加速普及的今天,續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點,高功率電壓系統(tǒng)對1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切,1200V SiC功率器件成為行業(yè)競相攻堅的焦點。在這一趨勢下,聞泰科半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET,為電動汽車行業(yè)注入強勁新動能。

持續(xù)研發(fā)投入

加速布局高壓功率市場

2024年,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)研發(fā)投入為18億元,為技術(shù)突破與產(chǎn)品創(chuàng)新筑牢根基。2025年第一季度,多款第三代半導(dǎo)體及模擬芯片產(chǎn)品密集落地,從1200V SiC MOSFET、增強型(e-mode)GaN FET等前沿功率器件,到LED驅(qū)動芯片、LDO芯片等模擬產(chǎn)品,全方位覆蓋“從低壓到高壓、從功率到模擬”的產(chǎn)品矩陣,形成強有力的技術(shù)護(hù)城河。

其中,1200V SiC MOSFET成為核心亮點之一。憑借卓越性能,它不僅精準(zhǔn)適配電動汽車車載充電器(OBC)、牽引逆變器等核心場景,大幅提升新能源汽車的動力轉(zhuǎn)換效率與續(xù)航能力,在光伏、風(fēng)電、儲能等綠色能源領(lǐng)域同樣潛力巨大。

在“雙碳”戰(zhàn)略驅(qū)動下,全球?qū)Ω咝У秃?a href="www.brongaenegriffin.com/article/special/" target="_blank">電力電子器件的需求呈爆發(fā)式增長,SiC市場潛力巨大。Yole Group預(yù)測,到2029年,功率SiC器件市場規(guī)模將突破100億美元。聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)積極布局,與行業(yè)趨勢高度契合,有望在這場百億級市場競爭中成為推動行業(yè)變革的關(guān)鍵力量。

創(chuàng)新技術(shù)突破

持續(xù)賦能汽車電動化

在新能源汽車中,SiC MOSFET的性能至關(guān)重要,其中導(dǎo)通電阻RDS(on)作為關(guān)鍵參數(shù),直接影響傳導(dǎo)損耗。此次推出器件的RDS(on)分別為30、40和60 mΩ,憑借創(chuàng)新工藝技術(shù),聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)溫度穩(wěn)定性——在25°C至175°C范圍內(nèi),RDS(on)標(biāo)稱值僅增加38%,顯著優(yōu)于市場同類產(chǎn)品。

這一技術(shù)突破不僅保障了汽車性能穩(wěn)定,還實現(xiàn)了更高的功率輸出。與其他供應(yīng)商相比,搭載該技術(shù)的SiC MOSFET器件能在相同RDS(on)下釋放更多功率,具備顯著成本優(yōu)勢。此外,公司還表示:今年將計劃陸續(xù)推出17 mΩ和80 mΩ RDS(on)的車規(guī)級SiC MOSFET。雖然現(xiàn)階段SiC產(chǎn)品在公司業(yè)務(wù)中占比尚小,但產(chǎn)品的不斷擴(kuò)充,體現(xiàn)了公司堅守研發(fā)承諾,促進(jìn)技術(shù)發(fā)展的決心。

憑借過硬實力,聞泰科技于2024年5月推出的1200V SiC MOSFET榮獲“2024年度全球電子成就獎—年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎”,彰顯公司在全球功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。

在產(chǎn)能布局方面,公司在2024年6月宣布了約2億美金的8英寸SiC器件產(chǎn)線投資,目前部分設(shè)備已進(jìn)場,預(yù)計在未來幾年內(nèi)建成投產(chǎn)。

未來,隨著全球新能源汽車對高效低耗電力電子器件需求持續(xù)攀升,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將憑借持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品優(yōu)化,鞏固行業(yè)優(yōu)勢地位,為汽車電動化及全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展持續(xù)賦能。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:科技創(chuàng)新 | 加速汽車電動化進(jìn)程,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)推出車規(guī)級1200 V SiC MOSFET

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