美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開(kāi)型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱(chēng)為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 電源模塊以高集成度、高可靠性、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)等多重優(yōu)勢(shì)，受到許多工程師的青睞。但即便使用相同的電源模塊，不同的用法也會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)的可靠性大相徑庭。使用不當(dāng)，非但不能發(fā)揮模塊的優(yōu)勢(shì)，還可能降低系統(tǒng)可靠性。
2017-09-08 13:36:223283 
車(chē)載可降低故障風(fēng)險(xiǎn)的高可靠性高頻率功率電感器方案。 目次 汽車(chē)電子的動(dòng)向 車(chē)載零部件要求的環(huán)境的變化 針對(duì)各種ECU分別提出最佳解決方案 高可靠性車(chē)載用高頻率功率電感器的產(chǎn)品概述 高可靠性車(chē)載用高頻率功率電感器的產(chǎn)品概要、
2023-08-22 16:26:241201 
大功率領(lǐng)域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，對(duì)功率器件的可靠性要求很高，為此，針對(duì)自主研制的3300V SiC MOSFET 開(kāi)展柵氧可靠性研究。首先，按照常規(guī)的評(píng)估技術(shù)對(duì)其進(jìn)行了高溫柵
2024-01-04 09:41:545025 
MOSFET的柵氧可靠性問(wèn)題一直是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和使用壽命，因此，如何有效驗(yàn)證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-03-24 17:43:272363 
電源模塊發(fā)熱問(wèn)題會(huì)嚴(yán)重危害模塊的可靠性，使產(chǎn)品的失效率將呈指數(shù)規(guī)律增加，電源模塊發(fā)熱嚴(yán)重怎么辦？本文從模塊的熱設(shè)計(jì)角度出發(fā)，為你介紹各類(lèi)低溫升、高可靠性的電源設(shè)計(jì)及應(yīng)用解決方案。
2018-08-03 09:19:568235 
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對(duì)效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031990 
功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出五款面向800V汽車(chē)應(yīng)用的全新參考設(shè)計(jì)，這些參考設(shè)計(jì)基于該公司的1700V InnoSwitch
2025-05-08 14:30:334724 
3G核心網(wǎng)網(wǎng)元是什么？為什么要提高3G核心網(wǎng)高的可靠性設(shè)計(jì)？3G核心網(wǎng)高可靠性設(shè)計(jì)方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說(shuō)明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
進(jìn)行半導(dǎo)體元器件的評(píng)估時(shí)，電氣/機(jī)械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
。目前，ROHM正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產(chǎn)品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產(chǎn)品類(lèi)型。以下整理了現(xiàn)有機(jī)型產(chǎn)品陣容和主要規(guī)格。1200 V耐壓80A～600A
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
率為一個(gè)平穩(wěn)值，意味著產(chǎn)品進(jìn)入了一個(gè)穩(wěn)定的使用期。耗損失效期的失效率為遞增形式，即產(chǎn)品進(jìn)入老年期，失效率呈遞增狀態(tài)，產(chǎn)品需要更新。提高可靠性的措施可以是：對(duì)元器件進(jìn)行篩選;對(duì)元器件降額使用，使用容錯(cuò)法
2015-08-04 11:04:27
高可靠性的線路板具有什么特點(diǎn)？
2021-04-25 08:16:53
采用IR51H420構(gòu)成的高可靠性節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器電路圖
2019-10-31 09:10:48
MGDS-150系列是GAIA電源致力于航空、航天、軍事及高端工業(yè)應(yīng)用研發(fā)的高可靠性DC-DC轉(zhuǎn)換器，其核心設(shè)計(jì)主要包括超薄型化結(jié)構(gòu)、超高功率密度、超寬頻率范圍、多功能保護(hù)系統(tǒng)四大性能，能夠滿(mǎn)足極端
2025-07-29 09:35:07
，技術(shù)性能即使再好也得不到發(fā)揮。“產(chǎn)品可靠性”就等同于產(chǎn)品靠不靠譜！換言之，“高可靠性”指的是產(chǎn)品壽命更長(zhǎng)，并且在產(chǎn)品生命周期內(nèi)很少出現(xiàn)甚至不出現(xiàn)故障！隨著科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展，各行各業(yè)對(duì)產(chǎn)品的可靠性提出
2020-07-09 11:54:01
工程是企業(yè)開(kāi)展全球化競(jìng)爭(zhēng)的門(mén)檻，也是企業(yè)在日益劇烈的市場(chǎng)當(dāng)中脫穎而出的致勝法寶！四、為什么PCB的高可靠性應(yīng)當(dāng)引起重視？作為各種電子元器件的載體和電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~，PCB決定了電子封裝的質(zhì)量和可靠性。隨著
2020-07-03 11:09:11
。對(duì)于產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，可靠性是產(chǎn)品性能得以發(fā)揮的保證，如果產(chǎn)品不可靠，技術(shù)性能即使再好也得不到發(fā)揮?！爱a(chǎn)品可靠性”就等同于產(chǎn)品靠不靠譜！換言之，“高可靠性”指的是產(chǎn)品壽命更長(zhǎng)，并且在產(chǎn)品生命周期內(nèi)很少
2020-07-08 17:10:00
，放眼全球，國(guó)家與國(guó)家的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)演變成企業(yè)與企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，可靠性工程是企業(yè)開(kāi)展全球化競(jìng)爭(zhēng)的門(mén)檻，也是企業(yè)在日益劇烈的市場(chǎng)當(dāng)中脫穎而出的致勝法寶！四、為什么PCB的高可靠性應(yīng)當(dāng)引起重視？作為各種電子元器件
2020-07-03 11:18:02
頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，室溫和熱時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗。此外，據(jù)我們所知，我們發(fā)現(xiàn)制造功率二極管的一種經(jīng)濟(jì)方法是使用市售的6英寸600V至1700V深擴(kuò)散磷晶片，而不是使用多質(zhì)子注入來(lái)獲得N緩沖區(qū)
2023-02-27 09:32:57
分享一款不錯(cuò)的高可靠性CAN-bus以太網(wǎng)冗余組網(wǎng)方案
2021-05-26 06:37:56
高可靠性的軟硬件開(kāi)發(fā)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)；按照電磁兼容規(guī)范設(shè)計(jì)可靠的 PCB 等。常用的可靠性控制設(shè)計(jì)有：噪聲失敏控制，時(shí)空邊界管理，系統(tǒng)自檢與自修復(fù)，出錯(cuò)后的安全性包容等。二、硬件系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)硬件系統(tǒng)
2021-01-11 09:34:49
望嘗試運(yùn)行SiC元器件的各位、希望提高開(kāi)發(fā)效率的各位使用我公司的評(píng)估板。請(qǐng)參考ROHM官網(wǎng)的“SiC支持頁(yè)面”。SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點(diǎn)必看＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-MOSFETAC/DC轉(zhuǎn)換器全SiC功率模塊
2018-12-04 10:11:25
高可靠性永遠(yuǎn)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中必不可少的重要需求，尤其是對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)中用來(lái)產(chǎn)生統(tǒng)一時(shí)間信號(hào)的專(zhuān)用設(shè)備來(lái)說(shuō)，其可靠性和精準(zhǔn)性非常重要。時(shí)統(tǒng)模塊的功能就是保證整個(gè)系統(tǒng)處在統(tǒng)一時(shí)間的基準(zhǔn)上，它接收時(shí)統(tǒng)站發(fā)來(lái)
2019-08-26 06:27:46
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿(mǎn)足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專(zhuān)門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類(lèi)電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿(mǎn)足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專(zhuān)門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類(lèi)電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文擬從印制板下游用戶(hù)安裝后質(zhì)量、直接用戶(hù)調(diào)試質(zhì)量和產(chǎn)品使用質(zhì)量三方面研究印制板的可靠性，從而表征出印制板加工質(zhì)量的優(yōu)劣并提供生產(chǎn)高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何采用功率集成模塊設(shè)計(jì)出高能效、高可靠性的太陽(yáng)能逆變器？
2021-06-17 06:22:27
盡管許多嵌入式工程師充滿(mǎn)了希望和夢(mèng)想，但高可靠性的代碼不是一蹴而就的。它是一個(gè)艱苦的過(guò)程，需要開(kāi)發(fā)人員維護(hù)和管理系統(tǒng)的每個(gè)比特和字節(jié)。當(dāng)一個(gè)應(yīng)用程序被確認(rèn)為“成功”的那一刻，通常會(huì)有一種如釋重負(fù)
2019-09-29 08:10:15
。因此，硬件可靠性設(shè)計(jì)在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計(jì)，更要考慮整個(gè)控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)。
2021-01-25 07:13:16
甲烷傳感器的特點(diǎn)甲烷傳感器的工作原理新型高可靠性甲烷傳感器的原理與設(shè)計(jì)
2021-04-09 06:41:47
用于高可靠性醫(yī)療應(yīng)用的混合信號(hào)解決方案
2019-09-16 06:34:54
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
、板薄、高頻、高速”的發(fā)展趨勢(shì)，對(duì)可靠性的要求會(huì)越來(lái)越高。高可靠性 PCB 可以發(fā)揮穩(wěn)健的載體作用，從而實(shí)現(xiàn) PCBA 的長(zhǎng)期、穩(wěn)定運(yùn)作，保證終端產(chǎn)品的安全性、穩(wěn)定性和使用壽命，提高經(jīng)濟(jì)效益。高可靠性
2022-05-09 14:30:15
集成電路為高可靠性電源提供增強(qiáng)的保護(hù)和改進(jìn)的安全功能
2019-06-11 16:25:31
驅(qū)動(dòng)1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設(shè)計(jì):通過(guò)對(duì)幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動(dòng)專(zhuān)用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析，對(duì)M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進(jìn)行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:52
40
高可靠性選頻開(kāi)關(guān)電路
2009-04-12 13:25:16729 
機(jī)載高可靠性開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)
Design of High－ reliability Switching Mode Power Supply for Use with Aeroplane
摘要：利用VICOR電源模塊器件為機(jī)載計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)高可
2009-07-24 08:11:341658 
高可靠性微控制器設(shè)計(jì)研究
摘要：本文目標(biāo)是根據(jù)航天電子設(shè)計(jì)的需要，提出一種高可靠性微處理器設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)方案。在分析了單粒子效應(yīng)的和總結(jié)了高可靠性設(shè)計(jì)
2010-01-08 10:44:48835 
Mouser Electronics供貨帶防偽驗(yàn)證系統(tǒng)的TDK LGJ系列高可靠性功率電感器。
2013-07-15 17:26:511512 主要研究了紅外熱像儀可靠性的設(shè)計(jì)技術(shù)。分析了紅外熱像儀的常見(jiàn)故障，建立了紅外熱像儀 典型的可靠性模型。理論分析了可靠性的主要限制因素及其影響程度，提出了高可靠性紅外熱像儀的 設(shè)計(jì)方法，并給出了試驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果。最后對(duì)比介紹了國(guó)內(nèi)外典型紅外熱像儀可靠性的增長(zhǎng)情況。
2015-12-31 11:17:267 學(xué)習(xí)完本課程，您應(yīng)該能夠：了解什么是高可靠性技術(shù)，了解高可靠性技術(shù)包含哪些技術(shù)類(lèi)別。
2016-04-12 17:38:5815 二次電源高可靠性設(shè)計(jì)
2017-09-12 15:20:4815 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1314691 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:174500 功率模塊封裝目前有幾項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，如塑封成型、高溫芯片粘接與連接等。模塊必須擁有良好的熱效率和電效率，同時(shí)保持小質(zhì)量和小體積。此外，為了保持競(jìng)爭(zhēng)力，功率模塊制造商需要保證產(chǎn)品高可靠性的同時(shí)，具有成本效益。
2019-03-11 16:46:397773 對(duì)BSM250D17P2E004和同等IGBT模塊實(shí)施了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗(yàn)，試驗(yàn)條件為在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下，施加1360V。試驗(yàn)結(jié)果是IGBT模塊比較早期出現(xiàn)絕緣劣化或絕緣擊穿導(dǎo)致的漏電流增加現(xiàn)象，在1,000小時(shí)內(nèi)發(fā)生了故障。
2019-08-22 09:05:594643 新功能簡(jiǎn)化高可靠性電源設(shè)計(jì)
2021-03-21 03:43:214 用于高可靠性醫(yī)療應(yīng)用的混合信號(hào)解決方案
2021-03-21 13:16:557 高可靠性組件和解決方案
2021-04-26 14:38:416 。 該板有三個(gè)輸出：+15V、-15V和+24V，輸出功率高達(dá)62.5W。 該板使用TO-263 7L表面貼裝器件（SMD）封裝的1700V CoolSiC MOSFET作為主開(kāi)關(guān)，非常適合高輸入電壓
2021-09-07 14:11:033834 
高可靠性CPCI電源技術(shù)參考(英文版)(深圳中遠(yuǎn)通電源技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司怎么樣)-高可靠性CPCI電源技術(shù)參考(英文版)? ? ? ? ? ??
2021-09-23 13:11:300 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 半導(dǎo)體于2021年推出SiC MOSFET產(chǎn)品，不僅一如既往的追求高可靠性，同時(shí)也擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的高性能和競(jìng)爭(zhēng)力。
2022-02-18 16:44:105622 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開(kāi)關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來(lái)驅(qū)動(dòng)功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:584653 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計(jì)
2022-08-28 11:17:069 使用SSR實(shí)現(xiàn)高可靠性隔離和小尺寸解決方案
2022-12-22 17:25:291641 
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿(mǎn)足硅MOSFET和IGBT用戶(hù)對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿(mǎn)足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過(guò)，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí)，應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-28 17:50:151154 
（NTH4L028N170M1），提供高功率工業(yè)應(yīng)用所需的更高擊穿電壓（BV）的SiC方案。兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管（NDSH25170A、NDSH10170A）讓設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)在高溫高
2023-01-04 13:46:191213 SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長(zhǎng)，與Si功率元器件相比其實(shí)際使用業(yè)績(jī)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認(rèn)識(shí)。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18984 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:211334 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開(kāi)發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:231760 
ROHM面向以戶(hù)外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:241336 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊使用手冊(cè) （采用100%國(guó)產(chǎn)化元器件設(shè)計(jì)） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊是特別為100%國(guó)產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動(dòng)模塊
2023-02-16 15:01:5514 ROHM針對(duì)SiC上形成的柵極氧化膜，通過(guò)工藝開(kāi)發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:121911 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234 
前幾天，三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄（.點(diǎn)這里.），很多人好奇這款車(chē)的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰(shuí)，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:552104 功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:534 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車(chē)電池電壓檢測(cè)和絕緣監(jiān)測(cè)。該應(yīng)用場(chǎng)景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長(zhǎng)等，對(duì)提升車(chē)輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:311230 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:492168 
的高效率、高功率密度和高可靠性的挑戰(zhàn)需要通過(guò)持續(xù)的模塊改進(jìn)來(lái)支持。阻斷電壓為 1700V 和 3300V 的全 SiC MOSFET 模塊已從研究階段成功開(kāi)發(fā)到量產(chǎn)，并滿(mǎn)足最高的牽引質(zhì)量、可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)。 封裝和芯片移位 近年來(lái)，下一代高功率
2023-10-24 16:11:301871 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講可靠性高的PCB都有哪些特征?可靠性高的PCB的重要特征。PCB作為電子產(chǎn)品的核心基板，其質(zhì)量和可靠性直接影響了電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，為此高可靠性的PCB便成為
2023-11-20 10:14:081107 SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:022142 
用于高可靠性應(yīng)用的PME和BME MLCC之對(duì)比
2023-12-01 16:00:181547 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《數(shù)字控制實(shí)現(xiàn)帶有源緩沖高可靠性DC-DC功率轉(zhuǎn)換.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 14:44:574 11月27日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱(chēng)1Ω，
2023-11-30 09:39:183074 
內(nèi)置900V~1500V MOSFET的高可靠性AC-DC電源芯片
2024-08-08 09:50:382347 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《針對(duì)高可靠性應(yīng)用的電壓轉(zhuǎn)換.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-18 14:46:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN028：SiC功率二極管的可靠性.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 16:38:360 近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專(zhuān)為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58999 由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來(lái)越普遍。通過(guò)將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴(kuò)展至2000V，新的可能性隨之而來(lái)。以前需要
2025-03-14 11:01:15793 
深度分析：從IGBT模塊可靠性問(wèn)題看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問(wèn)題導(dǎo)致國(guó)內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元，這一案例凸顯了功率半導(dǎo)體模塊可靠性測(cè)試的極端重要性。國(guó)產(chǎn)SiC
2025-03-31 07:04:501317 質(zhì)量亂象：未通過(guò)可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果 國(guó)產(chǎn)SiC（碳化硅）功率模塊在APF（有源電力濾波器）和PCS（儲(chǔ)能變流器）等電力電子設(shè)備中的應(yīng)用趨勢(shì)日益顯著，主要受益于技術(shù)性
2025-04-02 18:24:49825 
兩款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061028 
傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源
2025-11-03 11:26:47447 
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