過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性 某些情況下，即使使用高速MOSFET也無法降低導通損耗”。本文就其中一個原因即誤啟動現(xiàn)象進行說明。 什么是誤啟動現(xiàn)象 誤啟動是因MOSFET的各柵極電容
2020-12-16 15:03:33
2795 
雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關元件特性評估的一種測試方法。
2020-12-21 14:58:079335 
文章的內(nèi)容來閱讀本文。 通過雙脈沖測試評估MOSFET反向恢復特性 為了評估MOSFET的反向恢復特性，我們使用4種MOSFET實施了雙脈沖測試。4種MOSFET均為超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復型和普通型分別進行了比較。 先來看具有快速恢復
2020-12-21 14:25:4510373 
反向恢復過程： ? ? 通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復過程 。由于反向恢復時間的存在，使二極管的開關速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復時間長，那就
2022-12-10 17:06:3820943 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復特性。當器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復功率，反向恢復時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復時間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:233979 
除了上面的伏安特性曲線以外，對于二極管，你還需要知道兩個特性：二極管電容和反向恢復時間。這兩個特性掌握了之后，那對于通常的二極管來說，你該知道的基本上就算都知道了。
2023-02-14 11:44:271779 
基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng)，同步Buck變換器的續(xù)流開關管、以及次級同步整流開關管， 其體內(nèi)寄生的二極管都會經(jīng)歷反向電流恢復的過程。
2023-12-04 16:05:409019 
為解決功率二極管反向恢復問題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā)，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題，比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來了器件革命的曙光，它幾乎不存在反向恢復的問題。
2024-03-27 11:25:343652 
IGBT模塊的反向恢復現(xiàn)象是指在IGBT關斷時，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">反向截止狀態(tài)過程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。
2025-03-13 14:39:283761 
本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外，還應注意測試波形的準確性。
2025-03-26 16:52:161890 
脈沖下當做開關使用。如果反向脈沖的持續(xù)時間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導通, 起不到開關作用。因此了解二極管反向恢復時間對正確選取管子和合理設計電路至關重要。開關從導通狀態(tài)向截止狀態(tài)轉(zhuǎn)變
2019-12-03 10:16:05
時間如下圖所示，快恢復二極管的反向恢復時間是電流從正向通過零點到反向，再從反向到規(guī)定的低值的時間間隔。其實就是釋放快恢復二極管正向?qū)ㄆ陂g儲存在PN結(jié)擴散電容中的電荷。反向恢復時間決定了快恢復二極管可用
2021-07-30 14:33:17
本帖最后由 aikstech666 于 2023-1-15 09:41 編輯
通過DI-1nS-1n4148測試三款二極管反向恢復時間，測試結(jié)果如下：
2022-11-19 14:21:22
利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關參數(shù)進行測量與評估。一、FRD工作時的風險評估IGBT模塊中的并聯(lián)FRD，是一個
2019-09-27 14:04:00
過程是否有電壓尖峰，評估實際應用是否需要吸收電路；5、評估二極管的反向恢復行為和安全裕量；6、測量母排的雜散電感；雙脈沖測試原理圖1 雙脈沖測試平臺的電路及理想波形IGBT雙脈沖測試的實測電路及電路拓撲
2019-09-11 09:49:33
相比，在啟動過程中，這些空電容會使低端開關Q2的體二極管深度導通。因此流經(jīng)開關Q2體二極管的反向恢復電流非常高，致使當高端開關Q1導通時足夠引起直通問題。啟動狀態(tài)下，在體二極管反向恢復時，非?？赡?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)生
2019-09-17 09:05:04
滿足了發(fā)生反向恢復的條件。D1的反向電流iD1疊加上負載電流iload就會在S2的集電極電流上表現(xiàn)為電流尖峰，如圖2所示?！ D2. 雙脈沖測試波形 關于二極管反向恢復特性更為詳細的測試說明，大家
2020-12-08 15:44:26
需要談到在半導體中移動的電子和空穴。先通過波形圖來了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復特性的不同。右側(cè)波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復時的電流和時間。從波形圖可見紅色
2018-11-29 14:34:32
進行了比較，通過實驗及仿真得出有用的結(jié)論。1 二極管反向恢復原理以普通PN結(jié)二極管為例，PN結(jié)內(nèi)載流子由于存在濃度梯度而具有擴散運動，同時由于電場作用存在漂移運動，兩者平衡后在PN結(jié)形成空間電荷區(qū)。當
2017-08-17 18:13:40
——測試平臺搭建泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖，雙脈沖及多脈沖測試方案，集成強大的發(fā)生裝置，數(shù)據(jù)測試裝置及軟件。用戶可以自定義測試條件，測試項目包含：Toff, td(off), tf
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學習評估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對SiC管做雙脈沖測試考察其開關特性。對于雙脈沖測試
2020-06-18 17:57:15
二極管是單向?qū)?，那?b class="flag-6" style="color: red">反向恢復時間是什么，需要怎么測試
2023-09-27 07:51:57
。
（1）如果脈沖持續(xù)時間比二極管反向恢復時間長得多，這時負脈沖能使二極管徹底關斷，起到良好的開關作用；
（2） 如果脈沖持續(xù)時間和二極管的反向恢復時間差不多甚至更短的話，這時由于反向恢復過程的影響，負
2024-07-16 10:52:56
什么是反向恢復過程？二極管在開關轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn)的反向恢復過程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復時間(Trr)：35nS引線數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復過程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開關電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產(chǎn)生的反向恢復電流的di/dt遠比輸出二極管D反向恢復電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們詳細討論了二極管的結(jié)電容：勢壘電容和擴散電容。我們也知道了數(shù)據(jù)手冊中所給出的結(jié)電容參數(shù)，它的大小和反向恢復時間沒有關系。如下表所示：序號種類型號結(jié)電容反向恢復時間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
一、二極管的反向恢復時間①舉例理解如上圖，在二極管正極輸入正負脈沖方波信號，理想二極管輸出應該是高電平和低電平，但實際上二極管有一個反向恢復時間trr。如上圖，在電壓從正向突然變成負向的瞬間，二極管
2023-02-15 14:24:47
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者說過程，我們稱之為反向恢復過程。只要是雙極型器件，就會有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復過程。這種特性嚴重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復這個過程的時間。(a
2023-02-14 15:46:54
二極管反向恢復時間測試儀 長春艾克思科技有限責任公司滿足國家標準：GB/T8024-2010，使用矩形波法測試反向恢復時間。一：主要特點A：測量多種二極管B：二極管反向電流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
在啟動期間，由于反向恢復dv/dt，零電壓開關運行可能會丟失并且MOSFET可能發(fā)生故障。 在啟動之前諧振電容和輸出電容完全放電。這些空電容導致Q2體二極管進一步導通并且在Q1導通前不會完全恢復
2019-01-15 17:31:58
?快恢復二極管反向恢復時間（tr）的定義：電流通過零點由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術指標。在快恢復二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
10mA；通過電位器螺絲刀，調(diào)節(jié)反向恢復電流20mA。二極管具有方向，方向如果接得不對，接入錯誤指示燈亮，此時更換二極管方向第五步：示波器讀數(shù)。將抓取到的測試波形進行展開為25nS一格，得到如下圖所示的波形
2015-03-11 14:02:20
已經(jīng)上傳了驅(qū)動部分的原理圖，我剛進一個做MOS的公司，有個客戶是這樣的，他說我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來
2019-09-11 04:23:31
`<div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復時間 肖特基二極管和一般二極管的差異在于反向恢復時間，也就是肖特基二極管由流過正向電流的導通狀態(tài)，切換到不導通狀態(tài)所需的時間
2018-11-02 11:54:12
整流二極管的反向恢復過程
2021-01-08 06:22:44
的IGBT 的性能。（2）獲取IGBT 在開關過程的主要參數(shù)，以評估Rgon及Rgoff 的數(shù)值是否合適，評估是否需要配吸收電路等。（3） 考量IGBT在變換器中工作時的實際表現(xiàn)。例如二極管的反向恢復
2021-02-25 10:43:27
+TCP0030A+IGBT town軟件五、方案優(yōu)勢：1.可靠、可重復地測試IGBT及MOSFET (包括第三代半導體器件SiC、GaN )功率半導體動態(tài)特征2.測量的特征包括開啟、關閉、開關切換、反向恢復、柵極
2021-05-20 11:17:57
連線的電源短路。圖2顯示的是經(jīng)修改的評估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復測量的經(jīng)修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測技術圖4顯示的是開關
2018-09-03 15:17:37
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調(diào)整柵極電阻來進行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調(diào)整柵極電阻來進行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:47
效應引起的, 反向恢復時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。該過程使二極管不能在快速連續(xù)脈沖下當做開關使用。如果反向脈沖的持續(xù)時間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導通, 起不到開關作用。
2020-02-25 07:00:00
請教一下大佬二極管的反向恢復時間是什么意思？
2023-04-04 14:39:39
超高速二極管反向恢復時間測試儀一：主要特點A：測量多種二極管B：二極管反向電流2.5~10mAC：二極管正向電流2.5~50mA D：測量精度1nSE：二極管接反、短路開路保護F：示波器圖形顯示G
2015-03-11 13:56:18
在本文中，我們將通過雙脈沖測試來確認驅(qū)動器源極引腳的效果。驅(qū)動器源極引腳的效果：雙脈沖測試比較為了比較沒有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET和有驅(qū)動源極引腳的MOSFET的實際開關工作情況，我們按照右圖
2022-06-17 16:06:12
測量電路如下圖。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經(jīng)過隔直電容器C加脈沖信號，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經(jīng)歷的時間。當IRM為一定時，反向恢復電荷愈小，反向恢復時間就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二極管反向恢復時間及簡易測試在開關電路中應用的二極管，反向恢復時間是一個主要參數(shù)。用圖示儀器直接觀察特性曲錢是理想的測試方法，但需要專用測試設備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
116 :本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速二極管的反向恢復參數(shù)與使用條件的關系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 測量功率二極管的反向恢復時間簡單有效方法
在互聯(lián)網(wǎng)上很少看到測量二極管的反向恢復時間(trr and Irr)簡單有效方法。一些在網(wǎng)上提供的方法,或者需要特別的
2009-11-11 09:48:31101 超快速二極管的反向恢復特性摘要:本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 恒流工作模式和脈沖恒流工作模式， 測試二極管反向恢復時間穩(wěn)定可靠。 二 應用范圍 高速信號二極管 三 測量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
一 概述DI-1000D 是在 DI-1000的基礎上進一步改進的二極管反向恢復測試儀，相比較DI-1000，它配備的電腦，可通過電腦設定 di/dt,If，等參數(shù)，它可以自動測試二極管，工作最高
2023-10-16 14:52:16
日前，東芝開發(fā)了提高內(nèi)置二極管恢復特性的構(gòu)造MOSFET“DTMOS”，并將于5-14日至16日在PCM 2013大會上展示。據(jù)悉，該產(chǎn)品耐壓為600V，縮短了內(nèi)置二極管反向恢復時間。
2013-05-20 11:40:331122 ，仿真時將端口激勵文件轉(zhuǎn)換成對應于驗證電路端口的時序信號。通過對通用同步／異步串行接收／發(fā)送器、中斷及定時器等功能模塊的驗證，證明了激勵發(fā)生機制具有較強的可觀察性、可控制性及可重用性。驗證結(jié)果分析表明，在驗證
2017-11-28 17:43:390 測試二極管的反向恢復特性一般都需要復雜的測試設備。必須能夠建立正向?qū)l件、正向閉鎖狀態(tài)、及兩者間的過渡。還需要有一種從所得到的波形中提取特征的手段?？偠灾@并不是一項很簡單的例行操，作應由專業(yè)人員來完成這項復雜的工作。這個事實說明了工程師們?yōu)槭裁赐ǔ６紩蕾囉诠嫉臄?shù)據(jù)。
2020-08-03 08:49:545431 
通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復特性我們開設了 Si 功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估 MOSFET 體二極管的反向恢復特性，并確認 MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0024 ，它有普通整流二極管、快恢復二極管、超快恢復二極管、肖特基二極管等。那么什么是二極管的反向恢復時間呢？它和結(jié)電容之間有什么關系呢？下面列舉常用二極管的反向恢復時間： 普通二極管：反向恢復時間一般 500ns以上； 快恢復二極管：反向
2021-09-22 15:07:0339425 
快恢復二極管工作原理及特點作用快恢復二極管（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流
2021-11-07 13:35:5929 更加深入的了解時，這個波形變得復雜了很多。不斷困擾開關轉(zhuǎn)換器的一個特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復特性，并因此
2021-11-10 09:40:226883 
二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€反向恢復過程
2022-02-09 11:34:043 內(nèi)部二極管的trr特性。 01?反向恢復時間trr對逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開關器件的反向恢復時間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使
2022-08-13 22:50:203175 
650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復超結(jié) MOSFET，適用于高效率和可靠的電動汽車充電應用
2022-11-15 20:17:570 我們開設了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反向恢復特性，并確認MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:084173 
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應的確認工作也基于上次內(nèi)容，因此請結(jié)合上一篇文章的內(nèi)容來閱讀本文。
2023-02-10 09:41:081904 
在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，重點關注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正（PFC）電路等是兩個MOSFET串聯(lián)連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導致導通損耗增加的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:043939 
本文的關鍵要點?在LLC轉(zhuǎn)換器中，如果偏離預期的諧振條件，MOSFET體二極管的反向恢復電流會引發(fā)直通電流，這可能會造成開關損耗增加，最壞的情況下可能會導致MOSFET損壞。
2023-02-13 09:30:142429 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07986 
（一）IGBT雙脈沖測試的意義 對比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關斷過程的參數(shù)； 評估驅(qū)動電阻是否合適； 開通和關斷過程是否有不合適的震蕩； 評估二極管的反向恢復行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519 反向恢復時間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲電荷，二極管繼續(xù)反向導通。反向流動的時間稱為反向恢復時間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:308887 
內(nèi)部二極管的trr特性。01 ? 反向恢復時間trr對逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開關器件的反向恢復時間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使用唯
2023-03-03 09:59:130 當我們對于用實際組件來實現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時，這個波形變得復雜了很多。不斷困擾開關轉(zhuǎn)換器的一個特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵
2023-04-15 09:15:125736 
肖特基二極管的反向恢復時間表示的是從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止狀態(tài)時所需的時間。它是指當肖特基二極管從正向?qū)ǖ?b class="flag-6" style="color: red">反向截止時，電流停止流動，并且由于電荷存儲效應而需要一定的時間才能完全恢復到截止狀態(tài)的時間。
肖特基二極管是一種特殊構(gòu)造的二極管，具有快速開關速度和低反向恢復時間的特點。
2023-08-24 15:45:115895 并不能像理想二極管那樣完美的工作，它在正向偏置電壓瞬間變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">反向偏置電壓的時候，并不能立刻恢復到截止狀態(tài)，這里存在一個逐漸轉(zhuǎn)變的過程，這個過程我們稱之為反向恢復過程。 反向恢復過程 通常我們把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反
2023-11-01 16:48:032295 
【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的反向恢復特性
2023-12-13 14:42:082109 
器件損壞。為了保護二極管不受反向擊穿的影響，可以使用二極管反向恢復電路。 二極管反向恢復電路是一種用于減小反向恢復電流的電路，通常由二極管和電感器構(gòu)成。當二極管處于正向?qū)顟B(tài)時，電感器存儲了能量；當二極管從導
2023-12-18 11:23:574138 領域。本文將詳細介紹信號發(fā)生器如何設置雙窄脈沖同步輸出，包括步驟、原理和注意事項。 第一部分：背景介紹 在電子設備的測試和測量中，通過設置雙窄脈沖同步輸出可以模擬各種特定的輸入信號，進行性能評估和功能測試。信號
2023-12-21 14:13:312544 反向恢復過程。 反向恢復過程是指當二極管的正向電壓減小到零或反向電壓增加到零時，電流不能立即停止流動，而是經(jīng)過一個反向電流的過程。這個過程通常包括兩個階段：反向恢復時間和存儲時間。 反向恢復時間（Recovery Time）：反
2024-01-12 17:06:116950 
二極管的反向恢復時間（Reverse Recovery Time）是衡量其從導通狀態(tài)切換到截止狀態(tài)時性能的一個重要參數(shù)。 反向恢復時間是指二極管從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止狀態(tài)時，反向電流下降到其
2024-01-31 15:15:478266 
雙脈沖測試的基本原理是什么？雙脈沖測試可以獲得器件哪些真實參數(shù)？ 雙脈沖測試是一種常用的測試方法，用于測量和評估各種器件的性能和特性。它基于一種簡單而有效的原理，通過發(fā)送兩個脈沖信號并分析其響應來
2024-02-18 09:29:233717 ），并測量其響應來工作。 雙脈沖測試是一種專門用于評估功率開關元件，如MOSFET和IGBT的開關特性及與之并聯(lián)的體二極管或快速恢復二極管（FRD）的反向恢復特性的測試方法。這種測試特別適用于分析在導通過程中由于反向恢復現(xiàn)象而產(chǎn)生損耗的電路。 通過施加兩連
2024-02-23 15:56:2710453 
對于經(jīng)驗豐富的專業(yè)人士來說，不言而喻的事情有時可能會給經(jīng)驗不足的人帶來誤解。作為測試設備制造商，我們意識到用戶對雙脈沖測試有不同的看法。
2024-03-11 14:39:002371 
二極管反向恢復是二極管在特定操作條件下展現(xiàn)出的一個重要特性，它涉及到二極管從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)換到反向偏置狀態(tài)（或相反過程）時的動態(tài)行為。以下是對二極管反向恢復的定義、原理以及相關特性的詳細闡述。
2024-09-10 15:31:424644 二極管反向恢復的頻率響應是一個涉及二極管在高頻操作條件下性能的重要概念。它主要描述了二極管在經(jīng)歷從正向?qū)顟B(tài)到反向偏置狀態(tài)（或相反過程）時，其電流和電壓變化對頻率的依賴關系。以下是對二極管反向恢復頻率響應的詳細闡述。
2024-09-13 16:31:301437 圍繞 SiC 和 GaN MOSFET 構(gòu)建的新型電源轉(zhuǎn)換器設計需要精心設計和測試以優(yōu)化性能。 雙脈沖測試 (DPT) 可有效測量開啟、關閉和反向恢復期間的一系列重要參數(shù)。設置和執(zhí)行這些測量可以手動
2024-09-30 08:57:34951 
二極管作為一種重要的半導體器件，在電子電路中扮演著至關重要的角色。然而，在二極管的實際應用中，反向恢復損耗是一個不容忽視的問題。本文將對二極管的反向恢復損耗進行詳細探討，包括其定義、產(chǎn)生機理、計算方法以及降低損耗的措施等方面。
2024-10-12 16:53:545158 功率二極管的反向恢復現(xiàn)象是電力電子領域中一個至關重要的概念，它涉及到二極管在正向?qū)顟B(tài)與反向偏置狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時的動態(tài)行為。以下是關于功率二極管的反向恢復現(xiàn)象的詳細闡述，包括其定義、原理、特性、影響以及應用等。
2024-10-15 17:57:453274 高效率二極管在電力電子和開關電源中扮演著關鍵角色，它們通過提供快速的開關速度和低導通壓降，顯著提升電源系統(tǒng)的效率。在相同負載條件下，不同二極管反向恢復時間的表現(xiàn)可能會有所不同，影響開關頻率、系統(tǒng)效率
2024-12-23 11:11:251567 
現(xiàn)代集成電路中MOSFET的體二極管的反向恢復特性對系統(tǒng)安全具有重要影響，本文探討了Diode的反向恢復特性的機理和模型原理。 ? 半橋、全橋和 LLC 的電源系統(tǒng)以及電機控制系統(tǒng)的主功率
2025-01-03 10:36:292015 
在電子電路中，二極管是一種基本的半導體器件，用于整流、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種應用。二極管的
反向恢復時間是衡量其在高頻開關應用中性能的關鍵參數(shù)。 一、
反向恢復時間的定義 當二極管從正向?qū)顟B(tài)突然變?yōu)?/div>
2025-02-07 09:34:432589 在開關電源、高頻整流和逆變器等電路中，二極管的反向恢復時間直接關系到系統(tǒng)效率、EMI表現(xiàn)甚至可靠性。合科泰通過芯片設計與工藝創(chuàng)新，為市場提供了反向恢復時間性能優(yōu)異的二極管產(chǎn)品。那么，什么是二極管的反向恢復時間?它會產(chǎn)生哪些影響?合科泰又是如何應對這一問題的呢?
2025-09-22 11:00:341021 已全部加載完成
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