文章的內(nèi)容來閱讀本文。 通過雙脈沖測試評(píng)估MOSFET反向恢復(fù)特性 為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性，我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測試。4種MOSFET均為超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進(jìn)行了比較。 先來看具有快速恢復(fù)
2020-12-21 14:25:45
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在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案，并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571161 
的關(guān)注。這是由于在開關(guān)過程中，得益于SiC MOS的高電子飽和漂移速度，載流子能迅速在導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)間切換，從而顯著減少開關(guān)時(shí)間。與此同時(shí)，SiC MOS這一單極型器件在續(xù)流過程中沒有p型襯底的電荷存儲(chǔ)，使得反向恢復(fù)損耗低于Si IGBT這一雙極性器件，SiC MOS的反向恢復(fù)電荷僅為同規(guī)
2025-12-02 09:36:222300 
過程是否有電壓尖峰，
評(píng)估實(shí)際應(yīng)用是否需要吸收電路；5、
評(píng)估二極管的
反向恢復(fù)行為和安全裕量；6、測量母排的雜散電感；
雙脈沖測試原理圖1
雙脈沖測試平臺(tái)的電路及理想波形IGBT
雙脈沖測試的實(shí)測電路及電路拓?fù)?/div>
2019-09-11 09:49:33
各位好，想請(qǐng)教下雙脈沖測試的幾個(gè)參數(shù)問題。項(xiàng)目所用IGBT是1200V 75A的單管，開關(guān)頻率4kHz。初次接觸雙脈沖測試，有幾個(gè)疑問：（1）測試時(shí)的最大電流是按額定75A來，還是150A
2019-11-06 20:47:30
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測試雙脈沖測試步驟— 六并聯(lián)短路測試講師PPT見附件。
2020-06-28 11:21:33
https://mp.weixin.qq.com/s/C2PfLBXd7n2YDJ0ht9loow上述視頻講述了以下四方面內(nèi)容。- NPC I型三電平2種應(yīng)用方式- NPC I型三電平拓?fù)溥\(yùn)行狀態(tài)- NPC I型三電平雙脈沖測試方法- NPC I型三電平短路測試方法講師PPT見附件
2020-06-28 10:40:04
滿足了發(fā)生反向恢復(fù)的條件。D1的反向電流iD1疊加上負(fù)載電流iload就會(huì)在S2的集電極電流上表現(xiàn)為電流尖峰，如圖2所示?！ D2. 雙脈沖測試波形 關(guān)于二極管反向恢復(fù)特性更為詳細(xì)的測試說明，大家
2020-12-08 15:44:26
需要談到在半導(dǎo)體中移動(dòng)的電子和空穴。先通過波形圖來了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復(fù)特性的不同。右側(cè)波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復(fù)時(shí)的電流和時(shí)間。從波形圖可見紅色
2018-11-29 14:34:32
圖：
對(duì)D時(shí)段工況進(jìn)行DPT，具體配置如下表：
圖9與圖10是模擬D時(shí)段工況進(jìn)行測試的示例波形：
圖9 T2關(guān)斷，VDC=425V，Ic=600A
圖10 T2開通，D4反向恢復(fù)
2024-05-08 23:11:59
https://mp.weixin.qq.com/s/iYQy1ayfMAz7JKcHgS3kgQ上述為視頻鏈接，主要講一下四個(gè)問題。講師PPT見附件。— T型三電平拓?fù)涞乃姆N結(jié)構(gòu)— T型三電平拓?fù)溥\(yùn)行狀態(tài)— T型三電平雙脈沖測試方法— T型三電平短路測試
2020-06-28 10:28:23
pspice中怎么得到雙脈沖測試信號(hào)？可否通過軟件自帶的信號(hào)源得到？
2015-05-27 23:02:05
次數(shù)為2次，示波器采用單次觸發(fā)。 采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN?的動(dòng)態(tài)參數(shù)。左下的測試提示Ic off是因?yàn)橛w凌的CoolGaN?完全沒有反向恢復(fù)電流，從測試數(shù)據(jù)中可以看到
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學(xué)習(xí)評(píng)估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對(duì)SiC管做雙脈沖測試考察其開關(guān)特性。對(duì)于雙脈沖測試
2020-06-18 17:57:15
單片機(jī) 定時(shí)器PWM輸出。HS端口 MOSFET 的雙脈沖測試原理圖測試上電順序負(fù)載電感自己繞制空心電感，多個(gè)電容串并聯(lián)。測試波SCT3040KRElectrical characteristics```
2020-07-26 23:24:05
二極管是單向?qū)?，那?b class="flag-6" style="color: red">反向恢復(fù)時(shí)間是什么，需要怎么測試
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢復(fù)過程？二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復(fù)時(shí)間(Trr)：35nS引線數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復(fù)過程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者說過程，我們稱之為反向恢復(fù)過程。只要是雙極型器件，就會(huì)有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復(fù)過程。這種特性嚴(yán)重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復(fù)這個(gè)過程的時(shí)間。(a
2023-02-14 15:46:54
二極管反向恢復(fù)時(shí)間測試儀 長春艾克思科技有限責(zé)任公司滿足國家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T8024-2010，使用矩形波法測試反向恢復(fù)時(shí)間。一：主要特點(diǎn)A：測量多種二極管B：二極管反向電流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測試，調(diào)門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
)是一種用于評(píng)估電力電子器件如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)或MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等功率器件的開關(guān)性能的實(shí)驗(yàn)方法。該測試通過向器件施加兩個(gè)短時(shí)間的電壓脈沖，模擬器件在實(shí)際電路中
2024-06-12 17:00:55
的IGBT 的性能。（2）獲取IGBT 在開關(guān)過程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon及Rgoff 的數(shù)值是否合適，評(píng)估是否需要配吸收電路等。（3） 考量IGBT在變換器中工作時(shí)的實(shí)際表現(xiàn)。例如二極管的反向恢復(fù)
2021-02-25 10:43:27
著電能轉(zhuǎn)換和功率控制的任務(wù)。為了保證電機(jī)控制器的性能和可靠性，需要對(duì)這些功率器件進(jìn)行嚴(yán)格的測試，其中就包括雙脈沖測試。
案例簡介 雙脈沖測試可以幫助工程師評(píng)估電機(jī)控制器中功率器件的開關(guān)速度
2025-01-09 16:58:30
+TCP0030A+IGBT town軟件五、方案優(yōu)勢：1.可靠、可重復(fù)地測試IGBT及MOSFET (包括第三代半導(dǎo)體器件SiC、GaN )功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)特征2.測量的特征包括開啟、關(guān)閉、開關(guān)切換、反向恢復(fù)、柵極
2021-05-20 11:17:57
連線的電源短路。圖2顯示的是經(jīng)修改的評(píng)估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復(fù)測量的經(jīng)修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測技術(shù)圖4顯示的是開關(guān)
2018-09-03 15:17:37
超高速二極管反向恢復(fù)時(shí)間測試儀一：主要特點(diǎn)A：測量多種二極管B：二極管反向電流2.5~10mAC：二極管正向電流2.5~50mA D：測量精度1nSE：二極管接反、短路開路保護(hù)F：示波器圖形顯示G
2015-03-11 13:56:18
測量電路如下圖。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經(jīng)過隔直電容器C加脈沖信號(hào)，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。當(dāng)IRM為一定時(shí)，反向恢復(fù)電荷愈小，反向恢復(fù)時(shí)間就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二極管反向恢復(fù)時(shí)間及簡易測試在開關(guān)電路中應(yīng)用的二極管，反向恢復(fù)時(shí)間是一個(gè)主要參數(shù)。用圖示儀器直接觀察特性曲錢是理想的測試方法，但需要專用測試設(shè)備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
116 恒流工作模式和脈沖恒流工作模式， 測試二極管反向恢復(fù)時(shí)間穩(wěn)定可靠。 二 應(yīng)用范圍 高速信號(hào)二極管 三 測量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
IGBT的雙脈沖測試(Double Pulse Test)-Micro_Grid，歡迎加入技術(shù)交流QQ群：電力電子技術(shù)與新能源 905724684，關(guān)注微信公眾號(hào)：電力電子技術(shù)與新能源（Micro_Grid）
2019-06-29 09:40:5357599 
通過雙脈沖測試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開設(shè)了 Si 功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過雙脈沖測試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評(píng)估 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn) MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0024 大家好，前段時(shí)間在知乎上看到有個(gè)網(wǎng)友問：“在大功率變頻器應(yīng)用中，我們常用雙脈沖測試評(píng)估器件的動(dòng)態(tài)特征，在實(shí)際中有可比性嗎？”感覺這個(gè)問題提的比較好，也是作者想和大家討論的一個(gè)話題，那我們這期就來聊聊雙脈沖測試是否能夠反映器件在真實(shí)換流中的各種電應(yīng)力。
2022-04-15 09:15:025559 對(duì)雙脈沖測試的原理、參數(shù)解析、注意事項(xiàng)、測試意義等進(jìn)行詳細(xì)介紹分析
2022-05-05 16:34:0936 一般，我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個(gè)器件的參數(shù)特性，但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測試得來的，因此這些參數(shù)不能都可以直接拿來使用的。因此可以通過雙脈沖測試，通過給定兩個(gè)脈沖來測試IGBT的開關(guān)特性，進(jìn)而對(duì)器件性能進(jìn)行更準(zhǔn)確的評(píng)估。
2022-06-17 17:33:0135778 雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測試平臺(tái)，你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過程，驗(yàn)證短路保護(hù)。
雙脈沖測試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對(duì)電壓電流探頭要求和影響測試結(jié)果的因素等。
2022-08-01 09:08:1114800 
雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測試，通過雙脈沖測試可以便捷的評(píng)估功率器件的性能，獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過程中的主要參數(shù)，更好的評(píng)估器件性能，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)等等。
2022-11-04 14:06:275433 本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果，來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合上一篇文章的內(nèi)容來閱讀本文。
2023-02-10 09:41:081904 
上一篇文章中通過標(biāo)準(zhǔn)型且具有快恢復(fù)特性的SJ MOSFET的雙脈沖測試，介紹了“在橋式電路中，恢復(fù)特性可通過使用高速MOSFET來降低損耗，但是在某些情況下，即使使用高速MOSFET也無法降低導(dǎo)通損耗”。
2023-02-10 09:41:081630 
在“通過雙脈沖測試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，重點(diǎn)關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正（PFC）電路等是兩個(gè)MOSFET串聯(lián)連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導(dǎo)致導(dǎo)通損耗增加的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:043939 
（一）IGBT雙脈沖測試的意義 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)； 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適； 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩； 評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519 開通特性測試采用雙脈沖測試法。由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGS到測試要求值，計(jì)算機(jī)控制接通開關(guān)S1,并控制輸出被
測雙
2023-02-22 14:43:331 用的，只能當(dāng)做參考使用。
描述IGBT主要參數(shù)包括：ton，toff，Eon，Eoff，Isc，Irr，二極管的di/dt等。
要觀測這些參數(shù)，最有效的方法就是‘雙脈沖測試法’。
2023-02-22 14:25:005 功率開關(guān)器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù)，如靜態(tài)特性參數(shù)，動(dòng)態(tài)特性參數(shù)，開關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過靜態(tài)參數(shù)一體化測試機(jī)或者源表等設(shè)備直接測出，動(dòng)態(tài)特性參數(shù)則可以通過電容測試平臺(tái)描繪出，最后開關(guān)特性參數(shù)則需要用到雙脈沖測試才能準(zhǔn)確測得。
2023-02-22 14:40:208815 ??在LTspice中沒有雙脈沖波形發(fā)生器，要做一個(gè)雙脈沖的波形只能用電壓源來進(jìn)行特殊設(shè)置，不是很方便，為此我寫了一個(gè)雙脈沖波形發(fā)生器，有需要的可以下載。 雙脈沖波形發(fā)生器?！ ∪缦?，該元器件可以
2023-02-23 15:47:208 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲(chǔ)電荷，二極管繼續(xù)反向導(dǎo)通。反向流動(dòng)的時(shí)間稱為反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復(fù)電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:308887 
IGBT雙脈沖測試matlab仿真模型，電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)測試驗(yàn)證，學(xué)習(xí)驗(yàn)證igbt開關(guān)特性.附贈(zèng)大廠資深工程師總結(jié)的雙脈沖測試驗(yàn)證資料，全部是實(shí)際項(xiàng)目總結(jié)。 鏈接：提取碼：fbif ? ? ?
2023-02-24 10:40:5731 雙脈沖試驗(yàn)的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說是伴隨著從R&D到應(yīng)用功率器件的整個(gè)生命周期?；?b class="flag-6" style="color: red">雙脈沖試驗(yàn)獲得的設(shè)備開關(guān)波形可以做很多事情，包括:通過分析驗(yàn)證開關(guān)過程的設(shè)計(jì)方案，提出
2023-03-28 14:05:002630 
當(dāng)我們對(duì)于用實(shí)際組件來實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時(shí)，這個(gè)波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵
2023-04-15 09:15:125736 
雙脈沖測試是一種用于測量電子設(shè)備的重要方法，其通過發(fā)送兩個(gè)相互獨(dú)立且短暫的脈沖信號(hào)來分析設(shè)備的性能和可靠性。在進(jìn)行雙脈沖測試時(shí)，我們需要注意一些重要事項(xiàng)，以確保測試的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。 首先，進(jìn)行雙
2023-07-03 11:45:271807 
雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2023-07-12 15:55:151336 
進(jìn)行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個(gè)生命周期。
2023-07-12 16:09:105853 
根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測試遇到的種種問題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù)，加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗(yàn)證。 通過以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262 
，不同的IGBT技術(shù)也造就了不同性能的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證元器件的性能，驗(yàn)證不同IGBT的性能，我們引入了雙脈沖測試方法。通過這個(gè)工具，我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能： 詳細(xì)了解IGBT參數(shù)，如Eon、Eoff、Tdon、Tdoff、Tr、Tf、貼片開關(guān)特性等。本次測試的意義在于
2023-10-13 10:34:334422 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ ■?? 雙脈沖測試? 雙脈沖測試中一個(gè)重要目標(biāo)是，準(zhǔn)確測量能量損耗。在示波器中進(jìn)行準(zhǔn)確的功率、能量測試，關(guān)鍵的一步是在電壓探頭和電流探頭之間進(jìn)行校準(zhǔn)，消除時(shí)序偏差
2023-11-02 12:15:011316 
驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測試比較
2023-12-05 16:20:07896 
【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的反向恢復(fù)特性
2023-12-13 14:42:082109 
領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹信號(hào)發(fā)生器如何設(shè)置雙窄脈沖同步輸出，包括步驟、原理和注意事項(xiàng)。 第一部分：背景介紹 在電子設(shè)備的測試和測量中，通過設(shè)置雙窄脈沖同步輸出可以模擬各種特定的輸入信號(hào)，進(jìn)行性能評(píng)估和功能測試。信號(hào)
2023-12-21 14:13:312544 信號(hào)發(fā)生器如何發(fā)出雙脈沖？ 信號(hào)發(fā)生器是一種用于產(chǎn)生各種信號(hào)波形的儀器。雙脈沖信號(hào)是一種特殊的信號(hào)波形，由兩個(gè)脈沖組成，通常用于測試和測量系統(tǒng)的響應(yīng)和性能。在本文中，將詳細(xì)介紹信號(hào)發(fā)生器如何發(fā)出雙
2023-12-21 15:03:354289 雙脈沖測試是一種用于測量材料電學(xué)性能的非破壞性測試方法。它通過在被測材料上施加兩個(gè)不同頻率、相位和幅度的脈沖電壓，來檢測材料的介電常數(shù)、損耗因子等參數(shù)。雙脈沖測試原理廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、物理學(xué)
2023-12-30 11:47:005602 
雙脈沖試驗(yàn)及注意事項(xiàng)介紹 雙脈沖試驗(yàn)是一種常用的電力系統(tǒng)測試方法，用于測量電力系統(tǒng)中的傳輸線路和設(shè)備的參數(shù)。這種試驗(yàn)方法通過施加兩個(gè)脈沖波形信號(hào)，從而可以精確地測量電力系統(tǒng)的傳輸線路的特性參數(shù)，包括
2024-01-05 15:08:031592 雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開始時(shí)捕捉到
2024-01-18 08:13:437633 
什么是單脈沖點(diǎn)焊和雙脈沖點(diǎn)焊？ 單脈沖點(diǎn)焊和雙脈沖點(diǎn)焊是常用于金屬焊接的兩種焊接方法。單脈沖點(diǎn)焊和雙脈沖點(diǎn)焊主要區(qū)別在于其工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。 一、單脈沖點(diǎn)焊 單脈沖點(diǎn)焊是一種常見的焊接方法，主要
2024-02-18 09:29:199283 雙脈沖測試的基本原理是什么？雙脈沖測試可以獲得器件哪些真實(shí)參數(shù)？ 雙脈沖測試是一種常用的測試方法，用于測量和評(píng)估各種器件的性能和特性。它基于一種簡單而有效的原理，通過發(fā)送兩個(gè)脈沖信號(hào)并分析其響應(yīng)來
2024-02-18 09:29:233717 ），并測量其響應(yīng)來工作。 雙脈沖測試是一種專門用于評(píng)估功率開關(guān)元件，如MOSFET和IGBT的開關(guān)特性及與之并聯(lián)的體二極管或快速恢復(fù)二極管（FRD）的反向恢復(fù)特性的測試方法。這種測試特別適用于分析在導(dǎo)通過程中由于反向恢復(fù)現(xiàn)象而產(chǎn)生損耗的電路。 通過施加兩連
2024-02-23 15:56:2710453 
上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試方法》，對(duì)于T-NPC拓?fù)鋪碚f也是類似的，我們接著來看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測試方法由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要，T型三電平
2024-02-26 08:13:164233 對(duì)于經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)人士來說，不言而喻的事情有時(shí)可能會(huì)給經(jīng)驗(yàn)不足的人帶來誤解。作為測試設(shè)備制造商，我們意識(shí)到用戶對(duì)雙脈沖測試有不同的看法。
2024-03-11 14:39:002371 
雙脈沖測試是電力變壓器和互感器的一種常見測試方法，其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性，確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。
2024-03-11 16:01:555996 
雙脈沖測試系統(tǒng)：該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號(hào)，以模擬實(shí)際工作中的開關(guān)動(dòng)作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率，以滿足測試需求。
2024-03-11 16:09:215204 
實(shí)施雙脈沖測試，不僅能精確測量功率設(shè)備的開關(guān)特性和損耗，而且能進(jìn)一步優(yōu)化電力轉(zhuǎn)換過程。通過Tektronix 4B/5B/6B 系列 MSO 上的WBG-DPT應(yīng)用軟件，可以通過自動(dòng)化測試流程，顯著
2024-07-03 11:02:332156 
寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件，在電源處理器中充當(dāng)了越來越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢，成為各種電源或電源模塊的首選。而其中功率半導(dǎo)體上下管雙脈沖測試，成為動(dòng)態(tài)參數(shù)測試的最經(jīng)典評(píng)估項(xiàng)目。
2024-08-06 17:30:502038 
圍繞 SiC 和 GaN MOSFET 構(gòu)建的新型電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)需要精心設(shè)計(jì)和測試以優(yōu)化性能。 雙脈沖測試 (DPT) 可有效測量開啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期間的一系列重要參數(shù)。設(shè)置和執(zhí)行這些測量可以手動(dòng)
2024-09-30 08:57:34951 
在電子工程領(lǐng)域，脈沖測試儀器是不可或缺的工具，它們幫助工程師評(píng)估和驗(yàn)證電子系統(tǒng)在各種脈沖條件下的性能。 1. 了解脈沖測試儀器的基本原理 在開始使用脈沖測試儀器之前，了解其工作原理是至關(guān)重要的。脈沖
2024-11-26 10:01:031737 現(xiàn)代集成電路中MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)安全具有重要影響，本文探討了Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理。 ? 半橋、全橋和 LLC 的電源系統(tǒng)以及電機(jī)控制系統(tǒng)的主功率
2025-01-03 10:36:292015 
、復(fù)合母排等部件的特性； 3、通過實(shí)驗(yàn)取得數(shù)據(jù)確定組件的開通和關(guān)斷電阻、死區(qū)時(shí)間等參數(shù)。 1.2 實(shí)驗(yàn)原理 圖 1 為雙脈沖測試平臺(tái)的電路原理圖，上管T1 處于關(guān)斷狀態(tài)，只有續(xù)流二極管工作，通過控制下管T2 的開關(guān)動(dòng)作進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)平臺(tái)搭建完成之后，給T2 管門極
2025-01-27 18:10:002623 
是否過關(guān)，雙脈沖測試（Double Pulse Test）成為了一項(xiàng)重要的測試手段。本文將詳細(xì)介紹IGBT雙脈沖測試的原理、意義、實(shí)驗(yàn)設(shè)備、測試步驟以及數(shù)據(jù)分析，以期為相關(guān)技術(shù)人員提供參考。
2025-02-02 13:59:003196 IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測試方法的意義： 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)； 2.評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板的功能和性能； 3.獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon
2025-01-28 15:44:008855 
碳化硅革新電力電子，以下是關(guān)于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細(xì)介紹，結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值，助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 14:34:481658 
? 引言?? ?半導(dǎo)體電流脈沖測試?是一種評(píng)估功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的測試方法，通過施加兩個(gè)短暫的脈沖信號(hào)模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中的開關(guān)過程，第一個(gè)脈沖用于將器件從關(guān)閉狀態(tài)切換到開啟狀態(tài)，以獲得一定電流
2025-02-10 09:42:181460 
，成為了眾多電源及電源模塊的首選材料。特別是在功率半導(dǎo)體中，上下管雙脈沖測試已經(jīng)成為評(píng)估動(dòng)態(tài)參數(shù)的經(jīng)典方法，對(duì)于推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。那么，何為雙脈沖測試
2025-04-11 15:00:14797 
1. 產(chǎn)品概述 產(chǎn)品簡介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號(hào)功率分配的無源器件，常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測試，可將輸入信號(hào)按特定比例分流至多個(gè)輸出端口
2025-04-30 12:00:12762 
的FF6MR20W2M1H_B70CoolSiCSiCMOSFET模塊。用戶可以通過雙脈沖測試來評(píng)估器件性能。目標(biāo)應(yīng)用為電動(dòng)汽車充電，ESSPFC，直流-直流變換器和太陽能等。這是一個(gè)用于測試半橋配置的2kVCoolSiC
2025-06-12 17:33:231062 傾佳電子旨在全面剖析雙脈沖測試（DPT）作為功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能評(píng)估黃金標(biāo)準(zhǔn)的核心價(jià)值。
2025-09-17 16:57:341114 
至關(guān)重要。特別是在雙脈沖測試中，光隔離探頭不僅確保了測試的安全性，還提高了測試測量的準(zhǔn)確性和可靠性。本文將深入探討光隔離探頭在雙脈沖測試中不可或缺的原因。 雙脈沖測試的作用 雙脈沖測試（DPT）是一種用于評(píng)估電力電子器件如IGBT（絕緣柵
2025-11-14 16:46:063489 
本文導(dǎo)讀SiC/GaN將開關(guān)速度推向納秒級(jí)，800V高壓下的損耗怎么測？ZUS示波器自帶雙脈沖測試功能，通過“兩次脈沖”精準(zhǔn)量化開關(guān)損耗與反向恢復(fù)數(shù)據(jù)。告別模糊的波形觀察，用精確數(shù)據(jù)支撐電路優(yōu)化
2025-12-24 11:41:34159 
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