雙脈沖測試 精確的能量損耗測量是雙脈沖測試的關鍵目標之一。消除電壓探頭和電流探頭之間的時序偏差是在示波器上進行精確功率和能量測量的關鍵步驟。 適用于4B系列、5B系列和6B系列MSO（混合信號示波器
2025-06-25 17:17:02
1543 
過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性 某些情況下，即使使用高速MOSFET也無法降低導通損耗”。本文就其中一個原因即誤啟動現(xiàn)象進行說明。 什么是誤啟動現(xiàn)象 誤啟動是因MOSFET的各柵極電容
2020-12-16 15:03:332795 
雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關元件特性評估的一種測試方法。
2020-12-21 14:58:079335 
文章的內容來閱讀本文。 通過雙脈沖測試評估MOSFET反向恢復特性 為了評估MOSFET的反向恢復特性，我們使用4種MOSFET實施了雙脈沖測試。4種MOSFET均為超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復型和普通型分別進行了比較。 先來看具有快速恢復
2020-12-21 14:25:4510373 
通常情況下，為了測試器件的動態(tài)特性，我們都會搭建一個通用的雙脈沖測試平臺。測試平臺的功率回路部分包含了疊層母排、母線電容、待測功率器件和驅動電路。雙脈沖測試電路的原理為半橋電路，如圖1所示。
2022-04-17 09:16:307931 雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:583082 雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產、系統(tǒng)
2022-10-12 15:31:133901 通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關參數(shù)。
2023-11-24 16:36:4216069 
利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關參數(shù)進行測量與評估。
2023-11-24 16:52:102667 
在當今快速發(fā)展的電力電子技術領域，功率半導體器件的性能優(yōu)化至關重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關鍵的測試方法，為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應用及泰克科技在這一領域的先進解決方案，并介紹泰克專家高遠新書的相關內容。
2025-06-05 11:37:571161 
的關注。這是由于在開關過程中，得益于SiC MOS的高電子飽和漂移速度，載流子能迅速在導通與截止狀態(tài)間切換，從而顯著減少開關時間。與此同時，SiC MOS這一單極型器件在續(xù)流過程中沒有p型襯底的電荷存儲，使得反向恢復損耗低于Si IGBT這一雙極性器件，SiC MOS的反向恢復電荷僅為同規(guī)
2025-12-02 09:36:222300 
雙脈沖測試就是給被測器件兩個脈沖作為驅動控制信號，如圖1所示。第一個脈沖相對較寬，以獲得一定的電流。
2021-09-23 14:43:319641 
利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關參數(shù)進行測量與評估。一、FRD工作時的風險評估IGBT模塊中的并聯(lián)FRD，是一個
2019-09-27 14:04:00
過程是否有電壓尖峰，評估實際應用是否需要吸收電路；5、評估二極管的反向恢復行為和安全裕量；6、測量母排的雜散電感；雙脈沖測試原理圖1 雙脈沖測試平臺的電路及理想波形IGBT雙脈沖測試的實測電路及電路拓撲
2019-09-11 09:49:33
各位好，想請教下雙脈沖測試的幾個參數(shù)問題。項目所用IGBT是1200V 75A的單管，開關頻率4kHz。初次接觸雙脈沖測試，有幾個疑問：（1）測試時的最大電流是按額定75A來，還是150A
2019-11-06 20:47:30
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測試雙脈沖測試步驟— 六并聯(lián)短路測試講師PPT見附件。
2020-06-28 11:21:33
https://mp.weixin.qq.com/s/C2PfLBXd7n2YDJ0ht9loow上述視頻講述了以下四方面內容。- NPC I型三電平2種應用方式- NPC I型三電平拓撲運行狀態(tài)- NPC I型三電平雙脈沖測試方法- NPC I型三電平短路測試方法講師PPT見附件
2020-06-28 10:40:04
滿足了發(fā)生反向恢復的條件。D1的反向電流iD1疊加上負載電流iload就會在S2的集電極電流上表現(xiàn)為電流尖峰，如圖2所示?！ D2. 雙脈沖測試波形 關于二極管反向恢復特性更為詳細的測試說明，大家
2020-12-08 15:44:26
需要談到在半導體中移動的電子和空穴。先通過波形圖來了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復特性的不同。右側波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復時的電流和時間。從波形圖可見紅色
2018-11-29 14:34:32
圖：
對D時段工況進行DPT，具體配置如下表：
圖9與圖10是模擬D時段工況進行測試的示例波形：
圖9 T2關斷，VDC=425V，Ic=600A
圖10 T2開通，D4反向恢復
2024-05-08 23:11:59
https://mp.weixin.qq.com/s/iYQy1ayfMAz7JKcHgS3kgQ上述為視頻鏈接，主要講一下四個問題。講師PPT見附件?！?T型三電平拓撲的四種結構— T型三電平拓撲運行狀態(tài)— T型三電平雙脈沖測試方法— T型三電平短路測試
2020-06-28 10:28:23
pspice中怎么得到雙脈沖測試信號？可否通過軟件自帶的信號源得到？
2015-05-27 23:02:05
次數(shù)為2次，示波器采用單次觸發(fā)。 采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN?的動態(tài)參數(shù)。左下的測試提示Ic off是因為英飛凌的CoolGaN?完全沒有反向恢復電流，從測試數(shù)據(jù)中可以看到
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學習評估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對SiC管做雙脈沖測試考察其開關特性。對于雙脈沖測試
2020-06-18 17:57:15
單片機 定時器PWM輸出。HS端口 MOSFET 的雙脈沖測試原理圖測試上電順序負載電感自己繞制空心電感，多個電容串并聯(lián)。測試波SCT3040KRElectrical characteristics```
2020-07-26 23:24:05
二極管是單向導通，那么反向恢復時間是什么，需要怎么測試
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢復過程？二極管在開關轉換過程中出現(xiàn)的反向恢復過程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復時間(Trr)：35nS引線數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復過程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者說過程，我們稱之為反向恢復過程。只要是雙極型器件，就會有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復過程。這種特性嚴重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復這個過程的時間。(a
2023-02-14 15:46:54
二極管反向恢復時間測試儀 長春艾克思科技有限責任公司滿足國家標準：GB/T8024-2010，使用矩形波法測試反向恢復時間。一：主要特點A：測量多種二極管B：二極管反向電流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測試，調門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
)是一種用于評估電力電子器件如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)或MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)等功率器件的開關性能的實驗方法。該測試通過向器件施加兩個短時間的電壓脈沖，模擬器件在實際電路中
2024-06-12 17:00:55
的IGBT 的性能。（2）獲取IGBT 在開關過程的主要參數(shù)，以評估Rgon及Rgoff 的數(shù)值是否合適，評估是否需要配吸收電路等。（3） 考量IGBT在變換器中工作時的實際表現(xiàn)。例如二極管的反向恢復
2021-02-25 10:43:27
著電能轉換和功率控制的任務。為了保證電機控制器的性能和可靠性，需要對這些功率器件進行嚴格的測試，其中就包括雙脈沖測試。
案例簡介 雙脈沖測試可以幫助工程師評估電機控制器中功率器件的開關速度
2025-01-09 16:58:30
+TCP0030A+IGBT town軟件五、方案優(yōu)勢：1.可靠、可重復地測試IGBT及MOSFET (包括第三代半導體器件SiC、GaN )功率半導體動態(tài)特征2.測量的特征包括開啟、關閉、開關切換、反向恢復、柵極
2021-05-20 11:17:57
連線的電源短路。圖2顯示的是經修改的評估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復測量的經修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測技術圖4顯示的是開關
2018-09-03 15:17:37
超高速二極管反向恢復時間測試儀一：主要特點A：測量多種二極管B：二極管反向電流2.5~10mAC：二極管正向電流2.5~50mA D：測量精度1nSE：二極管接反、短路開路保護F：示波器圖形顯示G
2015-03-11 13:56:18
測量電路如下圖。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經過隔直電容器C加脈沖信號，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經歷的時間。當IRM為一定時，反向恢復電荷愈小，反向恢復時間就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二極管反向恢復時間及簡易測試在開關電路中應用的二極管，反向恢復時間是一個主要參數(shù)。用圖示儀器直接觀察特性曲錢是理想的測試方法，但需要專用測試設備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
116 恒流工作模式和脈沖恒流工作模式， 測試二極管反向恢復時間穩(wěn)定可靠。 二 應用范圍 高速信號二極管 三 測量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
IGBT的雙脈沖測試(Double Pulse Test)-Micro_Grid，歡迎加入技術交流QQ群：電力電子技術與新能源 905724684，關注微信公眾號：電力電子技術與新能源（Micro_Grid）
2019-06-29 09:40:5357599 
通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復特性我們開設了 Si 功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估 MOSFET 體二極管的反向恢復特性，并確認 MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0024 大家好，前段時間在知乎上看到有個網(wǎng)友問：“在大功率變頻器應用中，我們常用雙脈沖測試評估器件的動態(tài)特征，在實際中有可比性嗎？”感覺這個問題提的比較好，也是作者想和大家討論的一個話題，那我們這期就來聊聊雙脈沖測試是否能夠反映器件在真實換流中的各種電應力。
2022-04-15 09:15:025559 對雙脈沖測試的原理、參數(shù)解析、注意事項、測試意義等進行詳細介紹分析
2022-05-05 16:34:0936 一般，我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個器件的參數(shù)特性，但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測試得來的，因此這些參數(shù)不能都可以直接拿來使用的。因此可以通過雙脈沖測試，通過給定兩個脈沖來測試IGBT的開關特性，進而對器件性能進行更準確的評估。
2022-06-17 17:33:0135778 雙脈沖是分析功率開關器件動態(tài)特性的基礎實驗方法，貫穿器件的研發(fā)，應用和驅動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統(tǒng)設計中從容的調試驅動電路，優(yōu)化動態(tài)過程，驗證短路保護。
雙脈沖測試基礎系列文章包括基本原理和應用，對電壓電流探頭要求和影響測試結果的因素等。
2022-08-01 09:08:1114800 
雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關器件動態(tài)特性的常用測試，通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能，獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的主要參數(shù)，更好的評估器件性能，優(yōu)化驅動設計等等。
2022-11-04 14:06:275433 本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應的確認工作也基于上次內容，因此請結合上一篇文章的內容來閱讀本文。
2023-02-10 09:41:081904 
上一篇文章中通過標準型且具有快恢復特性的SJ MOSFET的雙脈沖測試，介紹了“在橋式電路中，恢復特性可通過使用高速MOSFET來降低損耗，但是在某些情況下，即使使用高速MOSFET也無法降低導通損耗”。
2023-02-10 09:41:081630 
在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，重點關注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正（PFC）電路等是兩個MOSFET串聯(lián)連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導致導通損耗增加的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:043939 
（一）IGBT雙脈沖測試的意義 對比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關斷過程的參數(shù)； 評估驅動電阻是否合適； 開通和關斷過程是否有不合適的震蕩； 評估二極管的反向恢復行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519 開通特性測試采用雙脈沖測試法。由計算機設定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設定±VGS到測試要求值，計算機控制接通開關S1,并控制輸出被
測雙
2023-02-22 14:43:331 用的，只能當做參考使用。
描述IGBT主要參數(shù)包括：ton，toff，Eon，Eoff，Isc，Irr，二極管的di/dt等。
要觀測這些參數(shù)，最有效的方法就是‘雙脈沖測試法’。
2023-02-22 14:25:005 功率開關器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù)，如靜態(tài)特性參數(shù)，動態(tài)特性參數(shù)，開關特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過靜態(tài)參數(shù)一體化測試機或者源表等設備直接測出，動態(tài)特性參數(shù)則可以通過電容測試平臺描繪出，最后開關特性參數(shù)則需要用到雙脈沖測試才能準確測得。
2023-02-22 14:40:208815 已全部加載完成
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