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碳化硅芯片正成為車企爭相綁定的“寵兒

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2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量,并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
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碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

更新?lián)Q代,SiC并不例外  新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段,有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步,未來還將面臨挑戰(zhàn),例如,晶圓
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碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
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2023-02-28 16:59:26

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
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碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

??寡趸砸彩撬蟹茄趸锾沾芍泻玫?。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅(SiC)的市場前景隨著信息科技的飛速發(fā)展,我國對半導(dǎo)體需求越來越多,我國已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國,半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動力

精細(xì)化,集成化方向發(fā)展?! ≡谛录夹g(shù)驅(qū)動下,汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術(shù)革命,行業(yè)整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下,用電路板也會向上成長。用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點(diǎn)吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
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碳化硅深層的特性

成熟,資源豐富,碳化硅的行業(yè)已經(jīng)具有集群化發(fā)展的趨勢了,但是行業(yè)規(guī)模很小,政策資金方面的風(fēng)險能力很大,行業(yè)秩序也需要進(jìn)一步完善。碳化硅的用途也十分廣泛,越來越多的新行業(yè)也正在開發(fā),線切割為代表的新行業(yè)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國,半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

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2016-11-04 15:50:11

TGF2023-2-10碳化硅晶體管

TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠
2018-06-12 10:22:42

TGF2023-2-10碳化硅晶體管銷售

TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-11-15 11:59:01

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

?! ?4 結(jié) 論  引入了輔助源極管腳成為TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET,避免了驅(qū)動回路和功率回路共用源極線路,實(shí)現(xiàn)了這兩個回路的解耦。同時,TO-247-4封裝的開關(guān)器件由于沒有來自功率源極造成
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動技術(shù)研究

項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

,從而能夠改善應(yīng)用終端的性能和效率,并且比碳化硅材料要好得多,因此,可以大規(guī)模生產(chǎn)。現(xiàn)在,研究和開發(fā)人員致力于收集有關(guān)的資料來驗(yàn)證以上的結(jié)論。森勇介教授,日本大坂大學(xué),在以上研究和開發(fā)活動中
2023-02-23 15:46:22

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

。雖然碳化硅組件可望成為推動電力設(shè)備由機(jī)械轉(zhuǎn)向電子結(jié)構(gòu)的重要推手,但現(xiàn)階段碳化硅組件最主要的應(yīng)用市場,其實(shí)是電動汽車。電動汽車應(yīng)用之所以對碳化硅組件的需求如此殷切,主要原因在于可實(shí)現(xiàn)更輕巧的電源系統(tǒng)
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

的整體系統(tǒng)尺寸,更小的整體成本,高溫下更高的可靠性,同時降低功率損耗。創(chuàng)能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組,用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

復(fù)雜的設(shè)計(jì),功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件?  當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達(dá)到極限時,碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

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在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

明白碳化硅MOSFET其中好處之一,這個個參數(shù)是導(dǎo)通電阻 RDS(on)。在芯片溫度100°C 時,CoolSiC有較低的倍增系數(shù)(multiplication factor,K),約為 1.13,而
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基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
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基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

  導(dǎo) 讀  追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計(jì)一個高性能門極驅(qū)動電路

對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31

如何用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40

應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
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歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

碳化硅器件快速開關(guān)過程中造成嚴(yán)重電壓過沖,也導(dǎo)致?lián)p耗增加及電磁干擾等問題。而雜散電感的大小與開關(guān)換流回路的面積相關(guān)。其中,金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個芯片的平面布局是造成傳統(tǒng)封裝換流回路面積較大的關(guān)鍵
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新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
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淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

延遲時間。碳化硅MOSFET驅(qū)動信號傳輸延遲需小于200ns,傳輸延遲抖動小于20ns,可通過以下方式實(shí)現(xiàn):  · 采用數(shù)字隔離驅(qū)動芯片,可以達(dá)到信號傳輸延遲50ns,并且具有比較高的一致性,傳輸抖動
2023-02-27 16:03:36

電動汽車的全新碳化硅功率模塊

面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了,它的特點(diǎn)是:化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50

請教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!

元器件碳化硅
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碳化硅基礎(chǔ)知識 黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成 黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻
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AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭之地!#碳化硅

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詳解碳化硅材料的作用和發(fā)展

金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)
2018-01-03 09:48:4819904

碳化硅材料技術(shù)對器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267

國內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839

國內(nèi)碳化硅情況介紹

和車載 OBC,碳化硅的器件去年接近 2 個億。今年預(yù)測可能到接近 5 個億以上,甚至更大,因?yàn)榻衲?b class="flag-6" style="color: red">芯片的資源非常緊張,所以導(dǎo)致目前還是處于瓶頸。
2022-08-26 09:15:131695

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

來源:中國電子報(bào) 日前,國際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成,未來兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時出現(xiàn)峰值,繼續(xù)升高溫度,導(dǎo)電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234410

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

碳化硅二極管的應(yīng)用

高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591314

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933

電機(jī)碳化硅技術(shù)的作用與特點(diǎn)

  電機(jī)碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機(jī)的技術(shù),它是利用碳化硅材料的特性,如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等,來提高電機(jī)的效率、耐久性和可靠性,從而降低電機(jī)的成本。
2023-02-16 17:54:004556

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢

碳化硅MOSFET。第三代半導(dǎo)體涵蓋SiC碳化硅二極管,SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊,SiC碳化硅芯片這四類
2023-02-21 10:16:472090

碳化硅襯底市場群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284

碳化硅與工業(yè)應(yīng)用的未來

首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實(shí)是,碳化硅碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實(shí)上,碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨(dú)特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:09614

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

來源:碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221

揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知,對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:09713

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢

隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49855

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車市場的爆發(fā),電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場,行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達(dá)到60億美元。
2023-09-11 11:52:50186

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

三種碳化硅外延生長爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ),外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607

碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用

碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中,我們將討論
2023-12-19 11:48:30207

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅特色工藝模塊簡介

材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴(kuò)散。因此,在制備碳化硅器件時
2024-01-11 17:33:14294

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