MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管
2009-11-05 11:50:36
4309 MOS管的全稱是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。
2023-02-03 15:16:592441 
MOS管也就是常說的MOSFET。 MOSFET全稱是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor即，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。 MOS可以分為兩種：耗盡型和增強型。
2023-03-23 11:45:4911482 
引起的屏障降低 V千 滾落 工作溫度的影響 隧道進入和穿過柵極氧化層泄漏電流 熱載流子從基板注入柵極氧化物引起的泄漏電流 柵極感應(yīng)漏極降低 （GIDL） 引起的漏電流 在繼續(xù)之前，請確保您熟悉?MOS晶體管的基本概念?這將使您為以下信息做好準(zhǔn)備。 1.
2023-05-03 16:27:0014756 
的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大，并有助于功耗。這就是為什么我們必須了解MOS晶體管中各種類型的漏電流。 在我們嘗試了解各種漏電流元件之前，讓我們先回顧一下MOS晶體管的核心概念。這將有助于我們更好地了解該主題。 重新審視
2023-05-03 11:33:002605 晶體管，還是
MOS管？哪個漏電流?。恳话愠Ｓ媚男┬吞枺?/div>
2019-10-23 07:52:32
`電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開MOS管與場效應(yīng)晶體管的鼎力相助，但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場效應(yīng)晶體管混為一談，到底MOS管和場效應(yīng)晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系？這對于初學(xué)者來說
2019-04-15 12:04:44
MOS_場效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:21:29
MOS場效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:51:08
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊，請各位大俠指點?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
，PMOS指的是P型MOSFET。注意，MOS中的柵極Gate可以類比為晶體管中的b極，由它的電壓來控制整個MOS管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)?！ MOS電路符號如下圖： PMOS電路符號如下
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
的設(shè)計，運算放大電路的設(shè)計與制作。下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識。1．1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
開關(guān)電路的設(shè)計，F(xiàn)ET開關(guān)電路的設(shè)計，功率MOS電動機驅(qū)動電路，功率MOS開關(guān)電源的設(shè)計，進晶體管開關(guān)電源的設(shè)計，模擬開關(guān)電路的設(shè)計，振蕩電路的設(shè)計，F(xiàn)M無線話筒的設(shè)計，
2025-04-14 17:24:55
，晶體管開關(guān)電路的設(shè)計，F(xiàn)ET開關(guān)電路的設(shè)計，功率MOS電動機驅(qū)動電路，功率MOS開關(guān)電源的設(shè)計，晶體管開關(guān)電源的設(shè)計，模擬開關(guān)電路的設(shè)計，振蕩電路的設(shè)計，F(xiàn)M無線話筒的制作等。
2025-03-07 13:55:19
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設(shè)計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
有兩種主要類型：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOS-FET）。與BJT不同，F(xiàn)ET僅由一個載流子組成，因此也稱為單極晶體管。屬于壓控半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低
2023-02-03 09:36:05
年代和 1960 年代，它也被稱為超級阿爾法對。Darlington認(rèn)識到這種設(shè)計對發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢，并為這一概念申請了專利?！ ∵_林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
場效應(yīng)晶體管容易制造，場效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。場效應(yīng)晶體管特點（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID；（2）場效應(yīng)管的輸入端電流極小
2019-05-08 09:26:37
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
100GHz以上?！ ‰娮?b class="flag-6" style="color: red">管是利用靜電場對電子流的控制來工作的，是電壓控制元件，與MOS場效應(yīng)管的工作原理有些相似。所以輸入阻抗極高，輸入信號只要電壓，不需要電流。晶體管是利用半導(dǎo)體器件內(nèi)雜質(zhì)濃度的差異
2016-01-26 16:52:08
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
晶體管實驗:實驗一 三極晶體管與場效應(yīng)晶體管的特性圖示一、實驗?zāi)康?.掌握半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測量晶體管輸入輸出特性的測量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
37 MOS功率晶體管門控的靜電測試:Electrostatic Discharge (ESD)Objective: Verification that the product is robust
2009-11-26 10:26:0227 場效應(yīng)晶體管的分類及使用
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2010-01-13 16:01:59133 簡要回顧MOS晶體管一些具有代表性的技術(shù)進展，分析了其在將來超大規(guī)模集成電路（ULSI）應(yīng)用中的主要限制。從材料以及器件結(jié)構(gòu)兩個方向分別闡述了突破現(xiàn)有MOS技術(shù)而最有希望被
2010-12-17 15:37:2054 MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項: MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下
2009-03-11 22:22:501219 MOS場效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場效應(yīng)
2009-09-05 15:17:181525 
晶體管出現(xiàn)的意義
晶體管的出現(xiàn)，是電子技術(shù)之樹上綻開的一朵絢麗多彩的奇葩。 同電子管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性： ?、?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的構(gòu)
2009-11-05 10:46:473960 晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989
P溝MOS晶體管
2009-11-07 10:55:331073
N溝MOS晶體管
2009-11-09 13:53:312632
MOS晶體管
2009-11-09 13:56:053077 達林頓晶體管,達林頓晶體管是什么意思
達林頓管(Darlington Transistor)又稱復(fù)合管。它采用復(fù)合連接方式,將二只三極管適當(dāng)?shù)倪B接在一起，以組成
2010-03-05 10:50:164069 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 增強型MOS晶體管,增強型MOS晶體管是什么意思
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上
2010-03-05 15:34:432720 什么是耗盡型MOS晶體管
據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指，當(dāng)VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝
2010-03-05 15:35:3119885 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 晶體管h參數(shù),晶體管h參數(shù)是什么意思
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路
2010-03-05 17:37:226627 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機、晶體管測試儀）以及常見的晶體管（如：場效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬象，希望對各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
本文首先介紹了晶體管的概念與它的優(yōu)越性，其次介紹了晶體管的開關(guān)作用及集成NPN晶體管概述，最后介紹了縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別。
2018-05-17 17:35:1730699 
晶體管泛指所有半導(dǎo)體器件，包含N多種類，因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據(jù)使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據(jù)極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型晶體管;根據(jù)結(jié)構(gòu)和制造
2019-04-09 14:18:3136638 mos晶體管，金屬-氧化物-半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路。
2019-04-19 17:04:528654 功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:3113045 
本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2020-07-02 17:19:0522 MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:0011884 流經(jīng)構(gòu)成晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。 FET Field Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。 接合型FET多用于音頻設(shè)備等的模擬電路中，MOS型
2021-08-11 09:51:3914964 
P型MOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-21 19:36:1158 一、MOS管并聯(lián)理論：(1)、三極管(BJT)具有負的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時，導(dǎo)通電阻會變小。(2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時，導(dǎo)通電阻會逐漸變大。MOS管的這一特性適合并聯(lián)電路中
2021-10-22 17:21:0128 晶體管簡介
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如
2022-02-09 12:34:232 作者 IC_learner 在此特別鳴謝； 今天我就來聊聊基本的器件：CMOS器件及其電路。在后面會聊聊鎖存器和觸發(fā)器。 今天的主要內(nèi)容如下所示： ·MOS晶體管結(jié)構(gòu)與工作原理簡述 ** ·CMOS
2023-01-28 08:16:003210 
MOS晶體管
MOS晶體管全稱是MOS型場效應(yīng)晶體管，簡稱MOS管。其中MOS的全稱是MatelOxide Semiconductor，即金屬氧化物半導(dǎo)體。這種 晶體管結(jié)構(gòu)簡單，幾何尺寸可以做得
2023-02-15 15:56:300 晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
2023-02-17 16:32:493587 N溝道增強型垂直D-MOS晶體管-BSP89
2023-02-20 19:23:011 高頻晶體管（High Frequency Transistor）是一種用于高頻信號放大和處理的晶體管。相比于普通的晶體管，高頻晶體管具有更高的工作頻率和更低的噪聲系數(shù)，因此廣泛應(yīng)用于無線電通信、雷達、導(dǎo)航、廣播電視等領(lǐng)域。
2023-02-25 15:05:443765 200 V，N 溝道垂直 D-MOS 晶體管-BSS87
2023-03-03 20:01:500 MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化層厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，泄漏電流變得很大，并有助于功耗。這就是為什么我們必須了解 MOS 晶體管中各種類型的泄漏電流的原因。
2023-03-24 15:39:195424 
“晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu)，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當(dāng)然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號放大和開關(guān)控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機制和特點。
2023-07-07 10:14:495308 晶體管和mos管的區(qū)別是什么？ 晶體管（transistor）和MOS管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）都是半導(dǎo)體器件，它們在
2023-08-25 15:29:319194 MOS管，全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體，是一種常見的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其工作電壓的不同，MOS管主要可分為高壓MOS管和低壓MOS管。
2023-10-16 17:21:518363 MOS晶體管中各種類型的泄漏電流的原因? MOS晶體管是一種廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子技術(shù)中的晶體管，它具有低功耗、小尺寸、高密度等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于集成電路中。然而，MOS晶體管中存在著多種不同類型的泄漏
2023-10-31 09:41:293439 MOS的三個極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫。它是
2023-11-30 14:24:542647 對于從事芯片行業(yè)的人員來說，還是有必要了解數(shù)字電路中的一些基本概念，例如用作邏輯開關(guān)的 MOS 晶體管。當(dāng)然，我們的目的是了解現(xiàn)代芯片中的行為本質(zhì)，而不需要陷入半導(dǎo)體物理方程。
2024-07-29 10:02:053214 
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 
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