本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測(cè)方法，以兩單元為例:用模擬萬(wàn)用表測(cè)量，判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:26
9496 ? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開(kāi)通關(guān)斷時(shí)的電壓電流波形如圖1所示，Lσ代表整個(gè)換流回路（條紋區(qū)域內(nèi)）所有的雜散電感之和（電容器，母排，IGBT模塊
2023-08-18 09:08:185629 
IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。IGBT模塊具有使用時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn)，汽車(chē)級(jí)模塊的使用時(shí)間可達(dá)15年。因此在封裝過(guò)程中，模塊對(duì)產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求非常高。高可靠性設(shè)計(jì)需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數(shù)、高集成度。
2023-12-29 09:45:052959 
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會(huì)發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。
2024-03-22 09:58:0859502 
IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT 模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
2024-03-27 12:24:563032 
可靠性與能效是當(dāng)今逆變器設(shè)計(jì)考慮的兩個(gè)主要因素。英飛凌全新EconoPACK TM 4將強(qiáng)健的模塊設(shè)計(jì)與全新高能效IGBT4和EmCon4二極管技術(shù)融合在一起。基于最新技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件進(jìn)入
2018-12-07 10:23:42
IGBT模塊散熱技術(shù) 散熱的過(guò)程 1 IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗; 2 結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上; 3 IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上; 4 散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。 散熱環(huán)節(jié)
2012-06-20 14:36:54
` IGBT模塊散熱技術(shù)散熱的過(guò)程 1 IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗; 2 結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上; 3 IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上; 4 散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。 散熱環(huán)節(jié)
2012-06-19 11:35:49
詳細(xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表，了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo);根據(jù)模塊各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)確定使用方案，計(jì)算通態(tài)損耗和開(kāi)關(guān)損耗，選擇相匹配的散熱器及驅(qū)動(dòng)電路?！ ?二) IGBT模塊散熱器的使用 1.防止靜電 IGBT
2012-06-19 11:20:34
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
IGBT模塊的有關(guān)保護(hù)問(wèn)題-IGBT模塊散熱器 對(duì)IGBT模塊散熱器的過(guò)流檢測(cè)保護(hù)分兩種情況： (1)、驅(qū)動(dòng)電路中無(wú)保護(hù)功能。這時(shí)在主電路中要設(shè)置過(guò)流檢測(cè)器件。對(duì)于小容量變頻器，一般是把電阻R直接
2012-06-19 11:26:00
感抗差異，并對(duì)并聯(lián)IGBT的動(dòng)態(tài)均流產(chǎn)生影響，而線路的電阻則影響靜態(tài)均流。1.2 并聯(lián)技術(shù)遵循的原則1)模塊的選擇：通過(guò)選擇具有正溫度系數(shù)并且最好是同一批次的IGBT單元，可以提高器件參數(shù)的一致性
2015-03-11 13:18:21
各位大神好，想請(qǐng)教一個(gè)問(wèn)題。我現(xiàn)在手上有一個(gè)IGBT模塊，型號(hào)是FF150RT12R4。我現(xiàn)在想找一個(gè)驅(qū)動(dòng)這個(gè)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)模塊，是驅(qū)動(dòng)模塊，不是驅(qū)動(dòng)芯片，我在網(wǎng)上查找到了EXB840，但是這個(gè)驅(qū)動(dòng)年份有些久遠(yuǎn)，所以想問(wèn)有沒(méi)有類似的新產(chǎn)品，求推薦型號(hào)。
2021-01-04 10:40:43
IGBT英飛凌的模塊，用著怎么樣啊，求指導(dǎo)。
2018-04-17 15:27:54
(與飽和電壓 VCEsat有關(guān))+開(kāi)關(guān)損耗 (Eoff Eon)。同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長(zhǎng)。IGBT模塊按封裝工藝來(lái)看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接
2019-07-16 07:30:00
封就會(huì)碰到問(wèn)題；硅膠連續(xù)在高溫200度環(huán)境下工作；性能會(huì)變差；底部會(huì)產(chǎn)生VOLD；AL線形變；出現(xiàn)器件擊穿燒毀問(wèn)題；代表世界最新技術(shù)的日本幾家超級(jí)IGBT模塊大廠（M社/F社）已逐步采用高耐熱；低熱
2022-02-20 15:29:36
作為國(guó)家科技重大專項(xiàng)——智能電網(wǎng)高壓芯片封裝與模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的中國(guó)北車(chē)永濟(jì)電機(jī)公司以其研制的3300V IGBT器件產(chǎn)品，日前中標(biāo)國(guó)家智能電網(wǎng)項(xiàng)目，成為我國(guó)首個(gè)高壓大功率IGBT產(chǎn)品批量
2015-01-30 10:18:37
本文介紹了新一代IHM.B具備更強(qiáng)機(jī)械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設(shè)計(jì)、材料、焊接和安裝技術(shù)。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設(shè)計(jì)的3.3kV IGBT3芯片,在保持機(jī)械
2010-05-04 08:07:47
IGBT模塊是有IGBT與FWD通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，是能源變換與傳輸?shù)暮诵牟考?。也是變頻電源內(nèi)部最主要的核心部件之一，在內(nèi)部有著重要的作用，今天中港揚(yáng)盛的技術(shù)員來(lái)給大家講講
2021-12-28 06:25:45
摘要：本文討論了最新PrimePACKTM模塊如何集成到現(xiàn)有的逆變器平臺(tái)中，描述了集成控制和保護(hù)在內(nèi)的逆變器模塊化架構(gòu)概念。該模塊的機(jī)械特性允許對(duì)熱管理進(jìn)行優(yōu)化，進(jìn)而充分發(fā)揮IGBT輸出電流能力
2018-12-03 13:56:42
大量回收富士IGBT模塊 收購(gòu)富士IGBT模塊 全國(guó)各地區(qū)高價(jià)回收IGBT模塊、英飛凌、西門(mén)康、富士、三菱-天津高價(jià)收購(gòu)IGBT模塊系列,BGA,內(nèi)存,單片機(jī),繼電器,二三極管,電容,電感,保險(xiǎn)絲
2021-11-01 18:13:51
大量回收各種型號(hào)英飛凌IGBT模塊富士模塊本公司高價(jià)回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT等,本公司資金雄厚、現(xiàn)金交易、電話151-5220-9946QQ2360670759高價(jià)回收
2021-01-09 18:20:52
大量收購(gòu)IGBT模塊夏條綠已密，朱萼綴明鮮。深圳帝歐高價(jià)回收IGBT模塊，大量收購(gòu)IGBT模塊。帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。深圳帝歐
2021-03-22 18:19:34
大量收購(gòu)IGBT模塊深圳帝歐高價(jià)回收IGBT模塊，大量收購(gòu)IGBT模塊。帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。深圳帝歐電子長(zhǎng)期高價(jià)回收IGBT
2021-08-06 19:20:24
專業(yè)上門(mén)回收ABBIGBT模塊天津誠(chéng)信回收新舊IGBT模塊,回收IGBT模塊、IGBT模塊山東浙江江蘇安徽江西高價(jià)回收三菱IGBT模塊收購(gòu)英飛凌IGBT模塊二手IGBT模塊全國(guó)各地區(qū)高價(jià)回收IGBT
2021-10-25 21:49:20
專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國(guó)收購(gòu)IGBT模塊 專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國(guó)收購(gòu)IGBT模塊 專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收電話
2020-07-30 13:20:09
現(xiàn)急需FF1200R17IP5英飛凌原廠的IGBT模塊，有誰(shuí)有渠道的幫幫忙！
2020-01-12 10:47:52
浙江回收IGBT模塊浙江杭州收購(gòu)IGBT模塊長(zhǎng)期大量回收二手IGBT模塊,包括三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊,高價(jià)回收IGBT模塊的電話151-5220-9946 微信同步 QQ2360670759
2021-09-11 15:54:33
如何增加中間端子的雜散電感？電磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊并聯(lián)的影響是什么？
2021-06-15 08:26:38
各位大佬，請(qǐng)教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測(cè)試？
2023-10-23 10:19:00
如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)？在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需要考慮哪些問(wèn)題？IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
怎么解決IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額問(wèn)題？
2021-04-08 06:21:04
重慶專業(yè)收購(gòu)IGBT模塊重慶高價(jià)回收IGBT模塊，高價(jià)收購(gòu)IGBT模塊，深圳帝歐高價(jià)回收IGBT模塊，帝歐電子趙生***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-11-16 19:19:46
，繼電器回收，內(nèi)存回收，IGBT模塊回 收，液晶屏回收，連接器回收，手機(jī)字庫(kù)回收，鉭電容回收我們具有多年的電子元器件收購(gòu)相關(guān)產(chǎn)品 與服務(wù)的銷(xiāo)售和經(jīng)驗(yàn)。憑借專業(yè)的技術(shù)，高端的品質(zhì)，誠(chéng)信的經(jīng)營(yíng)，和不斷創(chuàng)新
2020-07-21 14:58:42
三菱igbt模塊資料
三菱電機(jī)第5代IGBT模塊和IPM模塊應(yīng)用手冊(cè)
Mitsubishi ElectricThe 5th Generation IGBT Modules & IPM ModulesApplication Note
2007-12-22 10:58:18
198 東芝igbt模塊資料
2007-12-22 11:04:1063 英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層，這個(gè)
2023-02-07 09:50:06
FF300R17KE3 IGBT模塊FF300R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層，這個(gè)附加
2023-02-07 10:50:02
FF450R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層，這個(gè)
2023-02-07 13:52:10
FZ600R17KE3 IGBT模塊FZ600R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層，這個(gè)附加
2023-02-07 14:36:09
英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層，這個(gè)附加層被稱為電場(chǎng)終止
2023-02-24 14:45:08
FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47
IGBT模塊的使用要點(diǎn):IGBT為電壓控制器件，其導(dǎo)通壓降隨正驅(qū)動(dòng)電壓的升高而降低。
2010-03-14 18:51:5871 東芝IGBT系列模塊
2007-12-22 11:10:151078 
西門(mén)康IGBT系列模塊
2007-12-22 11:11:291270 
IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)
摘要：對(duì)IGBT柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻及其驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了探討。提出了慢降柵壓過(guò)流保護(hù)和過(guò)
2009-07-15 07:57:592983 
創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模
2010-05-11 17:32:473227 本內(nèi)容提供了富士電機(jī)IGBT模塊應(yīng)用手冊(cè) 1 元件的構(gòu)造與特性 2 富士電機(jī)電子設(shè)備技術(shù)的IGBT 3 通過(guò)控制門(mén)極阻斷過(guò)電流 4 限制過(guò)電流功能 5 模塊的構(gòu)造 6 IGBT模塊電路構(gòu)造
2011-04-15 16:25:31267 IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3414471 
技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)：無(wú)焊接、 無(wú)引線鍵合及無(wú)襯板/基板封裝技術(shù)；內(nèi)部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路等功能元件，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。
2017-05-16 16:45:184071 
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT
2017-11-23 10:07:3991110 
英飛凌公司高級(jí)經(jīng)理陳子穎在高工電動(dòng)車(chē)·電動(dòng)物流車(chē)產(chǎn)業(yè)峰會(huì)上，發(fā)表了《電動(dòng)商用車(chē)IGBT模塊的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用要求》的精彩演講，詳細(xì)闡述了IGBT的標(biāo)準(zhǔn)體系、電動(dòng)商用車(chē)IGBT模塊應(yīng)用特點(diǎn)等內(nèi)容。
2018-07-29 09:33:076070 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0027 車(chē)輛運(yùn)行時(shí)，特別實(shí)在擁堵的路況時(shí)的頻繁啟停，此時(shí)控制器的IGBT模塊工作電流會(huì)相應(yīng)的頻繁升降，從而導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫快速變化，對(duì)于IGBT模塊的壽命是個(gè)很大的考驗(yàn)；
2021-02-01 13:58:035824 
igbt模塊散熱的過(guò)程依次為igbt在結(jié)上發(fā)生功率損耗；結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到igbt模塊殼上；igbt模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上；散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。
2022-03-11 11:20:179346 
這是賽晶半導(dǎo)體自主技術(shù)IGBT模塊的首個(gè)批量訂單，標(biāo)志公司IGBT模塊取得客戶認(rèn)可并開(kāi)始批量銷(xiāo)售和應(yīng)用
2022-02-14 16:34:461543 
IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。
2022-02-16 10:24:2117084 富士電機(jī)的IGBT模塊應(yīng)用手冊(cè)
2022-10-28 11:17:2116 智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過(guò)可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:144323 
要弄明白IGBT模塊，就要先了解新能源汽車(chē)的電驅(qū)系統(tǒng)，先用一句話概括電驅(qū)系統(tǒng)如何工作：在駕駛新能源汽車(chē)時(shí)，電機(jī)控制器把動(dòng)力電池放出的直流電（DC）變?yōu)榻涣麟姡ˋC）（這個(gè)過(guò)程即逆變）
2023-02-02 15:29:223240 IGBT模塊接口是一種用于連接IGBT模塊和其他電子設(shè)備的接口。
2023-02-17 18:21:211885 IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單，只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:5014701 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行分類。
2023-02-20 17:32:259115 IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng)，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:557250 IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2023-02-22 15:08:145090 
隨著IGBT的耗散功率和開(kāi)關(guān)頻率不斷增大，以及工作環(huán)境嚴(yán)苛，使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量，由于模塊內(nèi)的熱量無(wú)法及時(shí)得到釋放，從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:252555 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:521475 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:291417 
隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對(duì)于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門(mén)檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:282942 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來(lái)看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:304404 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:5411862 
的安全運(yùn)行至關(guān)重要。隨著軌道交通高速、重載技術(shù)的發(fā)展和電力電子裝置綠色、智能要求的不斷提高，對(duì)大功率IGBT 模塊的性能與可靠性提出了越來(lái)越高的要求，需要更高的功率密度、更高的工作溫度、更高的運(yùn)行可靠性來(lái)滿足新一代牽引動(dòng)力的應(yīng)用需求。
2023-09-07 09:09:493720 
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足高
2023-09-12 16:53:535603 
逆變器IGBT模塊的應(yīng)用分析(1)根據(jù)負(fù)載的工作電壓和額定電流，以及使用頻率，選擇合適規(guī)格的模塊。使用模塊前，請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表，了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo);根據(jù)模塊的技術(shù)參數(shù)確定使用方案，計(jì)算
2023-09-20 17:49:522996 
IGBT模塊具有良好的開(kāi)關(guān)性能、高速度和高效率等特點(diǎn)。IGBT模塊廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、軍事、醫(yī)療等各個(gè)領(lǐng)域，成為高功率控制領(lǐng)域的主流技術(shù)之一。 IGBT模塊的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗是其效率的兩個(gè)重要指標(biāo)。在傳導(dǎo)損耗方面，IGBT模塊具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，即
2023-10-19 17:01:224619 IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過(guò)程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:454843 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:284751 IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。
2023-11-21 15:49:452832 
IGBT和模塊的標(biāo)準(zhǔn)體系解讀
2023-12-14 11:38:452586 
英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:363093 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同，如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:077556 IGBT行業(yè)的門(mén)檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測(cè)試的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 10:05:356084 
是一種重要的關(guān)鍵技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換和能量控制系統(tǒng)中。 首先，我們來(lái)了解一下什么是IGBT模塊。IGBT模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，是繼MOSFET和BJT之后的第三代功率開(kāi)關(guān)器件。它具有低導(dǎo)通壓降、高開(kāi)關(guān)速度和高耐受電壓的特點(diǎn)，適用于高
2023-12-07 16:45:212367 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器中的半導(dǎo)體器件，用于控制和調(diào)節(jié)電流。在維修或更換IGBT模塊時(shí)，需要拆卸舊的模塊并安裝新的模塊。以下是拆卸IGBT模塊的步驟： 斷開(kāi)電源
2024-01-10 17:54:573622 
。IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個(gè)IGBT芯片和驅(qū)動(dòng)電路封裝在一個(gè)模塊內(nèi)，使得IGBT能夠方便地進(jìn)行安裝和維護(hù)。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:2310041 用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT，用萬(wàn)用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“～”之間的導(dǎo)通性，顯示導(dǎo)通，壓降為0.379 V。
2024-04-28 18:12:172353 
5月22日，東風(fēng)汽車(chē)官方發(fā)布消息表示，該司已聯(lián)手中國(guó)中車(chē)在武漢共同創(chuàng)立智新半導(dǎo)體，旨在通過(guò)自主研發(fā)突破，掌握生產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊的技術(shù)，并成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，初期產(chǎn)能為30萬(wàn)只。
2024-05-22 17:33:501333 IGBT模塊關(guān)斷截止時(shí)，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。
2024-05-31 09:06:3117234 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊和IGBT驅(qū)動(dòng)是電力電子領(lǐng)域中非常重要的兩個(gè)組成部分。它們?cè)谠S多應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能
2024-07-25 09:15:072593 IGBT模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流、高頻率、高效率等特點(diǎn)。 IGBT模塊的基本概念 IGBT（Insulated Gate Bipolar
2024-08-07 17:06:468964 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片與IGBT模塊在電力電子領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、功能、應(yīng)用及性能等方面存在顯著的差異。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)探討，旨在全面而深入地解析這一話題。
2024-08-08 09:37:364282 在電力電子技術(shù)的快速中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術(shù)以其高效、可靠的性能，成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件，每一個(gè)組成部分都承載著推動(dòng)電力電子技術(shù)進(jìn)步的使命。下面，我們將逐一深入解析IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊以及IGBT器件的特性和應(yīng)用。
2024-10-15 15:23:452471 今天講解的是下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 之前梵易R(shí)yan對(duì)模塊分層的現(xiàn)象進(jìn)行了三期的分享，有興趣的朋友們可以自行觀看： 塑封料性能對(duì)模塊分層
2024-12-30 09:10:562286 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使用壽命，還關(guān)系到整個(gè)電力電子系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性
2025-03-18 10:14:051543 
中國(guó)電力電子客戶逐漸擺脫對(duì)國(guó)外IGBT模塊（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴，轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT模塊和SiC模塊，這一轉(zhuǎn)變是技術(shù)、市場(chǎng)、政策和信任危機(jī)等多重因素共同作用的結(jié)果
2025-03-28 09:50:49713 對(duì)于每一位從事電力電子技術(shù)的工程師來(lái)說(shuō)，功率半導(dǎo)體，包括二極管和三極管，雖然其基本功能看似簡(jiǎn)單，但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的工作。IGBT作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心元件，其性能
2025-06-20 17:10:12630 
傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因與SiC模塊應(yīng)用系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)深度研究 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源
2025-09-07 14:57:042117 
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（帶二極管）在半橋拓?fù)渲屑闪?個(gè)IGBT和二極管。 STMicroelectronics
2025-10-16 17:15:071679 
傾佳電子深度研報(bào)：中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)“死磕”SiC碳化硅功率模塊——全面取代進(jìn)口IGBT模塊的技術(shù)、商業(yè)與產(chǎn)業(yè)邏輯解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連
2025-12-01 09:05:001123 
高性能電力電子系統(tǒng)的范式轉(zhuǎn)移：傾佳電子代理的BASiC碳化硅MOSFET功率模塊BMF540R12MZA3與青銅劍驅(qū)動(dòng)板配套替代傳統(tǒng)富士和英飛凌IGBT模塊的技術(shù)報(bào)告 用 傾佳電子 代理的基本半導(dǎo)體
2025-12-24 12:21:40838 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論