創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)

英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù)，英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應用的需求，并為提高功率密度和實現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。

全新.XT技術(shù)相對于現(xiàn)有技術(shù)，可使IGBT模塊的使用壽命延長10倍，或者使輸出功率提高25％。這種新技術(shù)可支持高達200°C的結(jié)溫。

功率循環(huán)會造成溫度變化，并導致IGBT模塊內(nèi)部連接部位產(chǎn)生機械應力。芯片各層的熱膨脹系數(shù)不同，會造成熱應力，導致材料疲勞和損壞。全新.XT技術(shù)涵蓋IGBT模塊內(nèi)部有關(guān)功率循環(huán)功能的所有關(guān)鍵點：芯片正面的鍵合線、芯片背面的焊接（芯片至DCB）和DCB（直接鍵合銅）至基板的焊接。

這種全新的連接技術(shù)經(jīng)過精心開發(fā)，可滿足英飛凌現(xiàn)有的多數(shù)封裝和全新的模塊封裝的要求。全部三種新連接技術(shù)都可是基于標準工藝，十分適用于批量生產(chǎn)。

供貨

采用全新.XT技術(shù)的第一款產(chǎn)品是PrimePACK 2模塊FF900R12IP4LD。該模塊采用半橋配置，具備900Arms的電流，基于IGBT4芯片，最大工作結(jié)溫為150°C。