短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細(xì)的解釋和分類了，但就具體工作中而言，我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關(guān)斷階段以及關(guān)斷完畢之后的，失效的模式主要為熱失效和動(dòng)態(tài)雪崩失效以及電場(chǎng)尖峰過(guò)高失效(電流分布不均勻)。理論上還有其他的一些失效情況，但我工作中基本不怎么遇到了。
2025-08-21 11:08:54
4041 
本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測(cè)方法，以兩單元為例:用模擬萬(wàn)用表測(cè)量，判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:269496 失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。失效機(jī)理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過(guò)程。1、電阻器的主要
2017-10-11 06:11:0014157 IGBT 功率模塊工作過(guò)程中存在開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:187628 IGBT失效場(chǎng)合：來(lái)自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、負(fù)載突變都會(huì)引起過(guò)電壓和過(guò)電流；來(lái)自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底，IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過(guò)壓/過(guò)流和柵極的過(guò)壓/過(guò)流引起。
2022-10-21 09:00:5010187 最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。作為電力電子行業(yè)里的“CPU”，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是國(guó)際上公認(rèn)的電子革命中最具代表性的產(chǎn)品。將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊，其功率更大、散熱能力
2023-08-07 10:29:203564 
? 針對(duì)汽車(chē) IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)，結(jié)溫差?ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm）是影響鍵
2023-08-08 10:59:382320 
眾所周知，IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開(kāi)關(guān)器件，失效后將直接導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。宇宙射線作為一個(gè)無(wú)法預(yù)知的因素，可能就是導(dǎo)致IGBT發(fā)生意外故障的關(guān)鍵。
2023-12-27 09:39:344675 
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會(huì)發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。
2024-03-22 09:58:0859502 
失效問(wèn)題?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT失效場(chǎng)合：來(lái)自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、負(fù)載突變都會(huì)引起過(guò)電壓和過(guò)電流；來(lái)自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底，IGBT失效主要是由集電極
2020-09-29 17:08:58
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
防止柵源電壓尖峰損壞IGBT模塊。 防柵極電荷積累與柵源電壓尖峰的保護(hù) 4、過(guò)熱保護(hù) IGBT模塊散熱器的損耗功率主要包括開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，前者隨開(kāi)關(guān)頻率的增高而增大，占整個(gè)損耗的主要部分;后者
2012-06-19 11:26:00
的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件，因此其可靠性對(duì)光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過(guò)程中，熱性能變化對(duì)于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
IGBT傳統(tǒng)防失效機(jī)理是什么IGBT失效防護(hù)電路
2021-03-29 07:17:06
IGBT有哪些封裝形式？
2019-08-26 16:22:43
IGBT的失效機(jī)理 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡(jiǎn)稱SOA
2017-03-16 21:43:31
各位大神好，想請(qǐng)教一個(gè)問(wèn)題。我現(xiàn)在手上有一個(gè)IGBT模塊，型號(hào)是FF150RT12R4。我現(xiàn)在想找一個(gè)驅(qū)動(dòng)這個(gè)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)模塊，是驅(qū)動(dòng)模塊，不是驅(qū)動(dòng)芯片，我在網(wǎng)上查找到了EXB840，但是這個(gè)驅(qū)動(dòng)年份有些久遠(yuǎn)，所以想問(wèn)有沒(méi)有類似的新產(chǎn)品，求推薦型號(hào)。
2021-01-04 10:40:43
明確其失效模式，失效模式是指失效的外在直觀失效表現(xiàn)形式和過(guò)程規(guī)律，通常指測(cè)試觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式，如開(kāi)路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。要明確失效模式，首先要細(xì)心收集失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)。一般情況下失效
2020-08-07 15:34:07
`請(qǐng)問(wèn)SMT焊點(diǎn)的主要失效機(jī)理有哪些？`
2019-12-24 14:51:21
專業(yè)上門(mén)回收ABBIGBT模塊天津誠(chéng)信回收新舊IGBT模塊,回收IGBT模塊、IGBT模塊山東浙江江蘇安徽江西高價(jià)回收三菱IGBT模塊收購(gòu)英飛凌IGBT模塊二手IGBT模塊全國(guó)各地區(qū)高價(jià)回收IGBT
2021-10-25 21:49:20
專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國(guó)收購(gòu)IGBT模塊 專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國(guó)收購(gòu)IGBT模塊 專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收電話
2020-07-30 13:20:09
現(xiàn)急需FF1200R17IP5英飛凌原廠的IGBT模塊，有誰(shuí)有渠道的幫幫忙！
2020-01-12 10:47:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個(gè)方面：1、IGBT過(guò)壓失效，Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過(guò)流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
FAE小白求指教，我這里是做三相全橋IGBT模塊的，有空調(diào)和工業(yè)客戶在使用模塊的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)失效，現(xiàn)象為下橋某相IGBT燒毀，開(kāi)封分析發(fā)現(xiàn)失效芯片的正中心有一方形燒點(diǎn)，如下圖：
目前已經(jīng)有五六起失效
2024-12-16 16:27:46
如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)？在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需要考慮哪些問(wèn)題？IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
怎么解決IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額問(wèn)題？
2021-04-08 06:21:04
一般工廠貼片電容電性失效有那幾種形式出現(xiàn)
2020-03-17 20:03:14
在一些要求高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合，希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運(yùn)行30年以上。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設(shè)計(jì)，并在實(shí)際的環(huán)境條件下進(jìn)行了驗(yàn)證，結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:55 編輯
大家下午好！我是來(lái)自中國(guó)北車(chē)的張強(qiáng)。隨著高速鐵路和動(dòng)車(chē)的發(fā)展，我們提供車(chē)輛數(shù)量的增加，大功率IGBT模塊作為動(dòng)車(chē)中的主要
2012-09-17 19:22:20
三菱igbt模塊資料
三菱電機(jī)第5代IGBT模塊和IPM模塊應(yīng)用手冊(cè)
Mitsubishi ElectricThe 5th Generation IGBT Modules & IPM ModulesApplication Note
2007-12-22 10:58:18
198 東芝igbt模塊資料
2007-12-22 11:04:1063 IGBT模塊的使用要點(diǎn):IGBT為電壓控制器件，其導(dǎo)通壓降隨正驅(qū)動(dòng)電壓的升高而降低。
2010-03-14 18:51:5871 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)?法和程序l
2024-01-29 22:40:29
的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客戶提供完整的失效根因分析服務(wù)。服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述
2024-03-13 16:26:07
HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 一：IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn)
2024-05-13 11:54:47
東芝IGBT系列模塊
2007-12-22 11:10:151078 
IPM/IGBT模塊的主電路設(shè)計(jì)
主電路直流母線采用形式：10~100A：PCB板150~300A：匯流排400A~1000A：疊層母線(下圖)
2008-11-05 23:37:312449 
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機(jī)理
1、? 引言
半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:423714 
IGBT及其子器件的幾種失效模式
2010-02-22 10:50:021146 
高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機(jī)理研究，IGBT原理，PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式，還有混合型特有的失效模式。MOS是靜電極敏感器件
2018-06-20 14:51:0019664 
已有研究表明，鍵合線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT）可靠性的主要因素之一。以此為研究背景，首先根據(jù)IGBT模塊內(nèi)部鍵合線的結(jié)構(gòu)布局與物理特性，分析鍵合線等效電阻與關(guān)斷暫態(tài)波形的關(guān)系
2018-01-02 11:18:145 IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，最后用塑料殼封裝，IGBT單元
2018-10-18 18:28:031008 瞬態(tài)過(guò)電流IGBT在運(yùn)行過(guò)程中所承受的大幅值過(guò)電流除短路、直通等故障外，還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種瞬態(tài)過(guò)電流雖然持續(xù)時(shí)間較短，但如果不采取措施，將增加IGBT的負(fù)擔(dān)，也可能會(huì)導(dǎo)致IGBT失效 。
2019-09-02 09:46:349166 微型齒輪減速在使用過(guò)程當(dāng)中可能會(huì)因某些原因?qū)е聯(lián)p壞，使齒輪減速機(jī)失去工作能力的現(xiàn)象稱為失效，齒輪減速電機(jī)的失效形式有多種。
2021-01-01 17:48:002901 車(chē)輛運(yùn)行時(shí)，特別實(shí)在擁堵的路況時(shí)的頻繁啟停，此時(shí)控制器的IGBT模塊工作電流會(huì)相應(yīng)的頻繁升降，從而導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫快速變化，對(duì)于IGBT模塊的壽命是個(gè)很大的考驗(yàn)；
2021-02-01 13:58:035824 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供IGBT失效防護(hù)機(jī)理及電路資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:50:2223 當(dāng)前，電子設(shè)備主要失效形式就是熱失效。據(jù)統(tǒng)計(jì)，電子設(shè)備失效有55%是溫度超過(guò)規(guī)定值引起，隨著溫度增加，電子設(shè)備失效率呈指數(shù)增長(zhǎng)。一般而言電子元器件的工作可靠性對(duì)溫度極為敏感，器件溫度70-80℃水平上每增加1℃，可靠性就會(huì)下降5℃。
2021-10-14 14:59:522674
IGBT模塊在高濕環(huán)境應(yīng)用失效的預(yù)防措施
引言
近年來(lái)，隨著我國(guó)政府對(duì)環(huán)境和氣候問(wèn)題的持續(xù)關(guān)注，可再生能源得到了高速發(fā)展。綜合各省市數(shù)據(jù)，十四五期間光伏和風(fēng)電的規(guī)劃新增裝機(jī)容量超過(guò)
2022-07-08 14:47:444350 接上一篇討論了IGBT應(yīng)用的環(huán)境，在什么條件下算是高濕？而高濕環(huán)境又是如何影響IGBT的可靠性的。本篇內(nèi)容我們接著討論，從用戶端的角度，如何預(yù)防IGBT模塊因?yàn)楦邼?b class="flag-6" style="color: red">失效？
2022-07-10 11:55:273624 PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù)，包括參數(shù)解讀、器件選型、驅(qū)動(dòng)技術(shù)、保護(hù)方法以及失效分析等。
2022-09-05 11:36:393152 IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。
2023-01-13 10:14:583119 IGBT模塊接口是一種用于連接IGBT模塊和其他電子設(shè)備的接口。
2023-02-17 18:21:211885 IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單，只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:5014701 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行分類。
2023-02-20 17:32:259115 今天梳理一下IGBT現(xiàn)象級(jí)的失效形式。 失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負(fù)載波動(dòng)、驅(qū)動(dòng)或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4327 IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng)，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:557250 IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2023-02-22 15:08:145090 
工作中會(huì)遇到這樣一些情況：損壞的IGBT模塊要分析失效原因，或者外觀完好的模塊要判斷是否有異常，在缺乏專門(mén)儀器的情況下，數(shù)字萬(wàn)用表作為常用工具，可以幫助我們快速判別IGBT好壞，這時(shí)一般會(huì)用到萬(wàn)用表
2023-02-23 16:05:138 實(shí)際應(yīng)用中，IGBT常見(jiàn)的兩種失效機(jī)理：
突發(fā)失效：即自發(fā)的，不可預(yù)知的失效
漸變失效：可預(yù)測(cè)的失效，隨著時(shí)間推移慢慢產(chǎn)生，制造商起著決定性的作用
1、突發(fā)失效：應(yīng)用工程師的主要任務(wù)是通過(guò)
2023-02-24 15:08:583 失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，所以研究IGBT的失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:044179 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:521475 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:291417 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展以及絕緣柵雙極型晶體管（insulatedgatebipolartranslator，IGBT）模塊的普遍應(yīng)用，電力電子可靠性要求不斷提高，而過(guò)熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:093999 
單元，IGBT模塊得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發(fā)展成熟，應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:529162 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來(lái)看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:304404 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:5411862 
電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器基本結(jié)構(gòu)可分為：殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊，是電氣控制器關(guān)鍵零部件。 通過(guò)電子控制元件與電氣控制
2023-07-28 11:03:453706 
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過(guò)高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車(chē)電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對(duì)新能源汽車(chē)性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:233280 
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足高
2023-09-12 16:53:535603 
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測(cè)試也變的尤為重要，其中動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是IGBT模塊測(cè)試一項(xiàng)重要內(nèi)容，IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能的重要依據(jù)。其動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開(kāi)關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:353766 
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎？ IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號(hào)，而且
2023-10-19 17:01:224619 IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過(guò)程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:454843 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:284751 IGBT和模塊的標(biāo)準(zhǔn)體系解讀
2023-12-14 11:38:452586 
英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:363093 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同，如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:077556 
IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。
2023-12-08 14:14:313865 常見(jiàn)的齒輪失效有哪些形式？失效的原因是什么？可采用哪些措施來(lái)減緩失效的發(fā)生？ 齒輪是機(jī)械傳動(dòng)中常用的一種傳動(dòng)方式，它能夠?qū)?dòng)力從一個(gè)軸傳遞到另一個(gè)軸上。然而，在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中，齒輪也會(huì)出現(xiàn)各種失效
2023-12-20 11:37:157942 。IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個(gè)IGBT芯片和驅(qū)動(dòng)電路封裝在一個(gè)模塊內(nèi)，使得IGBT能夠方便地進(jìn)行安裝和維護(hù)。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:2310041 功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個(gè)影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條 件等。
2024-04-18 11:21:062398 
逆變器中的IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）模塊在電力電子領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其作用不僅限于簡(jiǎn)單的電能轉(zhuǎn)換，還涉及到功率控制、保護(hù)、效率提升等多個(gè)方面。
2024-07-15 16:52:597997 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊和IGBT驅(qū)動(dòng)是電力電子領(lǐng)域中非常重要的兩個(gè)組成部分。它們?cè)谠S多應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能
2024-07-25 09:15:072593 IGBT功率模塊結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖： IGBT的失效形式及其機(jī)理主要包含以下兩種： 芯片頂部鋁鍵合線的開(kāi)裂和翹起。 這種現(xiàn)象是由于電流在導(dǎo)線中流動(dòng)產(chǎn)生熱量，進(jìn)而引發(fā)熱沖擊效應(yīng)。這種熱沖擊會(huì)導(dǎo)致熱機(jī)械應(yīng)變的產(chǎn)生
2024-07-31 17:11:411499 
。 IGBT模塊的作用 IGBT模塊在電力電子領(lǐng)域具有重要的作用，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 2.1 高電壓、大電流的功率
2024-08-07 17:06:468964 IGBT模塊在三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器中的典型應(yīng)用案例如下圖，主要包含了整流、IGBT主電路、驅(qū)動(dòng)保護(hù)、PWM產(chǎn)生及控制電路，電流電壓反饋電路等。
2024-10-25 16:25:227830 
IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module，絕緣柵雙極型晶體管模塊）是一種高性能的電力電子器件，廣泛應(yīng)用于高電壓、大電流的開(kāi)關(guān)和控制場(chǎng)合。它結(jié)合了
2025-03-19 15:48:34807 。以下從大眾汽車(chē)尾氣排放造假事件、部分海外IGBT模塊供應(yīng)商的失效報(bào)告造假而造成的行業(yè)誠(chéng)信問(wèn)題切入，結(jié)合國(guó)產(chǎn)IGBT模塊和SiC模塊的崛起背景，分析具體原因： 一、國(guó)外廠商的信任危機(jī)：誠(chéng)信問(wèn)題與技術(shù)神話的破滅 大眾汽車(chē)尾氣排放造假事件的影響
2025-03-28 09:50:49713 中國(guó)電力電子逆變器變流器的功率器件專家以使用者身份拆穿國(guó)外IGBT模塊失效報(bào)告廠商造假的事件，是中國(guó)技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)鏈話語(yǔ)權(quán)提升的標(biāo)志性案例。通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度，成功揭露了國(guó)外廠商在IGBT
2025-04-27 16:21:50564 
部分IGBT模塊廠商失效報(bào)告作假的根本原因及其對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響，可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)等多維度分析，并結(jié)合中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行綜合評(píng)估： 一、失效報(bào)告作假的根本原因 技術(shù)
2025-05-23 08:37:56805 
一、引言 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為電力電子領(lǐng)域的核心器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵領(lǐng)域。短路失效是 IGBT 最嚴(yán)重的失效模式之一，會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓甚至安全事故。研究發(fā)現(xiàn)
2025-08-25 11:13:121354 
一、引言 在 IGBT 模塊的可靠性研究中，鍵合線失效是導(dǎo)致器件性能退化的重要因素。研究發(fā)現(xiàn)，芯片表面平整度與鍵合線連接可靠性存在緊密關(guān)聯(lián)。當(dāng)芯片表面平整度不佳時(shí)，鍵合線與芯片連接部位易出現(xiàn)應(yīng)力集中
2025-09-02 10:37:351788 不同封裝形式的IGBT模塊在熱性能上的差異主要體現(xiàn)在散熱路徑設(shè)計(jì)、材料導(dǎo)熱性、熱阻分布及溫度均勻性等方面。以下結(jié)合技術(shù)原理和應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行系統(tǒng)分析。
2025-09-05 09:50:582458 
分享一個(gè)在熱發(fā)射顯微鏡下（Thermal EMMI) 芯片失效分析案例，展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^(guò) IV測(cè)試 與 紅外熱點(diǎn)成像，快速鎖定 IGBT 模組的失效點(diǎn)。
2025-09-19 14:33:022290 
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