IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor），中文名稱(chēng)：集成門(mén)極換流晶閘管。
2023-12-14 09:48:17
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和關(guān)斷的需求推動(dòng)了柵極關(guān)斷(Gate Turn-Off， GTO） 晶閘管的發(fā)展。GTO 晶閘管的關(guān)斷是通過(guò)施加一個(gè)大的反向電流來(lái)實(shí)現(xiàn)的。柵電流必須足夠大才能夠消除掉p 基區(qū)的存儲(chǔ)電荷，同時(shí)中止內(nèi)部
2024-01-17 09:42:29356 
可控硅（SCR）和門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO）都是大功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于電力控制和電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。
2024-02-01 15:14:581725 
本帖最后由 russellwtbrk 于 2016-12-20 11:52 編輯
如題目所問(wèn)，關(guān)于門(mén)極關(guān)斷晶閘管電路的設(shè)計(jì)。尋求可行性、并驗(yàn)證。希望大神們速來(lái)圍觀??！先上簡(jiǎn)單電路圖再說(shuō)明原理。
2016-12-20 11:32:39
GTO2 - Gate Drive Transformer - ice Components, Ins.
2022-11-04 17:22:44
GTO2940-12RP - GTO Clamping Capacitors, Self-healing, Segmented - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
{:24:}各位大神！試問(wèn)能否提供GTO具體產(chǎn)品應(yīng)用電路舉例？比如在某品牌的某一型號(hào)的變頻器中應(yīng)用了某一型號(hào)的GTO，然后給出主電路及GTO關(guān)聯(lián)電路，GTO 的主要參數(shù)...順便，最好有GTO
2012-12-09 21:47:44
(1)最大門(mén)極關(guān)斷陽(yáng)極電流IATO 這是標(biāo)稱(chēng)GTO額定電流容量的參數(shù)。它和普通晶閘管不同，普通晶閘管是以一定波形下的電流平均值來(lái)作為額定電流。實(shí)際上，GTO的電流限制有兩個(gè)：一個(gè)是發(fā)熱限制，即GTO
2017-01-27 11:15:51
晶閘管（晶體閘流管VT）又叫可控硅。晶閘管具有功率大，效率高，體積小，質(zhì)量輕和壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于電機(jī)調(diào)速，電解，電鍍，電焊機(jī)，發(fā)電機(jī)勵(lì)磁等領(lǐng)域。晶閘管的缺點(diǎn)：過(guò)載能力差，抗干擾能力差，控制線(xiàn)路較
2021-07-07 06:49:32
打開(kāi)和關(guān)閉。后者稱(chēng)為柵極關(guān)斷晶閘管（GTO晶閘管）。與晶體管不同，晶閘管具有雙值開(kāi)關(guān)特性，這意味著它們只能完全打開(kāi)或關(guān)閉，而晶體管可以處于打開(kāi)和關(guān)閉狀態(tài)之間。因此，晶閘管作為模擬放大器無(wú)效，但作為開(kāi)關(guān)
2023-02-06 14:07:47
晶閘管是具有四層交替P型和N型材料的四層半導(dǎo)體層或三層PN結(jié)器件的固態(tài)半導(dǎo)體器件。它也被稱(chēng)為“SCR”（硅控制整流器）。術(shù)語(yǔ)“晶閘管”源自晶閘管（一種用作SCR的氣體流體管）和晶體管。它專(zhuān)門(mén)用作
2023-02-09 10:15:05
CAN協(xié)議具有什么特點(diǎn)？bxCAN的特點(diǎn)是什么？
2021-11-12 06:54:28
Interbus總線(xiàn)具有哪些特點(diǎn)？
2021-05-26 06:36:26
MPEG的發(fā)展及特點(diǎn)是什么MPEG具有哪些功能？
2021-04-27 06:03:01
Proteus軟件是什么？具有哪些功能特點(diǎn)？
2021-04-21 06:47:14
Qt具有哪些特點(diǎn)？
2022-02-10 07:16:05
STE相比于之前的AMTE/MTE主要特點(diǎn)有哪些？vango驗(yàn)證和出貨生產(chǎn)芯片的測(cè)試原理和基本方法是什么？
2021-11-12 06:00:16
STM32的ADC具有哪些特點(diǎn)？ADC單詞轉(zhuǎn)換與連續(xù)轉(zhuǎn)換的區(qū)別是什么?
2021-11-23 06:33:45
。 ?、崎T(mén)極關(guān)斷（GTO）晶閘管 SCR在一段時(shí)間內(nèi)，幾乎是能夠承受高電壓和大電流的唯一半導(dǎo)體器件。因此，針對(duì)SCR的缺點(diǎn)，人們很自然地把努力方向引向了如何使逆變電源晶閘管具有關(guān)斷能力這一點(diǎn)上，并因此而
2009-08-13 11:50:05
multisim12中的GTO元件可以進(jìn)行仿真不，需要GTO的仿真最好用什么軟件啊？求解各位高手
2014-03-05 11:50:32
與點(diǎn)溫儀相比，紅外熱像儀具有哪幾大優(yōu)勢(shì)？
2021-05-10 06:01:54
;nbsp; 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)
2009-08-12 00:20:51
（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路?！ 。?）單向晶閘管工作原理 單向晶閘管是PNPN閃層結(jié)構(gòu)，形成三個(gè)PN結(jié)，具有陽(yáng)極人
2023-02-22 15:40:16
什么是Profibus網(wǎng)絡(luò)？具有哪些特點(diǎn)？
2022-01-18 07:44:41
什么是SDIO？SDIO具有哪些特點(diǎn)？
2021-11-23 07:59:49
什么是UART?有什么特點(diǎn)？什么是USART？工作原理是什么？具有哪些特點(diǎn)？
2021-12-13 06:05:49
有誰(shuí)知道傳統(tǒng)晶閘管驅(qū)動(dòng)存在什么問(wèn)題？智能晶閘管與它相比有什么優(yōu)點(diǎn)？
2016-04-17 19:37:47
晶閘管也稱(chēng)可控硅，是一種能像閘門(mén)一樣控制電流大小的半導(dǎo)體器件。因此，晶閘管也具有開(kāi)關(guān)控制、電壓調(diào)整和整流等功能。晶閘管的種類(lèi)較多，強(qiáng)電電路采用的晶閘管主要有單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。常見(jiàn)的晶閘管
2017-05-16 09:02:13
觸發(fā)短路晶閘管提供電流旁路的同時(shí)，切斷整流晶閘管，從而使GTO不超過(guò)可控電流。GTO出現(xiàn)過(guò)電流時(shí)，由于其通態(tài)壓降和關(guān)斷存儲(chǔ)時(shí)間會(huì)隨陽(yáng)極電流而變化。因此，也可采用識(shí)別通態(tài)壓降或存儲(chǔ)時(shí)間的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)GTO
2018-01-12 09:36:32
GTO（可關(guān)斷晶閘管）具有高電壓、大電流、自關(guān)斷及快速性等特點(diǎn)，它主要用于高電壓大功率的斬波器、逆變器及其他電路中。一、斬波電路直流斬波器是一種直流變換電路。它廣泛應(yīng)用在恒定直流電源中需要調(diào)節(jié)
2018-01-12 09:35:28
對(duì)器件的運(yùn)行幾乎沒(méi)有影響，因?yàn)閭鲗?dǎo)是內(nèi)部控制的。然后應(yīng)用一個(gè)瞬間門(mén)脈沖到設(shè)備是足夠的，使它進(jìn)行，并將永久保持“ ON”，即使門(mén)信號(hào)是完全刪除。因此，晶閘管也可以被認(rèn)為是具有“關(guān)”或“開(kāi)”兩種穩(wěn)定狀態(tài)
2022-04-27 11:32:02
與實(shí)測(cè)波形相比，誤差極小。如圖6所示，圖中曲線(xiàn)為CS=2μF及5μF條件下實(shí)際測(cè)得的陽(yáng)極電壓波形及相應(yīng)的仿真波形。可見(jiàn)，仿真精度可滿(mǎn)足尋優(yōu)要求。??GTO仿真波形與實(shí)測(cè)波形的比較圖6 GTO仿真波形與實(shí)測(cè)波形的比較
2021-08-24 06:30:00
極換流晶閘管 當(dāng)前已有兩種常規(guī)GTO的替代品：高功率的IGBT模塊、新型GTO派生器件-集成門(mén)極換流IGCT晶閘管。IGCT晶閘管是一種新型的大功率器件，與常規(guī) GTO晶閘管相比，它具有許多優(yōu)良
2019-03-03 07:00:00
關(guān)斷晶閘管(GTO)的成熟技術(shù),為滿(mǎn)足中等電壓、大功率電路要求而設(shè)計(jì)的功率開(kāi)關(guān)元件.IGCT采用了4種新技術(shù):緩沖層技術(shù)、逆導(dǎo)技術(shù)、透明發(fā)射極技術(shù)以及門(mén)極硬驅(qū)動(dòng)技術(shù),具有通態(tài)損耗低、開(kāi)通關(guān)斷損耗較小全文下載
2010-04-24 09:07:39
MOSFET的快速關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點(diǎn)， 在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性?！ GTO具有電流大、阻斷電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。
2020-07-09 10:09:06
步進(jìn)電機(jī)和伺服電機(jī)有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？步進(jìn)電機(jī)相比伺服電機(jī)具有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2021-09-26 06:54:25
與反并聯(lián)二極管和門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門(mén)極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點(diǎn)，在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流
2017-11-07 11:11:09
的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、損耗低等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。采用晶閘管技術(shù)的GTO是常用的大功率開(kāi)關(guān)器件，它
2017-05-25 14:10:51
組合導(dǎo)航具有哪些特點(diǎn)應(yīng)用？
2022-02-23 07:39:32
請(qǐng)教各位大神，GTO門(mén)極可關(guān)斷晶閘管一般的導(dǎo)通壓降是多少？陽(yáng)極所加電源多大？求解
2019-07-11 04:36:06
晶閘管工作原理及特點(diǎn)電路圖
2019-09-29 10:18:57
請(qǐng)問(wèn)什么是SAS硬盤(pán)？具有哪些特點(diǎn)？
2021-11-04 06:09:41
效率的主要貢獻(xiàn)者，但半導(dǎo)體本身可以通過(guò)提供低導(dǎo)通狀態(tài)和開(kāi)關(guān)損耗做出重大貢獻(xiàn)。在這方面，IGCT無(wú)疑是性能最高的硅器件架構(gòu)?！ ”疚慕榻B了6500 A、4500 V集成柵極換向晶閘管（IGCT）的開(kāi)發(fā)
2023-02-24 15:37:38
作為一個(gè)新型電力電子器件，集成門(mén)極換向晶閘管(IGCT)在大功率高壓變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。本文介紹了一個(gè) 4.5kV/4.0kA IGCT 功率相單元測(cè)試平臺(tái)工作原理和實(shí)驗(yàn)方案，并且在不
2009-04-08 15:42:54
13 主要介紹了集成門(mén)極換流晶閘管(IGCT)的光刻技術(shù)。IGCT器件的光刻次數(shù)多，精度要求高，如何保證光刻質(zhì)量是關(guān)鍵。根據(jù)IGCT光刻的特點(diǎn)，從光刻機(jī)的性能、光刻膠的選用以及刻
2010-06-24 16:48:4314 GTO的結(jié)構(gòu)和工作原理與普通晶閘管相似，可關(guān)斷型GTO也是P-N-P-N四層結(jié)構(gòu)、引出A、K、G三個(gè)電極，GTO的電路符號(hào)如圖1-4所示。與普通型晶閘管不同的是當(dāng)GTO處于導(dǎo)通狀態(tài)在其門(mén)極加
2010-08-08 14:37:4726 可關(guān)斷晶閘管(GTO-門(mén)控晶閘管)
可關(guān)斷晶閘管GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。
前已述及，普
2009-04-26 11:39:462570 利用實(shí)測(cè)GTO陽(yáng)極電流波形設(shè)計(jì)逆變器緩沖電路
摘要：緩沖電路參數(shù)值對(duì)GTO的關(guān)斷性能及整個(gè)GTO逆變器的工作性能起著至關(guān)重要的作用。本文通過(guò)對(duì)GTO關(guān)斷過(guò)程中
2009-07-11 08:33:18686 
可關(guān)斷晶閘管(GTO)
2009-07-16 22:38:32957 可關(guān)斷晶閘管（GTO）
可關(guān)
2009-07-25 11:23:231122 什么是高電壓、大電流晶閘管
作為數(shù)千V、數(shù)百A的電力控制用器件，分成GTO（門(mén)極關(guān)斷晶閘管）和LTT（光觸發(fā)晶閘管）
★
2010-03-01 11:20:251730 可關(guān)斷晶閘管（GTO）,可關(guān)斷晶閘管（GTO）是什么意思
可關(guān)斷晶閘管
turn-off thyristor
2010-03-03 11:54:1310619 GTO的觸發(fā)驅(qū)動(dòng)器及電路
2010-03-03 12:12:524209 
什么是門(mén)極關(guān)斷(GTO)晶閘管
可關(guān)斷晶閘管GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦稱(chēng)柵控晶閘管。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)柵極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。
2010-03-05 13:28:506518 集成門(mén)極換流晶閘管(IGCT)是什么意思
集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問(wèn)世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力
2010-03-05 14:18:547072 集成門(mén)極換流晶閘管/IGCT的工作原理是什么?
交流變頻調(diào)速技術(shù)是電氣傳動(dòng)的發(fā)展方向之一，它具有調(diào)速性能優(yōu)越和節(jié)能效果顯著兩大特點(diǎn)，因此，
2010-03-05 14:22:246879 逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-Conducting
Thyristir)亦稱(chēng)反向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶閘管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)
2010-11-10 16:44:041152 IGCT 單獨(dú)使用時(shí)可以不使用緩沖電路。但是6kV及以上高壓變頻器需要將IGCT串聯(lián)使用以獲得更高的耐壓水平。此時(shí)，IGCT需要并聯(lián)緩沖電路才能安全的工作。為設(shè)計(jì)6kV高壓變頻器串聯(lián)吸收電
2011-07-22 18:20:4738 IGCT (集成門(mén)極換流晶閘管)是從GTO(門(mén)極可關(guān)斷晶閘管)發(fā)展改進(jìn)而來(lái)的。它結(jié)合了GTO和IGBT的優(yōu)點(diǎn)，如開(kāi)通損耗低，可靠性高，電壓電流容量大，開(kāi)關(guān)頻率高等。由于IGCT的特殊工作原理，
2011-08-17 16:53:4799 晶閘管(SCR/GTO)自問(wèn)世以來(lái)，其功率容量提高了近3000倍。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV / 6kA和6kV / 6kA的光觸發(fā)晶閘管(LTT)。
2016-02-25 14:16:120 晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。
2017-05-20 10:07:2610320 
在大功率的DC-DC變換中，往往使用晶閘管作功率開(kāi)關(guān)元件的直流斬波器（電路）。用于斬波器的晶閘管有半控的普通晶閘管和全控的門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO），它們電壓、電流容量相近，但用于直流變換的普通
2017-08-25 15:32:158365 
）等，還是新型功率半導(dǎo)體器件，如：門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）、門(mén)極換流晶閘管（GCT）、集成門(mén)極換流晶閘管（IGCT）等，甚至是絕緣柵雙極晶體管（IGBT），都屬于雙極注入器件，所以它們的通態(tài)特性最后都可以歸結(jié)到PiN功率二極管的通態(tài)特性上。 在實(shí)際應(yīng)用中，往往有多個(gè)器件的并
2017-10-31 10:19:4112 跟晶閘管一樣，一旦導(dǎo)通即能在導(dǎo)通狀態(tài)下發(fā)生擎住效應(yīng)，沒(méi)有門(mén)極電流仍然導(dǎo)通。所以GTO是一種必須靠門(mén)極電流的極性變化來(lái)改變通斷狀態(tài)的晶閘管。使GTO關(guān)斷的反向門(mén)極電流通常須達(dá)到陽(yáng)極電流的1/5～1/3，因而
2018-08-12 11:34:0537863 
回顧IGCT器件的發(fā)展史，要從晶閘管說(shuō)起。晶閘管自從1957年在美國(guó)通用公司誕生以來(lái)，經(jīng)過(guò)隨后20多年的發(fā)展，已經(jīng)形成了從低壓小電流到高壓大電流的系列產(chǎn)品，早期的大功率變流器幾乎全部采用晶閘管。
2020-05-08 11:00:587917 可關(guān)斷晶閘管（Gate Turn-Off thyristor，簡(jiǎn)稱(chēng)GTO），亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管，是大功率半導(dǎo)體器件的一種，可作為VVVF牽引逆變器使用，用于控制供鐵路車(chē)輛使用的交流牽引電動(dòng)機(jī)。
2020-08-12 09:45:355384 
可關(guān)斷晶閘管的結(jié)構(gòu)和普通單向晶閘管一樣，也是由PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成，外部也有三個(gè)電極，即門(mén)極G、陽(yáng)極A和陰極K。普通單向晶閘管只構(gòu)成一個(gè)單元器件，而可關(guān)斷晶閘管則構(gòu)成一種多元的功率集成
2021-01-07 15:11:428823 
IGCT是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開(kāi)發(fā)的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。
2021-03-05 10:59:229820 （ RCT）等，還是新型功率半導(dǎo)體器件如：門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）、門(mén)極換流晶閘管（GCT）、集成門(mén)極換流晶閘管（IGCT）等，甚至是絕緣柵雙極晶體管（ IGBT），由于這些器件都屬于雙極注入器件，故其通態(tài)特性最后都?xì)w結(jié)到PiN 功率二極管的通態(tài)特性上來(lái)。
2021-03-16 10:39:0031 晶閘管投切電容器的原理是什么（一） 晶閘管投切電容器（TSC）是利用晶閘管作為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的無(wú)功補(bǔ)償裝置，它根據(jù)晶閘管具有準(zhǔn)確的過(guò)程，迅速并平穩(wěn)的切割電容器，與機(jī)械投切電容器相比，晶閘管具有操作壽命長(zhǎng)
2021-03-31 00:03:544050 硬驅(qū)動(dòng)概念的出現(xiàn)極大地改進(jìn)了門(mén)極可關(guān)斷晶閘管( GTO) 的關(guān)斷性能, 并導(dǎo)致了集成門(mén)極
換向型晶閘管( IGCT ) 的出現(xiàn)。IGCT 在 GT O 技術(shù)的基礎(chǔ)上, 采用新技術(shù)集成了硬驅(qū)
2022-05-09 11:16:381 HDI（高密度互連板）是專(zhuān)為小容量用戶(hù)設(shè)計(jì)的緊湊型電路板。相比于普通pcb，HDI最顯著的特點(diǎn)是布線(xiàn)密度高，兩者的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下4個(gè)方面。
2022-07-04 09:21:332319 晶閘管的作用及特點(diǎn) 晶體閘流管（Thyristor）又稱(chēng)作可控硅整流器，曾被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第一晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體
2023-02-08 14:04:462828 IGCT和IGBT之間的主要區(qū)別在于IGCT可以提供更高的效率和更低的損耗，而IGBT可以提供更高的功率密度和更低的噪聲。此外，IGCT可以提供更高的精度和可靠性，而IGBT可以提供更低的成本。
2023-02-21 15:26:4411866 GTO（Gate-Turn-OffThyristor）是門(mén)極可關(guān)斷晶閘管的簡(jiǎn)稱(chēng)，他是晶閘管的一個(gè)衍生器件。但可以通過(guò)門(mén)極施加負(fù)的脈沖電流
使其關(guān)斷，屬于全控型器件。
門(mén)極可關(guān)斷晶閘管是一種具有
2023-02-23 09:46:231 晶閘管具有單向?qū)щ娦院驼驅(qū)煽?b class="flag-6" style="color: red">晶閘管具有單向?qū)щ娦院驼驅(qū)煽匦?。屬?b class="flag-6" style="color: red">晶閘管的物理特征。
2023-02-27 17:12:14841 IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成門(mén)控晶閘管）的工作原理是通過(guò)對(duì)內(nèi)部PN結(jié)區(qū)域施加正向電壓，將PN結(jié)區(qū)域中的空穴和電子注入到N型感應(yīng)層和P型感應(yīng)
2023-02-28 11:45:322141 相比，IGCT具有更低的導(dǎo)通壓降和更高的開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)具有較好的反向阻斷能力。由于其特殊的結(jié)構(gòu)和性能，IGCT廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電、變頻調(diào)速、靜止無(wú)功補(bǔ)償、電力電子裝置等領(lǐng)域。
2023-02-28 11:18:063286 IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成門(mén)控晶閘管）和 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）都是用于高功率電力電子設(shè)備的開(kāi)關(guān)器件，但它們的結(jié)構(gòu)和工作原理有所不同，主要區(qū)別如下：
2023-02-28 11:18:458765 一般地，具有PNPN四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的器件是晶閘管。嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）的標(biāo)準(zhǔn)定義，具有3個(gè)或者3個(gè)
以上PN結(jié)，其伏安特性至少在一個(gè)象限內(nèi)具有導(dǎo)通和阻斷兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，并可以在兩個(gè)
2023-03-06 14:12:540 ）。
2.晶閘管的分類(lèi)
晶閘管可以分為很多類(lèi)型，比如內(nèi)部存在反并聯(lián)二極管的逆導(dǎo)型晶閘管（RC-Thyristor），電流可雙向控制導(dǎo)通的雙向晶閘管（TRI-AC），門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）和
2023-03-06 14:19:100 晶閘管的派生器件，屬于全控型器件。 電氣符號(hào) 特性 陽(yáng)極加正向電壓，門(mén)極加正脈沖信號(hào)，GTO由斷態(tài)轉(zhuǎn)為通態(tài)，開(kāi)通時(shí)間ton=td+tr。 GTO導(dǎo)通后，門(mén)極加負(fù)負(fù)脈沖信號(hào)，GTO關(guān)斷，關(guān)斷時(shí)間
2023-03-06 14:26:360 晶閘管是具有四個(gè)（或更多）交替的N-P-N-P層的雙極導(dǎo)電半導(dǎo)體器件的廣泛分類(lèi)。 晶閘管包括：可控硅整流器（SCR），可
控硅，可控硅開(kāi)關(guān)，柵極截止開(kāi)關(guān)（GTO），可控硅開(kāi)關(guān)（SCS），交流二極管
2023-03-06 15:33:590 除單向晶閘管和雙向晶閘管外還有幾種晶閘管，它們是可關(guān)斷晶閘管、四端小功準(zhǔn)。閘管、光晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管和溫控品閘管。以下簡(jiǎn)單介紹這幾種晶閘管。 1.可關(guān)斷晶閘管 可關(guān)斷晶閘管(GTO)也稱(chēng)門(mén)控
2023-03-06 15:01:080 、開(kāi)關(guān)速度快、無(wú)噪聲、易控制的電力元件。它具有閉合低電壓降（VCEsat），高開(kāi)關(guān)速度和低開(kāi)關(guān)損耗的特點(diǎn)，非常適合于高頻率應(yīng)用。此外，IGBT還具有電壓控制和電流承載能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，因此，IGBT被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、換流器、逆變器等高壓高頻率領(lǐng)域。 相比之下，IGCT是一種
2023-08-25 14:57:342926 為什么晶閘管不能用門(mén)極負(fù)信號(hào)關(guān)斷陽(yáng)極電流，而GTO卻可以？? 晶閘管和GTO都是半導(dǎo)體器件，用于控制電路中的電流流動(dòng)。盡管它們具有相似的工作原理，但由于它們的結(jié)構(gòu)和性能的不同，導(dǎo)致它們的控制方式
2023-09-13 17:08:421105 GTO與晶閘管的開(kāi)通與關(guān)斷有什么不同之處? GTO（Gate Turn-Off Thyristor）和晶閘管（Thyristor）是兩種電力電子器件，它們都被廣泛應(yīng)用于交流電路的控制中。雖然這兩種
2023-09-13 17:08:431905 （Gate Turn-Off）晶體管 優(yōu)點(diǎn)： 1. GTO晶體管具有高電壓承受能力和強(qiáng)大的開(kāi)關(guān)能力，可對(duì)大電流進(jìn)行控制； 2. 可實(shí)現(xiàn)可控硅（SCR）電路的升級(jí)，其非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)可以從陰極（Cathode
2023-10-19 17:01:256175 IGCT（集成門(mén)極換流晶閘管）和IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是廣泛應(yīng)用于電力電子和電力傳輸?shù)陌雽?dǎo)體器件。雖然它們的用途相似，但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有明顯的差異。IGCT 和 IGBT 都是電力
2023-11-09 14:31:36364 
，由二極管和可控晶閘管（Thyristor）組成。它通常由一些極結(jié)構(gòu)（Anode 結(jié)、GTO 堆）、控制結(jié)構(gòu)（GTO 控制、觸發(fā)器）、保護(hù)結(jié)構(gòu)（保護(hù)電路、外殼等）以及輔助電路組成。
2023-11-17 14:23:151440 IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件，它們?cè)趹?yīng)用、特性、結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)等方面存在一些差異。下面將詳細(xì)介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理：IGCT是一種電流型器件，其工作原理是基于晶閘管的結(jié)構(gòu)
2023-11-24 11:40:53999 結(jié)組成。IGBT的結(jié)構(gòu)內(nèi)部包含一個(gè)N型控制層，兩個(gè)P型區(qū)域和一個(gè)N型區(qū)域。 與之相比，IGCT是一種集成式門(mén)級(jí)可控晶閘管。它由一個(gè)內(nèi)部控制結(jié)構(gòu)和一個(gè)
2023-12-25 15:09:09399 IGCT 可以由柵極信號(hào)控制導(dǎo)通和關(guān)斷，與GTO 晶閘管相比具有較低的傳導(dǎo)損耗，并能承受更高的電壓上升速率，使得其在大多數(shù)應(yīng)用上不需要緩沖器。?
2024-01-18 16:15:43116 
gto和普通晶閘管在關(guān)斷原理上有什么區(qū)別？ GTO和普通晶閘管是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件。雖然它們?cè)谝恍┓矫嬗泄餐帲陉P(guān)斷原理和工作方式上存在一些區(qū)別。下面將詳細(xì)介紹這兩種器件的關(guān)斷原理及其
2024-02-03 16:14:10442 GTO與普通晶閘管相比為什么可以自關(guān)斷？為什么GTO可以關(guān)斷普通晶閘管而不能呢？ GTO晶閘管相比普通晶閘管具有自關(guān)斷功能。這個(gè)功能的實(shí)現(xiàn)是通過(guò)改進(jìn)GTO晶閘管的結(jié)構(gòu)和工作原理實(shí)現(xiàn)的。要理解為
2024-02-03 16:15:49500
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