隨著 5G 技術(shù)的發(fā)展，人們正在爭(zhēng)奪更快、更可靠的通信網(wǎng)絡(luò)，對(duì)支持這種尖端網(wǎng)絡(luò)的先進(jìn)材料的需求量很大。亞硝酸鎵半導(dǎo)體通過(guò)將 5G 技術(shù)的效率和可靠性提升到一個(gè)新水平，正在徹底改變通信行業(yè)。

　　什么是氮化鎵半導(dǎo)體？

　　半導(dǎo)體在無(wú)線網(wǎng)絡(luò)中起著至關(guān)重要的作用，因?yàn)樗鼈冇糜谥圃鞓?gòu)成這些網(wǎng)絡(luò)的組件，如射頻晶體管、放大器、調(diào)制解調(diào)器、微處理器、存儲(chǔ)芯片和電源管理集成電路。氮化鎵 （GaN） 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來(lái)越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。GaN 還以其高熱穩(wěn)定性、高電子遷移率和高擊穿電壓而聞名，使其成為 5G 網(wǎng)絡(luò)的理想選擇。

　　GaN 如何改造 5G 網(wǎng)絡(luò)？

　　GaN 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的效率，在 5G 技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號(hào)，使其成為 5G 基站和其他通信基礎(chǔ)設(shè)施的理想選擇。GaN 供電的設(shè)備還用于通過(guò)減小設(shè)備的尺寸和重量以及提高能效來(lái)提高 5G 基站的性能。除了提高 5G 基站的性能，GaN 還被用于開發(fā) 5G 網(wǎng)絡(luò)的其他關(guān)鍵組件，包括高功率放大器、高頻電源和穩(wěn)壓器。這些組件對(duì)于提供對(duì) 5G 網(wǎng)絡(luò)至關(guān)重要的高速和可靠連接至關(guān)重要。與傳統(tǒng)放大器相比，基于 GaN 的高功率放大器具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，包括更高的功率密度、更高的效率和更好的熱管理。

　　行業(yè)和重要參與者

　　5G 網(wǎng)絡(luò) GaN 半導(dǎo)體市場(chǎng)的一些主要參與者包括：一家領(lǐng)先的基于 GaN 的 5G 網(wǎng)絡(luò)解決方案供應(yīng)商，提供一系列產(chǎn)品，包括功率放大器和前端模塊。一家硅基氮化鎵功率器件制造商，包括用于 5G 基礎(chǔ)設(shè)施的晶體管和二極管。一家為 5G 基礎(chǔ)設(shè)施提供基于 GaN 的解決方案的供應(yīng)商，包括功率放大器、低噪聲放大器和開關(guān)。他們將 GaN 技術(shù)引入 5G 多芯片模塊，從而打造更節(jié)能的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)。

　　2020 年，他們宣布在亞利桑那州新建 GaN 工廠。一家為 5G 基礎(chǔ)設(shè)施、低噪聲放大器、功率放大器和開關(guān)提供基于 GaN 的功率器件和模塊的供應(yīng)商。一家基于 GaN 的功率器件制造商，包括用于 5G 基礎(chǔ)設(shè)施的高電子遷移率晶體管 （HEMT）。2022 年 7 月，另一家初創(chuàng)公司 Finwave Semiconductor 籌集了 1220 萬(wàn)美元的 A 系列資金，并得到美國(guó)聯(lián)邦資金 430 萬(wàn)美元的進(jìn)一步支持，用于團(tuán)隊(duì)擴(kuò)張和下一代 3DGaN FinFET 技術(shù)開發(fā)。最近在 2023 年 1 月，他們加入了美國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新聯(lián)盟，以推進(jìn)美國(guó)半導(dǎo)體研發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)地位。其他已為GaN半導(dǎo)體開發(fā)籌集資金的公司包括金銳電子科技、盛鑫科技和PN Junction Semiconductor。

　　面向 5G 網(wǎng)絡(luò)的 GaN 發(fā)展的挑戰(zhàn)與機(jī)遇

　　盡管有許多好處，但在 5G 網(wǎng)絡(luò)中使用 GaN 的開發(fā)并非沒有挑戰(zhàn)。最大的挑戰(zhàn)之一是生產(chǎn) GaN 器件的高成本，這使得制造商很難將這些產(chǎn)品推向市場(chǎng)。基于 GaN 的器件仍然比基于硅的器件更昂貴。然而，隨著技術(shù)不斷成熟，生產(chǎn)過(guò)程變得更加高效，預(yù)計(jì) GaN 器件的成本將會(huì)下降。另一個(gè)挑戰(zhàn)是 GaN 晶圓的供應(yīng)有限，這對(duì)于 GaN 器件的生產(chǎn)至關(guān)重要。還有可靠性問題?；?GaN 的器件仍然相對(duì)較新，需要進(jìn)一步研究和開發(fā)以確保它們隨著時(shí)間的推移可靠耐用。這對(duì)于 5G 網(wǎng)絡(luò)尤為重要，因?yàn)樵谠摼W(wǎng)絡(luò)中正常運(yùn)行時(shí)間和可靠性至關(guān)重要。盡管存在這些挑戰(zhàn)，GaN 在 5G 網(wǎng)絡(luò)中的前景依然光明。

　　在全球范圍內(nèi)，2022 年 GaN 半導(dǎo)體市場(chǎng)價(jià)值 21.7 億美元，預(yù)計(jì)從 2023 年到 2030 年將以 25.4% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。對(duì)高速、高效和可靠網(wǎng)絡(luò)的需求預(yù)計(jì)將繼續(xù)增長(zhǎng)，而 GaN 可以很好地滿足這一需求。此外，隨著 GaN 器件制造工藝的改進(jìn)和成本效益的提高，我們可以預(yù)期會(huì)有越來(lái)越多的 GaN 基產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)。這將推動(dòng) 5G 網(wǎng)絡(luò)的持續(xù)發(fā)展，并有助于確保它們始終處于通信技術(shù)的前沿。

　　結(jié) 論

　　氮化鎵半導(dǎo)體在 5G 技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，可實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的效率。GaN 器件結(jié)合了高效率、低功率損耗和改進(jìn)的熱穩(wěn)定性，正在幫助推動(dòng) 5G 技術(shù)的發(fā)展，并確保其始終處于通信技術(shù)的前沿。盡管存在生產(chǎn)成本高和供應(yīng)有限的挑戰(zhàn)，但 GaN 在 5G 網(wǎng)絡(luò)中的前景一片光明，有望成為 21 世紀(jì)該行業(yè)的主要參與者。這也可以從為開發(fā)這項(xiàng)技術(shù)而動(dòng)員的大量投資和政府支持中看出。

　　編輯：黃飛