IRF3205場效應(yīng)管的參數(shù)、工作原理及電路實例

IRF3205場效應(yīng)管，主要是以下幾個方面：

1、IRF3205什么是管子？

2、IRF3205引腳圖說明

3、IRF3205 CAD模型

4、IRF3205 場效應(yīng)管參數(shù)

5、IRF3205 用什么管子替代

6、IRF3205 工作原理及結(jié)構(gòu)

7、IRF3205 場效應(yīng)管特性曲線

8、IRF3205逆變器電路圖

9、IRF3205 繼電器驅(qū)動電路

10、IRF3205仿真模擬電路圖

11、IRF3205驅(qū)動電路

12、IRF3205其他應(yīng)用

一、IRF3205什么是管子？

IRF3205是一種N溝道功率MOS管，采用 TO-220AB 封裝，工作電壓為 55V 和 110A。特點是其導(dǎo)通電阻極低，僅為 8.0mΩ，適用于逆變器、電機(jī)速度控制器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等開關(guān)電路。

IRF3205是一種容易買到，價格較低的MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻。但是IRF3205 具有高閾值電壓，因此不適用于嵌入式控制器的開/關(guān)控制。

IRF3205 引腳圖說明

二、IRF3205 引腳圖說明

IRF3205 場效應(yīng)管總有3個引腳，具體的如下所示：

IRF3205 引腳圖說明

三、IRF3205 CAD模型

1、IRF3205電路符號

IRF3205電路符號

2、IRF3205封裝尺寸

IRF3205封裝尺寸

3、IRF3205 3D模型

IRF3205 3D模型

四、IRF3205 場效應(yīng)管參數(shù)

N 溝道功率 MOSFET 器件

漏源擊穿電壓 ( V BR ( DSS ) ) 為55V

柵極到源極電壓 ( V gs ) 為+/- 20V

柵極的閾值電壓（V g (th)）為2至 4V

漏極電流 ( Id )為110A

脈沖漏極電流 ( I DM ) 為390A

功耗為 ( P D ) 為200W

漏源導(dǎo)通電阻 ( R DS (ON) ) 8mΩ

門體漏電流 ( I GSS ) 為100nA

總柵極電荷 ( Q g ) 為146nC

反向恢復(fù)時間 ( trr ) 為69 至 104ns

峰值二極管恢復(fù) ( dv/dt ) 為5V/ns

上升時間 ( tr ) 為101ns

結(jié)殼熱阻(R th jc)為75℃/W

結(jié)溫（T J）在-55至175℃之間

1、電壓規(guī)格

IRF3205 MOSFET的電壓規(guī)格是柵源電壓為+/-20V，漏源擊穿電壓為55v，柵極閾值電壓在2到4V之間。

從IRF3205 MOSFET的電壓規(guī)格可以看到IRF3205是一種常見的功率器件。

2、電流規(guī)格

IRF3205 MOSFET 的電流值為漏極電流為 110A，脈沖漏極電流值為 390A，這些電流規(guī)格表明 IRF3205 MOSFET 是一種大電流功率器件。

漏源漏電流為25uA，柵源正向漏電流為100nA，該功率器件的漏電流值較小。

3、功耗規(guī)格

IRF3205 MOSFET 的功耗為 200W，TO-220 功率 MOSFET 封裝使其成為功耗更高的器件。

4、漏源到導(dǎo)通電阻

漏源導(dǎo)通電阻為8mΩ，是MOSFET顯示的電阻值。

5、結(jié)溫

IRF3205 MOSFET 的結(jié)溫為175℃。

6、反向恢復(fù)時間 (trr)

IRF3205 MOSFET 的反向恢復(fù)時間為 69 至 104ns，這是開始導(dǎo)通之前放電所需的時間量。

7、總柵極電荷 (Q g )

IRF3205 MOSFET 的總柵極電荷為 146nC，需要向柵極注入以開啟 MOSFET 所需的總柵極電荷。

五、IRF3205 用什么管子替代

IRFB3206、IRFB3256、IRFB3307、IRF1405、IRFB3306 和 IRFB3006 等 MOSFET 器件是 IRF3205 的等效器件。
大多數(shù)這些 MOSFET 具有幾乎相同的電氣規(guī)格，因此我們可以將它們等效使用。

在下表中，我們列出了每個 MOSFET 的電氣規(guī)格然后進(jìn)行對比，例如 IRF3205 與 IRFB1405 與 IRFB4310，比較將幫助我們選擇最適合我們的等效產(chǎn)品。

IRF3205 替代型號

每個 IRF3205、IRFB1405 和 IRFB4310 MOSFET 的電壓規(guī)格幾乎相同。IRFB4310 MOSFET 的電流規(guī)格和功耗值高于其他兩個 MOSFET 器件，IRFB1405 MOSFET 的導(dǎo)通電阻值較高。

六、IRF3205 工作原理及結(jié)構(gòu)

IRF3205 MOSFET與普通MOSFET不同，IRF3205 MOSFET的柵極層有厚氧化層，可以承受高輸入電壓，而普通MOSFET的柵極氧化層很薄，不能承受高壓，即施加高電壓會極大地影響整體性能。設(shè)備。

IRF3205 MOSFET 中的柵極、源極和漏極類似于 BJT（雙極結(jié)型晶體管）中的基極、集電極和發(fā)射極。

源極和漏極由n型材料制成，而元件主體和襯底由p型材料制成。在襯底層上添加二氧化硅使該器件具有金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。IRF3205 MOSFET 是一種單極器件，通過電子的運動進(jìn)行傳導(dǎo)。

在器件中插入絕緣層，使柵極端子與整個主體分離。漏極和源極之間的區(qū)域稱為 N 溝道，它由柵極端子上的電壓控制。

與 BJT 相比，MOSFET 保持領(lǐng)先，因為 BJT 不需要輸入電流來控制剩余兩個端子上的大量電流。

IRF3205 工作原理及結(jié)構(gòu)

七、IRF3205 場效應(yīng)管特性曲線

1、IRF3205 MOSFET的輸出特性

下圖顯示了 IRF3205 MOSFET 的輸出特性，該圖是用漏源電流與漏源電壓繪制的。
在固定的電壓范圍內(nèi)，電壓值會相對于電流值增加。電流值增加到一定限度并變得恒定，同時電壓將增加到無窮大范圍。

IRF3205 MOSFET的輸出特性

2、IRF3205 MOSFET的導(dǎo)通電阻特性

下圖顯示了 IRF3205 MOSFET 的導(dǎo)通電阻特性，該圖繪制了漏源導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系。
在峰值電流值處，電阻從某個極限開始，溫度值向更高的值增加。導(dǎo)通電阻值隨著結(jié)溫的增加而增加，這表明在 MOSFET 的啟動階段電阻較低，然后會向上限增加。