為了安全使用SiC模塊，需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，MOSFET可以反向?qū)?，即工作在同步整流模式。本文簡要介紹其損耗計(jì)算方法。
2025-06-18 17:44:46
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介紹了如何用英飛凌IPOSIM仿真工具對過載輸出時IGBT模塊結(jié)溫進(jìn)行仿真，以及不同工況下IGBT瞬時結(jié)溫的仿真結(jié)果。本文可對電動車電機(jī)驅(qū)動器設(shè)計(jì)中IGBT輸出限值的動態(tài)選取提供參考依據(jù)。
2013-07-23 01:05:449769 
IGBT的損耗功率隨著開關(guān)頻率的增高而增大，大功率運(yùn)行時，損耗功率易急劇增加發(fā)熱，由于IGBT的結(jié)溫不超過125℃，基于IGBT的功率開關(guān)電路不能長期工作在結(jié)溫點(diǎn)上限，否則，IGBT將過熱損毀，因此，設(shè)計(jì)出溫度檢測電路，實(shí)現(xiàn)對IGBT的結(jié)溫檢測，從而達(dá)到保護(hù)目的。
2022-07-04 12:36:376179 
【導(dǎo)讀】與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。 這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。 為了知道每個芯片的溫度
2023-02-24 17:05:241653 、Eoff 和 Erec ) 進(jìn) 行準(zhǔn)確測量,建立了一種通用的功率器件導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗模型。在考慮 IGBT 芯片間熱偶合影響基礎(chǔ)上 提出了一種結(jié)溫估算數(shù)學(xué)模型。搭建三相電感結(jié)溫測試平臺,通過結(jié)溫試驗(yàn)驗(yàn)證了
2023-03-06 15:02:514187 IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設(shè)有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統(tǒng)稱NTC）用于溫度檢測。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師最直接也是最常見的一個問題就是：我檢測到了NTC的溫度，那么IGBT真實(shí)的結(jié)溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？
2023-05-05 10:52:144424 
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:3013775 
電機(jī)控制器的功率模塊，即IGBT器件和續(xù)流二極管，在開關(guān)和導(dǎo)通電流會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉(zhuǎn)化成熱能，表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。
2023-07-12 15:53:148194 
IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設(shè)有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統(tǒng)稱NTC）用于溫度檢測，如圖1所示。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師最直接也是最常見的一個問題就是：我檢測到了NTC的溫度，那么IGBT真實(shí)的結(jié)溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？
2023-08-03 09:31:333707 
不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計(jì)算、PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證對比分析。PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢。從文中可以看出，使用SiC替 代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
2023-12-14 09:37:053383 
芯片結(jié)溫計(jì)算，需要獲取芯片的損耗，損耗的準(zhǔn)確性，決定了計(jì)算芯片結(jié)溫的準(zhǔn)確性。
2024-02-22 13:46:176065 
及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時參考。 IGBT 的開關(guān)特性主要取決于
2012-07-25 09:49:08
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
=P△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm 式中Tj－IGBT的工作結(jié)溫 P△－損耗功率 Rjc－結(jié)－殼熱阻vkZ電子資料網(wǎng) Rcs－殼－散熱器熱阻 Rsa－散熱器－環(huán)境熱阻 Tjm－IGBT
2011-08-17 09:46:21
）時設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：如原系統(tǒng)功率模塊使用 IGBT，現(xiàn)考慮用 Mosfet 功率模塊替換，原系統(tǒng)的驅(qū)動設(shè)計(jì)需注意的事項(xiàng)如下：1.適當(dāng)減小柵極電阻，以減小開關(guān)損耗，以維持相近的溫升，同時可進(jìn)一步降低誤導(dǎo)通的可能性
2022-09-16 10:21:27
集電極、發(fā)射極擊穿或造成柵極、發(fā)射極擊穿。IGBT保護(hù)方法當(dāng)過流情況出現(xiàn)時，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)內(nèi)。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅(qū)動電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
終止IGBT芯片的飽和電壓VCEsat都隨著結(jié)溫升高而增加，呈現(xiàn)正溫度系數(shù)特性。圖2為300A溝槽場終止芯片在15V柵極電壓條件下不同結(jié)溫時的飽和電壓特性。這表明并聯(lián)IGBT的靜態(tài)均流可動態(tài)地自我調(diào)節(jié)
2018-12-03 13:50:08
dv/dt限制，過小的柵極電阻可能會導(dǎo)致震蕩甚至造成IGBT或二極管的損壞?！ 艠O電阻的大小影響開關(guān)速度，即后邊介紹的開通關(guān)斷時間，進(jìn)而影響IGBT的開關(guān)損耗，datasheet上驅(qū)動電阻對開關(guān)損耗
2021-02-23 16:33:11
至關(guān)重要。除了軟度，IGBT的開關(guān)速度還取決于結(jié)溫。提高結(jié)溫意味著增大IGBT的軟度。不過，必須給出器件在低溫條件下（如25 °C）的適當(dāng)特性。圖4顯示了在Tvjop=25 °C條件下1200V/150A
2018-12-07 10:23:42
通常流過
IGBT的電流較大，開關(guān)頻率較高，故器件的
損耗較大。若熱量不能及時散掉，器件的
結(jié)溫將會超過最大值125℃ ，
IGBT就可能損壞。因此需采用有效的散熱措施對其進(jìn)行過熱保護(hù)?！ ∩嵋话闶遣捎?/div>
2012-06-01 11:04:33
是IGBT模塊控制的平均電流與電源電壓的 乘積。由于IGBT模塊散熱器是大功率半導(dǎo)體器件，損耗功率使其發(fā)熱較多，加之IGBT模塊散熱器的結(jié)溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，因此要采取恰當(dāng)
2012-06-19 11:26:00
等設(shè)計(jì)比較好，就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。2、IGBT電流的選擇 半導(dǎo)體器件具有溫度敏感性，因此，IGBT模塊標(biāo)稱電流與溫度的關(guān)系比較大。隨著殼溫的上升，IGBT模塊可利用
2022-05-10 10:06:52
1、拓?fù)湔f明 基于逆變器的拓?fù)溥M(jìn)行IGBT的損耗計(jì)算，如下為三相全橋結(jié)構(gòu)帶N線的方式。調(diào)制方式為SPWM波形，針對IGBT2和DIODE2分析，輸出電流為正弦波形，輸出電壓為電網(wǎng)電壓。其中二
2023-02-24 16:47:34
;——IGBT 集電極與發(fā)射極之間的電壓;——流過IGBT 集電極－發(fā)射極的電流;——IGBT 的結(jié)溫。如果IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動電壓過低,則IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極
2018-10-18 10:53:03
這里以單個IGBT管為例（內(nèi)含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關(guān)閉狀態(tài)下，避免
2012-04-18 16:15:53
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進(jìn)行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動電路
2017-10-10 17:16:20
想要igbt的相關(guān)資料
2023-09-13 19:57:26
：IKW30N60H3；IKW15N120H3Infineon 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點(diǎn)擊此處 前往了解特性：一流的開關(guān)性能：可實(shí)現(xiàn)低于500μJ的總開關(guān)損耗最高結(jié)溫：175°C包裝類型：PG-TO247-3
2019-06-10 09:23:54
。2傳導(dǎo)損耗需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行
2018-08-27 20:50:45
應(yīng)用。同時，圖5中顯示了傳導(dǎo)損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線
2021-06-16 09:21:55
7顯示了集電極電流ICE和結(jié)溫Tj的函數(shù)Eoff，其曲線在大多數(shù)IGBT數(shù)據(jù)表中都有提供。這些曲線基于鉗位感性電路且測試電壓相同，并包含拖尾電流能量損耗。 圖2顯示了用于測量IGBTEoff的典型
2020-06-28 15:16:35
損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行的。例如，F(xiàn)GP20N6S2 SMPS2 IGBT
2018-09-28 14:14:34
, 同時,開關(guān)速度不隨結(jié)溫變化。PT 型IGBT 的開關(guān)速度則隨溫度升高而降低。高頻工作時可以考慮選擇NPT型IGBT?！ ? 總結(jié) 文中介紹的損耗測量分析方法簡單而有效, 可以使設(shè)計(jì)者對IGBT
2018-10-12 17:07:13
圖中所示的窄通道，即Lgap所指區(qū)域。這樣就增加了電子電流流通路徑上的電阻，有效抑制了snapback現(xiàn)象，并且比傳統(tǒng)RC-IGBT具有更小的下降時間和關(guān)斷損耗。圖7 具有半超結(jié)的RC-IGBT圖7為
2019-09-26 13:57:29
BJT的少數(shù)載流子有關(guān)。圖7顯示了集電極電流ICE和結(jié)溫Tj的函數(shù)Eoff，其曲線在大多數(shù)IGBT數(shù)據(jù)表中都有提供。 這些曲線基于鉗位感性電路且測試電壓相同，并包含拖尾電流能量損耗。圖2顯示了用于測量
2017-04-15 15:48:51
隨之上升，從而大幅增加器件的損耗與溫升。技能：低飽和壓降，正溫度系數(shù)，125℃工作結(jié)溫，高魯棒性正溫度系數(shù)，利于并聯(lián)。名號：DLC，KF2C，S4…等等，好像混進(jìn)了什么奇怪的東西！沒寫錯！S4真的不是
2021-05-26 10:19:23
需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行的。例如
2019-03-06 06:30:00
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
?！ ∽詈螅cIGBT相比，功率MOSFET的通態(tài)損耗低，尤其是在低電流時更為顯著;關(guān)斷能耗低，但導(dǎo)通能耗較高。加快體硅二極管的反向恢復(fù)速度與所用技術(shù)工藝有關(guān)?！ ? 意法半導(dǎo)體的電機(jī)控制功率開關(guān)技術(shù) 為
2018-11-20 10:52:44
的功率耗散也不同，各自要求單獨(dú)計(jì)算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣測量兩個元件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計(jì)算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。 圖1： 貼裝在
2018-09-30 16:05:03
Q1。如何計(jì)算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關(guān)負(fù)載。開關(guān)頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
我如何計(jì)算VIPER37HD / LD的結(jié)溫 以及頻率（60k，115k hz）如何影響結(jié)溫？
2019-08-05 10:50:11
測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm 式中Tj－IGBT的工作結(jié)溫 P△－損耗功率 Rjc－結(jié)－殼熱阻vkZ電子資料網(wǎng) Rcs－殼－散熱器熱阻 Rsa－散熱器－環(huán)境熱阻 Tjm－IGBT的最高結(jié)
2011-10-28 15:21:54
通過電流和電壓探頭以及標(biāo)準(zhǔn)的示波器進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄和獲得。在逆變器運(yùn)行過程中，芯片的結(jié)溫很少通過實(shí)驗(yàn)方法確定。熱處理通常是供應(yīng)商提供典型值或最差值（如IGBT模塊和冷卻板的熱阻）與仿真產(chǎn)生的損耗情況結(jié)合
2018-12-07 10:19:13
摘要相對于第二代NPT芯片技術(shù)，最新的3.3kV IGBT3系列包含兩款優(yōu)化開關(guān)特性的L3和E3芯片，其在開關(guān)軟度和關(guān)斷損耗之間實(shí)現(xiàn)折衷，以適應(yīng)不同的應(yīng)用。最大工作結(jié)溫可升高至150℃，以便提升輸出
2018-12-06 10:05:40
電磁感應(yīng)加熱的原理是什么？有什么方法可以將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低嗎？
2021-05-10 06:41:13
上表現(xiàn)為過溫。3、IGBT過溫，計(jì)算壽命，與焊點(diǎn)、材料的熱膨脹系數(shù)等有關(guān)。4、求助上面幾個失效模式的分析，也可以大家討論一下，共同進(jìn)步
2012-12-19 20:00:59
摘要：本文介紹了分立IGBT和二極管的結(jié)和塑封料（MC）之間溫度差異的總體相關(guān)性。我們以引線架背面為基準(zhǔn)，通過分立功率器件的相關(guān)參數(shù)說明這種差異。這些參數(shù)包括封裝類型（TO220，To220
2018-12-03 13:46:13
高壓的二極管相串聯(lián)，但是，串聯(lián)的二極管引起通態(tài)壓降的增大，增加了損耗。而RB-IGBT是一種新型的IGBT，具有反向耐壓能力，相對于傳統(tǒng)串聯(lián)二極管的模式，減少器件的同時，還降低了通態(tài)壓降和損耗。兩種
2020-12-11 16:54:35
不同，兩個裸片的功率耗散也不同，各自要求單獨(dú)計(jì)算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣量測兩個組件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計(jì)算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。 功率計(jì)算
2018-10-08 14:45:41
的功率耗散也不同，各自要求單獨(dú)計(jì)算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣測量兩個元件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計(jì)算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。圖1： 貼裝在
2014-08-19 15:40:52
二極管急變的諧振頻率所導(dǎo)致的振蕩等寄生效應(yīng)，將產(chǎn)生電磁干擾，這也必須在應(yīng)用中加以考慮。HS3 IGBT具備低損耗/高輸出電流 為分析不同切換頻率的裝置效能，使用IPOSIM仿真變頻器效能。為了能夠進(jìn)行
2018-10-10 16:55:17
IGBT損耗計(jì)算和損耗模型研究：器件的損耗對系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IG
2009-06-20 08:33:53
98 新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。
2010-05-25 09:05:201584 
器件的損耗對系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IGBT損耗模型遙對近年來的各種研究
2011-09-01 16:38:4565 針對目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT，提出了一種快速損耗計(jì)算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態(tài)下的特性參數(shù)，就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該方法的計(jì)算
2011-09-01 16:42:33114 電子資料論文：基于IGBT功率逆變器損耗準(zhǔn)建模方法
2016-07-06 15:14:4728 雙饋風(fēng)電機(jī)組變流器IGBT結(jié)溫計(jì)算與穩(wěn)態(tài)分析_李輝
2017-01-08 11:51:417 在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計(jì)問題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個直觀參數(shù)確定之后， 最終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗及熱循環(huán)能力來選定IGBT。通常由于使用條件
2017-09-22 19:19:3732 為精確計(jì)算光伏逆變器的IGBT損耗，指導(dǎo)系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)，提出了一種IGBT損耗精確計(jì)算的實(shí)用方法。以可視化的T程計(jì)算T具M(jìn)athCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實(shí)際T作
2017-12-08 10:36:0264 壓接式絕緣柵極雙極性晶體管（ IGBT）模塊因優(yōu)越的電氣性能和封裝設(shè)計(jì)，受到柔性直流輸電等大功率應(yīng)用場合的青睞，其模塊可靠性也成為大功率應(yīng)用場合研究的重點(diǎn)，而IGBT模塊結(jié)溫是影響器件可靠性
2018-02-01 10:20:499 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolai Transistor．IGBT）模塊是一種由多個IGBT芯片和功率二極管芯片、陶瓷覆銅基板（ direct bonding
2018-03-22 16:19:492 IGBT芯片采用領(lǐng)先的Trench+Fieldstop技術(shù)，業(yè)內(nèi)首次將壓降芯片的工作結(jié)溫提高到150℃，并大幅降低了其導(dǎo)通壓降VCEsat（150℃下典型值約2.7V）。此芯片可以降低系統(tǒng)損耗提高效率，同時也擴(kuò)展了系統(tǒng)安全工作區(qū)。
2020-12-09 10:37:255284 車輛運(yùn)行時，特別實(shí)在擁堵的路況時的頻繁啟停，此時控制器的IGBT模塊工作電流會相應(yīng)的頻繁升降，從而導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫快速變化，對于IGBT模塊的壽命是個很大的考驗(yàn)；
2021-02-01 13:58:035824 
溫，而IGBT器件由于封裝尺寸遠(yuǎn)大于芯片尺寸，所以殼溫不易準(zhǔn)確測量，測量過程中引入的誤差較多，最終無法得到器件真正的熱阻值。
2021-04-29 09:15:085700 
IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤負(fù)載工況的對比測試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。 伺服驅(qū)動系統(tǒng)響應(yīng)速度快，過載倍數(shù)高，小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導(dǎo)通壓降、dv/dt可控、175℃過載結(jié)溫
2021-10-26 15:41:193924 
IGBT模塊的集電極電流增大時，VCE(-)上升，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關(guān)損耗增大，原件發(fā)熱加劇。因此，根據(jù)額定損耗，開關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量，控制器件結(jié)溫（Tj）在 150oC以下（通常為安全起見，以125oC以下為宜）
2022-08-23 14:24:481679 與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-01 09:47:273519 英飛凌IGBT模塊開關(guān)狀態(tài)下最高工作結(jié)溫一般是150度，而IGBT7短時過載情況下的最高工作結(jié)溫可達(dá)175度。
2023-02-06 14:30:242044 
今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識。
2023-02-07 15:32:385527 
結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量，能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。
2023-02-07 16:59:434873 
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞 ? SiC肖特基勢壘二極管（...
2023-02-08 13:43:191522 
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-11 09:16:202637 根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)（開通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗包括導(dǎo)通和關(guān)斷損耗。準(zhǔn)確測量這些損耗通常需要使用示波器，通過電壓和電流探針監(jiān)視器件運(yùn)行期間的波形。
2023-02-11 09:21:232285 IGBT結(jié)溫估算（算法+模型），多年實(shí)際應(yīng)用，準(zhǔn)確度良好 能夠同時對IGBT內(nèi)部6個三極管和6個二極管溫度進(jìn)行估計(jì)，并輸出其中最熱的管子對應(yīng)溫度。 可用于溫度保護(hù)，降額，提高
2023-02-23 09:45:0518 IGBT結(jié)溫估算
2023-02-23 09:23:1410 ……能夠同時對IGBT內(nèi)部6個三極管和6個二極管溫度進(jìn)行估計(jì)，并輸出其中最熱的管子對應(yīng)溫度?？捎糜跍囟缺Ｗo(hù)，降額，提高產(chǎn)品性能。simulink模型除仿真外亦可生成代碼……提供直流、交流兩個仿真模型提供底層算法模型庫（開源） ID:912000 672046394711 求道電機(jī)控制
2023-02-23 09:17:554 IGBT結(jié)溫估算模型。
2023-02-24 10:48:429 開通、導(dǎo)通和關(guān)斷損耗構(gòu)成了 IGBT 芯片損耗的總和。關(guān)斷狀態(tài)損耗可以忽略不計(jì)，不需要計(jì)算。為了計(jì)算 IGBT 的總功率損耗，須將這三個能量之和乘以開關(guān)頻率。
2023-03-01 17:52:452597 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和絕緣柵型
2023-05-26 11:19:062945 
前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計(jì)算，那么得到了損耗之后，如何轉(zhuǎn)化為溫升呢？
2023-05-26 11:24:313562 
///在IGBT應(yīng)用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個參數(shù)，大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？我想先請大家考慮一個問題：IGBT結(jié)溫到底是指具體哪兒的溫度？。。。你們是不是已經(jīng)開始
2022-05-24 15:05:136572 
變頻電源在正常工作情況下流過IGBT的電流較大，開關(guān)頻率較高，故而器件的損耗也比較大，如果熱量不能及時散掉，使得器件的結(jié)溫Tj超過Tjmax，則可能造成IGBT損壞。IGBT的功耗包括穩(wěn)態(tài)功耗和動態(tài)
2022-01-17 10:28:452717 
學(xué)過的基本高等數(shù)學(xué)知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形：IGB
2023-01-14 10:05:302725 摘要: 針對傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 超結(jié)IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及研究進(jìn)展
2023-08-08 10:11:415 ChatGPT變聰明了嗎？如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj
2023-09-09 08:16:111931 功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
2023-12-05 16:31:251499 
功率半導(dǎo)體冷知識：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 09:54:251817 
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:174836 
在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計(jì)問題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個直觀參數(shù)確定之后， 終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗及熱循環(huán)能力來選定IGBT。
2024-05-03 12:16:001685 
IGBT模塊關(guān)斷截止時，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。
2024-05-31 09:06:3117234 
IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個，一是功率器件導(dǎo)通時，產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開通與關(guān)斷過程中產(chǎn)生的開關(guān)損耗
2024-07-19 11:21:001922 
變化量及其對應(yīng)的循環(huán)次數(shù)（n）。 最后，根據(jù)等效疲勞損傷模型，可以估算出IGBT的疲勞損傷度，并據(jù)此計(jì)算其預(yù)期壽命。 基于整車的預(yù)期壽命和路譜信息，我們可以估算出IGBT的預(yù)期壽命，為控制器耐久性測試的循環(huán)次數(shù)和持續(xù)時間提供依據(jù)
2024-07-31 17:18:381829 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過程中，VCE（集電極-發(fā)射極電壓）和結(jié)溫是兩個非常重要的參數(shù)
2024-08-08 09:13:354325 結(jié)溫是判定IGBT是否處于安全運(yùn)行的重要條件，IGBT的工作結(jié)溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過熱，可能會導(dǎo)致?lián)p壞，影響設(shè)備的性能、壽命甚至引發(fā)故障。而過熱損壞可能由多種因素導(dǎo)致，如設(shè)計(jì)因素、復(fù)雜工況、高震動、溫度沖擊、硅脂的老化等。
2024-11-13 10:19:422324 
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