溫敏二極管工作原理
2009-09-19 18:04:03
8171 溫敏二極管應(yīng)用電路
本文 所示電路是由溫敏二極管組成的測溫元件的數(shù)字式溫度計電路。它主要由A/ID 轉(zhuǎn)換器7107 、運算放大器LM324 、3 .5位LED 顯示電路以及溫敏二
2009-09-19 18:04:503561 溫敏Z-元件在氣象領(lǐng)域應(yīng)用于溫度檢測的分析
本文介紹了溫敏Z－元件的參數(shù)性能、特點以及使用方法。為適應(yīng)氣象行業(yè)的特殊要求，對一種微型高精度
2010-05-06 15:42:472830 
穩(wěn)壓器調(diào)整端增加簡單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動電流 ,有時，設(shè)計約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
2011-04-12 19:30:243771 
介紹了如何用英飛凌IPOSIM仿真工具對過載輸出時IGBT模塊結(jié)溫進行仿真，以及不同工況下IGBT瞬時結(jié)溫的仿真結(jié)果。本文可對電動車電機驅(qū)動器設(shè)計中IGBT輸出限值的動態(tài)選取提供參考依據(jù)。
2013-07-23 01:05:449769 
IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設(shè)有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統(tǒng)稱NTC）用于溫度檢測。在實際應(yīng)用中，工程師最直接也是最常見的一個問題就是：我檢測到了NTC的溫度，那么IGBT真實的結(jié)溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？
2023-05-05 10:52:144424 
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計，還會影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:3013775 
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。
2024-03-22 09:58:0859501 
的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
dv/dt限制，過小的柵極電阻可能會導致震蕩甚至造成IGBT或二極管的損壞?！ 艠O電阻的大小影響開關(guān)速度，即后邊介紹的開通關(guān)斷時間，進而影響IGBT的開關(guān)損耗，datasheet上驅(qū)動電阻對開
2021-02-23 16:33:11
˙dv/dt電流和寄生導通圖2：因C˙dv/dt效應(yīng)產(chǎn)生穿通電流時的真實開關(guān)波形為了防止出現(xiàn)這種現(xiàn)象，可以采用的一種方法是增大IGBT VGEth的閥值。然而，IGBT的Vce(sat)行為與VGEth
2015-12-30 09:27:49
集電極、發(fā)射極擊穿或造成柵極、發(fā)射極擊穿。IGBT保護方法當過流情況出現(xiàn)時，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)內(nèi)。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅(qū)動電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
方面，差異性很大的模塊并聯(lián)概率是很小的，且IGBT參數(shù)之間偏離可以忽略。從均流角度方面，并聯(lián)設(shè)計好壞對降額起關(guān)鍵性的作用，且遠大于IGBT自身參數(shù)差異性所引起的問題。因此，并聯(lián)應(yīng)重點考慮如何通過設(shè)計確保
2018-12-03 13:50:08
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動回路中的風險，避免使器件重新偏置為傳導狀態(tài)，從而導致多個產(chǎn)生Eoff的開關(guān)動作。ZVS和ZCS拓撲在降低MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢。不過
2018-08-27 20:50:45
針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗，并對電路
2021-06-16 09:21:55
米勒電容CRES和關(guān)斷VCE的dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動回路中的風險，避免使器件重新偏置為傳導狀態(tài)，從而導致多個產(chǎn)生Eoff的開關(guān)動作?！ VS和ZCS拓撲在降低MOSFET和IGBT的關(guān)斷
2020-06-28 15:16:35
，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對
2018-09-28 14:14:34
是靈敏電流計)，并將電壓刻度標成相應(yīng)溫度刻度，圖1便成了量程為100℃的溫度計了。由于利用硅或鍺三極管PN結(jié)得到的溫度傳感器靈敏度相對較低，必須對變化的電流(電壓)進行放大才能有效顯示。因此，集成溫敏
2021-05-21 07:30:05
主 電 路 的 dv/dt比 正 常 開 關(guān) 狀 態(tài) 下 大 了 許 多 ， 造 成 了 施 加 于IGBT兩 端 的 電 壓 升 高 很 多 ， 有 時 就 可 能 造 成IGBT的 擊 穿 。（歡迎技術(shù)類網(wǎng)站分享轉(zhuǎn)載，版權(quán)所有潮光光耦網(wǎng)，如有轉(zhuǎn)載謝謝保留潮光光耦網(wǎng)鏈接）
2012-12-12 11:20:44
needed to slew aspecified dv/dt across a given gate capacitance. The IntersilHIP2030 MCT/IGBT Gate
2009-05-12 11:02:59
開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些
2017-04-15 15:48:51
關(guān)斷時，在IGBT少數(shù)載流子BJT中仍存在存儲時間延遲td(off)I。不過，降低Eoff驅(qū)動阻抗將會減少米勒電容 (Miller capacitance) CRES和關(guān)斷VCE的 dv/dt造成的電流
2019-03-06 06:30:00
三敏元件資料下載內(nèi)容主要介紹了：溫敏元件的特點及應(yīng)用光敏元件的特點及應(yīng)用磁敏元件的特點及應(yīng)用
2021-04-02 06:01:26
單芯片集成額溫槍的技術(shù)參數(shù)是什么？單芯片集成額溫槍有哪些優(yōu)勢？
2021-06-26 06:00:48
印制電路板溫升因素分析熱設(shè)計原則元器件的排布要求布線時的要求
2021-02-22 07:36:28
IGT--門極觸發(fā)電流 VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流 dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率 Rthjc--結(jié)殼熱阻 VISO--模塊絕緣電壓 Tjm--額定結(jié)溫 VDRM--通態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流 IF(AV)--正向平均電流
2009-04-02 12:10:16
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負載范圍和低開關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動與傳統(tǒng)方法相比，導通損耗降低了26%。在電機驅(qū)動器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
/div）、綠線為VGE （5.0V/div）、藍線為VCE （500V/div），黃線為開關(guān)能量。表1根據(jù)相關(guān)開關(guān)參數(shù)（dIc/dt、dv/dt、Eoff 和 VCEmax）進行了歸納。 圖4a.
2018-12-06 10:05:40
電路中的參數(shù)?！ ? 柵極電阻和分布參數(shù)分析 IGBT在全橋電路工作時的模型如圖1所示?！ G+Rg是IGBT的柵極電阻， L01、L02、L03是雜散電感(分布電感)， Cgc、Cge、Cce
2011-09-08 10:12:26
電動機溫升的定義是：電動機的額定溫升，是指在設(shè)計規(guī)定的環(huán)境溫度(40℃)下，電動機繞組的最高允許溫升，它取決于繞組的絕緣等級。溫升取決于電動機運行中發(fā)熱情況和散熱情況。常根據(jù)溫升判斷電動機散熱是否正常。那么影響電動機溫升一般有哪些因素呢？小編告訴大家主要有下面2個方面因素：
2021-01-27 06:46:31
），可達到150-180KHz。三．絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的參數(shù)與特性： （1）轉(zhuǎn)移特性圖1-10：IGBT的轉(zhuǎn)移特性這個特性和MOSFET極其類似，反映了管子的控制能力
2009-05-12 20:44:23
問下大家，一般開關(guān)的開關(guān)速度（dv/dt），與電磁干擾（EMI）有沒有計算關(guān)系？還是說一般取經(jīng)驗值，為什么一般上升速度會做的下降速度慢？
2018-12-17 11:29:58
關(guān)于限制穩(wěn)壓器啟動時dV/dt和電容的電路的詳細介紹
2021-04-12 06:21:56
頻譜測量提示波形參數(shù)dt小于等于0錯誤，怎么解決？
2017-05-21 10:54:55
額溫槍方案有哪些優(yōu)勢？額溫槍具有哪些技術(shù)參數(shù)？
2021-06-10 14:38:53
切換參數(shù)下的切換損耗。于開通及關(guān)斷時分別達到di/dt=1.5千安培(kA)/微秒(μs)和dv/dt=4.5千伏特(kV)/μs的條件設(shè)定RG。HS3 IGBT具有最低的切換損耗EON及EOFF，且
2018-10-10 16:55:17
Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:32
10 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對高頻的DC-DC轉(zhuǎn)換器,功率MOSFET是一個關(guān)鍵的器件.快速的開關(guān)可以降低開關(guān)LOSS, 但是在MOS漏級上dv/dt也變得越來越高.然而,高的dv/dt可能導致在
2009-11-28 11:26:1543 單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路設(shè)計方案
目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設(shè)計人員一般會設(shè)計柵特性是需要負偏置柵驅(qū)動
2010-03-19 11:58:0641 摘 要:溫敏鐵氧體是近10多年來才發(fā)展起來的具有較低居里溫度的軟磁鐵氧體材料,可用來制作各種控溫靈敏的磁性溫敏傳感器。本文通過研究溫敏鐵氧體的材料組成與居里溫度的關(guān)
2010-11-30 13:46:1265
溫敏二極管動態(tài)測溫電路
2009-02-19 22:32:154442 
溫敏二極管電橋電路圖
2009-06-06 09:56:581308 
溫敏晶閘管電動機過熱保護電路圖
2009-06-06 09:57:40715 
溫敏二極管的特性
通過對半導體二極管的分析可知，在一定偏置電流下，半導體二極管PN 結(jié)的壓降是溫度的函數(shù)，這個函數(shù)的曲線近似為直線。用于測溫的溫敏二極管
2009-09-19 18:04:194548 2CWM 、JCWM 型溫敏二極管
2CWM 、JCWM 型溫敏二極管的主要特性參數(shù)見表 ，其外形尺寸見圖 。
2009-09-19 18:04:342060 濕敏元件的主要特性參數(shù)
本文章介紹濕敏元件的12種主要特性參數(shù)。
⑴濕度特性:指濕敏元件電參量隨濕度
2009-11-30 08:46:291381 硅濕敏電阻器的結(jié)構(gòu)及特點有哪些?
硅濕敏電阻器是由硅粉摻人少量金屬氧化物燒結(jié)而成的，具有電阻值隨大氣相對溫
2009-11-30 09:31:431018 力敏電阻主要參數(shù)有哪些?
力敏電阻器的主要參數(shù)有溫度系數(shù)、靈敏度系數(shù)、靈敏度溫度系數(shù)和溫度零點漂移。
①溫度系數(shù)：力敏電阻
2009-12-04 13:57:024069 高分子電容型溫敏元件的應(yīng)用電路如圖所示。它由兩個時基電路IC1、IC2組成。IC1及外圍元件組成多諧振蕩器，主要產(chǎn)生觸發(fā)IC2的脈沖。IC2和電容型濕敏元件及外圍元件組成可
2010-11-18 17:43:201451 常用的溫控器件有熱敏電阻、雙金屬片和溫敏 磁控開關(guān) 。溫敏磁控開關(guān)動作精度可達1℃，滯后溫度可1℃, 所以其控溫精度遠高于雙金屬片（動作精度5℃，滯后溫度最好5℃左右），而
2011-06-27 10:22:4743 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT和IPM及其應(yīng)用電路_周志敏/周紀海/紀愛華 著.txt》資料免費下載
2015-05-29 10:32:060 本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點設(shè)計了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測電路，采用兩級di/dt檢測IGBT兩類短路狀態(tài)的實用方法。
2016-08-17 15:19:156267 
Si827x數(shù)據(jù)表：具有高瞬態(tài)(dV-dt)抗擾度的4種放大器ISOdriver
2016-12-25 21:33:110 溫敏磁控開關(guān)材料要求
2016-12-23 02:03:121 導電橡膠復(fù)合材料溫敏特性研究_仉月仙
2017-03-19 19:03:460 IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效應(yīng)？ IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅(qū)動器（單電源驅(qū)動器）。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關(guān)斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導寄生IGBT道通（門集電壓尖峰），這是潛在的危險。 當上半橋的I
2017-10-26 16:52:4614 大功率變流器正在被越來越廣泛的應(yīng)用，其所使用的igbt越來越短的開關(guān)時間導致了過高的dv/dt和di/dt，這就導致了分布雜散電感對功率器件關(guān)斷特性有更重要的影響。疊層母排技術(shù)可以有效抑制igbt的過電壓尖峰。
2017-12-03 10:15:022646 
的重要因素?；趬航邮?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊雙脈沖測試平臺，介紹一種基于關(guān)斷電流最大變化率的壓接式IGBT模塊結(jié)溫提取方法，分析壓接式IGBT芯片結(jié)溫和模塊關(guān)斷電流最大變化率間單調(diào)變化關(guān)系，并利用壓接式IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)固有的寄生電感有效獲取關(guān)斷電流最大
2018-02-01 10:20:499 由式(5)和式(6)可知，反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極，以免對柵極電流造成沖擊，因此需要引入一個由Q5、Q6組成的鏡像電路，將流過Q6的電流鏡像到流過Q5的電路上反饋到柵極。這樣，實現(xiàn)了對IGBT開通時柵極電流的調(diào)控，IGBT開通時di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5013993 
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動過程中非常顯著。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高而導通，這里存在著潛在的風險。
2019-02-04 11:17:0040609 
柵極電路的正偏壓VGE、負偏壓-VGE和柵極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dV/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。
2020-06-18 08:00:0043 英飛凌電流源型驅(qū)動芯片，一種非常適合電機驅(qū)動方案的產(chǎn)品，將同時實現(xiàn)高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無核變壓器技術(shù)平臺的隔離式驅(qū)動芯片，能精準地實時控制開通時的dv/dt。下面我們來仔細看看它到底有什么與眾不同之處。
2020-07-07 17:20:073949 TRENCHSTOP IGBT7器件具有優(yōu)異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過調(diào)整來達到特定于應(yīng)用的最佳dv/dt和開關(guān)損耗。
2020-09-29 11:43:233011 由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關(guān)損耗。
2021-02-23 10:23:022050 高共模噪聲是汽車系統(tǒng)設(shè)計人員在設(shè)計實用而可靠的動力總成驅(qū)動系統(tǒng)時必須克服的一個重大問題。當高壓逆變電源和其他電源進行高頻切換時，共模噪聲（又稱 dV/dt 噪聲）便在系統(tǒng)內(nèi)自然生成。本文將討論混合動力系統(tǒng)驅(qū)動器內(nèi)各種 dV/dt 噪聲的來源，并提出一些方法來盡量減少噪聲對驅(qū)動電子設(shè)備的影響。
2021-03-15 15:16:275074 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供為什么不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT也會不同呢？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:46:2512 IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對比。實驗結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。 伺服驅(qū)動系統(tǒng)響應(yīng)速度快，過載倍數(shù)高，小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導通壓降、dv/dt可控、175℃過載結(jié)溫
2021-10-26 15:41:193924 
Du/Dt濾波器又名“Du/Dt濾波器”、“Dv/Dt濾波器”、“Dv/Dt電抗器”等，一般是安裝在變頻器的逆變側(cè)，用來抑制變頻器逆變側(cè)的Du/Dt，保護電動機，同時，還能夠延長變頻器的有效傳輸距離至≤500米，但其無法改變變頻器逆變側(cè)的電壓波形。
2021-12-20 10:19:548726 dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2022-03-29 17:53:226244 
首先，讓我們先來看一下SiC MOSFET開關(guān)暫態(tài)的幾個關(guān)鍵參數(shù)，圖片來源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態(tài)的幾個關(guān)鍵參數(shù)包括：開通時間ton、開通延遲時間td(on)、開通電流上升率di/dton、開通電壓下降率dv/dton，電流上升時間tr
2022-04-27 15:10:219701 使用寬帶隙 （WBG） 器件設(shè)計電子轉(zhuǎn)換器確實存在與高 dv/dt 瞬態(tài)相關(guān)的挑戰(zhàn)，因為它們通常會導致有源和無源元件中的寄生參數(shù)。WBG 器件的 dv/dt 比硅基 IGBT 大，眾所周知，硅基
2022-07-26 08:02:531884 
在電動機控制等部分應(yīng)用中，放緩開關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過快會導致電動機上出現(xiàn)電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進而縮短電動機壽命。
2022-12-19 09:38:493398 電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現(xiàn)問題。在具有大電流輸出驅(qū)動器的24V供電工業(yè)和汽車系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計思想描述了如何控制上升時間，同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:372337 
封裝的集成三相整流與逆變單元PIM（功率集成模塊） IGBT模塊，采用TRENCHSTOP IGBT7、第七代發(fā)射極控制二極管和PressFIT壓接技術(shù),模塊內(nèi)集成有NTC。 產(chǎn)品特性 低通態(tài)電壓VCE（sat）和Vf 過載時Tvjop=175°C 增強dv/dt可控性 基于dv/dt =5kV/ μ s，
2023-01-29 19:00:042142 IGBT是一個受門極電壓控制開關(guān)的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關(guān)，在實際使用中會產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。
2023-02-07 16:17:444335 
MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:081973 
電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現(xiàn)問題。在具有大電流輸出驅(qū)動器的24V供電工業(yè)和汽車系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計思想描述了如何控制上升時間，同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:011641 
di/dt水平過高是晶閘管故障的主要原因之一。發(fā)生這種情況時，施加到半導體器件上的應(yīng)力會大大超過額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中，我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性，以及為什么在為您的應(yīng)用選擇固態(tài)繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:5712320 
IGBT結(jié)溫估算
2023-02-23 09:23:1410 IGBT結(jié)溫估算模型。
2023-02-24 10:48:429 前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計算，那么得到了損耗之后，如何轉(zhuǎn)化為溫升呢？
2023-05-26 11:24:313562 
的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關(guān)，在實際使用中會產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG
2022-05-19 16:36:442341 
９.３.４dv/dt觸發(fā)９.３晶閘管第９章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)
2022-03-29 10:35:54682 
///在IGBT應(yīng)用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個參數(shù)，大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？我想先請大家考慮一個問題：IGBT結(jié)溫到底是指具體哪兒的溫度？。。。你們是不是已經(jīng)開始
2022-05-24 15:05:136571 ①靜態(tài)dV/dt：會引起MOSFET柵極電壓變化，導致錯誤開通。在柵源間并聯(lián)電阻，可防止誤開通。
2023-07-14 14:39:262866 
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:5411862 
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一，器件在運行中測量此溫度是非常困難的。一個方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度，此方法不適用與測量快速變化的IGBT溫度。
2023-08-11 09:03:223813 
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項重要內(nèi)容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:353766 
。它的柵極驅(qū)動條件對其特性有很大的影響。 首先，讓我們探討一下什么是IGBT的柵極驅(qū)動條件。柵極驅(qū)動是指將信號應(yīng)用于IGBT的柵極，以使其完全開啟或關(guān)閉。柵極驅(qū)動條件包括信號幅度、頻率、上升時間、下降時間等因素。下面將會詳細闡述每個因素的影響。
2023-10-19 17:08:141900 IGBT動態(tài)測試參數(shù)有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導體器件，廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:513139 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件，其散熱問題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對IGBT功率模塊散熱問題的詳細分析，包括散熱機制、影響因素、散熱方法及優(yōu)化策略等。
2024-07-26 17:24:422562 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導體器件，具有高輸入阻抗、低導通壓降、快速開關(guān)速度等特點。在IGBT的應(yīng)用過程中，VCE（集電極-發(fā)射極電壓）和結(jié)溫是兩個非常重要的參數(shù)
2024-08-08 09:13:354325 。這個參數(shù)對于整個電力電子系統(tǒng)的效率和性能至關(guān)重要。導通壓降的大小受到多種因素的影響，以下是一些主要因素的分析： IGBT的結(jié)構(gòu)和設(shè)計 ： 柵極氧化層厚度 ：柵極氧化層的厚度會影響IGBT的導通壓降。氧化層越薄，導通壓降越低，但同時也可能導致器件的可靠
2024-09-19 14:51:074225 結(jié)溫是判定IGBT是否處于安全運行的重要條件，IGBT的工作結(jié)溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過熱，可能會導致?lián)p壞，影響設(shè)備的性能、壽命甚至引發(fā)故障。而過熱損壞可能由多種因素導致，如設(shè)計因素、復(fù)雜工況、高震動、溫度沖擊、硅脂的老化等。
2024-11-13 10:19:422324 
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