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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT結(jié)溫估算—(三)熱阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

IGBT結(jié)溫估算—(三)熱阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

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LED特性和壽命檢測

LED的熱學(xué)特性主要包括LED結(jié)、、瞬態(tài)變化曲線(加熱曲線、冷卻曲線)等。結(jié)是指LED的PN結(jié)溫度.
2012-03-13 16:11:394607

LED內(nèi)部的定義及其對商品結(jié)的影響

LED中的主要熱源來自構(gòu)成器件的p型和n型半導(dǎo)體材料之間的結(jié)。該熱量是結(jié)點(diǎn)處或附近的電子和空穴復(fù)合的副產(chǎn)物。理想地,重組導(dǎo)致光子離開LED并有助于整體照明,但是通常光子在模具中被重新吸收,從而產(chǎn)生
2019-02-22 08:01:0013230

IGBT損耗和溫度估算

、Eoff 和 Erec ) 進(jìn) 行準(zhǔn)確測量,建立了一種通用的功率器件導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗模型。在考慮 IGBT 芯片間偶合影響基礎(chǔ)上 提出了一種結(jié)估算數(shù)學(xué)模型。搭建相電感結(jié)測試平臺(tái),通過結(jié)試驗(yàn)驗(yàn)證了
2023-03-06 15:02:514187

通過熱敏電阻,如何計(jì)算IGBT結(jié)

IGBT模塊中通常都會(huì)在陶瓷基板(DBC)上設(shè)有熱敏電阻(NTC或PTC,由于NTC較為常用,以下統(tǒng)稱NTC)用于溫度檢測。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師最直接也是最常見的一個(gè)問題就是:我檢測到了NTC的溫度,那么IGBT真實(shí)的結(jié)是多少?或者是:IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少?
2023-05-05 10:52:144424

如何計(jì)算IGBT的損耗和結(jié)呢?

IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一,其結(jié)Tj高低,不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì),還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:3013775

如何通過熱敏電阻計(jì)算IGBT結(jié)

IGBT模塊中通常都會(huì)在陶瓷基板(DBC)上設(shè)有熱敏電阻(NTC或PTC,由于NTC較為常用,以下統(tǒng)稱NTC)用于溫度檢測,如圖1所示。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師最直接也是最常見的一個(gè)問題就是:我檢測到了NTC的溫度,那么IGBT真實(shí)的結(jié)是多少?或者是:IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少?
2023-08-03 09:31:333707

主驅(qū)逆變器應(yīng)用中不同 Zth 模型對分立 IGBT Tvj 計(jì)算的影響

*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/在xEV應(yīng)用的主驅(qū)逆變器中,關(guān)于IGBT分立器件網(wǎng)絡(luò)建模和虛擬結(jié)計(jì)算的研究和論文相對較少。本文基于最新的可回流焊接分立式IGBT產(chǎn)品(TO247
2025-02-08 11:26:211756

參數(shù)如何與PCB溫度或IC結(jié)進(jìn)行比較

在轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)手冊的參數(shù)時(shí),如何做出有意義的設(shè)計(jì)決策存在很多困惑。這篇介紹性文章將幫助當(dāng)今的硬件工程師了解如何破譯數(shù)據(jù)手冊中的參數(shù)-包括是否選擇theta vs. psi,如何計(jì)算這些值,以及最重
2021-03-19 11:50:5813731

IGBT損耗有什么計(jì)算方法?

IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一,其結(jié)Tj高低,不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì),還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此,如何計(jì)算IGBT結(jié)Tj,已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知,損耗Ploss和Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18

IGBT模塊散熱器的應(yīng)用

模塊)的散熱方案  在電子元件的設(shè)計(jì)中,散熱方式的選擇,以及對其進(jìn)行試驗(yàn)、模擬、分析、優(yōu)化從而得到一個(gè)熱效率高、成本低廉的結(jié)構(gòu),對保證功率器件運(yùn)行時(shí)其內(nèi)部結(jié)始終保持在允許范圍之內(nèi)顯得尤為重要
2012-06-20 14:58:40

IGBT模塊散熱器選擇及使用原則

·PAV  Tjm為器件的最大允許最高工資結(jié),普通整流管為150℃,普通晶閘管為125℃,快速晶閘管為115℃  Rjc為器件的結(jié)?! AV為器件的耗散功率。其計(jì)算公式為:  PAV
2012-06-20 14:33:52

IGBT模塊瞬態(tài)特性退化分析

進(jìn)行了研究,并得到了不同狀態(tài)下模塊的退化特性。    圖1 IGBT的傳熱結(jié)構(gòu)  研究人員在不同工作條件下的IGBT模塊進(jìn)行老化實(shí)驗(yàn)時(shí),在相同的老化時(shí)間下觀察模塊的變化情況,通過對網(wǎng)絡(luò)模型
2020-12-10 15:06:03

極管選型之功耗與結(jié)關(guān)系

極管的結(jié)可靠性,硅管一般是150℃,只要結(jié)不超過該值,極管一般來說是正常使用的,而器件資料里面的PD其實(shí)也是根據(jù)結(jié)計(jì)算出來的PD=(TJ-TA)/RJATJ即結(jié),TA即環(huán)境溫度,RJA即結(jié)到環(huán)境
2013-05-27 23:00:26

LED封裝器件的測試及散熱能力評(píng)估

%的電能轉(zhuǎn)換成光,其余的全部變成了熱能,熱能的存在促使我們金鑒必須要關(guān)注LED封裝器件的。一般,LED的功率越高,LED熱效應(yīng)越明顯,因熱效應(yīng)而導(dǎo)致的問題也突顯出來,例如,芯片高溫的紅移現(xiàn)象;結(jié)
2015-07-29 16:05:13

POL的測量及SOA評(píng)估方法

Thermal Shutdown Spec1)使用熱電偶或紅外測溫儀測量恰好發(fā)生一次thermal shutdown時(shí)的殼(Tcase),利用結(jié)到殼之間的特征較小的特性,近似認(rèn)為
2022-11-03 06:34:11

T3Ste測試儀的典型應(yīng)用案例

IGBT結(jié)星電子利用T3Ster測試其IGBT模組的特性 ◇ T3Ster在LED領(lǐng)域的應(yīng)用△ Lumileds利用T3Ster分析其產(chǎn)品的散熱結(jié)構(gòu)△ LED燈具測量△ LED模組的
2013-01-08 15:29:44

【原創(chuàng)分享】mos管的

的問題,那么功耗與散熱的問題就需要關(guān)注一個(gè)叫的東西。經(jīng)常查看半導(dǎo)體的規(guī)格書的時(shí)候,幾乎都會(huì)有關(guān)于的參數(shù),經(jīng)??吹降氖荝ja,Rjc,R***這個(gè)參數(shù),對于這個(gè)參數(shù)很多人都搞不清楚,在實(shí)際運(yùn)用中
2021-09-08 08:42:59

【工程師小貼士】估算表面貼裝半導(dǎo)體的

某種 PWB 結(jié)構(gòu)下結(jié)點(diǎn)至周圍環(huán)境的。這就是說,設(shè)計(jì)人員只需將這種乘以功耗,便可計(jì)算出升情況。但是,如果設(shè)計(jì)并沒有具體的結(jié)構(gòu),或者如果需要進(jìn)一步降低熱,那么就會(huì)出現(xiàn)許多問題。圖 2 所示為
2017-05-18 16:56:10

一種卡類終端的PCB設(shè)計(jì)方法

發(fā)熱器件的功耗。第二步:根據(jù)發(fā)熱器件的功耗計(jì)算發(fā)熱器件周圍多大范圍內(nèi)不能有其它發(fā)熱器件。第步:根據(jù)發(fā)熱器件的功耗計(jì)算發(fā)熱器件的實(shí)際工作結(jié)以及相對環(huán)境的升有多大。第四步:根據(jù)第二步和第步的數(shù)據(jù)進(jìn)行
2011-09-06 09:58:12

以塑封料溫度測量為基礎(chǔ)的一種結(jié)計(jì)算方法

形式下,管殼到環(huán)境的是不同的。這意味著即使功耗相同,不同封裝形式下的溫度增量ΔTc也會(huì)不同。由圖6可知,欲得到相應(yīng)的結(jié)增量ΔTj,必須計(jì)算或測量新的管殼溫度的增量。圖6的b)和c)中顯示了
2018-12-05 09:45:16

使用溫度傳感器怎么降低汽車LED結(jié)

,ILED是通過LED的電流。等式2是結(jié)的通式: 其中:TJ 是結(jié),TA 是環(huán)境溫度,θJAP是以攝氏度每瓦測量的LED結(jié)環(huán)。將電功率等式代入結(jié)方程可得到等式3: LED正向電壓和都是LED
2019-03-01 09:52:39

關(guān)于測試

現(xiàn)在需要測IGBT,我的方案是直接讓它導(dǎo)通然后用大電流加熱到一定的程度后,突然切斷大的電流源,看他在100ma下的vce變化(已知100ma工況下vce和節(jié)的關(guān)系),然后將測試到的vce
2017-09-29 10:40:46

利用溫度傳感器在汽車照明中實(shí)現(xiàn)線性折返

等式1表示每個(gè)LED消耗的電功率: 其中:Vf 是LED的正向電壓,ILED是通過LED的電流。等式2是結(jié)的通式: 其中:TJ 是結(jié),TA 是環(huán)境溫度,θJAP是以攝氏度每瓦測量的LED結(jié)環(huán)
2022-11-14 07:31:53

功耗與電路板的有什么關(guān)系?

嗨,我嘗試使用XPE工具計(jì)算FPGA器件的功耗。我把結(jié)果提到的'Total On-Chip Power'。我注意到該值隨著電路板的變化而變化。功耗與電路板的有什么關(guān)系?相反,它應(yīng)該只影響IC
2019-03-21 16:18:59

可控硅結(jié)測試

請問怎么確定可控硅的結(jié)???超過結(jié)時(shí)會(huì)有哪些危害?
2014-05-24 11:35:10

基于IGBT計(jì)算的最大化電源設(shè)計(jì)效用解決方案

計(jì)算大多數(shù)半導(dǎo)體器件結(jié)的過程廣為人知。通常情況下,外殼或引腳溫度已知。測量裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的(用theta或θ表示),以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的升。這種方法適用于所有單裸片封裝,包括
2018-09-30 16:05:03

如何去測量功率器件的結(jié)

測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié),如 MOSFET 或 IGBT結(jié),是一個(gè)不可或缺的過程,功率器件的結(jié)與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)常用二種方法:
2021-03-11 07:53:26

如何計(jì)算VIPER37HD / LD的結(jié)

我如何計(jì)算VIPER37HD / LD的結(jié) 以及頻率(60k,115k hz)如何影響結(jié)
2019-08-05 10:50:11

對逆變運(yùn)行狀態(tài)的6.5kV IGBT模塊進(jìn)行現(xiàn)場時(shí)間分辨等效結(jié)測量

通過電流和電壓探頭以及標(biāo)準(zhǔn)的示波器進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄和獲得。在逆變器運(yùn)行過程中,芯片的結(jié)很少通過實(shí)驗(yàn)方法確定。熱處理通常是供應(yīng)商提供典型值或最差值(如IGBT模塊和冷卻板的)與仿真產(chǎn)生的損耗情況結(jié)合
2018-12-07 10:19:13

尋找SO-8封裝中M95256-W的結(jié)至環(huán)境

大家好, 我對M95256-WMN3TP /ABE2PROM的最高結(jié)感興趣。 3級(jí)器件的最高環(huán)境工作溫度為125°C,因此結(jié)必須更高。數(shù)據(jù)手冊中沒有提到最大結(jié)。 我還在尋找SO-8封裝中M95256-W的結(jié)至環(huán)境。 最好的祝福, 托馬斯
2019-08-13 11:08:08

測量功率器件的結(jié)常用的方法

測量功率器件的結(jié)常用二種方法
2021-03-17 07:00:20

電機(jī)中的網(wǎng)絡(luò)模型該怎么建立

前言這篇詳細(xì)的介紹了電機(jī)中的網(wǎng)絡(luò)模型該怎么建立,雖然是以某一個(gè)特定的永磁同步電機(jī)為例子,但是把它的思路給領(lǐng)會(huì)到了,在刻畫其他模型的時(shí)候就是舉一反的事。再次感謝《基于網(wǎng)絡(luò)法的電機(jī)溫度場分析
2021-08-30 07:42:36

英飛凌以塑封料溫度測量為基礎(chǔ)的一種結(jié)計(jì)算方法

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詳解芯片的結(jié)

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IGBT的相關(guān)知識(shí)點(diǎn)介紹

),到現(xiàn)在的超結(jié)IGBT(SJ-IGBT),新結(jié)構(gòu)層出不窮,并且正在向功率器件集成化和智能功率模塊方向發(fā)展。今天我們來聊一聊一種具有雙向阻斷能力的,逆IGBT(RB-IGBT)。  ”  1、逆
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大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)的計(jì)算過程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的(用theta或θ表示),以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的升。這種方法適用于所有單裸片封裝
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利用仿真來估計(jì)功率半導(dǎo)體的結(jié)關(guān)鍵詞:仿真半導(dǎo)體結(jié)摘要:本文設(shè)計(jì)了一個(gè)利用仿真來估計(jì)功率半導(dǎo)體的結(jié)的方法設(shè)計(jì)師在減輕問題時(shí)常常需要做出很多折衷,
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2010-10-26 17:05:0334

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2009-11-13 10:07:211440

結(jié)到外殼的

表2.5列出了各種封裝θJC(結(jié)到外殼的)的一此典型值。
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電壓法LED結(jié)測試原理

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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼測試方法 本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路陶瓷、金屬、塑料封裝結(jié)到外殼的測量
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針對電子系統(tǒng)容易出現(xiàn)的失效問題,論述在電子系統(tǒng)的熱管理設(shè)計(jì)與驗(yàn)證中,對半導(dǎo)體器件結(jié)估算和測量方法。通過測量半導(dǎo)體器件內(nèi)部二極管參數(shù),來繪制二極管正向壓降與其
2012-04-20 11:18:2234

LED結(jié)預(yù)算軟件_測試貼片小軟件

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2013-03-06 16:58:037

雙饋風(fēng)電機(jī)組變流器IGBT結(jié)計(jì)算與穩(wěn)態(tài)分析_李輝

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2017-05-08 09:57:478

結(jié)計(jì)算與低熱LED探討

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2017-09-18 19:32:4611

的定義和結(jié)構(gòu)介紹及LED封裝器件芯片結(jié)測試

一、什么是? 首先,為了讓大家更容易理解,我們可以借用電學(xué)的概念,的概念呢,就是通過類比電阻的概念而引伸出來的,兩者性質(zhì)的相似度非常高。電阻是指阻礙電流傳導(dǎo)的物理量,那對應(yīng)地,就是阻礙
2017-09-26 09:07:5227

功率LED結(jié)測量方法及其在不同電流下的性質(zhì)研究

; 驅(qū)動(dòng)電流大于額定電流時(shí), 上升速率變緩。其他顏色LED 隨驅(qū)動(dòng)電流變化速率基本不變。結(jié)也隨驅(qū)動(dòng)電流的增加而變大。相同驅(qū)動(dòng)電流下, 基于AlGaInP 材料的1W 紅色、橙色LED 的結(jié)要低于基于InGaN 材料的藍(lán)色、綠色、白色LED 的結(jié)。分別用正向電壓法和紅外
2017-11-13 15:08:394

壓接式IGBT模塊結(jié)提取方法

壓接式絕緣柵極雙極性晶體管( IGBT)模塊因優(yōu)越的電氣性能和封裝設(shè)計(jì),受到柔性直流輸電等大功率應(yīng)用場合的青睞,其模塊可靠性也成為大功率應(yīng)用場合研究的重點(diǎn),而IGBT模塊結(jié)是影響器件可靠性
2018-02-01 10:20:499

電壓法測算結(jié)

關(guān)于PN結(jié)溫度的測量,以往在半導(dǎo)體器件應(yīng)用端測算結(jié)的大多是采用法,但這種方法對LED 器件是有局限性的,并且以往很多情況下被錯(cuò)誤地應(yīng)用。
2018-06-05 10:36:2213928

如何測量電路中的結(jié)

高性能DCDC設(shè)計(jì)的關(guān)鍵之電源設(shè)計(jì)()—結(jié)的測試
2018-08-14 00:45:004986

導(dǎo)熱塑料散熱器的好壞取決于安規(guī)條件與效能

導(dǎo)熱塑料散熱器的好壞主要取決于安規(guī)條件與效能:越小,相同條件下LED燈結(jié)越低,LED結(jié)越低,晶片使用壽命就會(huì)越長。散熱器的應(yīng)該包括導(dǎo)熱熱和散熱熱兩部分。對于一定形狀的散熱器,導(dǎo)熱
2020-04-01 10:06:451612

LED產(chǎn)品光電性能的標(biāo)準(zhǔn)是怎樣的

也指結(jié)是指沿?zé)崃魍ǖ郎系臏囟炔钆c通道上耗散的功率之比,結(jié)是指LED的PN結(jié)溫度。
2020-04-16 17:32:13976

LED結(jié)為什么會(huì)出現(xiàn)

LED元件的散失能力是決定結(jié)高低的又一個(gè)關(guān)鍵條件。散熱能力強(qiáng)時(shí),結(jié)下降,反之,散熱能力差時(shí)結(jié)將上升。
2020-04-17 10:57:321298

如何計(jì)算元器件的結(jié) 阻值的欺騙性

JA是的單位,用來表示空氣到結(jié)的阻值,單位是℃/W或K/W。做電路設(shè)計(jì)都需要用到以下的公式來計(jì)算元器件的結(jié): TJ=TA+JAPH 式子中:TJ表示元器件的結(jié),單位是℃; TA表示環(huán)境
2020-10-23 16:49:129036

如何準(zhǔn)確測量到功率器件內(nèi)部硅片的結(jié)

功率器件結(jié)溫和殼頂溫度,差多少? 測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié),如MOSFET或IGBT結(jié),是一個(gè)不可或缺的過程,功率器件的結(jié)與其安全性、可靠性直接相關(guān)
2020-10-19 10:26:574793

關(guān)于LED組件的結(jié)溫和引腳溫度的測試系統(tǒng)

Avago Technologies用于測量特定應(yīng)用中安裝的LED組件的結(jié)溫和引腳溫度的測試系統(tǒng)。 通常,對LED組件進(jìn)行測試的目的是測量結(jié)到環(huán)境的升,以確保不超過最大結(jié)。LED組件在高于最大結(jié)的溫度下的溫度循環(huán)往往會(huì)導(dǎo)致金線鍵合產(chǎn)生過度的熱應(yīng)力,從而導(dǎo)致過早
2021-05-13 09:47:175303

IGBT器件結(jié)測試

IGBT的研究對于延長IGBT的使用壽命和提高其應(yīng)用可靠性具有重要的現(xiàn)實(shí)意義,目前獲取IGBT參數(shù)的試驗(yàn)方法多為熱敏參數(shù)法,該方法方便簡潔、對硬件要求低,但是傳統(tǒng)的熱敏參數(shù)法需要測量器件的殼
2021-04-29 09:15:085700

LED封裝器件測試

即熱量在熱流路徑上遇到的阻力,反映介質(zhì)或介質(zhì)間的傳熱能力的大小,表明了1W熱量所引起的升大小,單位為℃/W或K/W??梢杂靡粋€(gè)類比來解釋,如果熱量相當(dāng)于電流,溫差相當(dāng)于電壓,則相當(dāng)于電阻
2021-05-26 15:45:154025

一文詳解熱設(shè)計(jì)中的結(jié)到外殼

在本文中,我們將了解結(jié)θJC以及如何使用此數(shù)據(jù)來評(píng)估將封裝連接到散熱器的設(shè)計(jì)的熱性能。
2021-06-23 10:45:4115139

特性參數(shù)的關(guān)鍵要點(diǎn)

上表面中心間的特性參數(shù) 為了便于具體理解這兩個(gè)概念,下面給出了表示θJA和ΨJT的示意圖。 (點(diǎn)擊查看大圖) θJA是從結(jié)點(diǎn)到周圍環(huán)境之間的,存在多條散熱路徑。ΨJT是從結(jié)點(diǎn)到封裝上表面中心的特性參數(shù)。 此外,還定義了結(jié)點(diǎn)與封裝上表面之間的θJC-TOP和結(jié)
2021-10-19 10:50:457875

如何做來降低LED的結(jié)

:Vf 是LED的正向電壓,ILED是通過LED的電流。等式2是結(jié)的通式: ? 其中:TJ 是結(jié),TA 是環(huán)境溫度,θJAP是以攝氏度每瓦測量的LED結(jié)環(huán)。 將電功率等式代入結(jié)方程
2021-12-23 17:28:442991

數(shù)據(jù)的TJ估算示例

上一篇文章中介紹了數(shù)據(jù)θJA和ΨJT的定義。接下來將分兩次來探討在進(jìn)行TJ估算時(shí)如何使用θJA和ΨJT。另外,還將單獨(dú)介紹使用了數(shù)據(jù)的TJ估算示例。
2022-02-22 13:30:494226

使用數(shù)據(jù)進(jìn)行TJ估算的計(jì)算示例

在此之前,為了很好地了解熱數(shù)據(jù),介紹了在進(jìn)行TJ估算時(shí)是否能使用以及如何使用θJA和ΨJT,另外還介紹了ΨJT的特性、以及θJA和ΨJT在估算TJ時(shí)的有效性。從本文開始,我們將介紹一些使用數(shù)據(jù)進(jìn)行TJ估算的計(jì)算示例。
2022-02-28 10:10:133661

變頻器設(shè)計(jì)中,剎車電阻如何選?Chopper結(jié)如何評(píng)估?

拿一款MiniSKiiP系列的 35NAB12T4V1的CIB模塊來舉例。模塊內(nèi)部包含了相不可控整流橋,制動(dòng)單元和兩電平相逆變橋,每個(gè)IGBT包括Brake IGBT電壓是1200V,電流是50A,最高結(jié)175°C,運(yùn)行結(jié)150°C。
2022-06-07 10:56:268483

IPOSIM仿真中的散熱器參數(shù)Rthha解析

如何評(píng)估IGBT模塊的損耗與結(jié)?英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM,是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器參數(shù)Rthha,給大家做一些清晰和深入的解析。
2022-08-01 09:56:103765

智能功率模塊IPM的結(jié)評(píng)估

本文詳細(xì)敘述了實(shí)際使用時(shí)對IPM模塊的各種結(jié)的計(jì)算和測試方法,從直接紅外測試法,內(nèi)埋熱敏測試,殼的測試方法,都進(jìn)行詳細(xì)說明,以指導(dǎo)技術(shù)人員通過測量模塊自帶的Tntc的溫度估算或測試IPM變頻模塊的結(jié),然后利用開發(fā)樣機(jī)測試結(jié)果對實(shí)際產(chǎn)品進(jìn)行結(jié)估算標(biāo)定,評(píng)估IPM模塊運(yùn)行的可靠性。
2022-08-01 14:30:004184

了解數(shù)據(jù)表參數(shù)和IC結(jié)

在轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)表的參數(shù)時(shí),關(guān)于如何做出有意義的設(shè)計(jì)決策存在很多混淆。這篇介紹性文章將幫助當(dāng)今的硬件工程師了解如何解讀數(shù)據(jù)表中的參數(shù)——包括是否選擇 theta 與 psi、如何計(jì)算這些值,以及最重
2022-08-05 08:04:512601

功率半導(dǎo)體器件IGBT結(jié)測試方法

技術(shù)委員會(huì)IEC該標(biāo)準(zhǔn)還指出,在功率循環(huán)、或瞬態(tài)阻抗試驗(yàn)中或瞬態(tài)阻抗試驗(yàn)VGE(th)(T)法律(以下簡稱VGE(th)(T)或小電流飽和壓降VCE(T)法律(以下簡稱VCE(T)法)測量結(jié)。
2023-02-06 12:27:362777

IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)

英飛凌IGBT模塊開關(guān)狀態(tài)下最高工作結(jié)一般是150度,而IGBT7短時(shí)過載情況下的最高工作結(jié)可達(dá)175度。
2023-02-06 14:30:242044

IGBT結(jié)估算(算法+模型)

IGBT結(jié)估算(算法+模型),多年實(shí)際應(yīng)用,準(zhǔn)確度良好 能夠同時(shí)對IGBT內(nèi)部6個(gè)極管和6個(gè)二極管溫度進(jìn)行估計(jì),并輸出其中最熱的管子對應(yīng)溫度。 可用于溫度保護(hù),降額,提高
2023-02-23 09:45:0518

IGBT結(jié)估算

IGBT結(jié)估算
2023-02-23 09:23:1410

IGBT結(jié)估算國際大廠機(jī)密算法

……能夠同時(shí)對IGBT內(nèi)部6個(gè)極管和6個(gè)二極管溫度進(jìn)行估計(jì),并輸出其中最熱的管子對應(yīng)溫度??捎糜跍囟缺Wo(hù),降額,提高產(chǎn)品性能。simulink模型除仿真外亦可生成代碼……提供直流、交流兩個(gè)仿真模型提供底層算法模型庫(開源) ID:912000 672046394711 求道電機(jī)控制
2023-02-23 09:17:554

RS-485/RS-422、CAN和LVDS/M-LVDS收發(fā)器的結(jié)計(jì)算

半導(dǎo)體的可靠性由結(jié)決定,結(jié)又取決于幾個(gè)因素,包括器件功耗、封裝、印刷電路板(PCB)布局、散熱器接口和環(huán)境工作溫度。
2023-02-23 14:18:345905

如何理解IGBT阻抗

隨著功率器件封裝逐漸面向大電流、小型化,產(chǎn)品的散熱性能顯得尤為重要。設(shè)計(jì)在IGBT選型和應(yīng)用過程中至關(guān)重要,關(guān) 系到模塊應(yīng)用的可靠性、損耗以及壽命等問題,而模塊的阻抗是系統(tǒng)散熱評(píng)估環(huán)節(jié)
2023-02-23 16:11:229

IGBT結(jié)估算模型

IGBT結(jié)估算模型。
2023-02-24 10:48:429

IGBT結(jié)估算—(一)概述

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和絕緣柵型
2023-05-26 11:19:062945

IGBT結(jié)估算—(二)IGBT/Diode損耗的計(jì)算

IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:235725

Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)

///在IGBT應(yīng)用中,結(jié)是經(jīng)常使用的一個(gè)參數(shù),大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個(gè)概念,但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢?我想先請大家考慮一個(gè)問題:IGBT結(jié)到底是指具體哪兒的溫度?。。。你們是不是已經(jīng)開始
2022-05-24 15:05:136572

瞬態(tài)阻抗準(zhǔn)確計(jì)算IGBT模塊結(jié)的方法

IGBT器件研制的障礙。為解決這一瓶頸問題,近年來,國內(nèi)外專家學(xué)者們也將關(guān)注的焦點(diǎn)放在了IGBT模塊的失效分析方面。這一表征半導(dǎo)體器件熱傳導(dǎo)的參量也成了
2023-04-04 10:14:093999

ChatGPT變聰明了嗎?如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)Tvj

ChatGPT變聰明了嗎?如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)Tvj
2023-09-09 08:16:111931

【工程師筆記】Driver IC 模型概述與計(jì)算

的定義及網(wǎng)絡(luò)模型 熱量傳遞有種形式,熱傳導(dǎo),熱對流和熱輻射,芯片在Package內(nèi)的熱量傳遞主要是以熱傳導(dǎo)為主。 圖1 以圖1的QFN模型為例,IC中的die作為熱源,上面有芯片最高溫度結(jié)T J , 產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至直接和die接觸的case top 和PCB board,
2023-09-13 12:15:012749

半導(dǎo)體器件為什么參數(shù)經(jīng)常被誤用?

一些半導(dǎo)體器件集成了專用的二極管,根據(jù)校準(zhǔn)后的正向電壓與溫度曲線精確測量結(jié)。由于大多數(shù)器件沒有這種設(shè)計(jì),結(jié)的估計(jì)取決于外部參考點(diǎn)溫度和封裝的參數(shù)。常用的封裝指標(biāo)是和熱表征參數(shù)。
2023-09-25 09:32:264272

估算之使用半導(dǎo)體二極管的動(dòng)態(tài)曲線

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《估算之使用半導(dǎo)體二極管的動(dòng)態(tài)曲線.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 10:35:271

MPS | Driver IC 模型概述與計(jì)算

一、的定義及網(wǎng)絡(luò)模型?? ? 熱量傳遞有種形式,熱傳導(dǎo),熱對流和熱輻射,芯片在Package內(nèi)的熱量傳遞主要是以熱傳導(dǎo)為主。 圖1 以圖1的QFN模型為例,IC中的die作為熱源,上面
2023-10-10 19:30:031616

是什么意思 符號(hào)

(Thermal Resistance),通常用符號(hào)Rth表示,是衡量材料或系統(tǒng)對熱能傳遞的阻礙程度的物理量。類似于電阻對電流流動(dòng)的阻礙作用,描述了溫度差與通過材料的熱流量之間的關(guān)系
2024-02-06 13:44:307375

igbt芯片vce與結(jié)的關(guān)系

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過程中,VCE(集電極-發(fā)射極電壓)和結(jié)是兩個(gè)非常重要的參數(shù)
2024-08-08 09:13:354325

功率模塊中的結(jié)估算技術(shù)

結(jié)是判定IGBT是否處于安全運(yùn)行的重要條件,IGBT的工作結(jié)限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過熱,可能會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞,影響設(shè)備的性能、壽命甚至引發(fā)故障。而過熱損壞可能由多種因素導(dǎo)致,如設(shè)計(jì)因素、復(fù)雜工況、高震動(dòng)、溫度沖擊、硅脂的老化等。
2024-11-13 10:19:422324

紅外像和電學(xué)法測得藍(lán)光LED芯片結(jié)比較

測試背景是衡量超高亮度和功率型LED器件及陣列組件工控制設(shè)計(jì)是否合理的一個(gè)最關(guān)鍵的參數(shù)。測量芯片的主要方法電學(xué)參數(shù)法和紅外像法。其中電學(xué)法利用LED本身的熱敏感參數(shù)——電壓變化來反算出
2025-06-20 23:01:45646

技術(shù)資訊 I 導(dǎo)熱材料對的影響

在電子器件(如導(dǎo)熱材料或?qū)峁柚┥贤扛矊?dǎo)熱材料的目的是幫助發(fā)熱器件加快散熱。此舉旨在降低器件每單位電能耗散所產(chǎn)生的升。衡量每功耗所產(chǎn)生升的指標(biāo)稱為,而給器件涂抹導(dǎo)熱材料的目的正是為了降低
2025-08-22 16:35:56775

IGBT 模塊接觸增大與芯片表面平整度差關(guān)聯(lián)性

一、引言 IGBT 模塊在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,其散熱性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。接觸作為影響 IGBT 模塊散熱的關(guān)鍵因素,受到諸多因素影響,其中芯片表面平整度不容忽視。研究二者
2025-09-01 10:50:431633

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