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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤(pán)點(diǎn)

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤(pán)點(diǎn)

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2021碳化硅十大熱門(mén)事件盤(pán)點(diǎn):擴(kuò)產(chǎn)、收購(gòu)、合資、上市

高壓的特性被越來(lái)越多的車企認(rèn)可,市場(chǎng)發(fā)展前景逐漸明朗。 ? 在此歲末年初之際,讓我們共同回顧2021國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)生的重大事件。 ? 天岳先進(jìn)躋身碳化硅襯底第一梯隊(duì),首發(fā)過(guò)會(huì)并成功上市 ? 天岳先進(jìn)是國(guó)內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域
2022-01-24 09:31:576074

中科院成功制備8英寸碳化硅襯底;華強(qiáng)北二手iPhone價(jià)格大跳水

約2?mm的8英寸碳化硅晶片。 ? Hobby點(diǎn)評(píng):今年一月,國(guó)內(nèi)爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn),而僅僅幾個(gè)月后,國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底就再傳來(lái)了好消息。碳化硅器件的成本中,襯底占比超過(guò)40%,所以碳化硅襯底尺寸提高,單位襯底上制造出
2022-05-07 00:55:004627

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能分析,與海外龍頭差距擴(kuò)大?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)新能源汽車市場(chǎng)規(guī)模急劇上漲,對(duì)于碳化硅產(chǎn)業(yè)而言,上游產(chǎn)能擴(kuò)充是現(xiàn)今各大廠商所一直努力的方向??梢钥吹竭^(guò)去一年里,海內(nèi)外都持續(xù)投入到包括碳化硅上游襯底和外延片、中游晶圓
2023-02-20 09:13:0189437

國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)大盤(pán)點(diǎn)

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:03:5613481

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:382489

海外大廠搶灘2023,國(guó)內(nèi)企業(yè)加速追趕碳化硅襯底8英寸節(jié)點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)襯底產(chǎn)能在近年成為了碳化硅行業(yè)痛點(diǎn),隨著電力電子行業(yè),包括電動(dòng)汽車、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電等新能源應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展,碳化硅功率器件因?yàn)楦咝?、高耐壓等?yōu)勢(shì)受到了追捧,導(dǎo)致產(chǎn)能
2022-09-07 07:56:003503

8英寸襯底井噴,11月國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新進(jìn)展

空間大 ? 國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距,另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來(lái)越大。這使得國(guó)內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中,無(wú)論是從市場(chǎng)需求,還是
2023-12-12 01:35:002680

碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開(kāi)始逐漸落地,進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓
2024-11-21 00:01:005497

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

碳化硅(SiC)即使在高達(dá)1400℃的溫度下,仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無(wú)色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無(wú)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

:Anode Metal  外延層:N- drift(輕摻雜),主要作用是承擔(dān)反向耐壓  襯底層:N+(重?fù)诫s),呈電阻特性,不具備電壓耐受能力  陰極金屬:Cathode Metal  圖(2)碳化硅
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù),2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

降低到75%?!   ”?2:SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究  只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設(shè)計(jì)取代耗時(shí)的生產(chǎn)流程。SiC的特定特性需要優(yōu)化換向電感和熱性能。因此,可以提高性價(jià)比,并充分利用SiC的優(yōu)勢(shì),使應(yīng)用受益。
2023-02-20 16:29:54

圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案?! ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

  硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36

簡(jiǎn)述LED襯底技術(shù)

LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利,只有科銳一家使用,成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低,但目前技術(shù)還不完善。  從LED成本上來(lái)看,用
2012-03-15 10:20:43

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了,它的特點(diǎn)是:化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

碳化硅(SiC)基地知識(shí)

碳化硅(SiC)基地知識(shí) 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558

盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅概念股有哪些?碳化硅國(guó)內(nèi)企業(yè)有哪些?國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤(pán)點(diǎn)分析:英飛凌以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進(jìn)一步加碼
2018-12-06 16:08:00140328

同光晶體完成融資,將用于6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目

國(guó)投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示,第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司(簡(jiǎn)稱“同光晶體”)完成A輪融資,投資方包括:國(guó)投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)現(xiàn)淶源基地6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目快速擴(kuò)產(chǎn)和現(xiàn)有產(chǎn)品優(yōu)化提升。
2020-12-03 11:05:153796

簡(jiǎn)述碳化硅襯底的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā),引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求,國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過(guò)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè),今天我們首先
2021-07-29 11:01:185164

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:089429

國(guó)內(nèi)碳化硅情況介紹

比亞迪作為國(guó)內(nèi)車企,在車上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史,最早是在車載的OBC上用,后面是在車載彈簧、車載電控上面用,目前國(guó)內(nèi)碳化硅車型上,我們用的碳化硅的量是國(guó)內(nèi)最多的,去年算上車載電控
2022-08-26 09:15:133124

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料,碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能,因此外延應(yīng)用對(duì)碳化硅晶片表面質(zhì)量的要求
2022-10-11 16:01:045801

意法半導(dǎo)體與 Soitec 就碳化硅襯底制造技術(shù)達(dá)成合作

? ? 雙方達(dá)成協(xié)議,將針對(duì)采用 Soitec 技術(shù)生產(chǎn) 200mm 碳化硅( SiC )襯底進(jìn)行驗(yàn)證 Soitec 關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)賦能電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)型,助力工業(yè)系統(tǒng)提升能效 ? 2022 年 12
2022-12-05 14:09:42929

ST與Soitec合作開(kāi)發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證, 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造
2022-12-08 12:22:481145

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù),本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀,分析對(duì)比了切片、薄化、拋光加工工藝機(jī)理,指出了加工過(guò)程中的關(guān)鍵影響因素和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-01-11 11:05:552737

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè)

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場(chǎng)格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié),目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷,根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90%的SiC
2023-02-02 15:02:545134

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708

什么是碳化硅?碳化硅功率器件行業(yè)未來(lái)可期

碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件,但不論是集成電路還是分立器件,其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:482002

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

進(jìn)過(guò)晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底;再經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)就變成碳化硅外延片,也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過(guò)光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:113177

碳化硅襯底市場(chǎng)群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:042505

簡(jiǎn)述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:486511

國(guó)產(chǎn)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié),襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),碳化硅器件的成本構(gòu)成中,襯底、外延、前段、 研發(fā)費(fèi)用和其他分別占比為 47%,23%,19%,6%,5%,襯底+外延合計(jì)約 70%
2023-06-26 11:30:561557

揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō),高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:091795

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828

科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線

2023年9月,科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:461174

碳化硅襯底,新能源與5G的基石.zip

碳化硅襯底,新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:403

超40個(gè),碳化硅項(xiàng)目企業(yè)匯總

單晶生長(zhǎng),以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體;2)襯底環(huán)節(jié),碳化硅晶體經(jīng)過(guò)切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片,也即半導(dǎo)體襯底材料;
2023-12-05 15:26:531853

爍科晶體:向世界一流的碳化硅材料供應(yīng)商不斷邁進(jìn)

第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開(kāi)發(fā)企業(yè)作為中國(guó)電科集團(tuán)的“12大創(chuàng)新平臺(tái)之一,山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域,已成為國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料供應(yīng)鏈自主創(chuàng)新的供應(yīng)商之一。
2023-12-11 10:46:372227

8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

當(dāng)前,大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:081964

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

共讀好書(shū) 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長(zhǎng)碳化硅外延片,制成耐高溫、耐高壓的碳化硅二極管
2024-01-17 17:55:171411

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)品。
2024-01-12 11:37:034786

全球IGBT/碳化硅模塊生產(chǎn)廠商概覽

  在全球范圍內(nèi),有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊,以下是一些知名的企業(yè)。
2024-01-25 14:01:221856

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景:國(guó)內(nèi)外主要廠商分布圖

中國(guó)在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對(duì)半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝?、高耐用性電子器件需求的增加?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)異性能而變得越來(lái)越重要。
2024-02-27 10:28:512937

全國(guó)最大8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地落地山東?

作為技術(shù)應(yīng)用最成熟的襯底材料,碳化硅襯底在市場(chǎng)上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車中的滲透率正在快速擴(kuò)大,能顯著提升續(xù)航能力與充電效率,并降低整車成本。
2024-04-11 09:28:06901

中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)產(chǎn)能激增,市場(chǎng)或?qū)⒂瓉?lái)價(jià)格戰(zhàn)

從2023年起,中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展高潮。隨著新玩家的不斷加入和多個(gè)項(xiàng)目的全國(guó)落地,行業(yè)產(chǎn)能迅速擴(kuò)張,達(dá)到了新的高度。根據(jù)最新行業(yè)數(shù)據(jù),國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的折合6英寸銷量已突破百萬(wàn)大關(guān)
2024-06-03 14:18:171096

碳化硅襯底修邊處理后,碳化硅襯底TTV變化管控

一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn) 修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分,以提高襯底的尺寸精度和邊緣質(zhì)量。然而,修邊過(guò)程中由于機(jī)械應(yīng)力、熱應(yīng)力以及
2024-12-23 16:56:37487

降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法

一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋(CMP)等幾個(gè)關(guān)鍵工序。每一步都對(duì)最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。 切割:將SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多線砂漿
2024-12-25 10:31:40561

用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

一、碳化硅襯底TTV控制的重要性 碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點(diǎn)厚度最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效率和成本,以及最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。因此,在碳化硅襯底
2024-12-26 09:51:54465

優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步,主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而,濕法腐蝕過(guò)程中,由于腐蝕液的選擇、腐蝕時(shí)間的控制
2024-12-27 09:54:50469

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門(mén)襯底選擇,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

不同的碳化硅襯底的吸附方案,對(duì)測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅(SiC)襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數(shù)猶如精密天平上的砝碼,細(xì)微
2025-01-14 10:23:10400

碳化硅襯底生產(chǎn)過(guò)程

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料,其生產(chǎn)過(guò)程復(fù)雜
2025-02-03 14:21:001981

碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言 隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù),準(zhǔn)確測(cè)量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121953

國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

碳化硅行業(yè)觀察:國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來(lái),碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng),但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來(lái)多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉,國(guó)內(nèi)碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933

CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

中國(guó)碳化硅襯底材料從受制于人到實(shí)現(xiàn)自主突破的歷程,以及由此對(duì)國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的啟示,可以歸納為以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn):? 一、從壟斷到突破:中國(guó)碳化硅材料的逆襲之路 CREE(Wolfspeed
2025-03-05 07:27:051295

切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

引言 在碳化硅襯底加工過(guò)程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。 量化關(guān)系分析 切割機(jī)
2025-06-12 10:03:28537

超薄碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

超薄碳化硅襯底
2025-07-02 09:49:10483

碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19961

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問(wèn)題

摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來(lái)的干擾問(wèn)題展開(kāi)研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性與可靠性,為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30659

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備的日常維護(hù)與故障排查

,為碳化硅襯底生產(chǎn)與研發(fā)提供可靠的測(cè)量保障。 引言 在碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,精確測(cè)量襯底 TTV 厚度對(duì)把控產(chǎn)品質(zhì)量、優(yōu)化生產(chǎn)工藝至關(guān)重要。而測(cè)量設(shè)備的性能直接影響
2025-08-11 11:23:01555

激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

摘要 本文針對(duì)激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的精度問(wèn)題,深入分析影響測(cè)量精度的因素,從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個(gè)維度提出精度提升策略,旨在為提高碳化硅襯底 TTV 測(cè)量準(zhǔn)確性
2025-08-12 13:20:16778

碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程

摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常問(wèn)題,系統(tǒng)分析異常類型與成因,構(gòu)建科學(xué)高效的快速診斷流程,并提出針對(duì)性處理方法,旨在提升數(shù)據(jù)異常處理效率,保障碳化硅襯底 TTV 測(cè)量準(zhǔn)確性
2025-08-14 13:29:381027

【新啟航】國(guó)產(chǎn) VS 進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的性價(jià)比分析

本文通過(guò)對(duì)比國(guó)產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x在性能、價(jià)格、維護(hù)成本等方面的差異,深入分析兩者的性價(jià)比,旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)選購(gòu)測(cè)量設(shè)備提供科學(xué)依據(jù),助力優(yōu)化資源配置。 引言 在
2025-08-15 11:55:31707

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量過(guò)程,深入探究表面粗糙度對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響機(jī)制,通過(guò)理論分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,揭示表面粗糙度與測(cè)量誤差的關(guān)聯(lián),為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測(cè)量方法、提升測(cè)量準(zhǔn)確性提供
2025-08-18 14:33:59454

【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

摘要 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧,通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作
2025-08-20 12:01:02552

探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧,通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作指導(dǎo)
2025-08-23 16:22:401083

碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中邊緣效應(yīng)的抑制方法研究

摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的邊緣效應(yīng)問(wèn)題,深入分析其產(chǎn)生原因,從樣品處理、測(cè)量技術(shù)改進(jìn)及數(shù)據(jù)處理等多維度研究抑制方法,旨在提高 TTV 測(cè)量準(zhǔn)確性,為碳化硅半導(dǎo)體制造提供可靠
2025-08-26 16:52:101093

2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過(guò)去的2023年里,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進(jìn)展神速,同時(shí)三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可,簽下
2024-01-08 08:25:345166

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