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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動(dòng)電阻參數(shù)計(jì)算

MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動(dòng)電阻參數(shù)計(jì)算

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講解MOS驅(qū)動(dòng)電路,包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路
2017-08-01 18:09:4733054

電源MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開(kāi)通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
2022-11-08 15:42:187453

設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí),mos驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)、要求

mos管因?yàn)閮?nèi)阻低,開(kāi)發(fā)速度低被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電路中。mos管往往根據(jù)電源IC和mos管的參數(shù)選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-12-12 09:18:3911074

MOS管的外圍保護(hù)電路設(shè)計(jì)

常用的mos驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后,經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos驅(qū)動(dòng)。其中Lk是驅(qū)動(dòng)回路的感抗,一般包含mos管引腳的感抗,PCB走線的感抗等。在現(xiàn)在很多的應(yīng)用中,用于
2023-06-19 09:26:396537

MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)案例

對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開(kāi)通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
2023-06-19 10:41:335562

MOS管的柵極開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電阻

驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí),我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形,但是在實(shí)際情況下,我們?cè)跍y(cè)得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:268622

MOS管G極與S極之間的電阻作用

MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)(規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替)。MOS管之所以存在米勒效應(yīng),以及GS之間要并電阻
2023-08-26 08:12:553731

MOS參數(shù)解讀

極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)MOS管在使用過(guò)程當(dāng)中,任何情況下都不能超過(guò)下圖的這些極限參數(shù),否則MOS管有可能損壞。
2023-09-24 11:47:4714965

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MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多,以MOS管VBZM7N60為例,下面一起來(lái)看一看,MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。
2023-09-27 10:12:493385

無(wú)刷驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)——淺談MOS驅(qū)動(dòng)電路

前言上周末,在調(diào)試無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的時(shí)候總是莫名其妙的炸管,心態(tài)都搞沒(méi)了,實(shí)在沒(méi)辦法了只好在CSDN和B站大學(xué)重新學(xué)習(xí)了相關(guān)理論知識(shí),以下是筆者學(xué)習(xí)筆記,僅供參考,如有錯(cuò)誤歡迎大家批評(píng)指正。MOS的實(shí)際
2025-05-19 19:33:341419

MOS參數(shù)選擇以及導(dǎo)通速度的計(jì)算

MOS參數(shù)選擇以及導(dǎo)通速度的計(jì)算 根據(jù)MOS的Td(on)+Td(off)推算出MOS的導(dǎo)通速度,這個(gè)方法對(duì)不對(duì)? 有沒(méi)有相近的NMOS推薦!VDS≥60V,ID≥15A,導(dǎo)通內(nèi)阻≤20m
2023-06-03 09:35:35

MOS驅(qū)動(dòng)電阻怎么選擇

在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者逆變器時(shí),我們經(jīng)常需要用到MOS管,可是有些朋友對(duì)于如何選取MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻不太熟悉,今天本人就分享一份來(lái)自網(wǎng)絡(luò)資源的資料,希望對(duì)大家有所幫助。
2018-07-11 22:37:16

MOS驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2011-11-07 15:56:56

MOS管導(dǎo)通電阻問(wèn)題

我在網(wǎng)上一些帖子上面看到,MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子,這是因?yàn)榫€性區(qū)的ID電流較大,同時(shí)RDS也較大,功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊(cè),上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級(jí)別的,這個(gè)也算是電阻大嘛?這不是與上面的介紹想矛盾嗎?另外,MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢?
2018-10-25 11:14:39

MOS管損耗理論計(jì)算公式推導(dǎo)及LTspice仿真驗(yàn)證

我一直想搞清楚MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算,在只知道驅(qū)動(dòng)MOS管芯片的輸出的驅(qū)動(dòng)電壓,MOS管的規(guī)格書(shū)手冊(cè),驅(qū)動(dòng)頻率的條件下,能夠計(jì)算MOS管的功耗大小。這樣我們?cè)谠韴D設(shè)計(jì)階段的時(shí)候,就能夠判斷散熱
2025-03-31 10:34:07

MOS管柵極電阻的問(wèn)題

由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極很容易發(fā)生諧振,常采用的辦法是在柵極串接一個(gè)小電阻,我想問(wèn)為什么電阻可以抑制振蕩?請(qǐng)眾位大神解釋原因,呵呵,知其然不知其所以然!
2014-05-24 15:28:54

MOS管電路邏輯及MOS參數(shù)

和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)。gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)。一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)?! ?.導(dǎo)通電阻RON  導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明
2018-11-20 14:06:31

MOS管的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源考慮的因素

  MOS管因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。而MOS管的驅(qū)動(dòng)常常根據(jù)電源IC和MOS管的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí),大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大
2022-01-03 06:54:52

MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻和柵源極級(jí)間電阻是怎么計(jì)算的?

MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的?在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V,在可變電阻狀態(tài)中,作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6?
2021-04-19 00:07:09

MOS管選型注重的參數(shù)

;4、?MOS管最大允許工作溫度–這要滿足系統(tǒng)指定的可靠性目標(biāo)。二、MOS管主要參數(shù)及使用在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等...
2021-11-16 09:06:09

mos參數(shù)問(wèn)題

:100V這些參數(shù)分別指的是什么意思?謝謝用mos做高端驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極電壓要大于源極電壓4-10v。那是不是如果源極電壓為50v,那么柵極電壓就要54-60v嗎?這柵極電壓沒(méi)有什么最大電壓限制嗎?大家?guī)蛶臀疫@菜鳥(niǎo),謝謝!
2015-07-11 23:32:30

mos管規(guī)格書(shū)里面關(guān)于功率這個(gè)參數(shù)有個(gè)疑問(wèn)請(qǐng)教

三極管選型要看功率結(jié)合進(jìn)行選型,那么MOS管需要結(jié)合功率選型嗎?看了很多MOS管選型,就是考慮VDS ,VGS, 等效電阻,損耗,結(jié)溫,就是沒(méi)有考慮MOS管的功率,請(qǐng)問(wèn)MOS選型是不是可以自動(dòng)忽略功率這項(xiàng)參數(shù),我用的是AO3400驅(qū)動(dòng)150mA的電機(jī)。有老哥知道不,請(qǐng)解答下。
2020-11-27 22:58:39

mos管選型注重的參數(shù)分享

、最大漏極電流(ID):這是MOS管在正常工作條件下能連續(xù)通過(guò)的最大電流。確保所選MOS管的ID大于電路中預(yù)期的最大電流。 3、導(dǎo)通電阻(RDSQ(on)):當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通時(shí),漏極和源極之間的電阻
2025-11-20 08:26:30

LT1910高端MOS驅(qū)動(dòng)IC具有哪些參數(shù)應(yīng)用?

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們來(lái)學(xué)習(xí)MOS管的正確的選擇方法

計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況下,MOS管并不是理想的器件,因?yàn)樵趯?dǎo)電過(guò)程中會(huì)有電能損耗,這稱之為導(dǎo)通損耗。MOS管在"導(dǎo)通"時(shí)就像一個(gè)可變電阻,由器件的RDS(ON)所確定,并隨溫度
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關(guān)于mos管漏極電流的計(jì)算

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2017-12-05 09:32:00

請(qǐng)教一下大家,mos管的驅(qū)動(dòng)電路中Rg(柵極驅(qū)動(dòng)電阻)怎么匹配?

Rg具體會(huì)影響到那些參數(shù)?我個(gè)人的理解是①這個(gè)電阻對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)頻率有關(guān),決定了對(duì)mos管的輸入輸出電容的充放電時(shí)間②匹配集成驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)能力,電阻越到,集成驅(qū)動(dòng)所需的最大驅(qū)動(dòng)電流也就越小。大家有什么看法,請(qǐng)教一下
2017-06-05 11:28:22

請(qǐng)問(wèn)負(fù)載電阻計(jì)算的CTRN是什么

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2019-03-05 14:33:08

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ncp81074a這個(gè)mos管的驅(qū)動(dòng)看不太懂,為啥珊級(jí)要加兩個(gè)電阻,OUTL和OUTH不是是驅(qū)動(dòng)兩個(gè)mos管嗎?只用一個(gè)電阻不行嗎?
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2018-10-25 14:40:14

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2015-12-01 09:44:2488

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這些都是我感興趣的東西,這邊是關(guān)于:mos驅(qū)動(dòng)電路 ;希望大家有興趣的,有選擇性的下載!好好加油
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2017-06-09 16:20:1632380

ir2110驅(qū)動(dòng)mos管詳解

本文開(kāi)始介紹了mos管的定義與mos管主要參數(shù),其次對(duì)ir2110驅(qū)動(dòng)mos管進(jìn)行了介紹,其中包括H橋工作原理及驅(qū)動(dòng)分析、前級(jí)PWM信號(hào)和方向控制信號(hào)邏輯處理電路設(shè)計(jì)分析和IR2110介紹及懸浮驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析。
2018-03-04 14:20:0391910

MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻如何優(yōu)化設(shè)計(jì)

MOS管的驅(qū)動(dòng)對(duì)其工作效果起著決定性的作用。設(shè)計(jì)師既要考慮減少開(kāi)關(guān)損耗,又要求驅(qū)動(dòng)波形較好即振蕩小、過(guò)沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的,需要尋求一個(gè)平衡點(diǎn),即驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)。驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)包含兩部分內(nèi)容。
2018-03-12 19:08:5434799

如何設(shè)計(jì)MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻

本文詳細(xì)介紹了MOS管的電路模型、開(kāi)關(guān)過(guò)程、輸入輸出電容、等效電容、電荷存儲(chǔ)等對(duì)MOS驅(qū)動(dòng)波形的影響,及根據(jù)這些參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)波形的影響進(jìn)行的驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)例,取得了較好的實(shí)際效果。
2018-11-05 09:46:5224336

MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用

我們經(jīng)??吹?,在電源電路中,功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻,幾歐姆到幾十歐姆不等,那么這個(gè)電阻用什么作用呢? 如上圖開(kāi)關(guān)電源,G串聯(lián)電阻R13 這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用:限制G極電流,抑制
2020-03-13 11:24:259683

MOS參數(shù)的講解及驅(qū)動(dòng)電阻如何選擇的方法詳細(xì)說(shuō)明

在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等因素。
2020-04-08 08:00:0038

MOS驅(qū)動(dòng)電路_單片機(jī)如何驅(qū)動(dòng)MOS

MOS管相比三極管來(lái)講,具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻,在驅(qū)動(dòng)大功率的負(fù)載時(shí),發(fā)熱量就會(huì)小很多。MOS管的驅(qū)動(dòng)與三極管有一個(gè)比較大的區(qū)別,MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的元件,如果驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)不到要求,MOS就會(huì)不完全導(dǎo)通,內(nèi)阻變大而造成過(guò)熱。
2020-06-26 17:03:0083632

MOS筆記之外圍電路和緩沖電路設(shè)計(jì)

常用的mos驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后,經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos驅(qū)動(dòng)。其中Lk是驅(qū)動(dòng)回路的感抗,一般包含mos管引腳的感抗,PCB走線的感抗等。在現(xiàn)在很多的應(yīng)用中,用于
2020-10-21 09:32:1711851

MXNet深度學(xué)習(xí)計(jì)算平臺(tái)中文學(xué)習(xí)筆記免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是MXNet深度學(xué)習(xí)計(jì)算平臺(tái)中文學(xué)習(xí)筆記免費(fèi)下載。
2021-03-01 10:09:003

MOS驅(qū)動(dòng)電路的詳細(xì)總結(jié)

在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2021-03-02 16:07:00146

常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方式,驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)計(jì)算

在簡(jiǎn)單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后,如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。比如在實(shí)際的MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中,如何去根據(jù)需求搭建電路,計(jì)算參數(shù),根據(jù)特性完善電路,根據(jù)實(shí)際需求留余量等等
2021-05-15 10:01:4220408

計(jì)算機(jī)三級(jí)嵌入式學(xué)習(xí)筆記(一)

計(jì)算機(jī)三級(jí)嵌入式學(xué)習(xí)筆記(一)-- 嵌入式系統(tǒng)概論
2021-10-19 18:33:4614

計(jì)算機(jī)三級(jí)嵌入式學(xué)習(xí)筆記(三)

計(jì)算機(jī)三級(jí)嵌入式學(xué)習(xí)筆記(三)-- 嵌入式系統(tǒng)硬件組成
2021-10-20 16:06:0914

MOS管及其外圍電路設(shè)計(jì)

全文框架1.柵極驅(qū)動(dòng)部分常用的mos驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后,經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos驅(qū)動(dòng)。其中Lk是驅(qū)動(dòng)回路的感抗,一般包含mos管引腳的感抗,PCB走線的感抗等
2021-11-06 17:21:01277

MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用

我們經(jīng)??吹?,在電源電路中,功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻,幾歐姆到幾十歐姆不等,那么這個(gè)電阻用什么作用呢? 如上圖開(kāi)關(guān)電源,G串聯(lián)電阻R13這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用:限制G極電流,抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的,是以G級(jí)電流很小,但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?,在MO...
2021-11-07 12:50:5930

MOS管選型注重的參數(shù)及使用注意事項(xiàng)-KIA MOS

;4、?MOS管最大允許工作溫度–這要滿足系統(tǒng)指定的可靠性目標(biāo)。二、MOS管主要參數(shù)及使用在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等...
2021-11-09 13:51:0041

關(guān)于mos管柵極串接電阻的作用的研究

老規(guī)矩先放結(jié)論:與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如:驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻,柵極電阻降低了充電功率,延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度;結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-09 15:21:0019

學(xué)習(xí)筆記】單片機(jī)匯編學(xué)習(xí)

學(xué)習(xí)筆記】單片機(jī)匯編學(xué)習(xí)
2021-11-14 18:21:0015

學(xué)習(xí)筆記二.矩陣按鍵

#學(xué)習(xí)筆記二:GPIO的探索##1.在配置cubemx時(shí),對(duì)gpio的配置有開(kāi)漏輸出和推挽輸出兩種方式,###這里有一篇文章(別人的文章)講的很詳細(xì)link戳這里跳轉(zhuǎn)通俗來(lái)講,推挽輸出,可以輸出
2021-12-20 19:42:270

開(kāi)關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記MOS

二極管的管壓降0.5v左右,同樣也應(yīng)該可以測(cè)得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見(jiàn)的MOS驅(qū)動(dòng)電路(1)二極管D1的作用是什么?二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開(kāi)快關(guān)
2022-01-11 12:41:474

MOS驅(qū)動(dòng)電路分析

  Mos驅(qū)動(dòng)有多種方式,有專用驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng),也有用其他的器件搭建的驅(qū)動(dòng),下面就講解下目前比較流行的幾種驅(qū)動(dòng)方式。最簡(jiǎn)單的方式就是電源管理芯片直接驅(qū)動(dòng),電源芯片都是有直接驅(qū)動(dòng)MOS管的能力
2022-04-11 15:51:4611

MOS驅(qū)動(dòng)電路功率損耗的計(jì)算方法

詳解MOS驅(qū)動(dòng)電路功率損耗的構(gòu)成以及計(jì)算方法
2022-04-13 08:35:0030914

MOS管柵源下拉電阻的作用 MOS管被擊穿的原因及解決方法

MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件,對(duì)電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通,外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電,這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。 在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn),很多就因?yàn)檫@樣爆管,G接個(gè)下拉電阻對(duì)地,旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了,一般可以10~20K。這個(gè)電阻稱為柵極電阻。
2022-10-12 09:21:106092

功率mos管的關(guān)鍵參數(shù)

因此在功率 mos 管中,電源在源極和漏極端子之間的柵極區(qū)域下方垂直流過(guò)多個(gè)并聯(lián)的n+源極,因此功率mos管在導(dǎo)通狀態(tài) RDS(ON) 提供的電阻遠(yuǎn)低于普通 mos 管的電阻,這使得它們能夠處理高電流。
2023-01-10 14:07:044258

Mos開(kāi)關(guān)原理 Mos損壞主要原因

Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓,源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為Mos內(nèi)阻,就是導(dǎo)通電阻。
2023-02-07 09:46:113624

MOS驅(qū)動(dòng)電阻并聯(lián)二極管的作用

今天學(xué)習(xí)LED開(kāi)關(guān)電源里面一個(gè)細(xì)節(jié):MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻為啥要并聯(lián)一個(gè)二極管。
2023-07-04 11:03:5113596

MOS管的各關(guān)鍵參數(shù)計(jì)算

= 116V,若轉(zhuǎn)換效率為85%,則實(shí)際的VP=VPP/85%=136V,因VN=-136V,則VDS≥136*2=272V; 2)計(jì)算ID P=I*I*R,算的I=10.3A;所以MOS選擇要VDS≥272V;ID>10.3
2023-07-25 12:47:5312798

MOS學(xué)習(xí)筆記-模型及工作原理

最近在公司做電動(dòng)車控制器壞機(jī)解析的工作中碰到了一些MOS損壞的機(jī)子。在以前的工作中雖然對(duì)MOS有一些應(yīng)用,但是其中的工作原理還沒(méi)有仔細(xì)的學(xué)習(xí)過(guò),希望能通過(guò)學(xué)習(xí)能對(duì)它有更深的理解同時(shí)也便于我的解析工作。
2023-10-16 15:18:372693

數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)學(xué)習(xí)筆記

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)學(xué)習(xí)筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-05 17:28:351

氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎?

滿足其特殊的要求。 GaN MOS管具有較大的開(kāi)關(guān)速度和較低的導(dǎo)通電阻,使其能夠高效地工作于高頻和高功率條件下。這使得它們?cè)谠S多領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用,例如電力轉(zhuǎn)換器、無(wú)線通信、雷達(dá)系統(tǒng)等。 然而,由于GaN MOS管的工作特性較為特殊,普通的驅(qū)動(dòng)芯片往
2023-11-22 16:27:583222

氮化鎵mos驅(qū)動(dòng)方法

氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì),合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化鎵
2024-01-10 09:29:025949

mos驅(qū)動(dòng)芯片需關(guān)注的參數(shù)有哪些

MOS驅(qū)動(dòng)芯片是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的集成電路,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明等領(lǐng)域。在設(shè)計(jì)和選擇MOS驅(qū)動(dòng)芯片時(shí),需要關(guān)注以下幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù): 輸入電壓
2024-07-14 10:50:462031

MOS需關(guān)注哪些參數(shù)?

MOS是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的集成電路,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明等領(lǐng)域。在設(shè)計(jì)和選擇MOS驅(qū)動(dòng)芯片時(shí),需要關(guān)注以下幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù): 1. 輸入電壓
2024-07-22 09:16:381247

MOS驅(qū)動(dòng)電阻大小的影響

MOS驅(qū)動(dòng)電阻的大小對(duì)其工作性能有著顯著的影響,這些影響涉及開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個(gè)電路的性能表現(xiàn)。以下是對(duì)MOS驅(qū)動(dòng)電阻大小影響的詳細(xì)探討。
2024-07-23 11:47:437106

MOS驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法

MOS驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法主要涉及到對(duì)驅(qū)動(dòng)電路中電阻值的測(cè)量,以確保其符合設(shè)計(jì)要求,從而保障MOS管的正常工作。簡(jiǎn)單介紹幾種常見(jiàn)的測(cè)試方法,并給出相應(yīng)的步驟和注意事項(xiàng)。
2024-07-23 11:49:043499

mos參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。 一、MOS參數(shù)
2024-09-18 10:33:258535

mos驅(qū)動(dòng)電阻如何選擇計(jì)算

MOS驅(qū)動(dòng)電阻的選擇和計(jì)算是MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的重要環(huán)節(jié),它直接影響到MOSFET的開(kāi)關(guān)性能、穩(wěn)定性和效率。以下是對(duì)MOS驅(qū)動(dòng)電阻選擇和計(jì)算方法的解答: 一、驅(qū)動(dòng)電阻的作用 在MOSFET
2024-09-18 10:36:365191

MOS驅(qū)動(dòng)電路有幾種,看這個(gè)就夠了!

,應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,因?yàn)椴煌酒?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。②了解MOS管的寄生電容,如圖C1、C2的值,這
2025-02-11 10:39:401780

MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)

MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)的詳細(xì)分析: 一、MOS管的功耗計(jì)算 MOS管的功耗主要包括驅(qū)動(dòng)損耗、開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
2025-03-27 14:57:231518

如何準(zhǔn)確計(jì)算 MOS驅(qū)動(dòng)電流?

驅(qū)動(dòng)電流是指用于控制MOS管開(kāi)關(guān)過(guò)程的電流。在MOS管的驅(qū)動(dòng)過(guò)程中,需要將足夠的電荷注入或抽出MOS管的柵極,以改變MOS管的導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)電流的大小與MOS管的輸入電容、開(kāi)關(guān)速度以及應(yīng)用中所需的切換速度等因素有關(guān)。較大的驅(qū)動(dòng)電流通??梢蕴岣?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的開(kāi)關(guān)速度。
2025-05-08 17:39:423453

mos管并聯(lián)后共用驅(qū)動(dòng)電阻

多管并聯(lián)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,驅(qū)動(dòng)電阻配置對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行效率和可靠性至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)電阻的大小決定了開(kāi)關(guān)速度、功率損耗和電磁干擾等核心性能的平衡關(guān)系。采用單一驅(qū)動(dòng)電阻方案具有集約化優(yōu)勢(shì),但同時(shí)需考慮共用驅(qū)動(dòng)電阻帶來(lái)的寄生參數(shù)疊加效應(yīng)。
2025-06-20 09:22:00944

mos管柵極串聯(lián)電阻

本文探討了柵極串聯(lián)電阻MOS管設(shè)計(jì)中的重要作用,指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外,文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的重要性,提出R=√(L/(C·k))公式作為起點(diǎn),但實(shí)際設(shè)計(jì)中還需考慮驅(qū)動(dòng)芯片的輸出阻抗。
2025-06-27 09:13:00937

MOS管的連續(xù)電流ID計(jì)算示例

在電子電路的設(shè)計(jì)中,MOS管是一種極為重要的分立器件,它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。而在MOS管的規(guī)格書(shū)中,連續(xù)電流ID這個(gè)參數(shù)備受關(guān)注。那么,MOS的規(guī)格書(shū)上的連續(xù)電流ID究竟是怎么計(jì)算出來(lái)的呢?今天我們就來(lái)解析其背后的計(jì)算邏輯。
2025-09-22 11:04:371141

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