講解MOS管驅(qū)動(dòng)電路，包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路
2017-08-01 18:09:47
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對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開(kāi)通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
2022-11-08 15:42:187453 
mos管因?yàn)閮?nèi)阻低，開(kāi)發(fā)速度低被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電路中。mos管往往根據(jù)電源IC和mos管的參數(shù)選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-12-12 09:18:3911074 常用的mos管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后，經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。其中Lk是驅(qū)動(dòng)回路的感抗，一般包含mos管引腳的感抗，PCB走線的感抗等。在現(xiàn)在很多的應(yīng)用中，用于
2023-06-19 09:26:396537 
對(duì)于小功率電源（50W以內(nèi)）MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開(kāi)通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
2023-06-19 10:41:335562 
在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們?cè)跍y(cè)得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:268622 
MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)（規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:553731 
極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過(guò)程當(dāng)中，任何情況下都不能超過(guò)下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。
2023-09-24 11:47:4714965 
MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來(lái)看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。
2023-09-27 10:12:493385 
前言上周末，在調(diào)試無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的時(shí)候總是莫名其妙的炸管，心態(tài)都搞沒(méi)了，實(shí)在沒(méi)辦法了只好在CSDN和B站大學(xué)重新學(xué)習(xí)了相關(guān)理論知識(shí)，以下是筆者學(xué)習(xí)筆記，僅供參考，如有錯(cuò)誤歡迎大家批評(píng)指正。MOS的實(shí)際
2025-05-19 19:33:341419 
MOS的參數(shù)選擇以及導(dǎo)通速度的計(jì)算
根據(jù)MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的導(dǎo)通速度，這個(gè)方法對(duì)不對(duì)？
有沒(méi)有相近的NMOS推薦！VDS≥60V，ID≥15A，導(dǎo)通內(nèi)阻≤20m
2023-06-03 09:35:35
在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者逆變器時(shí)，我們經(jīng)常需要用到MOS管，可是有些朋友對(duì)于如何選取MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻不太熟悉，今天本人就分享一份來(lái)自網(wǎng)絡(luò)資源的資料，希望對(duì)大家有所幫助。
2018-07-11 22:37:16
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2011-11-07 15:56:56
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因?yàn)榫€性區(qū)的ID電流較大，同時(shí)RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊(cè)，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級(jí)別的，這個(gè)也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢？
2018-10-25 11:14:39
我一直想搞清楚MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算，在只知道驅(qū)動(dòng)MOS管芯片的輸出的驅(qū)動(dòng)電壓，MOS管的規(guī)格書(shū)手冊(cè)，驅(qū)動(dòng)頻率的條件下，能夠計(jì)算出MOS管的功耗大小。這樣我們?cè)谠韴D設(shè)計(jì)階段的時(shí)候，就能夠判斷散熱
2025-03-31 10:34:07
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個(gè)小電阻，我想問(wèn)為什么電阻可以抑制振蕩？請(qǐng)眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)。gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)。一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)?！ ?.導(dǎo)通電阻RON 導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明
2018-11-20 14:06:31
MOS管因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。而MOS管的驅(qū)動(dòng)常常根據(jù)電源IC和MOS管的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大
2022-01-03 06:54:52
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
；4、?MOS管最大允許工作溫度–這要滿足系統(tǒng)指定的可靠性目標(biāo)。二、MOS管主要參數(shù)及使用在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等...
2021-11-16 09:06:09
:100V這些參數(shù)分別指的是什么意思？謝謝用mos做高端驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極電壓要大于源極電壓4-10v。那是不是如果源極電壓為50v，那么柵極電壓就要54-60v嗎？這柵極電壓沒(méi)有什么最大電壓限制嗎？大家?guī)蛶臀疫@菜鳥(niǎo)，謝謝！
2015-07-11 23:32:30
三極管選型要看功率結(jié)合進(jìn)行選型，那么MOS管需要結(jié)合功率選型嗎？看了很多MOS管選型，就是考慮VDS ，VGS， 等效電阻，損耗，結(jié)溫，就是沒(méi)有考慮MOS管的功率，請(qǐng)問(wèn)MOS選型是不是可以自動(dòng)忽略功率這項(xiàng)參數(shù)，我用的是AO3400驅(qū)動(dòng)150mA的電機(jī)。有老哥知道不，請(qǐng)解答下。
2020-11-27 22:58:39
、最大漏極電流（ID）：這是MOS管在正常工作條件下能連續(xù)通過(guò)的最大電流。確保所選MOS管的ID大于電路中預(yù)期的最大電流。
3、導(dǎo)通電阻（RDSQ（on)）：當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通時(shí)，漏極和源極之間的電阻
2025-11-20 08:26:30
LT1910高端MOS管驅(qū)動(dòng)IC具有哪些參數(shù)應(yīng)用？
2021-11-03 06:11:06
UC3843B外圍電阻、電容參數(shù)計(jì)算
1.UC3843B COMP腳1個(gè)電阻的取值,如何計(jì)算這個(gè)電阻值？
2.VFB引腳（2腳）：PWM比較器的非反相輸入端，用于接收反饋電壓信號(hào)。當(dāng)反饋電壓與內(nèi)部
2023-06-08 13:57:41
fixure為什么不能調(diào)用低級(jí)別的fixure？pytest.mark.usefixure注解在類上面和寫(xiě)在方法入?yún)⒗锩嬗惺裁床顒e？pytest學(xué)習(xí)筆記匯總
2020-11-04 09:23:40
計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況下，MOS管并不是理想的器件，因?yàn)樵趯?dǎo)電過(guò)程中會(huì)有電能損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOS管在"導(dǎo)通"時(shí)就像一個(gè)可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度
2013-10-29 17:27:29
關(guān)于mos管漏極電流id的計(jì)算，能夠找到的例子非常少，問(wèn)的人也更加少，就是這個(gè)id電流計(jì)算有一個(gè)未知參數(shù)kn，這個(gè)參數(shù)在平常我們選擇哪個(gè)信號(hào)的管子就需要去查看這個(gè)管子的電子文檔資料datasheet
2018-05-28 18:59:27
在應(yīng)用筆記AN-639_CN中提到對(duì)負(fù)載電阻Rb的計(jì)算方法，請(qǐng)問(wèn)其中的CTRN是什么來(lái)的？是與電流互感器有關(guān)的參數(shù)嗎？是定值5750嗎？還是在文檔里暫取了5750這個(gè)值
2023-12-27 07:32:47
如何計(jì)算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
開(kāi)關(guān)MOS的損耗如何計(jì)算？
2021-03-02 08:36:47
MOS管的參數(shù)如何查看，以及如何修改參數(shù)，如寬長(zhǎng)比？ORCAD謝謝
2013-05-12 12:41:29
怎樣去計(jì)算MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)電流呢？如何對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試呢？
2021-09-28 07:36:15
揭秘mos管和mos管驅(qū)動(dòng)電路之間的聯(lián)系 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許
2018-12-03 14:43:36
求大佬分享MatLab的學(xué)習(xí)筆記
2021-11-19 07:00:04
參考文檔金升陽(yáng)應(yīng)用筆記電源參數(shù)的計(jì)算方式1、輸出電壓精度 =
2021-12-31 06:04:17
轉(zhuǎn)貼在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為
2017-12-05 09:32:00
Rg具體會(huì)影響到那些參數(shù)？我個(gè)人的理解是①這個(gè)電阻對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)頻率有關(guān)，決定了對(duì)mos管的輸入輸出電容的充放電時(shí)間②匹配集成驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)能力，電阻越到，集成驅(qū)動(dòng)所需的最大驅(qū)動(dòng)電流也就越小。大家有什么看法，請(qǐng)教一下
2017-06-05 11:28:22
在應(yīng)用筆記AN-639_CN中提到對(duì)負(fù)載電阻Rb的計(jì)算方法，請(qǐng)問(wèn)其中的CTRN是什么來(lái)的？是與電流互感器有關(guān)的參數(shù)嗎？是定值5750嗎？還是在文檔里暫取了5750這個(gè)值
2019-03-05 14:33:08
ncp81074a這個(gè)mos管的驅(qū)動(dòng)看不太懂，為啥珊級(jí)要加兩個(gè)電阻，OUTL和OUTH不是是驅(qū)動(dòng)兩個(gè)mos管嗎？只用一個(gè)電阻不行嗎？
2020-08-10 10:34:51
按照教程設(shè)計(jì)的變壓器 初級(jí)感量為什么這么大？是否計(jì)算有錯(cuò)誤另外測(cè)試磁芯是否飽和 除了用示波器測(cè)量mos管 DS回路中串接的采樣電阻上是否出現(xiàn)拐點(diǎn)之外 還有沒(méi)有別的方法。謝謝！下面附上我計(jì)算的變壓器參數(shù)。
2018-10-25 14:40:14
二極管上面流過(guò)，然后與R1串聯(lián)放電，這樣等減小了驅(qū)動(dòng)電阻，讓MOS管快速的關(guān)斷，減小了關(guān)斷損耗，這一個(gè)電路中，一般R1與R4的電阻參數(shù)的匹配，一般R1要小于R4，比如R1 是22Ω，R4是47Ω的參數(shù)
2021-06-28 16:44:51
1.MOS管驅(qū)動(dòng)基礎(chǔ)和時(shí)間功耗計(jì)算 2.MOS管驅(qū)動(dòng)直連驅(qū)動(dòng)電路分析和應(yīng)用 3.MOS管驅(qū)動(dòng)變壓器隔離電路分析和應(yīng)用 4.MOS管網(wǎng)上搜集到的電路學(xué)習(xí)和分析 今天主要分析MOS管驅(qū)動(dòng)變壓器隔離電路分
2012-10-26 14:20:5715848 
這些都是我感興趣的東西，這邊是關(guān)于：mos驅(qū)動(dòng)電路 ；希望大家有興趣的，有選擇性的下載！好好加油
2015-12-01 09:44:24
88 這些都是我感興趣的東西，這邊是關(guān)于：mos驅(qū)動(dòng)電路 ；希望大家有興趣的，有選擇性的下載！好好加油
2015-12-01 09:44:1593 MOS管工作原理及其驅(qū)動(dòng)電路，很好的資料學(xué)習(xí)。快來(lái)下載學(xué)習(xí)吧
2016-01-13 14:47:140 MOS管參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇，很好的資料學(xué)習(xí)。快來(lái)下載學(xué)習(xí)吧
2016-01-13 14:47:410 文章介紹了MOS管柵極電阻會(huì)影響開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)的損耗，應(yīng)該選用多大阻值的呢？
2016-05-06 16:57:5345 的優(yōu)化設(shè)計(jì)包含兩部分內(nèi)容：一是最優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電流、電壓的波形；二是最優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電壓、電流的大小。在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)之前，必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開(kāi)關(guān)過(guò)程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)的影響
2017-06-09 16:20:1632380 
本文開(kāi)始介紹了mos管的定義與mos管主要參數(shù)，其次對(duì)ir2110驅(qū)動(dòng)mos管進(jìn)行了介紹，其中包括H橋工作原理及驅(qū)動(dòng)分析、前級(jí)PWM信號(hào)和方向控制信號(hào)邏輯處理電路設(shè)計(jì)分析和IR2110介紹及懸浮驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析。
2018-03-04 14:20:0391910 MOS管的驅(qū)動(dòng)對(duì)其工作效果起著決定性的作用。設(shè)計(jì)師既要考慮減少開(kāi)關(guān)損耗，又要求驅(qū)動(dòng)波形較好即振蕩小、過(guò)沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求一個(gè)平衡點(diǎn)，即驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)。驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)包含兩部分內(nèi)容。
2018-03-12 19:08:5434799 
本文詳細(xì)介紹了MOS管的電路模型、開(kāi)關(guān)過(guò)程、輸入輸出電容、等效電容、電荷存儲(chǔ)等對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)波形的影響，及根據(jù)這些參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)波形的影響進(jìn)行的驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)例，取得了較好的實(shí)際效果。
2018-11-05 09:46:5224336 
我們經(jīng)?？吹?，在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？ 如上圖開(kāi)關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13 這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制
2020-03-13 11:24:259683 
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。
2020-04-08 08:00:0038 MOS管相比三極管來(lái)講，具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻，在驅(qū)動(dòng)大功率的負(fù)載時(shí)，發(fā)熱量就會(huì)小很多。MOS管的驅(qū)動(dòng)與三極管有一個(gè)比較大的區(qū)別，MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的元件，如果驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)不到要求，MOS就會(huì)不完全導(dǎo)通，內(nèi)阻變大而造成過(guò)熱。
2020-06-26 17:03:0083632 
常用的mos管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后，經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。其中Lk是驅(qū)動(dòng)回路的感抗，一般包含mos管引腳的感抗，PCB走線的感抗等。在現(xiàn)在很多的應(yīng)用中，用于
2020-10-21 09:32:1711851 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是MXNet深度學(xué)習(xí)計(jì)算平臺(tái)中文學(xué)習(xí)筆記免費(fèi)下載。
2021-03-01 10:09:003 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2021-03-02 16:07:00146 在簡(jiǎn)單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后，如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。比如在實(shí)際的MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中，如何去根據(jù)需求搭建電路，計(jì)算參數(shù)，根據(jù)特性完善電路，根據(jù)實(shí)際需求留余量等等
2021-05-15 10:01:4220408 
計(jì)算機(jī)三級(jí)嵌入式學(xué)習(xí)筆記（一）-- 嵌入式系統(tǒng)概論
2021-10-19 18:33:4614 計(jì)算機(jī)三級(jí)嵌入式學(xué)習(xí)筆記（三）-- 嵌入式系統(tǒng)硬件組成
2021-10-20 16:06:0914 全文框架1.柵極驅(qū)動(dòng)部分常用的mos管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后，經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。其中Lk是驅(qū)動(dòng)回路的感抗，一般包含mos管引腳的感抗，PCB走線的感抗等
2021-11-06 17:21:01277 我們經(jīng)?？吹?，在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？ 如上圖開(kāi)關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的，是以G級(jí)電流很小，但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，在MO...
2021-11-07 12:50:5930 ；4、?MOS管最大允許工作溫度–這要滿足系統(tǒng)指定的可靠性目標(biāo)。二、MOS管主要參數(shù)及使用在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等...
2021-11-09 13:51:0041 老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-09 15:21:0019 【學(xué)習(xí)筆記】單片機(jī)匯編學(xué)習(xí)
2021-11-14 18:21:0015 #學(xué)習(xí)筆記二：GPIO的探索##1.在配置cubemx時(shí)，對(duì)gpio的配置有開(kāi)漏輸出和推挽輸出兩種方式，###這里有一篇文章（別人的文章）講的很詳細(xì)link戳這里跳轉(zhuǎn)通俗來(lái)講，推挽輸出，可以輸出
2021-12-20 19:42:270 二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應(yīng)該可以測(cè)得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開(kāi)快關(guān)
2022-01-11 12:41:474 Mos管驅(qū)動(dòng)有多種方式，有專用驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)，也有用其他的器件搭建的驅(qū)動(dòng)，下面就講解下目前比較流行的幾種驅(qū)動(dòng)方式。最簡(jiǎn)單的方式就是電源管理芯片直接驅(qū)動(dòng)，電源芯片都是有直接驅(qū)動(dòng)MOS管的能力
2022-04-11 15:51:4611 詳解MOS驅(qū)動(dòng)電路功率損耗的構(gòu)成以及計(jì)算方法
2022-04-13 08:35:0030914 
MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。 在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn)，很多就因?yàn)檫@樣爆管，G接個(gè)下拉電阻對(duì)地，旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了，一般可以10~20K。這個(gè)電阻稱為柵極電阻。
2022-10-12 09:21:106092 因此在功率 mos 管中，電源在源極和漏極端子之間的柵極區(qū)域下方垂直流過(guò)多個(gè)并聯(lián)的n+源極，因此功率mos管在導(dǎo)通狀態(tài) RDS(ON) 提供的電阻遠(yuǎn)低于普通 mos 管的電阻，這使得它們能夠處理高電流。
2023-01-10 14:07:044258 Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為Mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。
2023-02-07 09:46:113624 今天學(xué)習(xí)LED開(kāi)關(guān)電源里面一個(gè)細(xì)節(jié)：MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻為啥要并聯(lián)一個(gè)二極管。
2023-07-04 11:03:5113596 
= 116V，若轉(zhuǎn)換效率為85%，則實(shí)際的VP=VPP/85%=136V，因VN=-136V，則VDS≥136*2=272V； 2）計(jì)算ID P=I*I*R,算的I=10.3A；所以MOS選擇要VDS≥272V;ID>10.3
2023-07-25 12:47:5312798 
最近在公司做電動(dòng)車控制器壞機(jī)解析的工作中碰到了一些MOS損壞的機(jī)子。在以前的工作中雖然對(duì)MOS有一些應(yīng)用，但是其中的工作原理還沒(méi)有仔細(xì)的學(xué)習(xí)過(guò)，希望能通過(guò)學(xué)習(xí)能對(duì)它有更深的理解同時(shí)也便于我的解析工作。
2023-10-16 15:18:372693 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)學(xué)習(xí)筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-05 17:28:351 滿足其特殊的要求。 GaN MOS管具有較大的開(kāi)關(guān)速度和較低的導(dǎo)通電阻，使其能夠高效地工作于高頻和高功率條件下。這使得它們?cè)谠S多領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用，例如電力轉(zhuǎn)換器、無(wú)線通信、雷達(dá)系統(tǒng)等。 然而，由于GaN MOS管的工作特性較為特殊，普通的驅(qū)動(dòng)芯片往
2023-11-22 16:27:583222 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì)，合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化鎵
2024-01-10 09:29:025949 MOS驅(qū)動(dòng)芯片是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的集成電路，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明等領(lǐng)域。在設(shè)計(jì)和選擇MOS驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，需要關(guān)注以下幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)： 輸入電壓
2024-07-14 10:50:462031 MOS是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的集成電路，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明等領(lǐng)域。在設(shè)計(jì)和選擇MOS驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，需要關(guān)注以下幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)： 1. 輸入電壓
2024-07-22 09:16:381247 MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的大小對(duì)其工作性能有著顯著的影響，這些影響涉及開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個(gè)電路的性能表現(xiàn)。以下是對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)電阻大小影響的詳細(xì)探討。
2024-07-23 11:47:437106 MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法主要涉及到對(duì)驅(qū)動(dòng)電路中電阻值的測(cè)量，以確保其符合設(shè)計(jì)要求，從而保障MOS管的正常工作。簡(jiǎn)單介紹幾種常見(jiàn)的測(cè)試方法，并給出相應(yīng)的步驟和注意事項(xiàng)。
2024-07-23 11:49:043499 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。 一、MOS管參數(shù)
2024-09-18 10:33:258535 MOS驅(qū)動(dòng)電阻的選擇和計(jì)算是MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的重要環(huán)節(jié)，它直接影響到MOSFET的開(kāi)關(guān)性能、穩(wěn)定性和效率。以下是對(duì)MOS驅(qū)動(dòng)電阻選擇和計(jì)算方法的解答： 一、驅(qū)動(dòng)電阻的作用 在MOSFET
2024-09-18 10:36:365191 ，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這
2025-02-11 10:39:401780 
MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)的詳細(xì)分析： 一、MOS管的功耗計(jì)算 MOS管的功耗主要包括驅(qū)動(dòng)損耗、開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
2025-03-27 14:57:231518 
驅(qū)動(dòng)電流是指用于控制MOS管開(kāi)關(guān)過(guò)程的電流。在MOS管的驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，需要將足夠的電荷注入或抽出MOS管的柵極，以改變MOS管的導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)電流的大小與MOS管的輸入電容、開(kāi)關(guān)速度以及應(yīng)用中所需的切換速度等因素有關(guān)。較大的驅(qū)動(dòng)電流通?？梢蕴岣?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的開(kāi)關(guān)速度。
2025-05-08 17:39:423453 
多管并聯(lián)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，驅(qū)動(dòng)電阻配置對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行效率和可靠性至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)電阻的大小決定了開(kāi)關(guān)速度、功率損耗和電磁干擾等核心性能的平衡關(guān)系。采用單一驅(qū)動(dòng)電阻方案具有集約化優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)需考慮共用驅(qū)動(dòng)電阻帶來(lái)的寄生參數(shù)疊加效應(yīng)。
2025-06-20 09:22:00944 
本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設(shè)計(jì)中的重要作用，指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外，文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的重要性，提出R=√(L/(C·k))公式作為起點(diǎn)，但實(shí)際設(shè)計(jì)中還需考慮驅(qū)動(dòng)芯片的輸出阻抗。
2025-06-27 09:13:00937 
在電子電路的設(shè)計(jì)中，MOS管是一種極為重要的分立器件，它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。而在MOS管的規(guī)格書(shū)中，連續(xù)電流ID這個(gè)參數(shù)備受關(guān)注。那么，MOS的規(guī)格書(shū)上的連續(xù)電流ID究竟是怎么計(jì)算出來(lái)的呢?今天我們就來(lái)解析其背后的計(jì)算邏輯。
2025-09-22 11:04:371141 
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