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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動電阻參數(shù)計算

MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動電阻參數(shù)計算

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:100V這些參數(shù)分別指的是什么意思?謝謝用mos做高端驅(qū)動時柵極電壓要大于源極電壓4-10v。那是不是如果源極電壓為50v,那么柵極電壓就要54-60v嗎?這柵極電壓沒有什么最大電壓限制嗎?大家?guī)蛶臀疫@菜鳥,謝謝!
2015-07-11 23:32:30

mos管規(guī)格書里面關(guān)于功率這個參數(shù)有個疑問請教

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2020-11-27 22:58:39

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計算機(jī)三級嵌入式學(xué)習(xí)筆記(一)-- 嵌入式系統(tǒng)概論
2021-10-19 18:33:4614

計算機(jī)三級嵌入式學(xué)習(xí)筆記(三)

計算機(jī)三級嵌入式學(xué)習(xí)筆記(三)-- 嵌入式系統(tǒng)硬件組成
2021-10-20 16:06:0914

MOS管及其外圍電路設(shè)計

全文框架1.柵極驅(qū)動部分常用的mos驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給mos驅(qū)動。其中Lk是驅(qū)動回路的感抗,一般包含mos管引腳的感抗,PCB走線的感抗等
2021-11-06 17:21:01277

MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用

我們經(jīng)常看到,在電源電路中,功率MOS管的G極經(jīng)常會串聯(lián)一個小電阻,幾歐姆到幾十歐姆不等,那么這個電阻用什么作用呢? 如上圖開關(guān)電源,G串聯(lián)電阻R13這個電阻的作用有2個作用:限制G極電流,抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅(qū)動的,是以G級電流很小,但是因為寄生電容的存在,在MO...
2021-11-07 12:50:5930

MOS管選型注重的參數(shù)及使用注意事項-KIA MOS

;4、?MOS管最大允許工作溫度–這要滿足系統(tǒng)指定的可靠性目標(biāo)。二、MOS管主要參數(shù)及使用在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候,一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等...
2021-11-09 13:51:0041

關(guān)于mos管柵極串接電阻的作用的研究

老規(guī)矩先放結(jié)論:與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如:驅(qū)動電路電壓源為mos結(jié)電容充電時經(jīng)過柵極電阻,柵極電阻降低了充電功率,延長了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開啟電壓的速度;結(jié)電容放電時經(jīng)
2021-11-09 15:21:0019

學(xué)習(xí)筆記】單片機(jī)匯編學(xué)習(xí)

學(xué)習(xí)筆記】單片機(jī)匯編學(xué)習(xí)
2021-11-14 18:21:0015

學(xué)習(xí)筆記二.矩陣按鍵

#學(xué)習(xí)筆記二:GPIO的探索##1.在配置cubemx時,對gpio的配置有開漏輸出和推挽輸出兩種方式,###這里有一篇文章(別人的文章)講的很詳細(xì)link戳這里跳轉(zhuǎn)通俗來講,推挽輸出,可以輸出
2021-12-20 19:42:270

開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記MOS

二極管的管壓降0.5v左右,同樣也應(yīng)該可以測得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS驅(qū)動電路分析下面是常見的MOS驅(qū)動電路(1)二極管D1的作用是什么?二極管D1在驅(qū)動信號是低電平時起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動電路中需要加此二極管起到“慢開快關(guān)
2022-01-11 12:41:474

MOS驅(qū)動電路分析

  Mos驅(qū)動有多種方式,有專用驅(qū)動芯片驅(qū)動,也有用其他的器件搭建的驅(qū)動,下面就講解下目前比較流行的幾種驅(qū)動方式。最簡單的方式就是電源管理芯片直接驅(qū)動,電源芯片都是有直接驅(qū)動MOS管的能力
2022-04-11 15:51:4611

MOS驅(qū)動電路功率損耗的計算方法

詳解MOS驅(qū)動電路功率損耗的構(gòu)成以及計算方法
2022-04-13 08:35:0030914

MOS管柵源下拉電阻的作用 MOS管被擊穿的原因及解決方法

MOS是電壓驅(qū)動元件,對電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通,外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電,這個微小的電荷可以儲存很長時間。 在試驗中G懸空很危險,很多就因為這樣爆管,G接個下拉電阻對地,旁路干擾信號就不會直通了,一般可以10~20K。這個電阻稱為柵極電阻
2022-10-12 09:21:106092

功率mos管的關(guān)鍵參數(shù)

因此在功率 mos 管中,電源在源極和漏極端子之間的柵極區(qū)域下方垂直流過多個并聯(lián)的n+源極,因此功率mos管在導(dǎo)通狀態(tài) RDS(ON) 提供的電阻遠(yuǎn)低于普通 mos 管的電阻,這使得它們能夠處理高電流。
2023-01-10 14:07:044258

Mos開關(guān)原理 Mos損壞主要原因

Mos是電壓驅(qū)動型器件,只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓,源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為Mos內(nèi)阻,就是導(dǎo)通電阻。
2023-02-07 09:46:113624

MOS驅(qū)動電阻并聯(lián)二極管的作用

今天學(xué)習(xí)LED開關(guān)電源里面一個細(xì)節(jié):MOS管的驅(qū)動電阻為啥要并聯(lián)一個二極管。
2023-07-04 11:03:5113596

MOS管的各關(guān)鍵參數(shù)計算

= 116V,若轉(zhuǎn)換效率為85%,則實際的VP=VPP/85%=136V,因VN=-136V,則VDS≥136*2=272V; 2)計算ID P=I*I*R,算的I=10.3A;所以MOS選擇要VDS≥272V;ID>10.3
2023-07-25 12:47:5312798

MOS學(xué)習(xí)筆記-模型及工作原理

最近在公司做電動車控制器壞機(jī)解析的工作中碰到了一些MOS損壞的機(jī)子。在以前的工作中雖然對MOS有一些應(yīng)用,但是其中的工作原理還沒有仔細(xì)的學(xué)習(xí)過,希望能通過學(xué)習(xí)能對它有更深的理解同時也便于我的解析工作。
2023-10-16 15:18:372693

數(shù)碼管驅(qū)動學(xué)習(xí)筆記

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《數(shù)碼管驅(qū)動學(xué)習(xí)筆記.pdf》資料免費下載
2023-11-05 17:28:351

氮化鎵mos管普通的驅(qū)動芯片可以驅(qū)動嗎?

滿足其特殊的要求。 GaN MOS管具有較大的開關(guān)速度和較低的導(dǎo)通電阻,使其能夠高效地工作于高頻和高功率條件下。這使得它們在許多領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用,例如電力轉(zhuǎn)換器、無線通信、雷達(dá)系統(tǒng)等。 然而,由于GaN MOS管的工作特性較為特殊,普通的驅(qū)動芯片往
2023-11-22 16:27:583222

氮化鎵mos驅(qū)動方法

氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點,逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢,合理的驅(qū)動方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化鎵
2024-01-10 09:29:025949

mos驅(qū)動芯片需關(guān)注的參數(shù)有哪些

MOS驅(qū)動芯片是一種用于驅(qū)動MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的集成電路,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、LED照明等領(lǐng)域。在設(shè)計和選擇MOS驅(qū)動芯片時,需要關(guān)注以下幾個關(guān)鍵參數(shù): 輸入電壓
2024-07-14 10:50:462031

MOS需關(guān)注哪些參數(shù)?

MOS是一種用于驅(qū)動MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的集成電路,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、LED照明等領(lǐng)域。在設(shè)計和選擇MOS驅(qū)動芯片時,需要關(guān)注以下幾個關(guān)鍵參數(shù): 1. 輸入電壓
2024-07-22 09:16:381247

MOS驅(qū)動電阻大小的影響

MOS驅(qū)動電阻的大小對其工作性能有著顯著的影響,這些影響涉及開關(guān)速度、開關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個電路的性能表現(xiàn)。以下是對MOS驅(qū)動電阻大小影響的詳細(xì)探討。
2024-07-23 11:47:437106

MOS驅(qū)動電阻的測試方法

MOS驅(qū)動電阻的測試方法主要涉及到對驅(qū)動電路中電阻值的測量,以確保其符合設(shè)計要求,從而保障MOS管的正常工作。簡單介紹幾種常見的測試方法,并給出相應(yīng)的步驟和注意事項。
2024-07-23 11:49:043499

mos參數(shù)詳解及驅(qū)動電阻選擇

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。 一、MOS參數(shù)
2024-09-18 10:33:258535

mos驅(qū)動電阻如何選擇計算

MOS驅(qū)動電阻的選擇和計算是MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計中的重要環(huán)節(jié),它直接影響到MOSFET的開關(guān)性能、穩(wěn)定性和效率。以下是對MOS驅(qū)動電阻選擇和計算方法的解答: 一、驅(qū)動電阻的作用 在MOSFET
2024-09-18 10:36:365191

MOS驅(qū)動電路有幾種,看這個就夠了!

,應(yīng)該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊的最大驅(qū)動峰值電流,因為不同芯片,驅(qū)動能力很多時候是不一樣的。②了解MOS管的寄生電容,如圖C1、C2的值,這
2025-02-11 10:39:401780

MOS管的功耗計算與散熱設(shè)計要點

MOS管的功耗計算與散熱設(shè)計是確保其穩(wěn)定工作和延長使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對MOS管功耗計算與散熱設(shè)計要點的詳細(xì)分析: 一、MOS管的功耗計算 MOS管的功耗主要包括驅(qū)動損耗、開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
2025-03-27 14:57:231518

如何準(zhǔn)確計算 MOS驅(qū)動電流?

驅(qū)動電流是指用于控制MOS管開關(guān)過程的電流。在MOS管的驅(qū)動過程中,需要將足夠的電荷注入或抽出MOS管的柵極,以改變MOS管的導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動電流的大小與MOS管的輸入電容、開關(guān)速度以及應(yīng)用中所需的切換速度等因素有關(guān)。較大的驅(qū)動電流通??梢蕴岣?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的開關(guān)速度。
2025-05-08 17:39:423453

mos管并聯(lián)后共用驅(qū)動電阻

多管并聯(lián)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計中,驅(qū)動電阻配置對系統(tǒng)運行效率和可靠性至關(guān)重要。驅(qū)動電阻的大小決定了開關(guān)速度、功率損耗和電磁干擾等核心性能的平衡關(guān)系。采用單一驅(qū)動電阻方案具有集約化優(yōu)勢,但同時需考慮共用驅(qū)動電阻帶來的寄生參數(shù)疊加效應(yīng)。
2025-06-20 09:22:00944

mos管柵極串聯(lián)電阻

本文探討了柵極串聯(lián)電阻MOS管設(shè)計中的重要作用,指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外,文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的重要性,提出R=√(L/(C·k))公式作為起點,但實際設(shè)計中還需考慮驅(qū)動芯片的輸出阻抗。
2025-06-27 09:13:00937

MOS管的連續(xù)電流ID計算示例

在電子電路的設(shè)計中,MOS管是一種極為重要的分立器件,它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動等眾多領(lǐng)域。而在MOS管的規(guī)格書中,連續(xù)電流ID這個參數(shù)備受關(guān)注。那么,MOS的規(guī)格書上的連續(xù)電流ID究竟是怎么計算出來的呢?今天我們就來解析其背后的計算邏輯。
2025-09-22 11:04:371141

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