常規(guī)IC封裝需經(jīng)過將晶圓與IC封裝基板焊接，再將IC基板焊接至普通PCB的復(fù)雜過程。與之不同，WLP基于IC晶圓，借助PCB制造技術(shù)，在晶圓上構(gòu)建類似IC封裝基板的結(jié)構(gòu)，塑封后可直接安裝在普通PCB
2025-05-14 11:08:16
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)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及硅通孔(TSV)封裝。此外，本文還將介紹應(yīng)用于這些晶圓級(jí)封裝的各項(xiàng)工藝，包括光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝和濕法(Wet)工藝。
2023-11-08 09:20:1911649 
隨著晶圓級(jí)封裝技術(shù)的不斷提升，眾多芯片設(shè)計(jì)及封測(cè)公司開始思考并嘗試采用晶圓級(jí)封裝技術(shù)替代傳統(tǒng)封裝。其中HRP（Heat?Re-distribution?Packaging）晶圓級(jí)先進(jìn)封裝
2023-11-30 09:23:243833 
本篇文章將探討用于晶圓級(jí)封裝(WLP)的各項(xiàng)材料，從光刻膠中的樹脂，到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑，這些材料均在晶圓級(jí)封裝中發(fā)揮著重要作用。
2023-12-15 17:20:363689 
扇出型晶圓級(jí)中介層封裝（ FOWLP）以及封裝堆疊（Package-on-Package, PoP）設(shè)計(jì)在移動(dòng)應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢(shì)，例如低功耗、短信號(hào)路徑、小外形尺寸以及多功能的異構(gòu)集成。此外，它還
2025-01-22 14:57:524508 
晶圓級(jí)扇出封裝（FO-WLP）通過環(huán)氧樹脂模塑料（EMC）擴(kuò)展芯片有效面積，突破了扇入型封裝的I/O密度限制，但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
2025-06-05 16:25:572147 
焊盤整理完成之后就可以重新貼裝元件了。這時(shí)我們又面臨了新的問題：如果選擇錫膏裝配的話，如何印刷錫膏呢？對(duì)于密間距的晶圓級(jí)CSP來說，這的確是一個(gè)難題。有采用小鋼網(wǎng)，采用手工的方式來局部印刷錫膏
2018-09-06 16:32:16
晶圓級(jí)CSP的返修工藝包括哪幾個(gè)步驟？晶圓級(jí)CSP對(duì)返修設(shè)備的要求是什么？
2021-04-25 08:33:16
要比吸錫帶寬度略小一點(diǎn)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">焊盤重新整理完成之后需要目視檢查，確定是否仍然有殘留物附著在焊盤表面或臨近區(qū)域，焊盤是否清潔 平整，是否有焊盤剝離基材和助焊膜損壞等現(xiàn)象，以決定是否再重新整理焊盤或?qū)⒔M件
2018-09-06 16:33:15
晶圓級(jí)CSP的元件如何重新貼裝？怎么進(jìn)行底部填充？
2021-04-25 06:31:58
細(xì)間距的晶圓級(jí)CSP時(shí)，將其當(dāng)做倒裝晶片并采用助焊劑浸蘸的方法進(jìn)行組裝，以取代傳統(tǒng)的焊膏印刷組裝，如圖2所示，首先將晶圓級(jí)CSP浸蘸在設(shè)定厚度的助焊劑薄膜中，然后貼裝，再回流焊接，最后底部填充（如果有要求）。關(guān)于錫膏裝配和助焊劑裝配的優(yōu)缺點(diǎn)。圖1 工藝流程1——錫膏裝配圖2 工藝流程2——助焊劑裝配
2018-09-06 16:24:04
晶圓級(jí)CSP裝配回流焊接工藝控制，看完你就懂了
2021-04-25 06:28:40
； ·尺寸和位置精度受阻焊膜窗口的影響，不適合密間距元件的裝配?！ SMD焊盤的尺寸和位置不受阻焊膜窗口的影響，在焊盤和阻焊膜之間有一定空隙，如圖2和圖3所示。對(duì)于 密間距晶圓級(jí)CSP，印刷電路板上的焊盤
2018-09-06 16:32:27
低，這樣焊錫膏可以很容易地沉積?！ ?duì)于0.5 mm和0.4 mm晶圓級(jí)CSP的裝配，錫膏印刷面臨挑戰(zhàn)，選擇合適的錫膏是關(guān)鍵之一。0.5 mmCSP的印 刷可以選用免洗型type3。0.4 mmCSP
2018-11-22 16:27:28
，溫度升至25℃需要約4 h。使用前需要攪拌，可以利用自動(dòng)攪拌機(jī)攪拌2～4 min?！ ?）印刷刮刀的選擇 刮刀材料一般有不銹鋼片和橡膠兩種，對(duì)于晶圓級(jí)CSP的錫膏印刷，一股采用金屬刮刀。金屬刀刃
2018-09-06 16:32:20
的是CSP裝配的熱循環(huán)可靠性，利用晶圓級(jí)CSP，采用不同的裝配方式來比較其在熱循環(huán)測(cè)試中的 可靠性。依據(jù)IPC－9701失效標(biāo)準(zhǔn)，熱循環(huán)測(cè)試測(cè)試條件： ·0/100°C氣——?dú)鉄嵫h(huán)測(cè)試
2018-09-06 16:40:03
考倒裝晶片的貼裝工藝。與倒裝晶片所不同的是，晶圓級(jí)CSP外形尺寸和焊球直徑一般都比它大，其基材和 倒裝晶片相同，也是表面平整光滑的硅。所以需要認(rèn)真選擇恰當(dāng)?shù)奈?，確保足夠的真空，使吸嘴和元件在 影像
2018-09-06 16:32:18
一些可以重工的底部填充材，應(yīng)用種類材料，便可以實(shí)現(xiàn)返修。盡管如此，返修工藝還是面臨是如何將 失效的CSP移除，以及如何重新整理焊盤，將上面殘留的底部填充材料和焊料清除的問題?！ 〗?jīng)過底部填充的CSP
2018-09-06 16:32:17
先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級(jí)三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
晶圓級(jí)封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級(jí)封裝的開發(fā)主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動(dòng)。1964年，美國(guó)IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圓級(jí)封裝類型及涉及的產(chǎn)品
2015-07-11 18:21:31
晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)是對(duì)整片晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)，封裝后的芯片尺寸與裸片一致。
2019-09-18 09:02:14
在于，生成焊凸前，需要將背面的連接觸點(diǎn)重新走線，引到晶圓的正面才能完成WLP封裝。重新走線需通過經(jīng)電鍍和填充微小導(dǎo)通孔來實(shí)現(xiàn)，這就要求很薄的晶圓，以達(dá)致合適的縱橫比。如果導(dǎo)通孔直徑為300μm，就得
2011-12-01 14:33:02
有人又將其稱為圓片級(jí)-芯片尺寸封裝（WLP-CSP），以晶圓圓片為加工對(duì)象，在晶圓上封裝芯片。晶圓封裝中最關(guān)鍵的工藝為晶圓鍵合，即是通過化學(xué)或物理的方法將兩片晶圓結(jié)合在一起，以達(dá)到密封效果。如下
2021-02-23 16:35:18
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
重新整理了一下PIC單片機(jī)的資料，是我學(xué)習(xí)PIC單片機(jī)整個(gè)過程當(dāng)中，收集，購買到的所有資料。包含PIC 16 18 32 型號(hào)單片機(jī)的各種版本的編程軟件（MPLAB 、MPLAB X）、編譯器
2015-02-12 11:46:05
請(qǐng)問下，為什么我放置焊盤的時(shí)候，捨取點(diǎn)一直是在焊盤的邊緣的，而不是在焊盤的中心的，我的焊盤是不規(guī)則焊盤，D-shape就是有矩形跟圓構(gòu)成的，請(qǐng)問怎么破？
2016-08-12 15:50:09
晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝; 49 bumps; 3.29×3.29×0.54mm（包括背面涂層）
2022-12-06 06:06:48
請(qǐng)教一下，有部分工程師使用的0402以上阻容件封裝焊盤呈子彈頭設(shè)計(jì)（焊盤內(nèi)測(cè)導(dǎo)圓），這樣設(shè)計(jì)走什么優(yōu)缺點(diǎn)呢？
2023-05-11 11:56:44
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
小，擊穿電壓穩(wěn)定，良率高，鉗位 電壓一般，電容有低容，普容和高容，6寸可以做回掃型ESD產(chǎn)品；第三代TVS主要以8寸晶圓流片為主，以CSP晶圓級(jí)封裝為主（DFN）,這種產(chǎn)品是高性能的ESD，采用8寸的先進(jìn)
2020-07-30 14:40:36
了。重新再.pcb文件中進(jìn)行修改保存后，再打開文件，還是不能保存長(zhǎng)條狀焊盤，請(qǐng)問有遇到的大俠是怎么解決這個(gè)問題的，謝謝！
2019-09-30 04:38:33
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
`晶圓級(jí)封裝(WLP)就是在其上已經(jīng)有某些電路微結(jié)構(gòu)（好比古董）的晶片（好比座墊）與另一塊經(jīng)腐蝕帶有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化學(xué)鍵結(jié)合在一起。在這些電路微結(jié)構(gòu)體的上面就形成了一個(gè)帶有密閉空腔的保護(hù)
2011-12-01 13:58:36
是最流行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或
2021-07-23 08:11:27
線鍵合連接至普通封裝的引腳上。普通封裝的設(shè)計(jì)原則要求鍵合焊盤位于芯片周界上。為避免同一芯片出現(xiàn)兩種設(shè)計(jì)(一種是普通封裝，另一種是CSP)，需要重新分配層連接焊球和鍵合焊盤。4 晶片級(jí)封裝器件的可靠性
2018-08-27 15:45:31
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
(見圖1)，CSP封裝的芯片在設(shè)計(jì)時(shí)就為焊球提供了可以粘附的位置，CSP工藝包括以下一些步驟：?在每一個(gè)按照完整硅圓片流程完成的芯片的每一個(gè)I/O鍵合區(qū)上加上一層凸點(diǎn)下金屬化層(Under-bump
2018-11-23 16:58:54
晶圓劃片 (Wafer Dicing )將晶圓或組件進(jìn)行劃片或開槽，以利后續(xù)制程或功能性測(cè)試。提供晶圓劃片服務(wù)，包括多項(xiàng)目晶圓(Multi Project Wafer, MPW)與不同材質(zhì)晶圓劃片
2018-08-31 14:16:45
`***高價(jià)大量求購大量各種品牌Nand Flash／DRAM／DDR2／DDR3／GOOD DIE／INK DIE WAFER晶圓tF,SD卡晶圓（如三星，東芝，美光，SANDISK）各種品牌Ｕ盤
2020-12-29 08:27:02
怎么選擇晶圓級(jí)CSP裝配工藝的錫膏？
2021-04-25 08:48:29
固態(tài)圖像傳感器要求在環(huán)境大氣中得到有效防護(hù)。第一代圖像傳感器安裝在帶玻璃蓋的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體封裝中。這種技術(shù)能使裸片得到很好的密封和異常堅(jiān)固的保護(hù)，但體積比較龐大，制造成本也比較高。引入晶圓級(jí)封裝后
2018-12-03 10:19:27
隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺(tái)之一，高密度扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
一份電路的基礎(chǔ)內(nèi)容文檔，從網(wǎng)上下下來的，不記得作者是誰了!作者看見了請(qǐng)聯(lián)系我，我把你的名字給寫進(jìn)去。這份文檔，我重新整理了下，把里面的內(nèi)容重新編排了下。里面的內(nèi)容還來不及查看，請(qǐng)大家多多提意見，大家共同來整理這份文檔！謝謝大家！
2014-03-06 20:54:12
SRAM中晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的需求
2020-12-31 07:50:40
如圖，別人抄板的原理圖，需要重新整理，里面的小方塊代表什么？有的是P+數(shù)字，有的是TP+數(shù)字，是代表板子上的焊盤嗎？還請(qǐng)大神解答
2017-07-26 10:27:07
是均衡的。裸片的電接口是焊球陣列，也稱為球柵陣列(BGA)，位于封裝的反面。在BGA和半導(dǎo)體裸片之間的連接建立方面采用了多種私有機(jī)制。包含焊球在內(nèi)的封裝總厚度約為900μm。 圖2：圖像傳感器由晶圓級(jí)
2018-10-30 17:14:24
摘要：本文詳細(xì)討論了Maxim的晶片級(jí)封裝(WL-CSP)，其中包括：晶圓架構(gòu)、卷帶包裝、PCB布局、安裝及回流焊等問題。本文還按照IPC和JEDEC標(biāo)準(zhǔn)提供了可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)。 注
2009-04-21 11:30:279869 
晶圓級(jí)CSP的返修工藝
經(jīng)底部填充的CSP裝配，其穩(wěn)健的機(jī)械連接強(qiáng)度得到很大的提升。在二級(jí)裝配中，由于底部填充，其抵御 由于
2009-11-20 15:42:17682 晶圓級(jí)CSP的裝配工藝流程
目前有兩種典型的工藝流程，一種是考慮與其他元件的SMT配，首先是錫膏印刷，然后貼裝CSP，回流焊接
2009-11-20 15:44:591607 PCB焊盤的形狀
圓形焊盤——廣泛用于元件規(guī)則排列的單、雙面印制板中。若板的密度允許，焊盤可大些，焊接時(shí)不至于脫落。
2010-01-25 09:08:402878 晶圓級(jí)封裝產(chǎn)業(yè)(WLP),晶圓級(jí)封裝產(chǎn)業(yè)(WLP)是什么意思
一、晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging)簡(jiǎn)介 晶圓級(jí)封裝(WLP，Wafer Level Package) 的一般定
2010-03-04 11:35:0146790 CSP封裝芯片的量產(chǎn)測(cè)試采用類似晶圓測(cè)試的方法進(jìn)行，但是兩者的區(qū)別在于：晶圓的測(cè)試，探針是扎在管芯的PAD（通常情況下為鋁金屬）上，而CSP封裝的測(cè)試座，探針是扎到CSP封裝的錫
2012-05-02 10:00:402018 超級(jí)CSP——讓倒裝芯片獲得最大可靠性一種晶圓片級(jí)封裝
2017-09-14 11:31:37
22 由于電子產(chǎn)品越來越細(xì)小，晶圓級(jí)CSP組裝已經(jīng)廣泛地應(yīng)用在不同產(chǎn)品了。
2018-10-30 09:51:0647034 MUNICH - Karl Suss KG GmbH＆amp;公司今天宣布與硅谷的Image Technology公司合作，開發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)化9英寸掩模，用于大批量晶圓凸點(diǎn)和晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的生產(chǎn)?？傮w目標(biāo)是降低晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的掩模成本。
2019-08-13 10:48:593097 1、PCB上每個(gè)焊球的焊盤中心與BGA底部相對(duì)應(yīng)的焊球中心相吻合。 2、PCB焊盤圖形為實(shí)心圓，導(dǎo)通孔不能加工在焊盤上。 3、導(dǎo)通孔在孔化電鍍后，必須采用介質(zhì)材料或?qū)щ娔z進(jìn)行堵塞，高度不得超過焊盤
2020-03-11 15:32:008911 作為華天集團(tuán)晶圓級(jí)先進(jìn)封裝基地，華天昆山2008年6月落戶昆山開發(fā)區(qū)，研發(fā)的晶圓級(jí)傳感器封裝技術(shù)、扇出型封裝技術(shù)、超薄超小型晶圓級(jí)封裝、晶圓級(jí)無源器件制造技術(shù)目前已達(dá)到世界領(lǐng)先水平。
2021-01-09 10:16:095508 晶圓在現(xiàn)實(shí)生活中具有重要應(yīng)用，缺少晶圓，我們的手機(jī)、電腦等將無法制成。而且，高質(zhì)量晶圓必將為我們制造的產(chǎn)品帶來更高的性能。為增進(jìn)大家對(duì)晶圓的了解，本文將對(duì)晶圓級(jí)CSP的返修工藝予以介紹。如果你對(duì)晶圓，抑或是晶圓相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2021-02-11 17:38:002677 在傳統(tǒng)晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個(gè)芯片，然后再進(jìn)行黏合封裝。不同于傳統(tǒng)封裝工藝，晶圓級(jí)封裝是在芯片還在晶圓上的時(shí)候就對(duì)芯片進(jìn)行封裝，保護(hù)層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個(gè)芯片。
2022-04-06 15:24:1912070 晶圓級(jí)封裝技術(shù)可定義為：直接在晶圓上進(jìn)行大部分或全部的封裝、測(cè)試程序，然后再進(jìn)行安裝焊球并切割，從而產(chǎn)出一顆顆的IC成品單元。
2022-07-10 11:23:512212 晶圓級(jí)芯片尺寸封裝-AN10439
2023-03-03 19:57:275 本應(yīng)用筆記討論ADI公司的晶圓級(jí)封裝（WLP），并提供WLP的PCB設(shè)計(jì)和SMT組裝指南。
2023-03-08 19:23:004780 
來源；《半導(dǎo)體芯科技》雜志 作者：黃泰源、羅長(zhǎng)誠、鐘興進(jìn)，廣東鴻浩半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 摘要 扇出晶圓級(jí)封裝廣泛應(yīng)用于手機(jī)、車載等電子產(chǎn)品上。制造過程中需要使用到暫時(shí)性基板，而移除暫時(shí)性基板最適
2023-04-28 17:44:432743 
進(jìn)行注塑，將玻璃晶圓與異構(gòu)芯片重構(gòu)成玻璃與樹脂永久鍵合的晶圓. 減薄樹脂晶圓面漏出TSV轉(zhuǎn)接芯片的銅柱，在 樹脂表面上完成再布線. 把控制、電源管理等芯片倒裝焊在再布線形成的焊盤處，植上BGA焊球形
2023-05-15 10:39:222694 
答： 對(duì)于不同的焊盤有不同命名方法，這里給大家介紹一下普遍的命名方法，具體如下所示： 貼片類焊盤命名方式： 1）圓焊盤circle ：SC + 直徑，如： SC1R00，即直徑為1mm的圓焊盤； 2
2023-07-25 07:55:011323 晶圓級(jí)封裝是在整個(gè)晶圓（wafer）的級(jí)別上進(jìn)行封裝，而普通封裝是在單個(gè)芯片級(jí)別上進(jìn)行封裝。晶圓級(jí)封裝通常在晶圓制造完成后，將多個(gè)芯片同時(shí)封裝在同一個(gè)晶圓上，形成多個(gè)封裝單元。相比之下，普通封裝將單個(gè)芯片分別封裝在獨(dú)立的封裝器件上。
2023-08-30 16:44:575858 對(duì)于0.5 mm和0.4 mm晶圓級(jí)CSP的裝配，錫膏印刷面臨挑戰(zhàn)，選擇合適的錫膏是關(guān)鍵之一。0.5 mmCSP的印 刷可以選用免洗型type3。0.4 mmCSP的印刷可以選用免洗型type3或type4，但type4有時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)連錫現(xiàn) 象。
2023-09-27 14:58:28915 NSMD焊盤的尺寸和位置不受阻焊膜窗口的影響，在焊盤和阻焊膜之間有一定空隙，如圖2和圖3所示。對(duì)于 密間距晶圓級(jí)CSP，印刷電路板上的焊盤一般都采用NSMD設(shè)計(jì)。
2023-09-27 15:02:031441 
焊盤整理完成之后就可以重新貼裝元件了。這時(shí)我們又面臨了新的問題：如果選擇錫膏裝配的話，如何印刷錫膏呢？對(duì)于密間距的晶圓級(jí)CSP來說，這的確是一個(gè)難題。
2023-09-28 15:45:121277 晶圓級(jí)封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級(jí)封裝分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan-In WLCSP）和扇出型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan-Out WLCSP），其特點(diǎn)是在整個(gè)封裝過程中，晶圓始終保持完整。
2023-10-18 09:31:054921 
扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于能夠利用高密度布線制造工藝，形成功率損耗更低、功能性更強(qiáng)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，讓系統(tǒng)級(jí)封裝（System in a Package, SiP）和3D芯片封裝更愿意采用扇出型晶圓級(jí)封裝工藝。
2023-10-25 15:16:142051 
【科普】什么是晶圓級(jí)封裝
2023-12-07 11:34:012771 
設(shè)計(jì)的基本要求 1、PCB上每個(gè)焊球的焊盤中心與BGA底部相對(duì)應(yīng)的焊球中心相吻合。 2、PCB焊盤圖形為實(shí)心圓，導(dǎo)通孔不能加工在焊盤上。 3、導(dǎo)通孔在孔化電鍍后，必須采用介質(zhì)材料或?qū)щ娔z進(jìn)行堵塞，高度不得超過焊盤高度。 4、通常，焊盤直徑小于焊球直徑的20%～25%，焊盤越
2024-03-03 17:01:302854 共讀好書 在本文中，我們將重點(diǎn)介紹半導(dǎo)體封裝的另一種主要方法——晶圓級(jí)封裝（WLP）。本文將探討晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝，包括：光刻（Photolithography）工藝、濺射
2024-03-05 08:42:133554 
隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，集成電路（IC）封裝技術(shù)也在不斷進(jìn)步，以適應(yīng)更小、更快、更高效的電子系統(tǒng)需求。焊線封裝、晶圓級(jí)封裝（WLP）和系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）是三種主流的封裝技術(shù)，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工藝、性能及應(yīng)用方面各有特點(diǎn)。本文將詳細(xì)探討這三種封裝技術(shù)的區(qū)別與應(yīng)用。
2024-04-07 09:46:153449 
(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及硅通孔(TSV)封裝。此外，本文還將介紹應(yīng)用于這些晶圓級(jí)封裝的各項(xiàng)工藝，包括光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝和濕法(Wet)工藝。
2024-08-21 15:10:384447 
在電子組裝中，焊盤（Pad）是用于焊接電子元件的金屬區(qū)域。焊盤的設(shè)計(jì)和布局對(duì)于電子組裝的質(zhì)量和可靠性至關(guān)重要。 1. 焊盤間距的基本規(guī)則 1.1 最小間距 元件引腳間距 ：焊盤間距應(yīng)至少等于元件引腳
2024-09-02 15:22:197777 在焊接過程中，晶振焊盤的氧化會(huì)影響焊接質(zhì)量，可能導(dǎo)致焊接不良或虛焊等問題。?KOAN凱擎小妹將介紹晶振焊盤氧化的處理方法以及與之相關(guān)的焊接技術(shù)。
2024-09-06 11:13:181349 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級(jí)封裝（WLP）作為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要組成部分，正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢(shì)。在晶圓級(jí)封裝過程中，Bump工藝扮演著至關(guān)重要的角色。Bump，即凸塊，是晶圓級(jí)封裝中
2025-03-04 10:52:574980 
BGA（BallGridArray）封裝因其高密度引腳和優(yōu)異的電氣性能，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。BGA焊盤設(shè)計(jì)與布線是PCB設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響焊接可靠性、信號(hào)完整性和熱管
2025-03-13 18:31:191819 
圓片級(jí)封裝（WLP），也稱為晶圓級(jí)封裝，是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序，再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問世以來，已逐漸成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù)，深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:362068 
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