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TinySwitch?II系列是美國PI(PowerIntegrations)公司繼TinySwitch之后,于2001年3月新推出的第二代增強型隔離式微型單片開關電源集成電路。該系列產(chǎn)品包括TNY264P/G、TNY266P/G~TNY268P/G,共8種型號。它特別適合制作高效率、低成本、微型化的小功率開關電源,例如手機電池充電器、PC機待機電源、彩色電視機待機電源、交流電源適配器、電機控制器以及ISDN或DSL網(wǎng)絡終端,是體積大、效率低的線性穩(wěn)壓電源理想的替代品。 1TinySwitch?II系列的產(chǎn)品分類及性能特點 1.1產(chǎn)品分類 產(chǎn)品分類見表1 表1TinySwitch?II系列產(chǎn)品的分類及最大連續(xù)輸出功率POM
1.2性能特點 與第一代產(chǎn)品TinySwitch(TNY253~TNY255)相比,它除了保留結構簡單、使用方便等優(yōu)點之外,還具有以下顯著特點: (1)在增加輸出功率的同時,降低了芯片的功耗,使電源效率得到進一步提高。當交流輸入電壓達到最大值265V,空載時芯片的功耗一般低于50mW。TinySwitch系列產(chǎn)品的最大輸出功率為10W(TNY255P/G型),TinySwitch?II系列產(chǎn)品則提高到23W(TNY268P/G型)。開關頻率也從44kHz提高到132kHz,這不僅能提高電源轉換效率,還允許使用低價格、小尺寸的EE13或EF12.6型磁芯,減小高頻變壓器的體積。 (2)增加了自動重啟動計數(shù)器、極限電流狀態(tài)機 和輸入欠壓檢測電路。利用一只檢測電阻來設定輸入電壓的欠壓閾值,消除了在待機電源等應用中因輸入濾波電容緩慢放電而引起的電源掉電故障。一旦發(fā)生輸出短路、控制環(huán)開路或者掉電故障,均能保護芯片不受損壞。 表2TinySwitch?II與TinySwich的性能比較
圖1TinySwitch?II的引腳排列 (3)將TinySwitch的使能端(EN)改為雙功能引出 端“使能/欠壓端”(EN/UV)。正常工作時由此端控制內(nèi)部功率MOSFET的通斷,該端還可用于輸入欠壓檢測信號。另外,在旁路端(BP)內(nèi)部還增加了6.3V的鉗位保護電路。 (4)新增加了開關頻率抖動(frequencyjittering) 功能,能濾除浸過清漆的普通高頻變壓器產(chǎn)生的音頻噪聲,并防止電源的開關噪聲,還能快速上電而無過沖現(xiàn)象。TinySwitch?II的開/關控制器的調(diào)節(jié)速度比一般的脈寬調(diào)制器(PWM)更快,對紋波的抑制能力更佳。 (5)功率MOSFET漏極的極限電流ILIMIT的容 許偏差小。例如TNY264P/G的容許偏差僅為250±17mA,相對偏差減小到(±17/250)%=±6.8%;而TNY254P/G的容差為255±25mA,相對偏差達(±25/255)%=±9.8%。這表明,用TNY264P/G代替TNY254P/G來設計開關電源時,由于TNY264P/G不需要留出過多的極限電流余量,因此在相同輸入功率/輸出電壓的條件下,輸出功率要高于TNY254P/G,并且能降低外圍元件的成本。 1.3TinySwitch?II與TinySwich的性能比較 TinySwitch?II與TinySwich系列產(chǎn)品的性能比較見表2。 2TinySwitch?II系列的工作原理 2.1管腳功能 TinySwitch?II系列產(chǎn)品的引腳排列如圖1所示,它采用雙列直插式封裝(DIP?8B)或表面貼片式封裝(SMD?8B),但實際引出端只有7個。由于第6腳未引出,從而增加了漏極與源極的安全距離??紤]到它有4個源極端S,故等效于四端器件。4個源極被劃分成兩組:兩個S端需接控制電路的公共端,兩個S(HVRTN)端則接高壓返回端,它們都與內(nèi)部MOSFET的源極連通。D為內(nèi)部功率MOSFET的漏極引出端,為啟動和穩(wěn)定工作提供了內(nèi)部工作電流。BP為旁路端,接外部0.1μF的旁路電容。正常工作時,由EN/UV端來控制內(nèi)部功率MOSFET的通斷。超載時,從EN/UV端流出的電流大于240μA,強迫功率MOSEFT關斷。若該端經(jīng)一只2MΩ電阻接輸入直流高壓UI,即可對UI進行欠壓檢測,不接電阻時無此項功能。
圖2TinySwitch?II的功能框圖
圖3頻率抖動的波形 2.2工作原理 TinySwitch?II內(nèi)部集成了一個耐壓為700V的功率MOSFET和一個開/關控制器。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,它采用一個簡單的開/關控制器來調(diào)節(jié)輸出電壓。其功能框圖如圖2所示。主要包括振蕩器,5.8V穩(wěn)壓器,旁路端鉗位用的6.3V穩(wěn)壓管,使能檢測與邏輯電路,極限電流狀態(tài)機,欠壓、過流及過熱保護電路,自動重啟動計數(shù)器。此外,EN/UV的內(nèi)部電路中還增加了一個源極跟隨器。由圖2可見,能夠控制MOSFET關斷的電路有以下幾種:BP端欠壓比較器,過流比較器,過熱保護電路,前沿閉鎖電路,最大占空比信號Dmax,EN/UV控制端。它們之間呈“邏輯或”的關系,任何一路均可單獨將MOSFET關斷。 TinySwitch?II一般工作在極限電流的模式下。啟動時,在每個時鐘周期開始時刻,TinySwitch?II對EN/UV端進行取樣,再根據(jù)取樣結果來決定是否跳過周期以及跳過多少個周期,同時確定適當?shù)臉O限電流閾值。當漏極電流ID逐漸升高并達到ILIMIT值或者占空比達到最大值Dmax時,使MOSFET關斷。滿載時TinySwitch?II在大部分周期內(nèi)導通;中等負載時則要跳過一部分周期并開始降低ILIMIT值,以維持輸出電壓穩(wěn)定。輕載或空載時,則幾乎要跳過所有周期,并且進一步降低ILIMIT值,使功率MOSFET僅在很少時間內(nèi)導通,以維持電源正常工作所必須的能量。 EN/UV端一般由光耦合器驅(qū)動。光耦合器中接收管的集電極連到EN/UV端,發(fā)射極則接源極。光耦合器與穩(wěn)壓管串聯(lián)在穩(wěn)壓輸出端,輸出電壓UO就等于光耦合器內(nèi)部發(fā)光二極管(LED)正向壓降UF與穩(wěn)壓管穩(wěn)定電壓UZ之和。當UO↑時,LED開始導通,將EN/UV腳電壓置成低電平,使功率MOSEFT關斷,通過減小占空比來使UO↓,最終達到穩(wěn)壓目的。為改善穩(wěn)壓性能,亦可用可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器TL431來代替普通的穩(wěn)壓管。 下面就TinySwitch?Ⅱ的內(nèi)部電路中的幾個主要功能電路作一介紹: (1)振蕩器 振蕩器的頻率均設置為132kHz。它能產(chǎn)生決定每個周期起始時間的時鐘信號(CLOCK)和最大占空比信號(Dmax)。該振蕩器還增加了頻率抖動電路,開關頻率的抖動范圍是128kHz~136kHz,抖動量為±4kHz。頻率抖動波形如圖3所示。利用此功能可顯著減小噪聲干擾,并且噪聲諧波次數(shù)愈高,抑制作用愈明顯。例如對5次諧波噪聲平均值的衰減量可達10dB以上。 (2)使能電路與極限電流狀態(tài)機 EN/UV端的使能電路中有一個設定值為1.0V的低阻抗源極跟隨器,其輸出電流的閾值為240μA。當該端輸出電流超過240μA時,使能電路就輸出低電平(禁止)。在時鐘信號的上升沿對輸出取樣,若為高電平,則本周期接通功率MOSFET;若為低電平,在大多數(shù)情況下,就使功率MOSFET關斷。但在接近于最大負載時,即便使能電路不起作用,功率MOSFET在此周期內(nèi)仍然導通,只是極限電流要降到規(guī)定值的50%。因為取樣僅在每個周期開始時進行一次,所以在此周期內(nèi)EN/UV端上其它電流或電壓的變化均可忽略不計。輕載時,極限電流狀態(tài)機用離散的數(shù)字量來減小ILIMIT值,使TinySwitch?II在音頻范圍內(nèi)起到開關作用。從而降低了高頻變壓器產(chǎn)生的音頻噪音。
圖4接欠壓保護電阻后的自動重啟動波形
圖5接欠壓保護電阻后慢關斷的時序波形 (3)5.8V穩(wěn)壓器和6.3V并聯(lián)式電壓鉗位器 當MOSFET關斷時,5.8V穩(wěn)壓器通過漏極電壓的電流將旁路端外接電容CBP充電到5.8V。當MOSFET導通時,TinySwitch?II就消耗存儲在CBP中的能量。TinySwitch?II內(nèi)部電路的功耗極低,使其能利用漏極電流連續(xù)工作。選擇0.1μF的旁路電容即可實現(xiàn)高頻去耦及能量的存儲。此外,外部電阻還向BP端提供電流,當BP端達到6.3V的鉗位電壓時,就關閉5.8V穩(wěn)壓器,以降低芯片的空載損耗。 (4)極限電流檢測電路 TinySwitch?II的極限電流參數(shù)值見表3。極限電流檢測電路用來檢測功率MOSFET的漏極電流ID是否達到極限值。在每個開關周期內(nèi),當ID達到ILIMIT時功率MOSFET就在此周期的剩余時間內(nèi)關斷。 表3TinySwitch?Ⅱ的極限電流單位:(mA)
在EN/UV端與直流高壓端UI之間接一只欠壓保護電阻,即可監(jiān)測UI值是否欠壓。當UI低于設定值時,欠壓檢測電路就將旁路端電壓UBP從正常值(5.8V)降至4.8V,強迫功率MOSFET關斷,起到保護作用。 (6)自動重啟動 一旦發(fā)生輸出過載、輸出短路或開路故障時,TinySwitch?II能自動重啟動,直至排除故障后轉入正常工作狀態(tài)。自動重啟動頻率為1.2Hz。圖4示出接上欠壓保護電阻后,當輸出端短路時的自動重啟動電路波形,在每個開關周期內(nèi)禁止功率MOSFET工作的時間將超過850ms。一旦欠壓故障被排除掉,芯片又恢復正常工作。 TinySwitch?II用做待機電源時,可在EN/UV端接上2MΩ欠壓保護電阻,使待機電源具有慢關斷特性,時序波形分別如圖5所示。其特點是當UI降至0V時,漏極電壓UD要經(jīng)過一段時間才緩慢降至0V。不接欠壓保護電阻時,UD和UI是同時降到0V的。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TinySwitch?II系列第二代微型單片開關電源的原理
- 電源(262167)
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2014-06-13 09:48:18
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11389Apple Watch大降價,第二代要來了?
有消息稱,美國多家經(jīng)銷商近日下調(diào)了 Apple Watch 的價格,參考過去發(fā)生在蘋果產(chǎn)品身上的更新規(guī)律,這被業(yè)界認為是第二代產(chǎn)品即將到來的征兆。
2016-08-29 09:55:48
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1284小米發(fā)布第二代電視產(chǎn)品,售1999 元人民幣
電視內(nèi)容上一直是小米電視的軟肋,第二代產(chǎn)品在內(nèi)容資源上有所提升,但提升的幅度不高。
2016-12-29 08:09:11
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2326并不期待iphone8上市,只期待第二代iphone SE
更期待iphone SE第二代,iphone SE外形經(jīng)典,4英寸的屏幕,機身小巧,單手握持舒適,這么小的手機里卻裝了一顆強大的心臟,iphone SE有著iphone6s搬的配置,性能強勁,期待蘋果能發(fā)布第二代iphone SE。
2017-02-27 15:16:14
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3857alyx首次提出全球第二代VR顯示定義 獨家沉浸屏樹立VR新標桿
什么叫做全球第二代VR顯示?來自LUCI品牌的alyx認為,針對當下第一代VR產(chǎn)品存在的痛點,從底層技術環(huán)節(jié)進行顛覆性的升級與突破,并對VR產(chǎn)品的內(nèi)容使用場景進行全新定義,才構成全球第二代VR顯示的完整定義。
2018-01-11 07:40:00
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1767歐司朗推出第二代恒壓驅(qū)動電源,壽命可達10萬小時
歐司朗為日本市場推出第二代專業(yè)級高端防水型恒壓驅(qū)動電源-OPTOTRONIC?OT 24 DIM P G2,該款產(chǎn)品符合PSE認證,PSE的認證是日本強制性安全認證,用以證明電子產(chǎn)品已通過日本電氣和原料安全法或國際IEC標準的安全標準測試。
2018-07-17 15:13:00
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3054【再升級】智齒第二代智能客服機器人,為問題解決而生
2018年初,智齒科技第二代智能客服機器人上線,相比第一代信息問答式機器人,第二代智能客服機器人擁有更高的解決問題、任務執(zhí)行能力,是技術能力、產(chǎn)品工具化方面的更高的升級。 本月中,第二代智能客服
2018-07-26 15:47:51
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3228Altera第二代Nios II嵌入式評估套件,主要應用在最新的MAX 10 FPGA套件
Altera公司宣布提供第二代Nios II嵌入式評估套件(NEEK),它安裝了Altera的非易失MAX 10 FPGA以及Nios II軟核嵌入式處理器。MAX 10 NEEK是功能豐富的平臺
2018-08-24 16:41:00
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1557黑鯊第二代游戲手柄體驗評測 可以說做到了指哪打哪非常靈敏精準度也很高
黑鯊第二代游戲手柄好用嗎?繼今年4月份推出了第一代黑鯊游戲手柄,黑鯊科技近期又為我們帶來了第二代游戲手柄——“黑鯊雙翼手柄—左手”。那么,黑鯊第二代游戲手柄好用嗎?黑鯊第二代游戲手柄值得買嗎?針對上述問題,小編今天為大家?guī)砹撕邗?b class="flag-6" style="color: red">第二代游戲手柄體驗評測。
2019-07-18 11:46:27
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6587碩訊聯(lián)合華碩推出第二代安全可信數(shù)據(jù)加速專用服務器
碩訊科技推出第二代安全可信及數(shù)據(jù)加速專用服務器。第二代專用服務器在第一代的基礎上增加了系統(tǒng)加固、數(shù)據(jù)防刪除、病毒防護等功能。
2019-08-20 11:46:32
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1326歐司朗正在開發(fā)第二代Eviyos 用戶可以將多個Eviyos組合應用
高科技公司歐司朗正在開發(fā)第二代LED智能車頭燈Eviyos,預計2023年投入市場。
2019-10-17 15:16:26
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1516AirPodsPro與第二代AirPods有什么區(qū)別
昨晚蘋果正式推出了傳聞已久的 AirPods Pro,入耳式的新設計伴隨著期待已久的降噪功能,但其售價也來到了 1999 元,與第二代 AirPods 拉開了將近 500 元的差價。通過翻閱兩款 AirPods 的規(guī)格參數(shù)以及介紹之后,我發(fā)現(xiàn)這 500 塊的差價也不是貴得沒有道理。
2019-10-29 14:28:55
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57313英特爾第二代傲騰固態(tài)硬盤支持PCIe 4.0,使用第二代3D XPoint介質(zhì)
5月11日消息,近日,英特爾初步介紹第二代傲騰固態(tài)硬盤細節(jié),該公司使用3DXpoint打造的傲騰系列存儲產(chǎn)品都有著相當強大的性能,新一代傲騰144層3D NAND固態(tài)硬盤將支持PCIe 4.0,最大容量可達3TB。
2020-05-13 14:08:04
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6684小鵬第二代飛行汽車曝光
今早,小鵬汽車何小鵬在微博上分享了一些小鵬匯天第二代飛行汽車之前的設計草圖。他表示,真正想對外發(fā)布的是既可以在城市道路駕駛的,也可以原地垂直起降的可飛行也可開的雙座汽車。
2020-12-03 10:26:04
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2599英特爾推出第二代低溫控制芯片Horse Ridge II
12月4日消息,據(jù)國外媒體報道,在當?shù)貢r間周四的英特爾實驗室虛擬活動上,英特爾推出了第二代低溫控制芯片Horse Ridge II,這是該公司在克服量子計算最大障礙之一的可擴展性方面取得的又一個里程碑。
2020-12-04 09:46:39
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2230中芯國際稱第二代FinFET已進入小量試產(chǎn)
中芯國際在互動平臺上回答投資者時表示,第二代FinFET 已進入小量試產(chǎn)。 在回答投資者 近來公司 7 納米產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)進展如何?的問題時,中芯國際表示,公司第一代 FinFET 14nm 已于
2020-12-07 11:23:37
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3352vivo預熱X60系列:采用第二代微云臺
? ?vivo 方面上周正式公布了 vivo X60 系列新機并表示將于 12 月 29 日發(fā)布。vivo X60 系列主打第二代微云臺以及蔡司光學鏡頭,將全球首發(fā)三星 5nm 工藝 Exynos
2020-12-22 10:53:58
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2274vivo X60系列第二代微云臺視頻性能參照曝光
今天,vivo官方微博發(fā)布了X60系列第二代微云臺的宣傳視頻,視頻從恐高、笑場、滑板、跑動等典型生活場景舉例,定義了“抖動是拍照的天敵”。而vivo X60系列搭載的第二代微云臺技術可以很好的化解拍照時的抖動帶來照片模糊的問題,可以很好的“穩(wěn)住”生活中的常見場景,拍照更加清晰,大大提高出片率。
2020-12-22 14:12:50
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2267燧原科技正式發(fā)布第二代推理產(chǎn)品“云燧i20”
燧原科技是國內(nèi)首家發(fā)布第二代人工智能訓練及推理產(chǎn)品組合的公司。請問燧原科技分別于何時發(fā)布了第一代和第二代產(chǎn)品?(單選題)
2021-12-13 14:59:21
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3271使用迪文第二代DGUS軟件實現(xiàn)突出的GUI性能
2019年迪文推出了T5L系列芯片,同時還更新了針對它的第二代DGUS軟件——因為大多數(shù)功能以及設置都與T5平臺相通,所以T5L系列所使用的DGUS軟件依然是第二代的范疇。
2022-05-30 10:41:28
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7989
小米13系列全系標配第二代驍龍8
據(jù)消息人士透露,小米2023年旗艦產(chǎn)品米13系列(代號m2)的研發(fā)進展迅速,并一直在測試高通公司的第二代Snapdragon 8芯片。高端版本有2K屏幕,后者可能被命名為小米 13 Pro。同時,揭示了產(chǎn)品本身的關鍵參數(shù)。
2022-07-11 17:25:44
2303
2303三星與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤
據(jù)消息報道,三星電子近日宣布,該公司已與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤(SmartSSD),這將搶占未來市場。
2022-07-22 17:03:43
3079
3079鴻利智匯推出第二代雙色調(diào)色COB系列產(chǎn)品
2022年光亞展,鴻利智匯COB又雙叒叕添加新成員,首次展出第二代雙色調(diào)色COB系列產(chǎn)品,進一步擴充智能調(diào)光調(diào)色照明領域產(chǎn)品系列。
2022-08-02 09:55:14
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1605蘋果:第二代AirPods Pro耳塞與第一代不兼容
本月早些時候,蘋果推出了其年度產(chǎn)品發(fā)布活動,新的iPhone系列正式發(fā)布。與此同時,蘋果還推出了AirPods Pro(第二代)。
2022-09-26 15:06:06
5578
5578大禹智芯正式發(fā)布Paratus系列DPU第二代產(chǎn)品
近日,大禹智芯正式發(fā)布Paratus系列DPU第二代產(chǎn)品——Paratus 2.0。此前,經(jīng)多個頭部重點客戶側應用場景測試及驗證,Paratus 2.0的功能實現(xiàn)方式、穩(wěn)定性及諸多性能指標等均給參與早期測試的客戶留下深刻印象。
2022-10-14 11:59:12
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1482高通發(fā)布全新旗艦移動平臺——第二代驍龍8
第二代驍龍8相比新驍龍8擁有更大的核心和更高的核心主頻,這為其帶來35%的性能提升和40%的能效提升。另一方面,由于第二代驍龍8依舊搭載了支持32位應用的A710以及增加支持32位應用的新A510,在適配性上也不用太過擔心。
2022-11-18 11:00:01
2914
2914Holtek新推出第二代鋰電池保護Flash MCU HT45F8640
Holtek新推出第二代鋰電池保護Flash MCU HT45F8640,提供客戶4K×16 Flash ROM,讓原本第二代HT45F8650/HT45F8662系列產(chǎn)品更加齊全。
2022-12-27 10:01:52
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1113詳解上汽第二代10速EDU電驅(qū)系統(tǒng)
然而不知不覺中,現(xiàn)在這套電驅(qū)系統(tǒng)已經(jīng)升級到了第二代,除了結構上的變化,部分零部件也采用了全新的設計,借著這次試駕名爵 eHS 的機會,我了解到了第二代 EDU 的一些細節(jié)信息,下面跟大家分享。
2023-03-24 10:53:31
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4387第二代低功耗MCU—RJM8L151S系列
2022年3月瑞納捷半導體發(fā)布了第二代低功耗MCU—RJM8L151S系列,該系列是第一代RJM8L151系列的全面升級,不僅修改了RJM8L151系列的已知問題,還提升了綜合性能和易用性,芯片的抗干擾性能和低功耗性能也有了較大提升。
2022-03-29 16:48:44
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新品 | 采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機的驅(qū)動器
TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關。驅(qū)動電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI
2024-09-05 08:03:27
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第二代AMD Versal Prime系列自適應SoC的亮點
第二代 Versal Prime 系列自適應 SoC 是備受期待的 Zynq UltraScale+ MPSoC 產(chǎn)品線的繼任產(chǎn)品,該產(chǎn)品線已廣泛應用于廣播與專業(yè)音視頻行業(yè)的設備中。第二代
2024-09-14 15:32:19
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AMD推出第二代Versal Premium系列
近日,AMD(超威,納斯達克股票代碼:AMD )今日宣布推出第二代 AMD Versal Premium 系列,這款自適應 SoC 平臺旨在面向各種工作負載提供最高水平系統(tǒng)加速。第二代 Versal
2024-11-13 09:27:16
1423
1423新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝
新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術的優(yōu)勢為
2024-11-29 01:03:07
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第二代AMD Versal Premium系列產(chǎn)品亮點
第二代 AMD Versal Premium 系列提供了全新水平的存儲器和數(shù)據(jù)帶寬,具備 CXL 3.1、PCIe Gen6 和 DDR5/LPDDR5X 接口功能,可滿足當今和未來數(shù)據(jù)中心、通信
2025-01-08 11:50:23
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1297第二代AMD Versal Premium系列器件的主要應用
隨著數(shù)據(jù)中心工作負載持續(xù)呈指數(shù)級增長,存儲層也需要同等的性能提升才能跟上步伐。第二代 AMD Versal Premium 系列器件為各種存儲應用提供了巨大優(yōu)勢,包括企業(yè)級 SSD、加密/壓縮加速器
2025-01-15 14:03:46
1089
1089新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以
2025-02-08 08:34:44
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第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應用需求
第二代 AMD Versal Premium 系列自適應 SoC 是一款多功能且可配置的平臺,提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應 SoC 旨在滿足從簡單到復雜的各種 CXL 應用需求
2025-04-24 14:52:03
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恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級開發(fā)平臺
第二代OrangeBox開發(fā)平臺集成AI功能、后量子加密技術及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡的能力,應對快速演變的信息安全威脅。
2025-05-27 14:25:36
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1162AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能
我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,這兩款產(chǎn)品是對 Versal 產(chǎn)品組合的擴展,可為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能。
2025-06-11 09:59:40
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1648新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
2025-11-24 17:05:15
1203
1203
新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件
新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢,同時有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
2025-12-31 09:05:13
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